JP4858547B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る半導体装置の平面図である。図2は、図1のA−A’断面図である。また、図3は、図1のB−B’断面図である。以下、図1〜図3を参照して、本実施形態に係る半導体装置の構造について説明する。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、クロス配線322をキャップ部300のうちセンサ部100に接合される側に設けたことが特徴となっている。
本実施形態では、第1、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態に係る半導体装置は、クロス配線部323等がキャップ部300の一面301側に設けられ、さらにキャップ部300に第2センシング部310ではなく集積回路部が設けられた構造を有している。
本実施形態では、第1〜第3実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、キャップ部300の一面301側に設けたクロス配線部323等を浮遊させた構造になっていることが特徴になっている。
本実施形態では、第4実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、キャップ部300においてクロス配線322等を形成する際に、絶縁膜304のうち各貫通電極344、354、357が形成される場所に第1のN+型ポリシリコン層358を埋め込んでおくことが特徴となっている。
本実施形態では、第4、第5実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、センサ部100の第1センシング部102が、Z軸すなわちセンサ部100とキャップ部300の積層方向の加速度等を検出する可動電極部を有していることが特徴となっている。この例では空中配線を使用した例で示したがそうでなく絶縁膜上に形成した配線構造でもよい。
本実施形態では、第1〜第6実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記各実施形態では、センサ部100の第1、第2固定部118、119を電気的に接続するためのクロス配線部323がキャップ部300に設けられた半導体装置について説明したが、本実施形態では、各部を電気的に接続する配線がセンサ部100に設けられていることが特徴となっている。
本実施形態では、第7実施形態と異なる部分についてのみ説明する。第7実施形態では、キャップ部300にイメージセンサ371が設けられたものが示されているが、本実施形態では、キャップ部300に第2センシング部310として加速度センサまたはジャイロセンサが設けられたものである。
本実施形態では、第8実施形態と異なる部分についてのみ説明する。第8実施形態では、第1センシング部102の可動電極部108と第2センシング部310の可動電極部383とが当たらないように、第1センシング部102の可動電極部108を周辺部111よりも第2シリコン層104側に位置させていた。本実施形態では、センサ部100とキャップ部300との間に電気的接続を担う層を介在させることが特徴となっている。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、センサ部100とキャップ部300との間に隔壁基板が配置されていることにより、センサ部100と隔壁基板との間の気密室とキャップ部300と隔壁基板との間の気密室とが分離される構造になっている。各気密室は所定の圧力、所定の雰囲気(ガス)に設定できる。
本実施形態では、第10実施形態と異なる部分についてのみ説明する。第10実施形態では、センサ部100の可動電極部108等がキャップ部300に当たらないようにするためにキャップ部300の絶縁膜304の一部を除去していた。本実施形態では、可動電極部108等がキャップ部300に確実に当たらないようにする構造を提供する。
本実施形態では、第8実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、図28に示された半導体装置において、キャップ部300に上記第10実施形態で示された隔壁基板387を備えたことが特徴となっている。
本実施形態では、第8、第9、第12実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第12実施形態では、隔壁基板387に絶縁層397〜399を形成することにより、各貫通電極部391〜393を構成していたが、本実施形態では、隔壁基板387の一部をエッチングにより他の部分と分離することにより、各貫通電極部391〜393を構成していることが特徴となっている。
上記第1〜第6、第10、第11実施形態では、キャップ部300の一面301もしくは他面302にクロス配線322が設けられていた。また、第7〜第9、第12、第13実施形態では、センサ部100にクロス配線部129が設けられていた。これらは、クロス配線322およびクロス配線部129が配置される階層の一例を示したものであり、クロス配線322やクロス配線部129が配置される場所がこれらに限定されるものではなく、クロス配線322およびクロス配線部129が他の階層にそれぞれ配置されていても良い。
118 第1固定部
119 第2固定部
102 第1センシング部
100 センサ部
301 キャップ部の一面
300 キャップ部
323 クロス配線部
322 クロス配線
306 第1貫通電極
307 第2貫通電極
310 第2センシング部
387 隔壁基板
124 第1気密室
388 第2気密室
322 クロス配線
348 第1接続部
349 第2接続部
302 キャップ部の他面
344 第5貫通電極
303 シリコン基板
363 空中配線補強部
Claims (8)
- 一面(101)を有し、この一面(101)側に第1の部位(118)とこの第1の部位(118)に対して電気的に絶縁された第2の部位(119)とを含んだ第1センシング部(102)が設けられたセンサ部(100)と、
前記センサ部(100)の一面(101)に接合される一面(301)を有するキャップ部(300)とを備え、
前記センサ部(100)の一面(101)に前記キャップ部(300)の一面(301)が接合されたことにより、前記第1センシング部(102)が前記センサ部(100)と前記キャップ部(300)とによって密閉された半導体装置であって、
前記キャップ部(300)は、前記センサ部(100)において絶縁された前記第1の部位(118)と前記第2の部位(119)とを電気的に接続したクロス配線部(323)を備えており、
前記キャップ部(300)は、該キャップ部(300)の一面(301)の反対側の他面(302)を有し、
前記クロス配線部(323)は、
前記キャップ部(300)の一面(301)に平行な平面方向に延設されたものであり、前記キャップ部(300)の他面(302)に配置されると共に、前記キャップ部(300)の他面(302)の平面方向に延設されたクロス配線(322)と、
前記キャップ部(300)の一面(301)と他面(302)とを貫通し、一端が前記クロス配線(322)に電気的に接続され、他端が前記第1の部位(118)に電気的に接続された第1貫通電極(306)と、
前記キャップ部(300)の一面(301)と他面(302)とを貫通し、一端が前記クロス配線(322)に電気的に接続され、他端が前記第2の部位(119)に電気的に接続された第2貫通電極(307)とを備えていることを特徴とする半導体装置。 - 前記キャップ部(300)は、第2センシング部(310)を備えた基板(303)と、前記基板(303)に接合された隔壁基板(387)とを備え、
前記キャップ部(300)において、前記隔壁基板(387)のうち前記基板(303)が接合された面とは反対側の面側が前記キャップ部(300)の一面(301)とされ、
前記センサ部(100)の一面(101)と前記キャップ部(300)の一面(301)とが接合されたことにより、前記センサ部(100)と前記キャップ部(300)との間に密閉された第1気密室(124)が形成され、この第1気密室(124)に前記第1センシング部(102)が配置されており、
前記キャップ部(300)において、該キャップ部(300)の基板(303)と隔壁基板(387)とが接合されたことにより前記基板(303)と前記隔壁基板(387)との間に密閉された第2気密室(388)が形成され、前記基板(303)のうち前記第2気密室(388)が形成された位置に前記第2センシング部(310)が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1気密室(124)と前記第2気密室(388)とは異なる気圧になっていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1気密室(124)と前記第2気密室(388)とには異なる気体が充満していることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置。
- 一面(101)を有し、この一面(101)側に第1の部位(118)とこの第1の部位(118)に対して電気的に絶縁された第2の部位(119)とを含んだ第1センシング部(102)が設けられたセンサ部(100)と、
一面(301)およびこの一面(301)の反対側の他面(302)とを有するキャップ部(300)とを備え、
前記センサ部(100)の一面(101)に前記キャップ部(300)の一面(301)が接合されたことにより、前記第1センシング部(102)が前記センサ部(100)と前記キャップ部(300)とによって密閉された半導体装置の製造方法であって、
前記第1センシング部(102)が設けられた前記センサ部(100)と、前記キャップ部(300)とをそれぞれ用意する工程と、
前記センサ部(100)の一面(301)側と前記キャップ部(300)を接合する工程と、
前記キャップ部(300)の一面(301)と他面(302)とを貫通し、一端を前記第1の部位(118)に電気的に接続させた第1貫通電極(306)を形成すると共に、前記キャップ部(300)の一面(301)と他面(302)とを貫通し、一端を前記第2の部位(119)に電気的に接続させた第2貫通電極(307)を形成する工程と、
前記キャップ部(300)の他面(302)に、前記第1貫通電極(306)の他端と前記第2貫通電極(307)の他端とを電気的に接続するクロス配線(322)を形成し、前記第1、第2貫通電極(306、307)および前記クロス配線(322)によって構成されたクロス配線部(323)によって前記第1の部位(118)と前記第2の部位(119)とを電気的に接続する工程とを含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記キャップ部(300)は、第2センシング部(310)を備えた基板(303)と、前記基板(303)に接合された隔壁基板(387)とを備え、
前記キャップ部(300)を用意する工程では、前記キャップ部(300)を構成する第2センシング部(310)を備えた基板(303)と、隔壁基板(387)とを用意し、
前記センサ部(100)の一面(301)側と前記キャップ部(300)を接合する工程では、前記センサ部(100)の一面(101)と前記隔壁基板(387)を接合することにより前記センサ部(100)と前記キャップ部(300)との間に密閉された第1気密室(124)を形成し、前記第1気密室(124)に前記第1センシング部(102)を配置する一方、前記基板(303)と前記隔壁基板(387)とを接合することにより前記キャップ部(300)を構成し、さらに前記基板(303)と前記隔壁基板(387)との間に密閉された第2気密室(388)を形成し、前記基板(303)のうち前記第2気密室(388)が形成された位置に前記第2センシング部(310)を配置することを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記センサ部(100)の一面(301)側と前記キャップ部(300)を接合する工程では、前記第1気密室(124)と前記第2気密室(388)とを異なる気圧にすることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記センサ部(100)の一面(301)側と前記キャップ部(300)を接合する工程では、前記第1気密室(124)と前記第2気密室(388)とに異なる気体を充満させることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014021044A (ja) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2014517912A (ja) * | 2011-04-14 | 2014-07-24 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | アウトオブプレーンスペーサが画成する電極 |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4636187B2 (ja) * | 2008-04-22 | 2011-02-23 | 株式会社デンソー | 力学量センサの製造方法および力学量センサ |
TWI388038B (zh) * | 2009-07-23 | 2013-03-01 | Ind Tech Res Inst | 感測元件結構與製造方法 |
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JP5750867B2 (ja) * | 2010-11-04 | 2015-07-22 | セイコーエプソン株式会社 | 機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサーおよび電子機器 |
DE102010063471B4 (de) | 2010-12-20 | 2019-01-24 | Robert Bosch Gmbh | Mikroelektromechanisches Element |
JP5561187B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2014-07-30 | 株式会社デンソー | 角速度センサ装置 |
US8232614B1 (en) * | 2011-03-08 | 2012-07-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Package systems having a conductive element through a substrate thereof and manufacturing methods of the same |
JP5790920B2 (ja) * | 2011-04-20 | 2015-10-07 | セイコーエプソン株式会社 | 機能素子、センサー素子、電子機器、および機能素子の製造方法 |
JP2012225851A (ja) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Denso Corp | 静電容量式センサ、及び、その製造方法 |
JP5541306B2 (ja) | 2011-05-27 | 2014-07-09 | 株式会社デンソー | 力学量センサ装置およびその製造方法 |
CN102798489B (zh) * | 2011-10-21 | 2015-04-15 | 清华大学 | 一种压力传感器及其制备方法 |
US9466532B2 (en) | 2012-01-31 | 2016-10-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Micro-electro mechanical system (MEMS) structures with through substrate vias and methods of forming the same |
JP5999302B2 (ja) * | 2012-02-09 | 2016-09-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイスおよびその製造方法、並びに電子機器 |
DE102012203135B4 (de) * | 2012-02-29 | 2020-11-12 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Sensoranordnung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren sowie entsprechende Verwendung |
JP5874609B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2016-03-02 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5950226B2 (ja) * | 2012-06-07 | 2016-07-13 | ローム株式会社 | 静電容量型圧力センサおよびその製造方法、圧力センサパッケージ |
JP2014022663A (ja) * | 2012-07-20 | 2014-02-03 | Denso Corp | 半導体装置 |
DE102012213313B4 (de) * | 2012-07-30 | 2020-11-12 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Struktur |
US9455353B2 (en) * | 2012-07-31 | 2016-09-27 | Robert Bosch Gmbh | Substrate with multiple encapsulated devices |
WO2014020389A1 (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Soitec | Methods of forming semiconductor structures including a conductive interconnection, and related structures |
JP6032046B2 (ja) * | 2013-02-14 | 2016-11-24 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
DE102013208826B4 (de) | 2013-05-14 | 2022-12-08 | Robert Bosch Gmbh | Mikrostrukturbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Mikrostrukturbauelements |
CN104249991B (zh) * | 2013-06-26 | 2016-08-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Mems器件及其制作方法 |
WO2015042700A1 (en) | 2013-09-24 | 2015-04-02 | Motion Engine Inc. | Mems components and method of wafer-level manufacturing thereof |
WO2015003264A1 (en) | 2013-07-08 | 2015-01-15 | Motion Engine Inc. | Mems device and method of manufacturing |
WO2015013828A1 (en) | 2013-08-02 | 2015-02-05 | Motion Engine Inc. | Mems motion sensor and method of manufacturing |
US9556020B2 (en) | 2013-09-11 | 2017-01-31 | Said Emre Alper | Method of wafer-level hermetic packaging with vertical feedthroughs |
ITTO20130889A1 (it) | 2013-10-31 | 2015-05-01 | St Microelectronics Srl | Metodo di fabbricazione di un assemblaggio di piastrine avente spessore ridotto e relativo assemblaggio di piastrine |
US9725310B2 (en) * | 2013-12-20 | 2017-08-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Micro electromechanical system sensor and method of forming the same |
WO2015103688A1 (en) | 2014-01-09 | 2015-07-16 | Motion Engine Inc. | Integrated mems system |
JP6331535B2 (ja) | 2014-03-18 | 2018-05-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子機器および移動体 |
JP6451062B2 (ja) | 2014-03-18 | 2019-01-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子モジュール、電子機器および移動体 |
US20170030788A1 (en) | 2014-04-10 | 2017-02-02 | Motion Engine Inc. | Mems pressure sensor |
WO2015184531A1 (en) | 2014-06-02 | 2015-12-10 | Motion Engine Inc. | Multi-mass mems motion sensor |
WO2016090467A1 (en) | 2014-12-09 | 2016-06-16 | Motion Engine Inc. | 3d mems magnetometer and associated methods |
JP6464738B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2019-02-06 | 株式会社デンソー | 加速度センサ |
JP5949965B2 (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-13 | セイコーエプソン株式会社 | 機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサーおよび電子機器 |
CA3220839A1 (en) | 2015-01-15 | 2016-07-21 | Motion Engine Inc. | 3d mems device with hermetic cavity |
CN107068681A (zh) * | 2015-01-29 | 2017-08-18 | 江西师范大学 | 气敏层的材料为Nb2O5的CMOS气体传感器 |
US9862592B2 (en) * | 2015-03-13 | 2018-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | MEMS transducer and method for manufacturing the same |
US10273148B2 (en) * | 2015-08-14 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Micro-electro-mechanical system and manufacturing method thereof |
JP6401728B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2018-10-10 | 株式会社日立製作所 | 慣性センサおよびその製造方法 |
EP3467872B1 (en) * | 2016-05-25 | 2021-05-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor apparatus and method for manufacturing same |
US10549985B2 (en) * | 2016-11-25 | 2020-02-04 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor package with a through port for sensor applications |
US10446550B2 (en) * | 2017-10-13 | 2019-10-15 | Globalfoundries Inc. | Cut inside replacement metal gate trench to mitigate N-P proximity effect |
US11174157B2 (en) * | 2018-06-27 | 2021-11-16 | Advanced Semiconductor Engineering Inc. | Semiconductor device packages and methods of manufacturing the same |
DE102018210815A1 (de) * | 2018-06-30 | 2020-01-02 | Robert Bosch Gmbh | Elektrische Kontaktierung, Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Kontaktierung, System |
JP2020101484A (ja) | 2018-12-25 | 2020-07-02 | セイコーエプソン株式会社 | 慣性センサー、電子機器および移動体 |
JP2020161520A (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
US10961114B2 (en) * | 2019-05-30 | 2021-03-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method for the same |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07209327A (ja) * | 1994-01-18 | 1995-08-11 | Murata Mfg Co Ltd | 加速度センサ |
JP4178574B2 (ja) * | 1998-02-02 | 2008-11-12 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサ及びその製造方法 |
US6428713B1 (en) * | 1999-10-01 | 2002-08-06 | Delphi Technologies, Inc. | MEMS sensor structure and microfabrication process therefor |
DE10104868A1 (de) | 2001-02-03 | 2002-08-22 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanisches Bauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements |
US6852926B2 (en) * | 2002-03-26 | 2005-02-08 | Intel Corporation | Packaging microelectromechanical structures |
JP4238724B2 (ja) | 2003-03-27 | 2009-03-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
TWI266877B (en) * | 2003-05-28 | 2006-11-21 | Au Optronics Corp | Capacitive acceleration sensor |
US6936491B2 (en) | 2003-06-04 | 2005-08-30 | Robert Bosch Gmbh | Method of fabricating microelectromechanical systems and devices having trench isolated contacts |
CN1951007A (zh) * | 2003-08-20 | 2007-04-18 | 康乃尔研究基金会有限公司 | 壳形激励器 |
US6930367B2 (en) | 2003-10-31 | 2005-08-16 | Robert Bosch Gmbh | Anti-stiction technique for thin film and wafer-bonded encapsulated microelectromechanical systems |
US7564019B2 (en) * | 2005-08-25 | 2009-07-21 | Richard Ian Olsen | Large dynamic range cameras |
JP4631864B2 (ja) | 2005-04-06 | 2011-02-16 | 株式会社村田製作所 | 加速度センサ |
FR2898884B1 (fr) * | 2006-03-27 | 2008-05-02 | Commissariat Energie Atomique | Micro-capteur inertiel resonant a epaisseur variable realise en technologies de surface |
JP5092462B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-12-05 | 株式会社デンソー | 力学量センサ |
JP2008135690A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-06-12 | Denso Corp | 半導体力学量センサおよびその製造方法 |
JP4792143B2 (ja) | 2007-02-22 | 2011-10-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4404143B2 (ja) * | 2007-07-02 | 2010-01-27 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
EP2011762B1 (en) | 2007-07-02 | 2015-09-30 | Denso Corporation | Semiconductor device with a sensor connected to an external element |
JP2009043898A (ja) | 2007-08-08 | 2009-02-26 | Fujikura Ltd | 半導体パッケージとその製造方法 |
JP4636187B2 (ja) * | 2008-04-22 | 2011-02-23 | 株式会社デンソー | 力学量センサの製造方法および力学量センサ |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014517912A (ja) * | 2011-04-14 | 2014-07-24 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング | アウトオブプレーンスペーサが画成する電極 |
JP2014021044A (ja) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
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---|---|
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US8283738B2 (en) | 2012-10-09 |
JP2010161266A (ja) | 2010-07-22 |
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