JP2012225851A - 静電容量式センサ、及び、その製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】センサチップ（基板）の湾曲による物理量の検出精度の低下が抑制された静電容量式センサ、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】基板（１２）に固定された固定電極（２１）、及び、基板（１２）に対して、直交関係にあるｘ方向及びｙ方向それぞれに変位可能な可動電極（２０）から成るコンデンサの静電容量変化に基づいて、物理量を検出する静電容量式センサであって、固定電極（２１）は、絶縁層（１３）を介して基板（１２）に固定され、可動電極（２０）は、ｘ方向とｙ方向とに直交するｚ方向に基板（１２）から離れており、固定電極（２１）における可動電極（２０）との対向領域を含む対向面（２１ａ）の面積と、可動電極（２０）における固定電極（２１）との対向領域を含む対向面（２０ａ）の面積とは異なる。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板に固定された固定電極、及び、基板に対して変位可能な可動電極から成るコンデンサの静電容量変化に基づいて、物理量を検出する静電容量式センサ、及び、その製造方法に関するものである。

従来、例えば特許文献１に示されるように、物理量を検出するセンサチップと、該センサチップと積層して配置され、センサチップにより得られた信号に基づいて物理量を取得する回路チップと、を備える物理量センサ装置が提案されている。センサチップには、角速度を検出するためのセンサ部が形成されており、センサチップは、接着剤を介して回路チップに積層されている。また、センサチップ及び回路チップは、セラミックパッケージの密閉空間内に収納され、接着剤を介して、セラミックパッケージに固定されている。

センサ部は、シリコン基板に駆動梁を介して支持された振動体、振動体に固定された可動電極、及び、シリコン基板に固定された固定電極を有する。振動状態の振動体に角速度が印加されると、振動体にコリオリ力が発生する。振動体は、コリオリ力の印加方向に変位し、振動体とともに可動電極も変位する。この結果、可動電極と固定電極との間の静電容量が変化し、この静電容量変化に基づいて角速度を検出する構成となっている（特許文献１の段落番号［００１６］参照）。

特開２００５−２５７５０４号公報

ところで、上記したように、センサチップと回路チップとは、接着剤を介して機械的に接続され、センサチップには、可動電極と固定電極とが形成されている。接着剤は、硬化時に収縮するので、その収縮時の応力（以下、収縮応力と示す）がセンサチップと回路チップとに印加される。この収縮応力によってセンサチップが湾曲すると、可動電極と固定電極との対向面積が変動し、物理量の検出精度が低下する虞がある。

そこで、本発明は上記問題点に鑑み、センサチップ（基板）の湾曲による物理量の検出精度の低下が抑制された静電容量式センサ、及び、その製造方法を提供することを目的とする。

上記した目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、基板（１２）に固定された固定電極（２１）、及び、基板（１２）に対して、直交関係にあるｘ方向及びｙ方向それぞれに変位可能な可動電極（２０）から成るコンデンサの静電容量変化に基づいて、物理量を検出する静電容量式センサであって、固定電極（２１）は、絶縁層（１３）を介して基板（１２）に固定され、可動電極（２０）は、ｘ方向とｙ方向とに直交するｚ方向に基板（１２）から離れており、固定電極（２１）における可動電極（２０）との対向領域を含む対向面（２１ａ）の面積と、可動電極（２０）における固定電極（２１）との対向領域を含む対向面（２０ａ）の面積とは異なることを特徴とする。

このように本発明によれば、可動電極（２０）の対向面（２０ａ）の面積と固定電極（２１）の対向面（２１ａ）の面積とが異なる。したがって、基板（１２）が湾曲した結果、可動電極（２０）と固定電極（２１）とにｚ方向の歪みが生じたとしても、可動電極（２０）と固定電極（２１）とが共に対向する対向領域の面積に変動が生じることが抑制される。この結果、物理量の検出精度の低下が抑制される。

請求項２に記載のように、可動電極（２０）と固定電極（２１）とは櫛歯電極を構成しているのが好ましい。これによれば、可動電極（２０）と固定電極（２１）との対向面積が確保され、物理量の検出感度が確保される。

固定電極（２１）の対向面（２１ａ）の面積と、可動電極（２０）の対向面（２０ａ）の面積とが異なる構成として、請求項３に記載のように、固定電極（２１）における対向面（２１ａ）のｚ方向の長さと可動電極（２０）における対向面（２０ａ）のｚ方向の長さとが異なる構成を採用することもできる。

請求項４に記載のように、可動電極（２０）は、絶縁層（１３）の厚さ分だけ、基板（１２）から離れた構成となっている。

請求項５に記載のように、固定電極（２１）の対向面（２１ａ）の面積は、可動電極（２０）の対向面（２０ａ）の面積よりも大きい構成が好適である。

請求項１に記載のように、固定電極（２１）は基板（１２）に絶縁層（１３）を介して固定されているので、基板（１２）の湾曲に応じて、湾曲し易い。これに対して、可動電極（２０）は基板（１２）に対して浮いているので、基板（１２）の湾曲に応じて湾曲し難い。そのため、基板（１２）が湾曲すると、可動電極（２０）は、基板（１２）（固定電極（２１））に対して動こうとする。これに対して、請求項５に記載の構成では、固定電極（２１）の対向面積が、可動電極（２０）の対向面積よりも大きくなっている。これによれば、基板（１２）が湾曲した結果、可動電極（２０）が固定電極（２１）に対してｚ方向に変位したとしても、可動電極（２０）と固定電極（２１）とが共に対向する対向領域の面積に変動が生じることが抑制される。この結果、物理量の検出精度の低下が抑制される。

なお、もちろんではあるが、請求項６に記載のように、可動電極（２０）の対向面（２０ａ）の面積は、固定電極（２１）の対向面（２１ａ）の面積よりも大きい構成を採用することもできる。

そして、請求項７，８に記載のように、可動電極（２０）と固定電極（２１）とは、ｙ方向にて互いに対向し、物理量は、角速度である構成を採用することができる。

なお、請求項９，１０に記載の発明の作用効果は、請求項１に記載の発明の作用効果と同等なので、その記載を省略する。

第１実施形態に係る角速度センサの概略構成を示す断面図である。 可動電極と固定電極を示す上面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 可動電極が変位した状態を示す断面図である。 センサチップと接着剤との位置を説明するための平面図である。 センサチップの製造工程を説明するための断面図であり、（ａ）は準備工程、（ｂ）は積層工程、（ｃ）は異方性エッチング工程、（ｄ）は等方性エッチング工程を示す。 センサチップの製造工程の変形例を説明するための断面図であり、（ａ）は準備工程、（ｂ）は積層工程、（ｃ）は異方性エッチング工程、（ｄ）は等方性エッチング工程を示す。 センサチップと接着剤との位置の変形例を示す平面図であり、（ａ）は１つの接着剤、（ｂ）は２つの接着剤、（ｃ）は３つの接着剤、（ｄ）は４つの接着剤を示す。

以下、本発明を、角速度センサに適用した場合の実施形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る角速度センサの概略構成を示す断面図である。図２は、可動電極と固定電極を示す上面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、可動電極が変位した状態を示す断面図である。図５は、センサチップと接着剤との位置を説明するための平面図である。図６は、センサチップの製造工程を説明するための断面図であり、（ａ）は準備工程、（ｂ）は積層工程、（ｃ）は異方性エッチング工程、（ｄ）は等方性エッチング工程を示す。以下においては、センサチップ１０の裏面１１ｂに沿う一方向をｘ方向、裏面１１ｂに沿い、ｘ方向に直交する方向をｙ方向、裏面１１ｂに直交する方向をｚ方向と示す。

角速度センサ１００は、図１に示すように、要部として、センサチップ１０と、回路チップ５０と、パッケージ７０と、を有する。センサチップ１０と回路チップ５０とは、パッケージ７０の密閉空間に収納されており、本実施形態では、密閉空間は１気圧よりも低い低圧状態となっている。センサチップ１０と回路チップ５０とが、接着剤９１を介して機械的に接続され、回路チップ５０とパッケージ７０とが、接着剤９２を介して機械的に接続されている。そして、センサチップ１０と回路チップ５０とが、ワイヤ９３を介して電気的に接続され、回路チップ５０とパッケージ７０とが、ワイヤ９４を介して電気的に接続されている。

センサチップ１０は、第１半導体層１２、絶縁層１３、及び、第２半導体層１４が順次積層されて成るセンサ基板１１と、該センサ基板１１における回路チップ５０との対向面１１ａの裏面１１ｂに、第３半導体層１５を積層した後、周知の露光技術を用いて形成されたセンシング部１６と、を有する。第１半導体層１２が、特許請求の範囲に記載の基板に相当し、センサ基板１１が、特許請求の範囲に記載のＳＯＩ基板に相当する。

センシング部１６は、図１に示すように、絶縁層１３を介さずに第１半導体層１２に対して第２半導体層１４が浮遊した浮遊部１７と、絶縁層１３を介して第１半導体層１２に第２半導体層１４と第３半導体層１５が固定された固定部１８と、該固定部１８に形成されたセンサパッド１９と、を有する。浮遊部１７は、第１半導体層１２に対してｘ方向及びｙ方向に変位（振動）可能だが、固定部１８及びセンサパッド１９は、第１半導体層１２に対して変位不可能となっている。

浮遊部１７は、ｘ方向において、逆位相で振動する対を成す２つの振動子（図示略）と、図２に示すように、該振動子の一部によって構成される櫛歯状の可動電極２０と、を有する。そして、固定部１８は、ｙ方向において、可動電極と対向する櫛歯状の固定電極２１を有する。振動子がｘ方向に振動している状態で、ｚ方向に角速度が印加されると、ｙ方向に沿うコリオリ力が振動子に発生する。このコリオリ力によって振動子がｙ方向に変位（振動）すると、その変位（振動）に伴って、振動子の一部である可動電極２０もｙ方向に変位（振動）する。この結果、可動電極２０と固定電極２１との電極間隔が変動し、可動電極２０と固定電極２１によって構成されるコンデンサの静電容量が変動する。この静電容量の変動が、センサチップ１０の出力信号として、回路チップ５０に出力される。

図３に示すように、可動電極２０のｚ方向の長さ（厚さ）は、第２半導体層１４の厚さと同一であり、固定電極２１の厚さは、第２半導体層１４の厚さと第３半導体層１５の厚さの和に等しい。したがって、可動電極２０における固定電極２１との対向領域を含む対向面２０ａの面積は、固定電極２１における可動電極２０との対向領域を含む対向面２１ａの面積よりも小さくなっている。

回路チップ５０は、図１に示すように、半導体から成る回路基板５１と、該回路基板５１の一面５１ａ側に形成された、センサチップ１０の出力信号を処理する回路部５２と、該回路部５２と電気的に接続されたパッド５３と、を有する。本実施形態では、図５に示すように、センサ基板１１の対向面１１ａの４隅それぞれに接着剤９１が配置されており、この４つの接着剤９１が、対向面１１ａと一面５１ａとの間に介在されている。

回路部５２は、図示しないが、特許請求の範囲に記載の変換回路に相当するＣＶ変換回路を有する。ワイヤ９３を介して、センサチップ１０から回路チップ５０に、静電容量の変動を含む電気信号が入力されると、その静電容量の変動が、上記したＣＶ変換回路によって電圧に変換される。この電圧に変換された信号が、ワイヤ９４を介してパッケージ７０に出力される。

パッド５３は、センサパッド１９に対応する回路パッド５９と、後述する内部端子７４と電気的に接続される外部パッド６０と、を有する。センサパッド１９と回路パッド５９とがワイヤ９３を介して機械的及び電気的に接続され、内部端子７４と外部パッド６０とがワイヤ９４を介して電気的に接続されている。

パッケージ７０は、図１に示すように、底部と側部とから成る凹状の箱部７１と、該箱部７１の開口部を閉塞する蓋部７２と、を有し、環状のシールリング７３を介して機械的及び電気的に接続されている。箱部７１の底部内面には、接着剤９２が設けられており、該接着剤９２を介して箱部７１と回路チップ５０とが機械的に接続されている。箱部７１には、側部内面に設けられた内部端子７４と、側部内部に設けられた内部配線７５と、底部外面に設けられた外部端子７６と、が設けられている。上記したように、内部端子７４と外部パッド６０とがワイヤ９４を介して電気的に接続されており、回路チップ５０の電気信号が、外部パッド６０、ワイヤ９４、内部端子７４、内部配線７５、及び、外部端子７６を介して、外部に出力される。

次に、本実施形態に係るセンサチップ１０の製造方法を図６に基づいて説明する。先ず、図６の（ａ）に示すように、第１半導体層１２、絶縁層１３、及び、第２半導体層１４が順次積層されて成るセンサ基板１１を準備する。以上が、準備工程である。

該準備工程後、図６の（ｂ）に示すように、第２半導体層１４における、固定部１８の形成予定領域に、第３半導体層１５を、ＣＶＤ法によって積層する。以上が、積層工程である。

該積層工程後、図６の（ｃ）に示すように、浮遊部１７と固定部１８とを区画するように、第２半導体層１４を異方的にエッチングする。以上が、異方性エッチング工程であり、特許請求の範囲に記載の区画工程に相当する。

該異方性エッチング工程後、図６の（ｄ）に示すように、浮遊部１７が第１半導体層１２に対して浮くように、絶縁層１３を等方的にエッチングする。これにより、浮遊部１７と固定部１８とを形成する。以上が、等方性エッチング工程であり、特許請求の範囲に記載の形成工程に相当する。

等方性エッチング工程後、固定部１８にセンサパッド１９を形成する。以上が、パッド形成工程である。以上の工程を経ることで、センサチップ１０が製造される。

次に、本実施形態に係る角速度センサ１００の製造方法を説明する。先ず、接着剤９１及びワイヤ９３によって機械的及び電気的に接続されたセンサチップ１０と回路チップ５０を準備する。以上が、準備工程である。

準備工程後、液状の接着剤９２を箱部７１の底部内面に塗布し、回路チップ５０の底面に接着剤９２が接触するように、機械的及び電気的に接続されたセンサチップ１０と回路チップ５０を箱部７１内に配置する。以上が、塗布工程である。

塗布工程後、熱を印加して、液状の接着剤９２に含まれる揮発性材料を揮発させる。これにより、接着剤９２を硬化する。以上が、硬化工程である。

硬化工程後、ワイヤ９４によって回路チップ５０とパッケージ７０とを電気的に接続する。以上が、接続工程である。

該接続工程後、１気圧よりも低い低圧状態下で、シールリング７３を介して、箱部７１に蓋部７２を機械的及び電気的に接続することで、密閉空間を構成する。以上が、密閉工程である。

以上に示す各工程を経ることで、本実施形態に記載の角速度センサ１００が製造される。

次に、本実施形態に係る角速度センサ１００の作用効果を説明する。上記したように、可動電極２０の対向面２０ａの面積は、固定電極２１の対向面２１ａの面積よりも小さくなっている。したがって、第１半導体層１２（センサ基板１１）が湾曲した結果、可動電極２０と固定電極２１とにｚ方向の歪みが生じたとしても、可動電極２０と固定電極２１とが共に対向する対向領域の面積に変動が生じることが抑制される。この結果、角速度の検出精度の低下が抑制される。

また、固定電極２１は絶縁層１３を介して第１半導体層１２に固定されているので、センサ基板１１の湾曲に応じて、湾曲し易い。これに対して、可動電極２０は第１半導体層１２に対して絶縁層１３の厚さ分浮いているので、センサ基板１１の湾曲に応じて湾曲し難い。そのため、センサ基板１１が湾曲すると、可動電極２０は、センサ基板１１（固定電極２１）に対して動こうとする。

上記したように、センサ基板１１の対向面１１ａの４隅に接着剤９１が塗布され、センシング部１６は、裏面１１ｂ側に形成されている。したがって、センサ基板１１は、接着剤９１の収縮時の応力によって、裏面１１ｂ側に中央が凸と成るように湾曲し易くなっている。このようにセンサ基板１１が湾曲すると、図４に示すように、可動電極２０は、第１半導体層１２から離れるようにｚ方向に変位する。しかしながら、固定電極２１は、可動電極２０よりも、第３半導体層１５の分厚いので、固定電極２１の対向面積は、可動電極２０の対向面積よりも大きくなっている。これによれば、センサ基板１１が湾曲した結果、可動電極２０が固定電極２１に対してｚ方向における第１半導体層１２から離れる方向に変位したとしても、可動電極２０と固定電極２１とが共に対向する対向領域の面積に変動が生じることが抑制される。この結果、角速度の検出精度の低下が抑制される。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。

本実施形態では、特許請求の範囲に記載の静電容量式センサを、角速度センサに適用した例を示した。しかしながら、特許請求の範囲に記載の静電容量式センサの適用としては、上記例に限定されず、静電容量の変化に基づいて、物理量を検出するセンサであれば、適用することができる。例えば、加速度センサや湿度センサなどに適用することができる。

本実施形態では、固定電極２１は、可動電極２０よりも、第３半導体層１５の分厚い例を示した。しかしながら、可動電極２０が、固定電極２１よりも、第３半導体層１５の分厚い構成を採用することもできる。これによっても、可動電極２０と固定電極２１とが共に対向する対向領域の面積が変動し難くなる。

本実施形態では、積層工程において、第２半導体層１４における、固定部１８の形成予定領域に、第３半導体層１５を積層する例を示した。しかしながら、積層工程において、浮遊部１７の形成予定領域に、第３半導体層１５を積層しても良い。

本実施形態では、積層工程において、第２半導体層１４に第３半導体層１５のみを積層する例を示した。しかしながら、図７の（ｂ）に示すように、第２半導体層１４に、第２絶縁層２２と第３半導体層１５とを順次積層しても良い。

この場合、積層工程後、図７の（ｃ）に示すように、第２絶縁層２２における、浮遊部１７の形成予定領域、及び、浮遊部１７と固定部１８との間の上に積層された第３半導体層１５を除去しつつ、浮遊部１７と固定部１８とを区画するように、第２絶縁層２２と半導体層１４，１５を異方的にエッチングする。以上が、異方性エッチング工程であり、特許請求の範囲に記載の除去工程と区画工程に相当する。

該異方性エッチング工程後、図７の（ｄ）に示すように、浮遊部１７が第１半導体層１２に対して浮くように、絶縁層１３を等方的にエッチングする。これにより、浮遊部１７と固定部１８とを形成する。以上が、等方性エッチング工程であり、特許請求の範囲に記載の形成工程に相当する。なお、図７の（ｄ）では、第２絶縁層２２の全てが除去されたように図示したが、固定部１８を構成する第２半導体層１４と第３半導体層１５とを連結する第２絶縁層２２の全ては、除去されていない。図７は、センサチップの製造工程の変形例を説明するための断面図であり、（ａ）は準備工程、（ｂ）は積層工程、（ｃ）は異方性エッチング工程、（ｄ）は等方性エッチング工程を示す。

上記した製造方法の変形例の異方性エッチング工程において、第１半導体層１２における、固定部１８の形成予定領域の上に積層された第３半導体層１５を除去しても良い。

本実施形態では、図５に示すように、センサ基板１１の対向面１１ａの４隅に接着剤９１が塗布された例を示した。しかしながら、図８に示すように、センサ基板１１の対向面１１ａに様々なバリエーションで接着剤９１を塗布しても良い。すなわち、対向面１１ａの中央、縁を構成する四辺の内の２辺以上に、接着剤９１を塗布しても良い。なお、縁を構成する四辺に接着剤９１を塗布（配置）する場合、テープ状の接着剤９１を採用することができる。また、対向面１１ａの中央に、接着剤９１が塗布される場合、センサチップ１０は、対向面１１ａ側に中央が凸と成るように、接着剤９１の収縮時の応力によって湾曲する虞がある。したがって、この場合、可動電極２０と固定電極２１とが共に対向する対向面積の面積に変動が生じることを抑制するために、センシング部１６は対向面１１ａ側に形成され、接着剤９１は固定部１８に塗布される。図８は、センサチップと接着剤との位置の変形例を示す平面図であり、（ａ）は１つの接着剤、（ｂ）は２つの接着剤、（ｃ）は３つの接着剤、（ｄ）は４つの接着剤を示す。

１０・・・センサチップ
１１・・・センサ基板
１５・・・第３半導体層
２０・・・可動電極
２１・・・固定電極
５０・・・回路チップ
５３・・・パッド
７０・・・パッケージ
９１・・・接着剤
１００・・・角速度センサ装置

Claims (10)

1. 基板（１２）に固定された固定電極（２１）、及び、前記基板（１２）に対して、直交関係にあるｘ方向及びｙ方向それぞれに変位可能な可動電極（２０）から成るコンデンサの静電容量変化に基づいて、物理量を検出する静電容量式センサであって、
   前記固定電極（２１）は、絶縁層（１３）を介して前記基板（１２）に固定され、
   前記可動電極（２０）は、前記ｘ方向と前記ｙ方向とに直交するｚ方向に前記基板（１２）から離れており、
   前記固定電極（２１）における前記可動電極（２０）との対向領域を含む対向面（２１ａ）の面積と、前記可動電極（２０）における前記固定電極（２１）との対向領域を含む対向面（２０ａ）の面積とは異なることを特徴とする静電容量式センサ。
2. 前記可動電極（２０）と前記固定電極（２１）とは櫛歯電極を構成していることを特徴とする請求項１に記載の静電容量式センサ。
3. 前記固定電極（２１）における対向面（２１ａ）のｚ方向の長さと前記可動電極（２０）における対向面（２０ａ）のｚ方向の長さとが異なることを特徴とする請求項１または２に記載の静電容量式センサ。
4. 前記可動電極（２０）は、前記絶縁層（１３）の厚さ分だけ、前記基板（１２）から離れていることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の静電容量式センサ。
5. 前記固定電極（２１）の対向面（２１ａ）の面積は、前記可動電極（２０）の対向面（２０ａ）の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の静電容量式センサ。
6. 前記可動電極（２０）の対向面（２０ａ）の面積は、前記固定電極（２１）の対向面（２１ａ）の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の静電容量式センサ。
7. 前記可動電極（２０）と前記固定電極（２１）とは、前記ｙ方向にて互いに対向していることを特徴とする請求項１〜６いずれか１項に記載の静電容量式センサ。
8. 前記物理量は、角速度であることを特徴とする請求項１〜７いずれか１項に記載の静電容量式センサ。
9. 基板（１２）に固定された固定電極（２１）、及び、前記基板（１２）に対して、直交関係にあるｘ方向及びｙ方向それぞれに変位可能な可動電極（２０）から成るコンデンサの静電容量変化に基づいて、物理量を検出する静電容量式センサの製造方法であって、
   前記基板（１２）に相当する第１半導体層（１２）に、第１絶縁層（１３）を介して第２半導体層（１４）が積層されたＳＯＩ基板（１１）を準備する準備工程と、
   該準備工程後、前記第２半導体層（１４）における、前記固定電極（２１）の形成予定領域若しくは前記可動電極（２０）の形成予定領域に、第３半導体層（１５）を積層する積層工程と、
   該積層工程後、前記固定電極（２１）と前記可動電極（２０）とを区画するように、前記第２半導体層（１４）をエッチングする区画工程と、
   該区画工程後、前記第１絶縁層（１３）をエッチングすることで、前記固定電極（２１）と前記可動電極（２０）とを形成する形成工程と、を有することを特徴とする静電容量式センサの製造方法。
10. 基板（１２）に固定された固定電極（２１）、及び、前記基板（１２）に対して、直交関係にあるｘ方向及びｙ方向それぞれに変位可能な可動電極（２０）から成るコンデンサの静電容量変化に基づいて、物理量を検出する静電容量式センサの製造方法であって、
    前記基板に相当する第１半導体層に、第１絶縁層を介して第２半導体層が積層されたＳＯＩ基板を準備する準備工程と、
    該準備工程後、前記第２半導体層（１４）に、第２絶縁層（２２）と第３半導体層（１５）とを順次積層する積層工程と、
    該積層工程後、前記第２絶縁層（２２）における、前記可動電極（２０）の形成予定領域若しくは前記固定電極（２１）の形成予定領域の上に積層された第３半導体層（１５）を除去する除去工程と、
    該除去工程後、前記固定電極（２１）と前記可動電極（２０）とを区画するように、前記第３半導体層（１５）、前記第２絶縁層（２２）、前記第２半導体層（１４）をエッチングする区画工程と、
    該区画工程後、前記第１絶縁層（１３）をエッチングすることで、前記固定電極（２１）と前記可動電極（２０）とを形成する形成工程と、を有することを特徴とする静電容量式センサの製造方法。

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