JP5341579B2 - 微細構造体の製造方法 - Google Patents
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Description
始めに、本発明の実施の形態1について説明する。まず、図1Aに示すように、例えばシリコンからなる基板101の上に、めっき法で金属膜を形成するために必要となるシード層102を形成する。例えば、スパッタ法および蒸着法などにより、チタン層および金層をこの順に積層し、これら積層膜をシード層102とすればよい。このときのチタン層の層厚は、0.1μm程度、金層の層厚は0.1μm程度とすればよい。
次に、本発明の実施の形態2について説明する。まず、図2Aに示すように、例えばシリコンからなる基板201の上に、めっき法で金属膜を形成するために必要となるシード層202を形成する。例えば、スパッタ法および蒸着法などにより、チタン層および金層をこの順に積層し、これら積層膜をシード層202とすればよい。このときのチタン層の層厚は、0.1μm程度、金層の層厚は0.1μm程度とすればよい。
Claims (4)
- 基板の上に密着性を高めるための助剤を含む有機樹脂からなる犠牲層を用いて構造体を形成する第1工程と、
活性な酸素を用いて前記犠牲層を除去する第2工程と、
前記基板をフッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第3工程と
を少なくとも備え、
前記第3工程の前に、前記基板の上に酸化シリコンからなる構造体を形成する工程を含み、
前記第3工程では、処理温度を40℃以上にし、活性な酸素による前記犠牲層の除去の後で前記酸化シリコンからなる構造体を含む前記犠牲層が形成されていた表面に残る残渣を除去し、
前記残渣は、前記助剤に由来するシリコンサブオキサイドを主成分とするものであることを特徴とする微細構造体の製造方法。 - 請求項1記載の微細構造体の製造方法において、
前記第1工程では、前記犠牲層を形成した後に、前記犠牲層の上に前記構造体を形成することを特徴とする微細構造体の製造方法。 - 請求項1または2記載の微細構造体の製造方法において、
前記第3工程では、フッ化水素ガスの分圧を10kPa以上とすることを特徴とする微細構造体の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の微細構造体の製造方法において、
前記第3工程の後に、前記基板を活性な酸素を含む雰囲気に晒す第4工程を備えることを特徴とする微細構造体の製造方法。
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