JP2007184585A5

JP2007184585A5 -

Info

Publication number: JP2007184585A5
Application number: JP2006344237A
Authority: JP
Filing date: 2006-12-21
Publication date: 2010-02-12

Claims

基板と、
非故意にドーピングされたドーパントを有する井戸層と、第一の障壁層と、第二の障壁層と、を含み、前記基板上に形成される活性層と、
を有し、
前記井戸層は、前記第一の障壁層と前記第二の障壁層との間に形成され、
前記第一の障壁層は、前記井戸層に隣接するｎ型故意ドーピング領域を有し、前記井戸層から離れるｎ型非故意ドーピング領域を有し、
前記第二の障壁層は、前記井戸層に隣接するｎ型非故意ドーピング領域を有する、
半導体発光素子。
前記第二の障壁層は、さらに、前記井戸層から離れるｎ型故意ドーピング領域を有する、
請求項１に記載の半導体発光素子。
前記第一の障壁層と同様に前記井戸層の同じ側に位置し、前記井戸層から前記第一の障壁層より遠く離れる第三の障壁層をさらに有し、
前記第三の障壁層は、前記第一の障壁層に隣接するｎ型故意ドーピング領域と、前記第一の障壁層から離れるｎ型非故意ドーピング領域と、を含む、
請求項１に記載の半導体発光素子。
前記第二の障壁層と同様に前記井戸層の同じ側に位置し、前記井戸層から前記第二の障壁層より遠く離れる第四の障壁層を有し、
前記第四の障壁層は、前記第二の障壁層に隣接するｎ型非故意ドーピング領域と、前記第二の障壁層から離れるn型故意ドーピング領域と、を含む、
請求項１に記載の半導体発光素子。
前記第一の障壁層のｎ型故意ドーピング領域の厚みをＢ１とし、前記第一の障壁層全体の厚みをＢとすれば、Ｂ１／Ｂは、３／４以下である、
請求項１に記載の半導体発光素子。
前記第二の障壁層のｎ型非故意ドーピング領域の厚みをＢ２とし、前記第二の障壁層全体の厚みをＢとし、Ｂ２／Ｂは、１／４より大きい、
請求項１に記載の半導体発光素子。
前記第二の障壁層のｎ型故意ドーピング領域の厚みをＢ２とし、前記第二の障壁層全体の厚みをＢとし、Ｂ２／Ｂは、３／４以下である、
請求項２に記載の半導体発光素子。
前記ｎ型ドーパントは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｏ、Ｓ及びＣのうち少なくとも一つを含み、
前記ｎ型ドーパントのドーピング濃度は、１×１０ ^１７ｃｍ ^−３〜１×１０ ^２０ｃｍ ^−３である、
請求項１に記載の半導体発光素子。
対向する二つの側にそれぞれ位置する第一の表面と第二の表面を含み、非故意にドーピングされたドーパントを有する井戸層を形成する第一の工程と、
第一の障壁層を形成する第二の工程と、
第二の障壁層を形成する第三の工程と、
を含み、
前記第二の工程は、前記第一の表面に隣接する前記第一の障壁層の領域にｎ型故意ドーピング領域を形成する工程と、前記第一の表面から離れる前記第一の障壁層の領域にｎ型非故意ドーピング領域を形成する工程と、を含み、
前記第三の工程は、前記第二の表面に隣接する前記第二の障壁層の領域にｎ型非故意ドーピング領域を形成する工程を含む、
半導体発光素子の製造方法。
前記第二の表面から離れる前記第二の障壁層の領域にｎ型故意ドーピング領域を形成する工程をさらに含む、
請求項９に記載の半導体発光素子の製造方法。