JP2011233783A5 - - Google Patents

Description

上記課題を解決する第１の発明に係る半導体発光素子の保護膜は、
基板上に形成された複数の半導体層と、前記複数の半導体層の電極となる複数の電極部とを有する半導体発光素子において、当該半導体発光素子を保護する保護膜であって、
前記保護膜として、前記複数の半導体層及び前記複数の電極部の周囲を被覆する第１の保護膜と、前記第１の保護膜の周囲を被覆する第２の保護膜とを設けると共に、
前記第１の保護膜を窒化珪素とし、
前記第２の保護膜を、前記第１の保護膜の膜厚より厚い酸化珪素としたことを特徴とする。
上記課題を解決する第２の発明に係る半導体発光素子の保護膜は、
上記第１の発明に記載の半導体発光素子の保護膜において、
前記第１の保護膜を、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素としたことを特徴とする。

上記課題を解決する第３の発明に係る半導体発光素子の保護膜は、
上記第２の発明に記載の半導体発光素子の保護膜において、
更に、前記第２の保護膜の周囲を被覆する第３の保護膜を設けると共に、
前記第３の保護膜を、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素としたことを特徴とする。

上記課題を解決する第４の発明に係る半導体発光素子の保護膜は、
上記第１の発明に記載の半導体発光素子の保護膜において、
更に、前記第２の保護膜の周囲を被覆する第３の保護膜を設けると共に、
前記第２の保護膜を、膜中のＳｉ−ＯＨ結合量が１．３×１０²¹［個／ｃｍ³］以下の酸化珪素とすると共に、前記第１の保護膜の膜厚を、１７．５ｎｍ以上とし、前記第３の保護膜を、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素としたことを特徴とする。

上記課題を解決する第５の発明に係る半導体発光素子の保護膜は、
上記第１〜第４のいずれか１つの発明に記載の半導体発光素子の保護膜において、
前記複数の電極部の少なくとも１つが銀を含有する金属からなることを特徴とする。

上記課題を解決する第６の発明に係る半導体発光素子は、
上記第１〜第５のいずれか１つの発明に記載の半導体発光素子の保護膜を用いたことを特徴とする。

上記課題を解決する第７の発明に係る半導体発光素子の保護膜の作製方法は、
基板上に形成された複数の半導体層と、前記複数の半導体層の電極となる複数の電極部とを有する半導体発光素子において、当該半導体発光素子を保護する保護膜の作製方法であって、
前記保護膜として、前記複数の半導体層及び前記複数の電極部の周囲を被覆する第１の保護膜と、前記第１の保護膜の周囲を被覆する第２の保護膜とを設け、
前記第１の保護膜を窒化珪素から形成し、
前記第２の保護膜を、前記第１の保護膜の膜厚より厚い酸化珪素から形成することを特徴とする。
上記課題を解決する第８の発明に係る半導体発光素子の保護膜の作製方法は、
上記第７の発明に記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記第１の保護膜を、膜厚３５ｎｍ以上に形成することを特徴とする。

上記課題を解決する第９の発明に係る半導体発光素子の保護膜の作製方法は、
上記第８の発明に記載の半導体発光素子の製造方法において、
更に、前記第２の保護膜の周囲を被覆する第３の保護膜を設け、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素から形成することを特徴とする。

上記課題を解決する第１０の発明に係る半導体発光素子の保護膜の作製方法は、
上記第７の発明に記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記第１の保護膜の膜厚を、１７．５ｎｍ以上に形成し、
前記第２の保護膜を、膜中のＳｉ−ＯＨ結合量が１．３×１０²¹［個／ｃｍ³］以下の酸化珪素から形成すると共に、
前記第２の保護膜の周囲を被覆する第３の保護膜を設け、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素から形成することを特徴とする。

上記課題を解決する第１１の発明に係る半導体発光素子の保護膜の作製方法は、
上記第７〜第１０のいずれか１つの発明に記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記複数の電極部の少なくとも１つが銀を含有する金属からなることを特徴とする。

Claims (11)

1. 基板上に形成された複数の半導体層と、前記複数の半導体層の電極となる複数の電極部とを有する半導体発光素子において、当該半導体発光素子を保護する保護膜であって、
   前記保護膜として、前記複数の半導体層及び前記複数の電極部の周囲を被覆する第１の保護膜と、前記第１の保護膜の周囲を被覆する第２の保護膜とを設けると共に、
   前記第１の保護膜を窒化珪素とし、
   前記第２の保護膜を、前記第１の保護膜の膜厚より厚い酸化珪素としたことを特徴とする半導体発光素子の保護膜。
2. 請求項１に記載の半導体発光素子の保護膜において、
   前記第１の保護膜を、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素としたことを特徴とする半導体発光素子の保護膜。
3. 請求項２に記載の半導体発光素子の保護膜において、
   更に、前記第２の保護膜の周囲を被覆する第３の保護膜を設けると共に、
   前記第３の保護膜を、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素としたことを特徴とする半導体発光素子の保護膜。
4. 請求項１に記載の半導体発光素子の保護膜において、
   更に、前記第２の保護膜の周囲を被覆する第３の保護膜を設けると共に、
   前記第２の保護膜を、膜中のＳｉ−ＯＨ結合量が１．３×１０²¹［個／ｃｍ³］以下の酸化珪素とすると共に、前記第１の保護膜の膜厚を、１７．５ｎｍ以上とし、前記第３の保護膜を、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素としたことを特徴とする半導体発光素子の保護膜。
5. 請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の半導体発光素子の保護膜において、
   前記複数の電極部の少なくとも１つが銀を含有する金属からなることを特徴とする半導体発光素子の保護膜。
6. 請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の半導体発光素子の保護膜を用いたことを特徴とする半導体発光素子。
7. 基板上に形成された複数の半導体層と、前記複数の半導体層の電極となる複数の電極部とを有する半導体発光素子において、当該半導体発光素子を保護する保護膜の作製方法であって、
   前記保護膜として、前記複数の半導体層及び前記複数の電極部の周囲を被覆する第１の保護膜と、前記第１の保護膜の周囲を被覆する第２の保護膜とを設け、
   前記第１の保護膜を窒化珪素から形成し、
   前記第２の保護膜を、前記第１の保護膜の膜厚より厚い酸化珪素から形成することを特徴とする半導体発光素子の保護膜の作製方法。
8. 請求項７に記載の半導体発光素子の保護膜の作製方法において、
   前記第１の保護膜を、膜厚３５ｎｍ以上に形成することを特徴とする半導体発光素子の保護膜の作製方法。
9. 請求項８に記載の半導体発光素子の保護膜の作製方法において、
   更に、前記第２の保護膜の周囲を被覆する第３の保護膜を設け、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素から形成することを特徴とする半導体発光素子の保護膜の作製方法。
10. 請求項７に記載の半導体発光素子の保護膜の作製方法において、
    前記第１の保護膜の膜厚を、１７．５ｎｍ以上に形成し、
    前記第２の保護膜を、膜中のＳｉ−ＯＨ結合量が１．３×１０²¹［個／ｃｍ³］以下の酸化珪素から形成すると共に、
    前記第２の保護膜の周囲を被覆する第３の保護膜を設け、膜厚３５ｎｍ以上の窒化珪素から形成することを特徴とする半導体発光素子の保護膜の作製方法。
11. 請求項７から請求項１０のいずれか１つに記載の半導体発光素子の保護膜の作製方法において、
    前記複数の電極部の少なくとも１つが銀を含有する金属からなることを特徴とする半導体発光素子の保護膜の作製方法。