WO2011135888A1 - 半導体発光素子、半導体発光素子の保護膜及びその作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
基板上に形成された複数の半導体層と、前記複数の半導体層の電極となる複数の電極部とを有する半導体発光素子において、当該半導体発光素子を保護する保護膜であって、
前記保護膜として、前記複数の半導体層及び前記複数の電極部の周囲を被覆する第1の保護膜と、前記第1の保護膜の周囲を被覆する第2の保護膜とを設けると共に、
前記第1の保護膜を、膜厚35nm以上の窒化珪素とし、
前記第2の保護膜を、前記第1の保護膜の膜厚より厚い酸化珪素としたことを特徴とする。
上記第1の発明に記載の半導体発光素子の保護膜において、
更に、前記第2の保護膜の周囲を被覆する第3の保護膜を設けると共に、
前記第3の保護膜を、膜厚35nm以上の窒化珪素としたことを特徴とする。
上記第2の発明に記載の半導体発光素子の保護膜において、
前記第2の保護膜を、膜中のSi-OH結合量が1.3×1021[個/cm3]以下の酸化珪素とすると共に、当該場合の前記第1の保護膜の膜厚を、17.5nm以上としたことを特徴とする。
上記第1~第3のいずれか1つの発明に記載の半導体発光素子の保護膜において、
前記複数の電極部の少なくとも1つが銀を含有する金属からなることを特徴とする。
上記第1~第4のいずれか1つの発明に記載の半導体発光素子の保護膜を用いたことを特徴とする。
基板上に形成された複数の半導体層と、前記複数の半導体層の電極となる複数の電極部とを有する半導体発光素子において、当該半導体発光素子を保護する保護膜の作製方法であって、
前記保護膜として、前記複数の半導体層及び前記複数の電極部の周囲を被覆する第1の保護膜と、前記第1の保護膜の周囲を被覆する第2の保護膜とを設け、
前記第1の保護膜を、膜厚35nm以上の窒化珪素から形成し、
前記第2の保護膜を、前記第1の保護膜の膜厚より厚い酸化珪素から形成することを特徴とする。
上記第6の発明に記載の半導体発光素子の製造方法において、
更に、前記第2の保護膜の周囲を被覆する第3の保護膜を設け、膜厚35nm以上の窒化珪素から形成することを特徴とする。
上記第7の発明に記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記第2の保護膜を、膜中のSi-OH結合量が1.3×1021[個/cm3]以下の酸化珪素から形成すると共に、当該場合の前記第1の保護膜の膜厚を、17.5nm以上とすることを特徴とする。
上記第6~第8のいずれか1つの発明に記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記複数の電極部の少なくとも1つが銀を含有する金属からなることを特徴とする。
12 n型半導体層
13 活性層
14 p型半導体層
15 p電極(電極部)
16 pパッド(電極部)
17 n電極(電極部)
18 nパッド(電極部)
31、41、51 SiN膜(第1の保護膜)
32、42、52 SiO膜(第2の保護膜)
43、53 SiN膜(第3の保護膜)
図1は、本実施例のLEDの素子構造を示す断面図である。図中の矢印は、透過光の様子を示している。又、図2は、後述するSiN膜における防水性と膜厚との関係を示すグラフである。
図3は、本実施例のLEDの素子構造を示す断面図である。なお、図3において、実施例1(図1参照)で示した構成と同等の構成については同じ符号を付し、重複する説明は省略する。又、図中の矢印は、透過光の様子を示している。
図4は、本実施例のLEDの素子構造を示す断面図である。なお、図4において、実施例1(図1参照)で示した構成と同等の構成については同じ符号を付し、重複する説明は省略する。又、図中の矢印は、透過光の様子を示している。
Claims (9)
- 基板上に形成された複数の半導体層と、前記複数の半導体層の電極となる複数の電極部とを有する半導体発光素子において、当該半導体発光素子を保護する保護膜であって、
前記保護膜として、前記複数の半導体層及び前記複数の電極部の周囲を被覆する第1の保護膜と、前記第1の保護膜の周囲を被覆する第2の保護膜とを設けると共に、
前記第1の保護膜を、膜厚35nm以上の窒化珪素とし、
前記第2の保護膜を、前記第1の保護膜の膜厚より厚い酸化珪素としたことを特徴とする半導体発光素子の保護膜。 - 請求項1に記載の半導体発光素子の保護膜において、
更に、前記第2の保護膜の周囲を被覆する第3の保護膜を設けると共に、
前記第3の保護膜を、膜厚35nm以上の窒化珪素としたことを特徴とする半導体発光素子の保護膜。 - 請求項2に記載の半導体発光素子の保護膜において、
前記第2の保護膜を、膜中のSi-OH結合量が1.3×1021[個/cm3]以下の酸化珪素とすると共に、当該場合の前記第1の保護膜の膜厚を、17.5nm以上としたことを特徴とする半導体発光素子の保護膜。 - 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の半導体発光素子の保護膜において、
前記複数の電極部の少なくとも1つが銀を含有する金属からなることを特徴とする半導体発光素子の保護膜。 - 請求項1から請求項4のいずれか1つに記載の半導体発光素子の保護膜を用いたことを特徴とする半導体発光素子。
- 基板上に形成された複数の半導体層と、前記複数の半導体層の電極となる複数の電極部とを有する半導体発光素子において、当該半導体発光素子を保護する保護膜の作製方法であって、
前記保護膜として、前記複数の半導体層及び前記複数の電極部の周囲を被覆する第1の保護膜と、前記第1の保護膜の周囲を被覆する第2の保護膜とを設け、
前記第1の保護膜を、膜厚35nm以上の窒化珪素から形成し、
前記第2の保護膜を、前記第1の保護膜の膜厚より厚い酸化珪素から形成することを特徴とする半導体発光素子の保護膜の作製方法。 - 請求項6に記載の半導体発光素子の保護膜の作製方法において、
更に、前記第2の保護膜の周囲を被覆する第3の保護膜を設け、膜厚35nm以上の窒化珪素から形成することを特徴とする半導体発光素子の保護膜の作製方法。 - 請求項7に記載の半導体発光素子の保護膜の作製方法において、
前記第2の保護膜を、膜中のSi-OH結合量が1.3×1021[個/cm3]以下の酸化珪素から形成すると共に、当該場合の前記第1の保護膜の膜厚を、17.5nm以上とすることを特徴とする半導体発光素子の保護膜の作製方法。 - 請求項6から請求項8のいずれか1つに記載の半導体発光素子の保護膜の作製方法において、
前記複数の電極部の少なくとも1つが銀を含有する金属からなることを特徴とする半導体発光素子の保護膜の作製方法。
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