JP7023899B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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- 基板上に設けられるn型窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系半導体材料のn型半導体層と、
前記n型半導体層上の第1領域に設けられるAlGaN系半導体材料の活性層と、
前記活性層上に設けられるp型AlGaN系半導体材料のp型半導体層と、
前記p型半導体層上に接して設けられる第1保護層と、
前記第1保護層上と、前記n型半導体層上の前記第1領域とは異なる第2領域と、前記活性層の側面とを被覆し、前記n型半導体層および前記活性層と接して設けられる第2保護層と、
前記p型半導体層上の前記第1保護層および前記第2保護層を貫通するp側開口にて前記p型半導体層上に接して設けられるp側電極と、
前記n型半導体層上の前記第2領域の前記第2保護層を貫通するn側開口にて前記n型半導体層上に接して設けられるn側電極と、
前記n側電極、前記p側電極および前記第2保護層の上面および側面を被覆するように設けられる第3保護層と、を備えることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第1保護層は、前記活性層の側面を被覆せず、前記n型半導体層の前記第2領域を被覆しないことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記第3保護層の材料は、前記第1保護層の材料と同じであり、
前記第2保護層の材料は、前記第1保護層および前記第3保護層の材料よりも耐湿性に優れることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第1保護層および前記第3保護層の材料は、酸化シリコン(SiO2)または酸窒化シリコン(SiON)であり、
前記第2保護層の材料は、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸窒化アルミニウム(AlON)または窒化アルミニウム(AlN)であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
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