JP2019208056A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体発光素子10は、基板20上に設けられるn型半導体層24と、n型半導体層24上の第1領域W1に設けられるAlGaN系半導体材料の活性層26と、活性層26上に設けられるp型半導体層30と、p型半導体層30上に設けられ、酸化シリコン(SiO2)または酸窒化シリコン(SiON)で構成される第1保護層36と、第1保護層36上と、n型半導体層24上の第1領域W1とは異なる第2領域W2と、活性層26の側面とを被覆するように設けられ、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸窒化アルミニウム(AlON)または窒化アルミニウム(AlN)で構成される第2保護層38と、p型半導体層30上に接して設けられるp側電極34と、n型半導体層24上に接して設けられるn側電極32と、を備える。
【選択図】図1
Description
Claims (4)
- 基板上に設けられるn型窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系半導体材料のn型半導体層と、
前記n型半導体層上の第1領域に設けられるAlGaN系半導体材料の活性層と、
前記活性層上に設けられるp型AlGaN系半導体材料のp型半導体層と、
前記p型半導体層上に設けられる第1保護層と、
前記第1保護層上と、前記n型半導体層上の前記第1領域とは異なる第2領域と、前記活性層の側面とを被覆するように設けられる第2保護層と、
前記p型半導体層上の前記第1保護層および前記第2保護層を貫通するp側開口にて前記p型半導体層上に接して設けられるp側電極と、
前記n型半導体層上の前記第2領域の前記第2保護層を貫通するn側開口にて前記n型半導体層上に接して設けられるn側電極と、
前記n側電極、前記p側電極および前記第2保護層の上面および側面を被覆するように設けられる第3保護層と、を備えることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第3保護層の材料は、前記第1保護層の材料と同じであり、
前記第1保護層および前記第3保護層の材料は、前記第2保護層の材料よりも前記活性層から出力される紫外光に対する屈折率が低いことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第3保護層の材料は、前記第1保護層の材料と同じであり、
前記第2保護層の材料は、前記第1保護層および前記第3保護層の材料よりも耐湿性に優れることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第1保護層および前記第3保護層の材料は、酸化シリコン(SiO2)または酸窒化シリコン(SiON)であり、
前記第2保護層の材料は、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸窒化アルミニウム(AlON)または窒化アルミニウム(AlN)であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019208056A true JP2019208056A (ja) | 2019-12-05 |
JP7023899B2 JP7023899B2 (ja) | 2022-02-22 |
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP7023899B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113675309A (zh) * | 2020-05-13 | 2021-11-19 | 日机装株式会社 | 半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法 |
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