JPH0856056A - ＳｉＯ▲ｘ▼層を含む製品及びその製品の作製法 - Google Patents
ＳｉＯ▲ｘ▼層を含む製品及びその製品の作製法Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は、安定なファセット被膜を有する半
導体レーザを含む製品を提供する。 【構成】 ハーメチック封入容器内に保つ必要のない高
信頼性半導体レーザが明らかにされている。そのような
レーザは、たとえば光ファイバ通信やコンパクトディス
クプレーヤーのような各種用途で用いると有利である。
そのような“非ハーメチック”レーザは、非常に低い水
分飽和値を有する誘電体層（４１、４０１）を含むファ
セット被覆を含む。本発明はまた、半導体基体上に配置
された低応力（９０ＭＰａより小さい絶対値、２０ＭＰ
ａより小さいことすらある）ＳｉＯx を有する製品（例
えば、集積回路又は個別半導体デバイス）で、実施され
る。
導体レーザを含む製品を提供する。 【構成】 ハーメチック封入容器内に保つ必要のない高
信頼性半導体レーザが明らかにされている。そのような
レーザは、たとえば光ファイバ通信やコンパクトディス
クプレーヤーのような各種用途で用いると有利である。
そのような“非ハーメチック”レーザは、非常に低い水
分飽和値を有する誘電体層（４１、４０１）を含むファ
セット被覆を含む。本発明はまた、半導体基体上に配置
された低応力（９０ＭＰａより小さい絶対値、２０ＭＰ
ａより小さいことすらある）ＳｉＯx を有する製品（例
えば、集積回路又は個別半導体デバイス）で、実施され
る。
Description
【０００１】本発明の分野 本発明は半導体デバイスの分野、特に半導体レーザの分
野に係る。
野に係る。
【０００２】本発明の背景 すべてではなくても、ほとんどの半導体デバイスの表面
を、保護又は修正をする必要性は、よく知られている。
いくつかのデバイス又はある種のデバイスに適した誘電
体薄膜は知られており、よく用いられているが（たとえ
ば、Ｓｉ上のＳｉＯ2 ）、たとえば機械的かつ化学的に
安定で、ピンホール、微細なクラック、粒子及び空孔を
なくすことができ、固着性がよく、湿気の浸透に高い抵
抗をもち、放射波長にかかわらず、半導体レーザファセ
ット被膜として適した適切な屈折率をもつものに対して
は、大きな必要性がある。
を、保護又は修正をする必要性は、よく知られている。
いくつかのデバイス又はある種のデバイスに適した誘電
体薄膜は知られており、よく用いられているが（たとえ
ば、Ｓｉ上のＳｉＯ2 ）、たとえば機械的かつ化学的に
安定で、ピンホール、微細なクラック、粒子及び空孔を
なくすことができ、固着性がよく、湿気の浸透に高い抵
抗をもち、放射波長にかかわらず、半導体レーザファセ
ット被膜として適した適切な屈折率をもつものに対して
は、大きな必要性がある。
【０００３】半導体レーザファセットの被覆用に、各種
の誘電体が提案され、実際に用いられている。これらの
誘電体の中には、イットリウム安定化ジルコニア（ＹＳ
Ｚ）、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯx Ｎy 及びＳｉ
Ｏx がある。
の誘電体が提案され、実際に用いられている。これらの
誘電体の中には、イットリウム安定化ジルコニア（ＹＳ
Ｚ）、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯx Ｎy 及びＳｉ
Ｏx がある。
【０００４】しかし、現在用いられているファセット被
膜には欠点がある。それらの中には、屈折率又は機械的
応力に関して、再現性がないこと、及びしばしば粒子が
存在することがある。更に、非常に重要なことは、現在
用いられているファセット被膜は典型的な場合、大気中
で安定でなく、レーザが早く故障することを含み、レー
ザ特性を変化させることである。
膜には欠点がある。それらの中には、屈折率又は機械的
応力に関して、再現性がないこと、及びしばしば粒子が
存在することがある。更に、非常に重要なことは、現在
用いられているファセット被膜は典型的な場合、大気中
で安定でなく、レーザが早く故障することを含み、レー
ザ特性を変化させることである。
【０００５】基本的には、現在用いられているファセッ
ト被覆の欠点のため、すべての従来技術の高信頼性半導
体レーザは、それらがハーメチック（典型的な場合、不
活性ガス充填）封入容器の中に配置されるよう、パッケ
ージされる。そのような従来技術のレーザは、“ハーメ
チック”レーザとよんでもよい。それらは広く用いられ
ており、たとえば光ファイバ通信、光相互接続、センサ
及び印刷で使われている。ハーメチック封入が必要なこ
とにより、製造プロセスは本質的に複雑さが増し、生産
性が下がり、より重要なことは、半導体レーザの製造価
格が本質的に増すことである。従って、レーザをハーメ
チック封入容器の中で動作させる必要がないよう、大気
中で安定なファセット被覆を有する高信頼性レーザを実
現することが、非常に望ましい。本明細書は、そのよう
な被覆及び“非ハーメチック”レーザとよぶべきそのよ
うなレーザについて明らかにする。それはまた、半導体
基体上の低応力ＳｉＯx 層を含む物品の作製方法も、明
らかにする。
ト被覆の欠点のため、すべての従来技術の高信頼性半導
体レーザは、それらがハーメチック（典型的な場合、不
活性ガス充填）封入容器の中に配置されるよう、パッケ
ージされる。そのような従来技術のレーザは、“ハーメ
チック”レーザとよんでもよい。それらは広く用いられ
ており、たとえば光ファイバ通信、光相互接続、センサ
及び印刷で使われている。ハーメチック封入が必要なこ
とにより、製造プロセスは本質的に複雑さが増し、生産
性が下がり、より重要なことは、半導体レーザの製造価
格が本質的に増すことである。従って、レーザをハーメ
チック封入容器の中で動作させる必要がないよう、大気
中で安定なファセット被覆を有する高信頼性レーザを実
現することが、非常に望ましい。本明細書は、そのよう
な被覆及び“非ハーメチック”レーザとよぶべきそのよ
うなレーザについて明らかにする。それはまた、半導体
基体上の低応力ＳｉＯx 層を含む物品の作製方法も、明
らかにする。
【０００６】一酸化ケイ素は多くの有利な特徴をもつ誘
電体である。それらの中には、その比較的高い蒸気圧
（それは熱蒸着による堆積を容易にする）、そのアモル
ファスな性質及びその屈折率の制御が、比較的容易であ
ることがある。しかし、高品質のＳｉＯx （１≦ｘ＜
２）薄膜を再現性よく堆積させることは困難なことがわ
かっている。たとえば、アイ・エフ・ウー（I.F.Wu）
ら、アイイーイーイー・フォトニクス・テクノロジー・
レター（IEEE Photonics Technology Letter）、第４
（９）巻、９９１頁（１９９２）は、ＳｉＯx 薄膜の屈
折率は典型的な場合、“ラン毎の変動の影響を受け”、
必要な厚さと屈折率のＳｉＯx レーザファセット被膜を
得るためには、複雑なその場モニターと、プロセス制御
が必要であることを、報告している。プロセス工程の再
現性に欠けることは、明らかに、商業生産にはプロセス
が不適切である欠点である。更に、従来技術のＳｉＯx
薄膜は、典型的な場合、粒子の存在、汚染、多孔性等の
ため、雰囲気から保護する被覆として用いるには不適切
である。従って、ＳｉＯx が誘電体層として広く用いら
れていないことは、驚きではない。
電体である。それらの中には、その比較的高い蒸気圧
（それは熱蒸着による堆積を容易にする）、そのアモル
ファスな性質及びその屈折率の制御が、比較的容易であ
ることがある。しかし、高品質のＳｉＯx （１≦ｘ＜
２）薄膜を再現性よく堆積させることは困難なことがわ
かっている。たとえば、アイ・エフ・ウー（I.F.Wu）
ら、アイイーイーイー・フォトニクス・テクノロジー・
レター（IEEE Photonics Technology Letter）、第４
（９）巻、９９１頁（１９９２）は、ＳｉＯx 薄膜の屈
折率は典型的な場合、“ラン毎の変動の影響を受け”、
必要な厚さと屈折率のＳｉＯx レーザファセット被膜を
得るためには、複雑なその場モニターと、プロセス制御
が必要であることを、報告している。プロセス工程の再
現性に欠けることは、明らかに、商業生産にはプロセス
が不適切である欠点である。更に、従来技術のＳｉＯx
薄膜は、典型的な場合、粒子の存在、汚染、多孔性等の
ため、雰囲気から保護する被覆として用いるには不適切
である。従って、ＳｉＯx が誘電体層として広く用いら
れていないことは、驚きではない。
【０００７】分子線技術は、誘電体薄膜の作製に、最近
用いられている。たとえば、アイ・ティー・ムーアヘッ
ド（I.T.Muirhead）ら、エス・ピー・アイ・イー（ＳＰ
ＩＥ）、第１０１９巻、１９０頁（１９８８）、エス・
ピー・フィッシャー（S.P.Fisher）、エス・ピー・アイ
・イー（ＳＰＩＥ）、第１２６６巻、７６頁（１９９
０）、エイチ・エー・マックロード（H.A.Macleod） 、
レーザ・フォーカス・ワールド（Laser Focus Worl
d）、 １９９２年１１月、１１１頁を参照のこと。
用いられている。たとえば、アイ・ティー・ムーアヘッ
ド（I.T.Muirhead）ら、エス・ピー・アイ・イー（ＳＰ
ＩＥ）、第１０１９巻、１９０頁（１９８８）、エス・
ピー・フィッシャー（S.P.Fisher）、エス・ピー・アイ
・イー（ＳＰＩＥ）、第１２６６巻、７６頁（１９９
０）、エイチ・エー・マックロード（H.A.Macleod） 、
レーザ・フォーカス・ワールド（Laser Focus Worl
d）、 １９９２年１１月、１１１頁を参照のこと。
【０００８】用語及び定義 ここで、“高信頼性レーザ”（又は等価なもの）は、適
切な寿命試験に基づき、以下の３つの点の１ないし複数
の点を有するレーザをさす。 １） レーザは本質的に連続してバイアスされた時、雰
囲気温度４５℃及び雰囲気相対湿度（ＲＨ）＝５０％に
おいて、７年の動作で１００ＦＩＴ以下の瞬時障害率と
いう仕様を、少なくとも７年間満たすことが期待され
る。 ２） レーザは動作時にバイアスされた時、雰囲気温度
４５℃及び雰囲気ＲＨ５０％において、１５年の動作で
１５００ＦＩＴ以下の瞬時障害率という仕様を、少なく
とも１５年間満たすことが期待される。 ３） 雰囲気温度８５℃、８５％ＲＨにおいて、少なく
とも６週間故障なく動作でき、レーザダイオード温度が
８７℃を越えない。 上で述べた点の少なくとも１つの点も持たないレーザ
を、ここでは“低信頼性”レーザとよぶ。
切な寿命試験に基づき、以下の３つの点の１ないし複数
の点を有するレーザをさす。 １） レーザは本質的に連続してバイアスされた時、雰
囲気温度４５℃及び雰囲気相対湿度（ＲＨ）＝５０％に
おいて、７年の動作で１００ＦＩＴ以下の瞬時障害率と
いう仕様を、少なくとも７年間満たすことが期待され
る。 ２） レーザは動作時にバイアスされた時、雰囲気温度
４５℃及び雰囲気ＲＨ５０％において、１５年の動作で
１５００ＦＩＴ以下の瞬時障害率という仕様を、少なく
とも１５年間満たすことが期待される。 ３） 雰囲気温度８５℃、８５％ＲＨにおいて、少なく
とも６週間故障なく動作でき、レーザダイオード温度が
８７℃を越えない。 上で述べた点の少なくとも１つの点も持たないレーザ
を、ここでは“低信頼性”レーザとよぶ。
【０００９】ここでの単位“ＦＩＴ”というのは、習慣
的に用いられている意味で、“１０9 デバイス時間にお
いて、１デバイスが故障する”ということである。略語
“ＦＩＴ”は“時間中の故障”の代りである。
的に用いられている意味で、“１０9 デバイス時間にお
いて、１デバイスが故障する”ということである。略語
“ＦＩＴ”は“時間中の故障”の代りである。
【００１０】レーザ“故障”は、指定されたレーザ出力
パワーにおけるレーザ電流が、そのレーザ出力パワーに
対する開始時のレーザ電流の１５０％以上であるなら、
起こったことになる。たとえば、指定された出力パワー
は３ｍＷである。
パワーにおけるレーザ電流が、そのレーザ出力パワーに
対する開始時のレーザ電流の１５０％以上であるなら、
起こったことになる。たとえば、指定された出力パワー
は３ｍＷである。
【００１１】“瞬時障害率”というのは、ここでは従来
用いられている意味で、“時刻のある点で故障した、デ
バイスの割合”をさす。
用いられている意味で、“時刻のある点で故障した、デ
バイスの割合”をさす。
【００１２】レーザ封入容器は、ここでは封入容器が許
容された漏れ率に関して、典型的な現在の仕様と、水分
の含有量を満たすなら、“ハーメチック”封入容器であ
る。典型的な仕様は、５×１０-8Ｔｏｒｒ／秒より小さ
い圧力上昇に対応する漏れ率と、５０００ｐｐｍより小
さい水分含有量を必要とする。
容された漏れ率に関して、典型的な現在の仕様と、水分
の含有量を満たすなら、“ハーメチック”封入容器であ
る。典型的な仕様は、５×１０-8Ｔｏｒｒ／秒より小さ
い圧力上昇に対応する漏れ率と、５０００ｐｐｍより小
さい水分含有量を必要とする。
【００１３】“粒子ビーム”は排気された（典型的な場
合、約１０-5Ｔｏｒｒより低いバックグランド圧力）容
器内で、本質的に規定された横方向の量をもつ粒子の本
質的に一方向性の流束である。
合、約１０-5Ｔｏｒｒより低いバックグランド圧力）容
器内で、本質的に規定された横方向の量をもつ粒子の本
質的に一方向性の流束である。
【００１４】本発明の要約 本発明は、特許請求の範囲で規定される。出願人は、適
切なプロセス条件下で、レーザファセット被覆に適した
高品質ＳｉＯx 薄膜が、信頼性よく形成できること及び
新しいＳｉＯx 薄膜を含む半導体レーザは、大気と接触
させて動作させると、高信頼性レーザとなりうるという
驚くべき発見をした。
切なプロセス条件下で、レーザファセット被覆に適した
高品質ＳｉＯx 薄膜が、信頼性よく形成できること及び
新しいＳｉＯx 薄膜を含む半導体レーザは、大気と接触
させて動作させると、高信頼性レーザとなりうるという
驚くべき発見をした。
【００１５】広義には、本発明は高信頼性半導体レーザ
を含む製品で実施される。レーザは２つの相対するファ
セットを有し、前記ファセットのそれぞれに配置された
被膜をもつ半導体基体を含む。重要なことは、半導体基
体はハーメチック封入容器中に置かれないことで、それ
により誘電体層は大気からの湿気にさらされ、しばしば
本質的に大気と接触する。他の点では、製品は従来のも
のでよい。本発明に従う非ハーメチックレーザは、従来
技術のハーメチック高信頼性レーザが用いられていた所
なら、本質的にどこでも使用できる。そのような用途の
例は、たとえば送信機パッケージ内といった光ファイバ
遠距離通信及びコンパクトディスク・プレーヤー内であ
る。
を含む製品で実施される。レーザは２つの相対するファ
セットを有し、前記ファセットのそれぞれに配置された
被膜をもつ半導体基体を含む。重要なことは、半導体基
体はハーメチック封入容器中に置かれないことで、それ
により誘電体層は大気からの湿気にさらされ、しばしば
本質的に大気と接触する。他の点では、製品は従来のも
のでよい。本発明に従う非ハーメチックレーザは、従来
技術のハーメチック高信頼性レーザが用いられていた所
なら、本質的にどこでも使用できる。そのような用途の
例は、たとえば送信機パッケージ内といった光ファイバ
遠距離通信及びコンパクトディスク・プレーヤー内であ
る。
【００１６】好ましい実施例において、誘電体被膜は材
料が水分で飽和するのに十分な時間、９９℃脱イオン水
中に浸した後、以下で詳細に述べるように、フーリエ変
換赤外吸収スペクトロスコピーで決めた水分含有量が１
００μｍ-1以下である材料から成る。現在好ましい実施
例において、誘電体材料は組成ＳｉＯx （１≦ｘ＜２）
をもつ。
料が水分で飽和するのに十分な時間、９９℃脱イオン水
中に浸した後、以下で詳細に述べるように、フーリエ変
換赤外吸収スペクトロスコピーで決めた水分含有量が１
００μｍ-1以下である材料から成る。現在好ましい実施
例において、誘電体材料は組成ＳｉＯx （１≦ｘ＜２）
をもつ。
【００１７】本発明の好ましい実施例の重要な点は、高
密度で、粒子や水泡がほとんどなく、層材料の水分飽和
値で測定した水分の通過性が本質的にない典型的な場合
ＳｉＯx 層である誘電体層が形成可能なことである。
密度で、粒子や水泡がほとんどなく、層材料の水分飽和
値で測定した水分の通過性が本質的にない典型的な場合
ＳｉＯx 層である誘電体層が形成可能なことである。
【００１８】従来技術の実施例とは異なり、分子線技術
による堆積は従来の熱的蒸着技術を上まわる利点をもち
うることを見い出した。たとえば、後者はしばしば誘電
体層上に、（蒸着るつぼから放出された）歩留りを下げ
る粒子の衝撃を生じる。この“吐き出し”の問題は、分
子線技術の使用により、本質的にとり除かれる。
による堆積は従来の熱的蒸着技術を上まわる利点をもち
うることを見い出した。たとえば、後者はしばしば誘電
体層上に、（蒸着るつぼから放出された）歩留りを下げ
る粒子の衝撃を生じる。この“吐き出し”の問題は、分
子線技術の使用により、本質的にとり除かれる。
【００１９】従来の熱的蒸着法によるＳｉＯx 堆積にお
いて、ＳｉＯ原料が加熱されるるつぼ中の熱的勾配によ
り、原料の汚染とともに、典型的な場合、原料ボウルか
ら材料の“吐き出し”が生じると現在は確信される。こ
れによって、成長中の薄膜内に散乱した点欠陥が生じ
る。典型的な場合、低到達エネルギー及び従来の堆積シ
ステム中の水蒸気の存在により、最初の核生成位置は比
較的離れ、典型的な場合柱状成長となり、そのため比較
的高空孔比となる。従来の堆積プロセスをこのように分
析することは、教育的原因を明らかにするためだけであ
って、本発明は我々の分析の正確さに依存するものでは
ない。
いて、ＳｉＯ原料が加熱されるるつぼ中の熱的勾配によ
り、原料の汚染とともに、典型的な場合、原料ボウルか
ら材料の“吐き出し”が生じると現在は確信される。こ
れによって、成長中の薄膜内に散乱した点欠陥が生じ
る。典型的な場合、低到達エネルギー及び従来の堆積シ
ステム中の水蒸気の存在により、最初の核生成位置は比
較的離れ、典型的な場合柱状成長となり、そのため比較
的高空孔比となる。従来の堆積プロセスをこのように分
析することは、教育的原因を明らかにするためだけであ
って、本発明は我々の分析の正確さに依存するものでは
ない。
【００２０】出願人はまた、堆積容器にロードロック接
続すること及び典型的な場合、水蒸気、水素、酸素及び
窒素である好ましくない気体をゲッタリングするための
手段を含む堆積容器内で、誘電体薄膜を堆積させること
が望ましいことも見い出した。そのようなゲッタリング
は、たとえば堆積容器の内側（又は一部）の寒剤シュラ
ウド（典型的な場合、液体窒素冷却）によって実現でき
る。チタンサブリメーションポンプの使用が、典型的な
場合有利であろう。
続すること及び典型的な場合、水蒸気、水素、酸素及び
窒素である好ましくない気体をゲッタリングするための
手段を含む堆積容器内で、誘電体薄膜を堆積させること
が望ましいことも見い出した。そのようなゲッタリング
は、たとえば堆積容器の内側（又は一部）の寒剤シュラ
ウド（典型的な場合、液体窒素冷却）によって実現でき
る。チタンサブリメーションポンプの使用が、典型的な
場合有利であろう。
【００２１】基体の主表面上への誘電体層堆積の、更に
望ましい点は、分子線が主表面に本質的に垂直に（すな
わち、ビーム方向と主表面に垂直な方向との間の角が１
５゜以内、好ましくは１０゜又は５゜以内）入射するよ
うに、基体を配置することである。本質的に垂直な入射
により、中間の空孔を有する柱状微細構造を堆積させる
ことになりうる自己−シャドー効果が避けられると確信
する。たとえば、アイ・ジェイ・ホジキンソン（I.J.Ho
dgkinson）、スィン・ソリッド・フィルムズ（Thin Sol
id Films）、第１３８巻、２８９頁（１９８６）を参照
のこと。
望ましい点は、分子線が主表面に本質的に垂直に（すな
わち、ビーム方向と主表面に垂直な方向との間の角が１
５゜以内、好ましくは１０゜又は５゜以内）入射するよ
うに、基体を配置することである。本質的に垂直な入射
により、中間の空孔を有する柱状微細構造を堆積させる
ことになりうる自己−シャドー効果が避けられると確信
する。たとえば、アイ・ジェイ・ホジキンソン（I.J.Ho
dgkinson）、スィン・ソリッド・フィルムズ（Thin Sol
id Films）、第１３８巻、２８９頁（１９８６）を参照
のこと。
【００２２】更に望ましい点は、熱的なガス放出による
原料の清浄化及び誘電体層堆積速度が、典型的な場合
１．５ｎｍ／秒より低くなるように、堆積条件を選択す
ることである。適切に低い速度での堆積によって、高密
度誘電体材料の形成が容易になる。一方、ゲッタリング
手段（又は堆積容器内の雰囲気から、好ましくないバッ
クグランドガスを除去するための他の手段）を設けるこ
とにより、成長中の誘電体薄膜中への汚染の組込み速度
を減らすことによって、低堆積速度が容易になる。
原料の清浄化及び誘電体層堆積速度が、典型的な場合
１．５ｎｍ／秒より低くなるように、堆積条件を選択す
ることである。適切に低い速度での堆積によって、高密
度誘電体材料の形成が容易になる。一方、ゲッタリング
手段（又は堆積容器内の雰囲気から、好ましくないバッ
クグランドガスを除去するための他の手段）を設けるこ
とにより、成長中の誘電体薄膜中への汚染の組込み速度
を減らすことによって、低堆積速度が容易になる。
【００２３】誘電体薄膜の品質の便利な尺度は、薄膜の
飽和水分量であることを見い出した。ＳｉＯx のような
誘電体は、薄膜を高温（たとえば９９℃）脱イオン水中
に、たとえば４８ないし９６時間といった適当な時間保
つことにより、水分で容易に飽和させられる。知る限り
において、従来技術はＳｉＯx 薄膜のような誘電体薄膜
の水分含有量を決める便利な定量的技術を明らかにしな
かったから、そのような技術を考案した。定量的である
ためには、技術は従来どうりに研摩したＳｉ基板（典型
的な場合、両面研摩した標準的なＳｉウエハ）上に、た
とえば０．００２２インチ（０．５６ｍｍ）といったあ
らかじめ決められた厚さの誘電体薄膜を、堆積させるこ
とを含む。当業者は、レーザファセット被膜のような第
１の誘電体層の飽和水分含有量の決定は、Ｓｉ基板上に
第２の（比較用）層を堆積させることを必要とする。そ
の際、第２の層の堆積条件は、第１の層の堆積条件と基
板以外の点では同一（実験的な能力の範囲内で）であ
る。
飽和水分量であることを見い出した。ＳｉＯx のような
誘電体は、薄膜を高温（たとえば９９℃）脱イオン水中
に、たとえば４８ないし９６時間といった適当な時間保
つことにより、水分で容易に飽和させられる。知る限り
において、従来技術はＳｉＯx 薄膜のような誘電体薄膜
の水分含有量を決める便利な定量的技術を明らかにしな
かったから、そのような技術を考案した。定量的である
ためには、技術は従来どうりに研摩したＳｉ基板（典型
的な場合、両面研摩した標準的なＳｉウエハ）上に、た
とえば０．００２２インチ（０．５６ｍｍ）といったあ
らかじめ決められた厚さの誘電体薄膜を、堆積させるこ
とを含む。当業者は、レーザファセット被膜のような第
１の誘電体層の飽和水分含有量の決定は、Ｓｉ基板上に
第２の（比較用）層を堆積させることを必要とする。そ
の際、第２の層の堆積条件は、第１の層の堆積条件と基
板以外の点では同一（実験的な能力の範囲内で）であ
る。
【００２４】当業者は、本質的にすべての名目組成Ｓｉ
Ｏx の場合、ＳｉＯx 薄膜は典型的な場合、層材料のバ
ルクとは化学的組成が異なる表面層を含むことを認識す
るであろう。典型的な場合、表面層組成はＳｉＯ2 で、
表面層の厚さは１ないし数原子層で、典型的な場合、全
層厚の本質的に１０％以下である。一般にこの避けられ
ない表面層が存在することによって、層の重要な特性に
技術的影響は生じない。
Ｏx の場合、ＳｉＯx 薄膜は典型的な場合、層材料のバ
ルクとは化学的組成が異なる表面層を含むことを認識す
るであろう。典型的な場合、表面層組成はＳｉＯ2 で、
表面層の厚さは１ないし数原子層で、典型的な場合、全
層厚の本質的に１０％以下である。一般にこの避けられ
ない表面層が存在することによって、層の重要な特性に
技術的影響は生じない。
【００２５】当業者はまた、たとえば所望の屈折率を得
るためには、本発明に従うＳｉＯx薄膜を、たとえばＳ
ｉ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 又はＳｉＯx Ｎy といった他
の誘電体又は半導体材料の１ないし複数の層と組合わせ
ることができることを理解するであろう。
るためには、本発明に従うＳｉＯx薄膜を、たとえばＳ
ｉ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 又はＳｉＯx Ｎy といった他
の誘電体又は半導体材料の１ないし複数の層と組合わせ
ることができることを理解するであろう。
【００２６】出願人はまた、堆積条件を適切に選択する
ことにより、本質的に応力のないＳｉＯx 薄膜の生成を
含み、ＳｉＯx 薄膜の応力状態が、調整できることを、
見い出した。そのような薄膜の用途は、レーザに限られ
ず、事実そのような薄膜は、例えばＩＣを含む半導体電
子デバイスにおいて、用いると有利である。
ことにより、本質的に応力のないＳｉＯx 薄膜の生成を
含み、ＳｉＯx 薄膜の応力状態が、調整できることを、
見い出した。そのような薄膜の用途は、レーザに限られ
ず、事実そのような薄膜は、例えばＩＣを含む半導体電
子デバイスにおいて、用いると有利である。
【００２７】いくつかの好ましい実施例の詳細な記述 図１は従来の（ハーメチック）レーザモジュール１０の
例を、概略的に示す。数字１１は基板を、１８は銅放熱
器を、１２はレーザサブマウントを、１３はレーザを、
１４は基盤にハーメチックに接合された“ふた”を、１
５はそれを通してレーザ放射が放出される窓を、１６は
レーザパワーの帰還安定化を容易にするために、レーザ
パワーをモニターする働きをする（典型的な場合ＰＩ
Ｎ）光検出器をさす。ピン１７１−１７４はレーザ及び
フォトダイオードとの電気的接触をなす。
例を、概略的に示す。数字１１は基板を、１８は銅放熱
器を、１２はレーザサブマウントを、１３はレーザを、
１４は基盤にハーメチックに接合された“ふた”を、１
５はそれを通してレーザ放射が放出される窓を、１６は
レーザパワーの帰還安定化を容易にするために、レーザ
パワーをモニターする働きをする（典型的な場合ＰＩ
Ｎ）光検出器をさす。ピン１７１−１７４はレーザ及び
フォトダイオードとの電気的接触をなす。
【００２８】図２はレーザ１３の例を、より詳細に概略
的に描いたものである。数字２０は活性領域２１を含む
半導体基体をさす。数字２２はＹＳＺ層２２１及びＳｉ
層２２２を含む裏面（高屈折率）ファセット被膜を、数
字２３はＹＳＺ層を含む前面（低屈折率）ファセット被
膜をさす。数字２４及び２５は接触手段をさす。
的に描いたものである。数字２０は活性領域２１を含む
半導体基体をさす。数字２２はＹＳＺ層２２１及びＳｉ
層２２２を含む裏面（高屈折率）ファセット被膜を、数
字２３はＹＳＺ層を含む前面（低屈折率）ファセット被
膜をさす。数字２４及び２５は接触手段をさす。
【００２９】図３は本発明に従う非ハーメチックレーザ
モジュールの例を概略的に示し、それは図１の従来技術
のモジュールと良く似ているが、ふた１４及び窓１５が
無いことが異なる。もちろん、重要な違いは、図４から
わかるように、レーザのファセット被覆に関して存在す
る。図４のレーザの例は、本質的にファセット被覆層４
０１及び４１に関してのみ図２のそれとは異なり、被覆
層は高密度で、低飽和水分含有量ＳｉＯx である。より
高い屈折率層を実現するために、層４０１及び４０２は
１回又は複数回くり返される。当業者は、所望のファセ
ット反射率を得る目的で、ファセット被覆のための適切
な対の数及び厚さをいかに決めるかを知っている。
モジュールの例を概略的に示し、それは図１の従来技術
のモジュールと良く似ているが、ふた１４及び窓１５が
無いことが異なる。もちろん、重要な違いは、図４から
わかるように、レーザのファセット被覆に関して存在す
る。図４のレーザの例は、本質的にファセット被覆層４
０１及び４１に関してのみ図２のそれとは異なり、被覆
層は高密度で、低飽和水分含有量ＳｉＯx である。より
高い屈折率層を実現するために、層４０１及び４０２は
１回又は複数回くり返される。当業者は、所望のファセ
ット反射率を得る目的で、ファセット被覆のための適切
な対の数及び厚さをいかに決めるかを知っている。
【００３０】図３の実施例は例を示すだけで、他の実施
例も考えられる。たとえば、図１の型のふたは、機械的
保護のためになお形成できるが、窓をふたにハーメチッ
ク的に接合する必要はなく、ふたを基盤に、ハーメチッ
ク的に接合する必要はない。明らかに、ハーメチックの
必要がなくなることにより、たとえば歩留りが増すこと
によって製造価格が下がり、価格の高い部品や接合法の
使用が減ることにより、アセンブリ及び試験価格が下が
る。
例も考えられる。たとえば、図１の型のふたは、機械的
保護のためになお形成できるが、窓をふたにハーメチッ
ク的に接合する必要はなく、ふたを基盤に、ハーメチッ
ク的に接合する必要はない。明らかに、ハーメチックの
必要がなくなることにより、たとえば歩留りが増すこと
によって製造価格が下がり、価格の高い部品や接合法の
使用が減ることにより、アセンブリ及び試験価格が下が
る。
【００３１】図５は本発明に従うレーザモジュールのも
う１つの例を、概略的に示したもので、数字５０は（必
要に応じて設ける）保持手段をさし、５１はレーザ３３
の機械的保護用の一定量のポリマ（たとえばシリコン−
ポリイミド共重合体）をさす。当業者はポリマ（エポキ
シを含む）は水蒸気及び他の気体に対して、典型的な場
合比較的浸透性があり、一般にレーザに対してハーメチ
ックな環境を作らないことを知っている。
う１つの例を、概略的に示したもので、数字５０は（必
要に応じて設ける）保持手段をさし、５１はレーザ３３
の機械的保護用の一定量のポリマ（たとえばシリコン−
ポリイミド共重合体）をさす。当業者はポリマ（エポキ
シを含む）は水蒸気及び他の気体に対して、典型的な場
合比較的浸透性があり、一般にレーザに対してハーメチ
ックな環境を作らないことを知っている。
【００３２】図６−図７は非ハーメチック条件下で動作
する３０％低屈折率（ＬＲ）、７０％高屈折率（ＨＲ）
ファセット被膜を有するいくつかの従来技術について
の、経年変化のデータを示す。レーザダイオードは１．
３μｍで放射する従来のマルチモードＩｎＰを基本とし
た埋込みヘテロ構造ダイオードであった。それらは本質
的に図１に示されるように、従来のハーメチックパッケ
ージ中に組立て、続いて従来のように焼き入れた。焼き
入れしたデバイスのみを、更に経年変化させた。２５℃
及び８５℃における評価の後、レーザモジュールはふた
の側に開口を作ることにより、非ハーメチックになっ
た。２５℃における再評価の後、デバイスを従来の経年
変化容器中にセットした。容器が８５℃／９０％相対湿
度（ＲＨ）における平衡に達した後、３０ｍＡのバイア
ス電流を、各デバイスに供給した。バイアス電流は、８
５℃におけるレーザ閾値より低かった。適切な回数で、
デバイスを容器からとり出し、従来のＬ−Ｉ−Ｖ特性を
２５℃で測定した。一連の測定が完了した後、デバイス
は経年変化容器に戻し、経年変化を続けた。
する３０％低屈折率（ＬＲ）、７０％高屈折率（ＨＲ）
ファセット被膜を有するいくつかの従来技術について
の、経年変化のデータを示す。レーザダイオードは１．
３μｍで放射する従来のマルチモードＩｎＰを基本とし
た埋込みヘテロ構造ダイオードであった。それらは本質
的に図１に示されるように、従来のハーメチックパッケ
ージ中に組立て、続いて従来のように焼き入れた。焼き
入れしたデバイスのみを、更に経年変化させた。２５℃
及び８５℃における評価の後、レーザモジュールはふた
の側に開口を作ることにより、非ハーメチックになっ
た。２５℃における再評価の後、デバイスを従来の経年
変化容器中にセットした。容器が８５℃／９０％相対湿
度（ＲＨ）における平衡に達した後、３０ｍＡのバイア
ス電流を、各デバイスに供給した。バイアス電流は、８
５℃におけるレーザ閾値より低かった。適切な回数で、
デバイスを容器からとり出し、従来のＬ−Ｉ−Ｖ特性を
２５℃で測定した。一連の測定が完了した後、デバイス
は経年変化容器に戻し、経年変化を続けた。
【００３３】図６は本質的に図２に示されるような従来
のＹＳＺＬＲ及びＹＳＺ／ＳｉＨＲファセット被膜を有
するレーザダイオードを含むいくつかのモジュールにつ
いての経年変化のデータを示し、図７はＹ−ドープＡｌ
2 Ｏ3 ＬＲ及びＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＨＲファセット被膜を
有するレーザダイオードを含むモジュールについての、
そのようなデータを示す。データは、非ハーメチック条
件下で動作した従来技術のレーザの特性が、次第に劣化
していくことを明らかに示している。
のＹＳＺＬＲ及びＹＳＺ／ＳｉＨＲファセット被膜を有
するレーザダイオードを含むいくつかのモジュールにつ
いての経年変化のデータを示し、図７はＹ−ドープＡｌ
2 Ｏ3 ＬＲ及びＡｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＨＲファセット被膜を
有するレーザダイオードを含むモジュールについての、
そのようなデータを示す。データは、非ハーメチック条
件下で動作した従来技術のレーザの特性が、次第に劣化
していくことを明らかに示している。
【００３４】図８は３０％ＹＳＺＬＲ及び７０％ＹＳＺ
／ＳｉＨＲファセット被膜を有するレーザダイオードを
含むハーメチックレーザモジュールについての類似の経
年変化のデータを示し、図９は高密度（中性）ＳｉＯx
ファセット被膜を有するレーザダイオードを含み非ハー
メチックレーザモジュールについての類似のデータを示
す。“中性”ファセット被膜ということでは、ファセッ
トの反射率に本質的に影響を及ぼさない被膜を意味し、
“ハーメチック”ということでは、ふたに開口が形成さ
れないことを除いて、上述のように生成したモジュール
を意味する。図８及び図９が示すように、ハーメチック
ＹＳＺ−被覆レーザモジュールと新しい高密度ＳｉＯx
で被覆したファセットを有する非ハーメチックレーザモ
ジュールの経年変化には、あったとしても、ほとんど違
いはない。更に、図６及び図７のデータと、図９のデー
タを比較すると、新しいＳｉＯx 薄膜を従来のＹＳＺ又
はＹ−ドープＡｌ2 Ｏ3 ファセット被膜に置き代えるこ
とから生じた、本質的な改善が明らかになる。
／ＳｉＨＲファセット被膜を有するレーザダイオードを
含むハーメチックレーザモジュールについての類似の経
年変化のデータを示し、図９は高密度（中性）ＳｉＯx
ファセット被膜を有するレーザダイオードを含み非ハー
メチックレーザモジュールについての類似のデータを示
す。“中性”ファセット被膜ということでは、ファセッ
トの反射率に本質的に影響を及ぼさない被膜を意味し、
“ハーメチック”ということでは、ふたに開口が形成さ
れないことを除いて、上述のように生成したモジュール
を意味する。図８及び図９が示すように、ハーメチック
ＹＳＺ−被覆レーザモジュールと新しい高密度ＳｉＯx
で被覆したファセットを有する非ハーメチックレーザモ
ジュールの経年変化には、あったとしても、ほとんど違
いはない。更に、図６及び図７のデータと、図９のデー
タを比較すると、新しいＳｉＯx 薄膜を従来のＹＳＺ又
はＹ−ドープＡｌ2 Ｏ3 ファセット被膜に置き代えるこ
とから生じた、本質的な改善が明らかになる。
【００３５】上述の非ハーメチックモジュールを１７５
０時間経年変化させ続けると、図９に示された高密度Ｓ
ｉＯx ファセット被膜を有するレーザを含むモジュール
を除き、すべての非ハーメチックモジュールが故障し
た。
０時間経年変化させ続けると、図９に示された高密度Ｓ
ｉＯx ファセット被膜を有するレーザを含むモジュール
を除き、すべての非ハーメチックモジュールが故障し
た。
【００３６】当業者は、図６−図９に示された型の経年
変化データは、レーザの予想される寿命を見積もるのに
使用できることを知っている。たとえば、本発明に従う
非ハーメチックレーザの例は、上で規定されるような高
信頼性レーザのすべての条件にあうか、越えることがで
きる。更に、デバイスは４５℃／５０％ＲＨにおいて、
１５年間で１０００ＦＩＴより少ないという瞬時障害率
の条件にもあい、やはり４５℃／５０％ＲＨにおいて１
５年間でデバイスの５％以下が故障するという条件にも
あう。
変化データは、レーザの予想される寿命を見積もるのに
使用できることを知っている。たとえば、本発明に従う
非ハーメチックレーザの例は、上で規定されるような高
信頼性レーザのすべての条件にあうか、越えることがで
きる。更に、デバイスは４５℃／５０％ＲＨにおいて、
１５年間で１０００ＦＩＴより少ないという瞬時障害率
の条件にもあい、やはり４５℃／５０％ＲＨにおいて１
５年間でデバイスの５％以下が故障するという条件にも
あう。
【００３７】本発明に従う好ましいレーザは、たとえば
飽和水分含有量という点で測った高品質ＳｉＯx 薄膜を
含む。知る限りにおいて、従来技術はどのようにしてそ
のような薄膜を得るかということだけでなく、堆積条件
の適切な選択により、そのような薄膜が得られる可能性
も示していない。薄膜の品質の１つの尺度は、屈折率と
薄膜の厚さの安定性で、高い安定性は高密度材料である
ことを示す。
飽和水分含有量という点で測った高品質ＳｉＯx 薄膜を
含む。知る限りにおいて、従来技術はどのようにしてそ
のような薄膜を得るかということだけでなく、堆積条件
の適切な選択により、そのような薄膜が得られる可能性
も示していない。薄膜の品質の１つの尺度は、屈折率と
薄膜の厚さの安定性で、高い安定性は高密度材料である
ことを示す。
【００３８】たとえば、（１００）Ｓｉウエハ上に垂直
から１５゜ずれた方向から堆積させたＳｉＯ薄膜（名目
上の基板温度０℃、堆積速度１．４ｎｍ／秒、容器圧１
×１０-10 Ｔｏｒｒ）の０．６３２８μｍにおける初期
屈折率は１．９８であったが、６０時間室温の脱イオン
水中に浸した後では１．９４であった。それに対し、本
質的に垂直入射ビームであること以外は上述のように堆
積させた薄膜は、初期屈折率が１．９８８で、同じく浸
した後で１．９８７であった。
から１５゜ずれた方向から堆積させたＳｉＯ薄膜（名目
上の基板温度０℃、堆積速度１．４ｎｍ／秒、容器圧１
×１０-10 Ｔｏｒｒ）の０．６３２８μｍにおける初期
屈折率は１．９８であったが、６０時間室温の脱イオン
水中に浸した後では１．９４であった。それに対し、本
質的に垂直入射ビームであること以外は上述のように堆
積させた薄膜は、初期屈折率が１．９８８で、同じく浸
した後で１．９８７であった。
【００３９】また、基板温度Ｔs を増すか、又は与えら
れたＴs において堆積速度を減少させることにより、典
型的な場合、屈折率は増加し、希釈ＨＦ溶液中での薄膜
のエッチング速度は減少することも見い出した。これら
の両方とも、薄膜密度の増加を示している。従って、好
ましい実施例において、Ｔs は０−２００℃の範囲内で
ある。
れたＴs において堆積速度を減少させることにより、典
型的な場合、屈折率は増加し、希釈ＨＦ溶液中での薄膜
のエッチング速度は減少することも見い出した。これら
の両方とも、薄膜密度の増加を示している。従って、好
ましい実施例において、Ｔs は０−２００℃の範囲内で
ある。
【００４０】望ましいプロセス条件の中には、好ましく
は１．５ｎｍ／秒といった比較的低い堆積速度もある。
本質的な垂直入射により、適切な低堆積速度（たとえば
ＳｉＯ薄膜の場合０．２ｎｍ／秒）で堆積させたＳｉＯ
x 薄膜は、たとえ９９℃の脱イオン水中に１９２時間浸
しても、本質的に水を吸収しなかった。このことは、通
常のスペクトロメータ（マトソンモデル・シリウス１０
０）を用いたフーリエ変換赤外（ＩＲ）吸収スペクトロ
スコピーによって確認された。３０００ｃｍ-1ないし３
７００ｃｍ-1の吸収スペクトルは、ＳｉＯx 薄膜中に吸
収された水についての情報を与えることが知られてい
る。典型的な場合、≧１．５ｎｍ／秒といった比較的高
い堆積速度で堆積させた薄膜は、しばしば信頼性ある非
ハーメチックレーザ用として有用であるほど、十分な密
度でない。
は１．５ｎｍ／秒といった比較的低い堆積速度もある。
本質的な垂直入射により、適切な低堆積速度（たとえば
ＳｉＯ薄膜の場合０．２ｎｍ／秒）で堆積させたＳｉＯ
x 薄膜は、たとえ９９℃の脱イオン水中に１９２時間浸
しても、本質的に水を吸収しなかった。このことは、通
常のスペクトロメータ（マトソンモデル・シリウス１０
０）を用いたフーリエ変換赤外（ＩＲ）吸収スペクトロ
スコピーによって確認された。３０００ｃｍ-1ないし３
７００ｃｍ-1の吸収スペクトルは、ＳｉＯx 薄膜中に吸
収された水についての情報を与えることが知られてい
る。典型的な場合、≧１．５ｎｍ／秒といった比較的高
い堆積速度で堆積させた薄膜は、しばしば信頼性ある非
ハーメチックレーザ用として有用であるほど、十分な密
度でない。
【００４１】０．０２２インチ厚の５ｃｍ径両面研摩の
従来通りの（１００）Ｓｉウエハ上に、薄膜を堆積させ
た後、薄膜を１５０℃において４８時間、空気中でベー
クした。ＩＲ吸収スペクトルをとった後、薄膜を９９℃
の脱イオン水中に、１６、４８、９６及び１９２時間浸
した。水槽からとり出して３０分以内に、スペクトルを
とった。
従来通りの（１００）Ｓｉウエハ上に、薄膜を堆積させ
た後、薄膜を１５０℃において４８時間、空気中でベー
クした。ＩＲ吸収スペクトルをとった後、薄膜を９９℃
の脱イオン水中に、１６、４８、９６及び１９２時間浸
した。水槽からとり出して３０分以内に、スペクトルを
とった。
【００４２】図１０は１９０ｎｍ厚ＳｉＯ薄膜（Ｔs ＝
１００℃、堆積速度１．１ｎｍ／秒、Ｏ2 過剰圧なし）
及びＳｉ基板のＩＲスペクトルの関連した部分を示し、
数字１０１、１０２及び１０３はそれぞれベークされた
ＳｉＯ薄膜、９９℃の水中に１９２時間浸した後のＳｉ
Ｏ薄膜及びＳｉ基板をさす。ＯＨ- ／ＳｉＯＨ吸収ピー
クの増加は、水分の吸収を示す。薄膜の水分含有量の増
加は、最初３０００ないし３７００ｃｍ-1間の面積を、
膜厚（薄膜を９９℃の水に浸すことにより、約０．１ｎ
ｍ／時間の速度で、薄膜は薄くなった）で規格化し、次
に一定面積である６１０−６２０ｃｍ-1の２−フォトン
基板吸収帯の面積に対し、この比をとることにより定量
化した。結果は図１１に示されており、約２０μｍ-1か
ら約３０μｍ-1の飽和値まで、規格化された水含有量の
最小増加量を示している。
１００℃、堆積速度１．１ｎｍ／秒、Ｏ2 過剰圧なし）
及びＳｉ基板のＩＲスペクトルの関連した部分を示し、
数字１０１、１０２及び１０３はそれぞれベークされた
ＳｉＯ薄膜、９９℃の水中に１９２時間浸した後のＳｉ
Ｏ薄膜及びＳｉ基板をさす。ＯＨ- ／ＳｉＯＨ吸収ピー
クの増加は、水分の吸収を示す。薄膜の水分含有量の増
加は、最初３０００ないし３７００ｃｍ-1間の面積を、
膜厚（薄膜を９９℃の水に浸すことにより、約０．１ｎ
ｍ／時間の速度で、薄膜は薄くなった）で規格化し、次
に一定面積である６１０−６２０ｃｍ-1の２−フォトン
基板吸収帯の面積に対し、この比をとることにより定量
化した。結果は図１１に示されており、約２０μｍ-1か
ら約３０μｍ-1の飽和値まで、規格化された水含有量の
最小増加量を示している。
【００４３】上述の実験プロセスにより、薄膜が標準的
な厚さの二面研摩Ｓｉ基板上に堆積される限り、（他の
誘電体薄膜と同様）ＳｉＯx 薄膜の水分含有量の数値が
得られる。出願人は０．０２２インチ厚のウエハを用い
た。このプロセスは、半導体基板上の与えられた誘電体
薄膜（たとえばレーザファセット被膜）が、好ましい薄
膜の低飽和水分量にあうか否かを決めるために、容易に
使用できる。
な厚さの二面研摩Ｓｉ基板上に堆積される限り、（他の
誘電体薄膜と同様）ＳｉＯx 薄膜の水分含有量の数値が
得られる。出願人は０．０２２インチ厚のウエハを用い
た。このプロセスは、半導体基板上の与えられた誘電体
薄膜（たとえばレーザファセット被膜）が、好ましい薄
膜の低飽和水分量にあうか否かを決めるために、容易に
使用できる。
【００４４】同じ技術により、従来通りに堆積させたま
まのＰＥＣＶＤ ＳｉＯ2 薄膜（Ｔs ＝３２５℃、１
３．５６ＭＨｚ、１００Ｗ／ｃｍ2 、２Ｔｏｒｒ圧、１
５０ｃｃ／分ＴＥＯＳ（テトラエチルオルトシリケー
ト）及び７０００ｃｃ／分のＯ2）の水分含有量も測定
し、１００−３００μｍ-1オーダーの規格化された水分
含有量を得た。このように、飽和したＳｉＯ薄膜は、た
とえ１．１ｎｍ／秒の比較的高い速度で堆積させても、
従来どうりに堆積させたままのＰＥＣＶＤ ＳｉＯ2 薄
膜の水含有量の約３分の１以下にできる。もちろん、高
温の水に従来のＳｉＯ2 薄膜を浸すと、規格化された水
分含有量の観測値は、本質的に増加する。適切な条件
（たとえばＯ2 過剰圧）下で堆積させたＳｉＯx 薄膜
は、ＳｉＯ薄膜で観察された結果と類似の結果を生じ、
より低い堆積速度はやはり、典型的な場合、飽和含有量
を減少させる。
まのＰＥＣＶＤ ＳｉＯ2 薄膜（Ｔs ＝３２５℃、１
３．５６ＭＨｚ、１００Ｗ／ｃｍ2 、２Ｔｏｒｒ圧、１
５０ｃｃ／分ＴＥＯＳ（テトラエチルオルトシリケー
ト）及び７０００ｃｃ／分のＯ2）の水分含有量も測定
し、１００−３００μｍ-1オーダーの規格化された水分
含有量を得た。このように、飽和したＳｉＯ薄膜は、た
とえ１．１ｎｍ／秒の比較的高い速度で堆積させても、
従来どうりに堆積させたままのＰＥＣＶＤ ＳｉＯ2 薄
膜の水含有量の約３分の１以下にできる。もちろん、高
温の水に従来のＳｉＯ2 薄膜を浸すと、規格化された水
分含有量の観測値は、本質的に増加する。適切な条件
（たとえばＯ2 過剰圧）下で堆積させたＳｉＯx 薄膜
は、ＳｉＯ薄膜で観察された結果と類似の結果を生じ、
より低い堆積速度はやはり、典型的な場合、飽和含有量
を減少させる。
【００４５】堆積速度が０．２ｎｍ／秒の時は、（我々
の測定技術の感度内で）水分感度は全体に無かった。図
１２及び図１３は、それぞれ０℃、２５℃、１００℃及
び２００℃の名目Ｔs 、０．２ｎｍ／秒で堆積させたＳ
ｉＯ薄膜について、また“ベークされた”薄膜及び９９
℃の水に、１６、４８、９６及び１９２時間浸した後の
ＳｉＯ薄膜について、屈折率及び厚さのデータを示す。
図１２及び図１３は堆積温度の変化を含むウエハ処理の
関数として、本質的に変化がなく、水分の上昇は無いこ
とを示している。更に、ＩＲスペクトロスコピーは、水
分の吸収を示さなかった。０．５ｎｍ／秒又はそれ以下
の堆積速度では、本質的に同様の結果が得られ、１．５
ｎｍ／秒又はそれ以下では、低水分吸収薄膜が得られる
と確信する。
の測定技術の感度内で）水分感度は全体に無かった。図
１２及び図１３は、それぞれ０℃、２５℃、１００℃及
び２００℃の名目Ｔs 、０．２ｎｍ／秒で堆積させたＳ
ｉＯ薄膜について、また“ベークされた”薄膜及び９９
℃の水に、１６、４８、９６及び１９２時間浸した後の
ＳｉＯ薄膜について、屈折率及び厚さのデータを示す。
図１２及び図１３は堆積温度の変化を含むウエハ処理の
関数として、本質的に変化がなく、水分の上昇は無いこ
とを示している。更に、ＩＲスペクトロスコピーは、水
分の吸収を示さなかった。０．５ｎｍ／秒又はそれ以下
の堆積速度では、本質的に同様の結果が得られ、１．５
ｎｍ／秒又はそれ以下では、低水分吸収薄膜が得られる
と確信する。
【００４６】ラザフォード後方散乱スペクトロスコピー
は、上述のように生成したＳｉＯx薄膜は、典型的な場
合、アモルファスで、測定技術の分解能（〜５％）内
で、化学量論的に均一であることを確認した。そのよう
な均一性は望ましく、特に低水分増加が望ましい場合に
は好ましい。Ｔｓ≦３００℃でＯ2 過剰圧なしで堆積さ
せた薄膜はＳｉＯで、Ｏ2 過剰圧ではＳｉＯx （１＜ｘ
＜２）が得られた。
は、上述のように生成したＳｉＯx薄膜は、典型的な場
合、アモルファスで、測定技術の分解能（〜５％）内
で、化学量論的に均一であることを確認した。そのよう
な均一性は望ましく、特に低水分増加が望ましい場合に
は好ましい。Ｔｓ≦３００℃でＯ2 過剰圧なしで堆積さ
せた薄膜はＳｉＯで、Ｏ2 過剰圧ではＳｉＯx （１＜ｘ
＜２）が得られた。
【００４７】ＳｉＯx 薄膜はまた、ＧａＡｓ及びＩｎＰ
ウエハ上にも成長させ、Ｓｉ上に成長させた対応する薄
膜と、本質的に同様の特性をもつことがわかった。薄膜
は典型的な場合空孔及び＜１０8 ｃｍ-1及び寸法２−３
ｎｍという透過電子顕微鏡の検出限界内で、異なる結晶
又はアモルファス相は含まない。これらの有利な特性
は、従来技術の結果では示唆されない。（たとえば、エ
イ・ピー・ブラッドフォード（A.P.Bradford）ら、ジャ
ーナル・オブ・ザ・オプティカル・ソサイエティ・オブ
・アメリカ（J. of the Optical Soc. of America） 第
５３（９）巻、１０９６頁（１９６３））ここでは低速
（たとえば＜０．５ｎｍ／秒）及び比較的高いＯ2圧
（８−１０×１０-5Ｔｏｒｒ）で堆積させた薄膜は、主
としてＳｉ2Ｏ3から成り、多相薄膜であることが示され
ている。
ウエハ上にも成長させ、Ｓｉ上に成長させた対応する薄
膜と、本質的に同様の特性をもつことがわかった。薄膜
は典型的な場合空孔及び＜１０8 ｃｍ-1及び寸法２−３
ｎｍという透過電子顕微鏡の検出限界内で、異なる結晶
又はアモルファス相は含まない。これらの有利な特性
は、従来技術の結果では示唆されない。（たとえば、エ
イ・ピー・ブラッドフォード（A.P.Bradford）ら、ジャ
ーナル・オブ・ザ・オプティカル・ソサイエティ・オブ
・アメリカ（J. of the Optical Soc. of America） 第
５３（９）巻、１０９６頁（１９６３））ここでは低速
（たとえば＜０．５ｎｍ／秒）及び比較的高いＯ2圧
（８−１０×１０-5Ｔｏｒｒ）で堆積させた薄膜は、主
としてＳｉ2Ｏ3から成り、多相薄膜であることが示され
ている。
【００４８】この堆積方法の非常に望ましい方法は、半
導体基体を大気に露出することなく、２ないしそれ以上
のプロセス工程を容易に行える手段が得られることであ
る。工程の１つは、ＳｉＯx 薄膜の堆積で、もう一方の
工程は典型的な場合、たとえばＩＩＩ／Ｖ半導体材料の
堆積といったより早い工程である。２チャンバ・リベー
ル・ＭＢＥ３２システムを用い、１つのチャンバはＩＩ
Ｉ−Ｖエピタキシーに、もう一方はＳｉＯx の堆積に用
いた。試料を、真空下で一方のチャンバから他方へ移動
させるための手段も備えている。ＳｉＯx 堆積チャンバ
は、イオンポンプ及び２２００ｌ／秒ターボポンプをも
ち、後者はＳｉＯ設定の最初の清浄化のために望まし
く、ＳｉＯはその典型的な高純度（たとえば５Ｎ）にも
かかわらず、典型的な場合ガス放出する。ガス出しの
後、チャンバ中へのＯ2 の漏れなしに、イオンポンプは
チャンバ圧を１×１０-10 Ｔｏｒｒ以下に保ち、噴出セ
ル温度を１２００℃にした。薄膜堆積は典型的な場合、
１０５０−１１５０℃の範囲のセル温度で、Ｔs ≦３０
０℃で行った。分子流はイオンゲージにより、従来の方
式で決めた。ゲージをしばしばガス出しすることは、再
現性よい結果を得るために望ましい。典型的な場合、１
０-5−１０-7Ｔｏｒｒで、制御されたリークバルブによ
りチャンバ内に酸素を導入することにより得られる酸素
過剰圧は、酸素含有量を変えるため、従って堆積物の屈
折率を変えるために使用できる。堆積チャンバにはま
た、ロードロックが備わっており、それによりチャンバ
を大気に開くことなく、試料を導入することが可能であ
る。
導体基体を大気に露出することなく、２ないしそれ以上
のプロセス工程を容易に行える手段が得られることであ
る。工程の１つは、ＳｉＯx 薄膜の堆積で、もう一方の
工程は典型的な場合、たとえばＩＩＩ／Ｖ半導体材料の
堆積といったより早い工程である。２チャンバ・リベー
ル・ＭＢＥ３２システムを用い、１つのチャンバはＩＩ
Ｉ−Ｖエピタキシーに、もう一方はＳｉＯx の堆積に用
いた。試料を、真空下で一方のチャンバから他方へ移動
させるための手段も備えている。ＳｉＯx 堆積チャンバ
は、イオンポンプ及び２２００ｌ／秒ターボポンプをも
ち、後者はＳｉＯ設定の最初の清浄化のために望まし
く、ＳｉＯはその典型的な高純度（たとえば５Ｎ）にも
かかわらず、典型的な場合ガス放出する。ガス出しの
後、チャンバ中へのＯ2 の漏れなしに、イオンポンプは
チャンバ圧を１×１０-10 Ｔｏｒｒ以下に保ち、噴出セ
ル温度を１２００℃にした。薄膜堆積は典型的な場合、
１０５０−１１５０℃の範囲のセル温度で、Ｔs ≦３０
０℃で行った。分子流はイオンゲージにより、従来の方
式で決めた。ゲージをしばしばガス出しすることは、再
現性よい結果を得るために望ましい。典型的な場合、１
０-5−１０-7Ｔｏｒｒで、制御されたリークバルブによ
りチャンバ内に酸素を導入することにより得られる酸素
過剰圧は、酸素含有量を変えるため、従って堆積物の屈
折率を変えるために使用できる。堆積チャンバにはま
た、ロードロックが備わっており、それによりチャンバ
を大気に開くことなく、試料を導入することが可能であ
る。
【００４９】更に、必要に応じて行う有利な点は、Ｓｉ
及びＯを含むビームを供給するための手段として、噴出
セルを用いることである。噴出セルを用いることによ
り、非常に低い粒子密度を有するＳｉＯx 薄膜の堆積が
容易になり、従来の堆積技術の１つの歩留りを下る欠
点、すなわち粒子“吐き出し”を本質的に除く。ＳｉＯ
x薄膜はまた、噴出セルからＳｉＯ及びＳｉＯ2 を同時
に蒸発させることによっても形成できる。
及びＯを含むビームを供給するための手段として、噴出
セルを用いることである。噴出セルを用いることによ
り、非常に低い粒子密度を有するＳｉＯx 薄膜の堆積が
容易になり、従来の堆積技術の１つの歩留りを下る欠
点、すなわち粒子“吐き出し”を本質的に除く。ＳｉＯ
x薄膜はまた、噴出セルからＳｉＯ及びＳｉＯ2 を同時
に蒸発させることによっても形成できる。
【００５０】非ハーメチック高信頼性レーザは、本発明
の唯一の実施例というわけではない。たとえば、他の実
施例では、本発明のプロセスに従って生成した高品質Ｓ
ｉＯとＳｉＯ2 の間のＨＦ溶液中での観測された著しい
エッチング速度差を、利用する。本発明によるＳｉＯの
１０％ＨＦ溶液中でのエッチング速度は、従来のように
堆積させたＰＥＣＶＤ ＳｉＯ2 （Ｔs ＝３００℃）の
それより著しく低く、Ｔs の増加とともに減少する。本
発明のＳｉＯ薄膜は、測定技術の限界内で、通常の緩衝
ＨＦ溶液中では、全くエッチングされなかった。従っ
て、本発明の薄膜は、半導体デバイス作製におけるマス
ク層として使用できる。たとえば、そのような薄膜は、
あらかじめ決められたパターンを規定するために、Ｓｉ
Ｏパターンを用い、ＰＥＣＶＤ ＳｉＯ2 を多段階エッ
チプロセスにおける除去可能な選択マスクとして用いる
ことによって、自己整合パターン形成に使用できる。た
とえば、ＣＨ4 ／Ｈ2 反応性イオンエッチングを用い、
ＳｉＯ及びＰＥＣＶＤ ＳｉＯ2 をマスクとして用い、
ＩｎＰ基板上に３μｍの深さのメサをエッチングし、従
来のＯＭＶＰＥにより、メサの周囲にＩｎＰを再生長さ
せた。
の唯一の実施例というわけではない。たとえば、他の実
施例では、本発明のプロセスに従って生成した高品質Ｓ
ｉＯとＳｉＯ2 の間のＨＦ溶液中での観測された著しい
エッチング速度差を、利用する。本発明によるＳｉＯの
１０％ＨＦ溶液中でのエッチング速度は、従来のように
堆積させたＰＥＣＶＤ ＳｉＯ2 （Ｔs ＝３００℃）の
それより著しく低く、Ｔs の増加とともに減少する。本
発明のＳｉＯ薄膜は、測定技術の限界内で、通常の緩衝
ＨＦ溶液中では、全くエッチングされなかった。従っ
て、本発明の薄膜は、半導体デバイス作製におけるマス
ク層として使用できる。たとえば、そのような薄膜は、
あらかじめ決められたパターンを規定するために、Ｓｉ
Ｏパターンを用い、ＰＥＣＶＤ ＳｉＯ2 を多段階エッ
チプロセスにおける除去可能な選択マスクとして用いる
ことによって、自己整合パターン形成に使用できる。た
とえば、ＣＨ4 ／Ｈ2 反応性イオンエッチングを用い、
ＳｉＯ及びＰＥＣＶＤ ＳｉＯ2 をマスクとして用い、
ＩｎＰ基板上に３μｍの深さのメサをエッチングし、従
来のＯＭＶＰＥにより、メサの周囲にＩｎＰを再生長さ
せた。
【００５１】本発明のプロセスに従って生成した高品質
ＳｉＯx 薄膜の他の用も、考えられる。それらの中に
は、たとえばＬＥＤ、検出器及び太陽電池といった非ハ
ーメチックレーザ以外の光−電子デバイス上の光学的被
膜とともに、レンズのような光学部品上の光学的被膜が
ある。更に、半導体又は誘電体（たとえば、ニオブ酸リ
チウム）の表面を不活性するために、高品質ＳｉＯx 薄
膜を用いること、ＦＥＴのゲート酸化物、バイポーラト
ランジスタ中の誘電体、抵抗電界シールド、容量用の高
誘電定数薄膜としての使用も考えられる。
ＳｉＯx 薄膜の他の用も、考えられる。それらの中に
は、たとえばＬＥＤ、検出器及び太陽電池といった非ハ
ーメチックレーザ以外の光−電子デバイス上の光学的被
膜とともに、レンズのような光学部品上の光学的被膜が
ある。更に、半導体又は誘電体（たとえば、ニオブ酸リ
チウム）の表面を不活性するために、高品質ＳｉＯx 薄
膜を用いること、ＦＥＴのゲート酸化物、バイポーラト
ランジスタ中の誘電体、抵抗電界シールド、容量用の高
誘電定数薄膜としての使用も考えられる。
【００５２】更に、ＳｉＯx 薄膜の特性は、具体的な要
件にあうように、ドーピングによって容易に調整でき
る。これはたとえば、層堆積中、１ないし複数のビーム
をつけ加えることにより、実現される。たとえば、Ｓｉ
Ｏ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｎ2 、ＧｅＨ4 、ＰＨ3 、Ｂ2 Ｏ
3 、Ｏ2 、ＡｓＨ3 、ＳｉＨ4 、ＮＦ3 又はＢ2 Ｈ6 と
いったドーパントは、通常の噴出セル又はリークバルブ
から供給でき、たとえば屈折率、光学損、抵抗率又はイ
オン拡散性といった所望の値を得るために使用できる。
更に、上述の堆積技術の特徴は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＹＳＺ、
ＴｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯx Ｎy 及びＢａＴｉＯ3
といった他の誘電体の堆積にも適用でき、これら材料の
特性が改善される。
件にあうように、ドーピングによって容易に調整でき
る。これはたとえば、層堆積中、１ないし複数のビーム
をつけ加えることにより、実現される。たとえば、Ｓｉ
Ｏ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｎ2 、ＧｅＨ4 、ＰＨ3 、Ｂ2 Ｏ
3 、Ｏ2 、ＡｓＨ3 、ＳｉＨ4 、ＮＦ3 又はＢ2 Ｈ6 と
いったドーパントは、通常の噴出セル又はリークバルブ
から供給でき、たとえば屈折率、光学損、抵抗率又はイ
オン拡散性といった所望の値を得るために使用できる。
更に、上述の堆積技術の特徴は、Ａｌ2 Ｏ3 、ＹＳＺ、
ＴｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯx Ｎy 及びＢａＴｉＯ3
といった他の誘電体の堆積にも適用でき、これら材料の
特性が改善される。
【００５３】誘電体／半導体界面における機械的応力
は、禁制帯中央の界面準位キャリヤ密度と相関があるこ
と及び応力の存在は誘電体薄膜の拡散障壁としての能力
に影響を及ぼすことが、知られている。従って、本発明
に従うＳｉＯx 薄膜の応力状態を、あらかじめ決めら
れ、堆積中の酸素分圧により、容易に制御できることは
有利である。このことは図１４に示されており、これは
Ｓｉ基板上のＳｉＯx 薄膜についてのＯ2 分圧の関数と
して応力のデータ例を示す。この図で、応力は約２×１
０-6Ｔｏｒｒ以下のＯ2 分圧に対しては伸張性で、約２
×１０-6Ｔｏｒｒ以上のＯ2 分圧に対しては圧縮性であ
る。同様の振舞いは、ＧａＡｓ及びＩｎＰ基板上でも観
測される。
は、禁制帯中央の界面準位キャリヤ密度と相関があるこ
と及び応力の存在は誘電体薄膜の拡散障壁としての能力
に影響を及ぼすことが、知られている。従って、本発明
に従うＳｉＯx 薄膜の応力状態を、あらかじめ決めら
れ、堆積中の酸素分圧により、容易に制御できることは
有利である。このことは図１４に示されており、これは
Ｓｉ基板上のＳｉＯx 薄膜についてのＯ2 分圧の関数と
して応力のデータ例を示す。この図で、応力は約２×１
０-6Ｔｏｒｒ以下のＯ2 分圧に対しては伸張性で、約２
×１０-6Ｔｏｒｒ以上のＯ2 分圧に対しては圧縮性であ
る。同様の振舞いは、ＧａＡｓ及びＩｎＰ基板上でも観
測される。
【００５４】本発明に従うレーザは、ファセット被覆条
件を、上述のように、高品質（低水分含有量）薄膜を生
じるように選択するなら、任意の適切な従来技術によ
り、作製できる。従来技術のレーザについては、たとえ
ばエス・イー・ミラー（S.E.Miller）ら編、“光ファイ
バ遠距離通信ＩＩ”アカデミック・プレス（１９８
８）、特に１３章を参照のこと。本発明に従うレーザ
は、１．３μｍの発光波長に限定されず、任意の所望の
波長において発振でき、典型的な場合、可視及び近赤外
を含むスペクトル領域で発振できることが、理解できる
であろう。
件を、上述のように、高品質（低水分含有量）薄膜を生
じるように選択するなら、任意の適切な従来技術によ
り、作製できる。従来技術のレーザについては、たとえ
ばエス・イー・ミラー（S.E.Miller）ら編、“光ファイ
バ遠距離通信ＩＩ”アカデミック・プレス（１９８
８）、特に１３章を参照のこと。本発明に従うレーザ
は、１．３μｍの発光波長に限定されず、任意の所望の
波長において発振でき、典型的な場合、可視及び近赤外
を含むスペクトル領域で発振できることが、理解できる
であろう。
【００５５】たとえば、従来の１．３μｍキャップメサ
埋込みヘテロ構造（ＣＭＢＨ）レーザを、ウエハ薄化、
接触電極堆積及びウエハの棒へのへき開を含む従来の方
式で、ＩｎＰウエハ上に作製した。へき開面は、レーザ
ファセットである。棒を従来の固定具中にセットした
後、棒はリベール堆積システムに関して先に名づけたロ
ードロック中に挿入した。ロードロックを＜１０-6Ｔｏ
ｒｒにポンプで引いた後、レーザ棒を堆積チャンバ中に
移した。そこで、約０．３５μｍ厚のＳｉＯ薄膜を、棒
の１ファセット上に、本質的に垂直な入射で堆積させ
た。Ｔs は約１００℃、堆積速度は１．２ｎｍ／秒、チ
ャンバ中のバックグランド圧力は、６．５×１０-11 Ｔ
ｏｒｒであった。堆積が完了した後、固定具をチャンバ
からとり出し、棒のもう一方のファセットが露出するよ
う１８０゜回転し、チャンバ中に再びセットした。本質
的に上述のように、もう一方のファセット上に、０．３
５μｍ厚のＳｉＯ薄膜を堆積させた。ファセット被膜の
堆積が完了した後、棒をチャンバからとり出し、通常の
手段により、個々のレーザダイオードに分離させた。レ
ーザはサブマウント上に接着し、サブマウントはパッケ
ージ中に接着し、レーザの活性層側をパッケージにワイ
ヤボンディングした。すべて従来の方式で行った。続い
て、大気又は高温又は高湿と接したレーザの動作を含む
本質的に上述の方式により、レーザを試験した。試験結
果は、非ハーメチックレーザは、従来のＹＳＺファセッ
ト被膜を有する類似のハーメチック比較用レーザと、本
質的に同じ予想寿命をもつことを示した。
埋込みヘテロ構造（ＣＭＢＨ）レーザを、ウエハ薄化、
接触電極堆積及びウエハの棒へのへき開を含む従来の方
式で、ＩｎＰウエハ上に作製した。へき開面は、レーザ
ファセットである。棒を従来の固定具中にセットした
後、棒はリベール堆積システムに関して先に名づけたロ
ードロック中に挿入した。ロードロックを＜１０-6Ｔｏ
ｒｒにポンプで引いた後、レーザ棒を堆積チャンバ中に
移した。そこで、約０．３５μｍ厚のＳｉＯ薄膜を、棒
の１ファセット上に、本質的に垂直な入射で堆積させ
た。Ｔs は約１００℃、堆積速度は１．２ｎｍ／秒、チ
ャンバ中のバックグランド圧力は、６．５×１０-11 Ｔ
ｏｒｒであった。堆積が完了した後、固定具をチャンバ
からとり出し、棒のもう一方のファセットが露出するよ
う１８０゜回転し、チャンバ中に再びセットした。本質
的に上述のように、もう一方のファセット上に、０．３
５μｍ厚のＳｉＯ薄膜を堆積させた。ファセット被膜の
堆積が完了した後、棒をチャンバからとり出し、通常の
手段により、個々のレーザダイオードに分離させた。レ
ーザはサブマウント上に接着し、サブマウントはパッケ
ージ中に接着し、レーザの活性層側をパッケージにワイ
ヤボンディングした。すべて従来の方式で行った。続い
て、大気又は高温又は高湿と接したレーザの動作を含む
本質的に上述の方式により、レーザを試験した。試験結
果は、非ハーメチックレーザは、従来のＹＳＺファセッ
ト被膜を有する類似のハーメチック比較用レーザと、本
質的に同じ予想寿命をもつことを示した。
【００５６】上で簡単に述べたように、本発明に従うＳ
ｉＯx 薄膜の応力状態は、典型的な場合Ｏ2 圧である堆
積パラメータを、適切に選択することにより、広い範囲
で変えられる。本発明に従うＳｉＯx 薄膜の特性は、技
術的に本質的な重要さをもつ。なぜなら、半導体（例え
ば、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ）基板上に、低応力誘電体
層を形成できることは、次第に重要さが増しているから
である。例えば、ワイ・エス・オベング（Y.S.Obeng）
ら、エイ・ティ・アンド・ティ・テクニカル・ジャーナ
ル（AT&T Technical Journal）第７３巻、９４頁（１９
９４）を参照のこと。
ｉＯx 薄膜の応力状態は、典型的な場合Ｏ2 圧である堆
積パラメータを、適切に選択することにより、広い範囲
で変えられる。本発明に従うＳｉＯx 薄膜の特性は、技
術的に本質的な重要さをもつ。なぜなら、半導体（例え
ば、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ）基板上に、低応力誘電体
層を形成できることは、次第に重要さが増しているから
である。例えば、ワイ・エス・オベング（Y.S.Obeng）
ら、エイ・ティ・アンド・ティ・テクニカル・ジャーナ
ル（AT&T Technical Journal）第７３巻、９４頁（１９
９４）を参照のこと。
【００５７】集積回路又は他の半導体デバイスを作製す
ることは、電気的絶縁、表面不活性化又はマスキングと
いった目的のため、本質的にいつも半導体材料上に、誘
電体薄膜を形成することを必要とする。そのような誘電
体薄膜中の真性及び熱的両方の機械的応力は、信頼性と
大きな関係がある。なぜなら、応力は空孔の形成、クラ
ック生成、固着性の劣化、剥離又は脱離の原因となり、
最終的には回路／デバイスの完全な機械的損傷の原因と
なりうるからである。多層メタライゼーション中で用い
られる誘電体薄膜中の応力は、典型的な場合Ａｌである
コンタクト・メタライゼーション中の応力移動のため、
信頼性の問題を引き起こす。
ることは、電気的絶縁、表面不活性化又はマスキングと
いった目的のため、本質的にいつも半導体材料上に、誘
電体薄膜を形成することを必要とする。そのような誘電
体薄膜中の真性及び熱的両方の機械的応力は、信頼性と
大きな関係がある。なぜなら、応力は空孔の形成、クラ
ック生成、固着性の劣化、剥離又は脱離の原因となり、
最終的には回路／デバイスの完全な機械的損傷の原因と
なりうるからである。多層メタライゼーション中で用い
られる誘電体薄膜中の応力は、典型的な場合Ａｌである
コンタクト・メタライゼーション中の応力移動のため、
信頼性の問題を引き起こす。
【００５８】基板の変形及び歪は、上の誘電体薄膜中の
応力から、必然的に生じ、それが重大な結果を引き起こ
しうる。例えば、ＵＬＳＩ技術においては、Ｓｉウエハ
のわずかな曲がりも、デバイスパターンの規定における
精密な許容範囲を保つという点に関して、重要な問題を
起こす。これらの理由及び他の理由により、本質的に応
力を除去することを含み、応力の調整を可能にする半導
体材料上への適切な誘電体層の堆積方法を得ることが、
非常に望ましい。
応力から、必然的に生じ、それが重大な結果を引き起こ
しうる。例えば、ＵＬＳＩ技術においては、Ｓｉウエハ
のわずかな曲がりも、デバイスパターンの規定における
精密な許容範囲を保つという点に関して、重要な問題を
起こす。これらの理由及び他の理由により、本質的に応
力を除去することを含み、応力の調整を可能にする半導
体材料上への適切な誘電体層の堆積方法を得ることが、
非常に望ましい。
【００５９】上で述べたように、適切に形成されたＳｉ
Ｏx （１≦ｘ＜２）薄膜は、水分の吸収に対して本質的
に鈍感であることを含み、良好な誘電体の所望の特性の
ほとんどをもつ。更に、かつ重要なことは、半導体（例
えば、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ）基板上のＳｉＯx 薄膜
の応力状態は、典型的な場合酸素圧である堆積条件の適
切な選択により、調整できることである。
Ｏx （１≦ｘ＜２）薄膜は、水分の吸収に対して本質的
に鈍感であることを含み、良好な誘電体の所望の特性の
ほとんどをもつ。更に、かつ重要なことは、半導体（例
えば、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ）基板上のＳｉＯx 薄膜
の応力状態は、典型的な場合酸素圧である堆積条件の適
切な選択により、調整できることである。
【００６０】半導体基板上の誘電体薄膜中の応力は、一
般に真性成分と熱的成分をもつ。前者は一般に、薄膜及
び基板間の格子不整、薄膜中の不純物及び欠陥、堆積条
件、薄膜及び基板間の相互作用の結果である。熱的成分
は、一般に薄膜及び基板の熱膨張係数差による。
般に真性成分と熱的成分をもつ。前者は一般に、薄膜及
び基板間の格子不整、薄膜中の不純物及び欠陥、堆積条
件、薄膜及び基板間の相互作用の結果である。熱的成分
は、一般に薄膜及び基板の熱膨張係数差による。
【００６１】出願人は５ｃｍ径のＳｉ、ＧａＡａ及びＩ
ｎＰウエハの（１００）面上に、ＳｉＯx （厚さ２５０
ｎｍ）の薄膜を堆積させ、レーザ走査技術により、薄膜
堆積前後のウエハの曲率を測定することによって、応力
を決めた。データ処理とともに測定技術は、従来のとう
りである。薄膜は上述の分子線堆積システムにおいて、
本質的に上述のように堆積させた。システム中のバック
グランド圧力は、１×１０-10 Ｔｏｒｒ以下、原料温度
は１０５０−１１５０℃で、基板温度は２０−３００℃
の範囲であった。薄膜の特性は、基板温度及び堆積速度
（０．３−１．２ｎｍ／秒の範囲で）には、ほとんど依
存しなかった。酸素なしの堆積では化学量論的組成のＳ
ｉＯ、酸素過剰圧での堆積では、ＳｉＯx （ｘ＞１）を
生じる。
ｎＰウエハの（１００）面上に、ＳｉＯx （厚さ２５０
ｎｍ）の薄膜を堆積させ、レーザ走査技術により、薄膜
堆積前後のウエハの曲率を測定することによって、応力
を決めた。データ処理とともに測定技術は、従来のとう
りである。薄膜は上述の分子線堆積システムにおいて、
本質的に上述のように堆積させた。システム中のバック
グランド圧力は、１×１０-10 Ｔｏｒｒ以下、原料温度
は１０５０−１１５０℃で、基板温度は２０−３００℃
の範囲であった。薄膜の特性は、基板温度及び堆積速度
（０．３−１．２ｎｍ／秒の範囲で）には、ほとんど依
存しなかった。酸素なしの堆積では化学量論的組成のＳ
ｉＯ、酸素過剰圧での堆積では、ＳｉＯx （ｘ＞１）を
生じる。
【００６２】図１５は堆積したまま、及びＮ2 中３７５
℃、４５秒でのアニール後の両方についての酸素圧に対
するＳｉ上のＳｉＯx の真性応力の依存性に関するデー
タを示す。図からわかるように、酸素過剰圧なしで堆積
させたＳｉＯ薄膜は、中程度の張力状態にある。測定さ
れた応力は、９０ＭＰａで、半導体回路及びデバイスに
用いられる他の誘電体薄膜中で、典型的に観測される応
力（通常＞２００ＭＰａ）の、半分以下である。Ｏ2 過
剰圧を増すと、伸張性応力は減少し、Ｏ2 が約４×１０
-7Ｔｏｒｒで約１５ＭＰａの無視しうる値に達した。更
にＯ2 過剰圧を増すと、応力は圧縮性になった。従っ
て、Ｏ2 過剰圧を適切に選択すると、ＳｉＯx 薄膜中の
応力は、本質的にゼロ応力を含め、所望の水準に調整で
きる。
℃、４５秒でのアニール後の両方についての酸素圧に対
するＳｉ上のＳｉＯx の真性応力の依存性に関するデー
タを示す。図からわかるように、酸素過剰圧なしで堆積
させたＳｉＯ薄膜は、中程度の張力状態にある。測定さ
れた応力は、９０ＭＰａで、半導体回路及びデバイスに
用いられる他の誘電体薄膜中で、典型的に観測される応
力（通常＞２００ＭＰａ）の、半分以下である。Ｏ2 過
剰圧を増すと、伸張性応力は減少し、Ｏ2 が約４×１０
-7Ｔｏｒｒで約１５ＭＰａの無視しうる値に達した。更
にＯ2 過剰圧を増すと、応力は圧縮性になった。従っ
て、Ｏ2 過剰圧を適切に選択すると、ＳｉＯx 薄膜中の
応力は、本質的にゼロ応力を含め、所望の水準に調整で
きる。
【００６３】図１５はまた、Ｎ2 中３７５℃において４
５秒の急速熱アニール（ＲＴＡ）を行った薄膜について
のデータも示す。アニールにより、これらの薄膜中の応
力に、ある程度の変化が生じ、約７ないし４０ＭＰａの
間で変化した。
５秒の急速熱アニール（ＲＴＡ）を行った薄膜について
のデータも示す。アニールにより、これらの薄膜中の応
力に、ある程度の変化が生じ、約７ないし４０ＭＰａの
間で変化した。
【００６４】同様の測定は、ＧａＡｓ及びＩｎＰウエハ
上のＳｉＯx 薄膜に対しても行った。Ｏ2 過剰圧がない
と、応力はそれぞれ９０及び８０ＭＰａで、Ｏ2 過剰圧
を増すと、同様の変化をした。ＳｉＯ／ＩｎＰウエハの
ＲＴＡにより、伸張性応力は、２０ＭＰａだけ増加し
た。出願人の測定により、Ｓｉ、ＧａＡｓ及びＩｎＰ上
のＳｉＯx について、同様の結果を得た。更に、例えば
ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ又はＩｎＡｌＰといった
ＧａＡｓ及びＩｎＰのＩＩＩ−Ｖ合金及び他のＩＩＩ−
Ｖ半導体上のＳｉＯx について、同様の結果が期待され
る。
上のＳｉＯx 薄膜に対しても行った。Ｏ2 過剰圧がない
と、応力はそれぞれ９０及び８０ＭＰａで、Ｏ2 過剰圧
を増すと、同様の変化をした。ＳｉＯ／ＩｎＰウエハの
ＲＴＡにより、伸張性応力は、２０ＭＰａだけ増加し
た。出願人の測定により、Ｓｉ、ＧａＡｓ及びＩｎＰ上
のＳｉＯx について、同様の結果を得た。更に、例えば
ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ又はＩｎＡｌＰといった
ＧａＡｓ及びＩｎＰのＩＩＩ−Ｖ合金及び他のＩＩＩ−
Ｖ半導体上のＳｉＯx について、同様の結果が期待され
る。
【００６５】また、Ｓｉ、ＧａＡｓ及びＩｎＰ上のＳｉ
Ｏについて、温度に対する熱応力の増加の平均速度も決
め、このパラメータは、ＳｉＯ2 及びＳｉ3 Ｎ4 のよう
な従来の誘電体の場合より、ＳｉＯの場合に、本質的に
低いことを、見い出した。具体的には、Ｓｉ、ＧａＡａ
及びＩｎＰ上のＳｉＯに対し、パラメータはそれぞれ
０．０８、０．４４及び０．２３ＭＰａ／℃であること
が、わたかった。これはＳｉ、ＧａＡｓ及びＩｎＰ上の
ＳｉＯ2 についてのそれぞれ、０．２５、０．５２及び
０．３５ＭＰａ／℃、Ｓｉ、ＧａＡｓ及びＩｎＰ上のＳ
ｉ3 Ｎ4 についてのそれぞれ０．６５、１．７５及び
１．１０ＭＰａ／℃という既知の値と、比較できる。従
って、ＳｉＯx の真性応力が、典型的な場合Ｓｉ及びＩ
ＩＩ−Ｖ基板上のＳｉＯ2 及びＳｉ3 Ｎ4 のそれより低
いだけでなく、熱的応力もまた、ＳｉＯx では本質的に
低くできる。これは半導体上の誘電体としてのＳｉＯx
のつけ加わる利点である。
Ｏについて、温度に対する熱応力の増加の平均速度も決
め、このパラメータは、ＳｉＯ2 及びＳｉ3 Ｎ4 のよう
な従来の誘電体の場合より、ＳｉＯの場合に、本質的に
低いことを、見い出した。具体的には、Ｓｉ、ＧａＡａ
及びＩｎＰ上のＳｉＯに対し、パラメータはそれぞれ
０．０８、０．４４及び０．２３ＭＰａ／℃であること
が、わたかった。これはＳｉ、ＧａＡｓ及びＩｎＰ上の
ＳｉＯ2 についてのそれぞれ、０．２５、０．５２及び
０．３５ＭＰａ／℃、Ｓｉ、ＧａＡｓ及びＩｎＰ上のＳ
ｉ3 Ｎ4 についてのそれぞれ０．６５、１．７５及び
１．１０ＭＰａ／℃という既知の値と、比較できる。従
って、ＳｉＯx の真性応力が、典型的な場合Ｓｉ及びＩ
ＩＩ−Ｖ基板上のＳｉＯ2 及びＳｉ3 Ｎ4 のそれより低
いだけでなく、熱的応力もまた、ＳｉＯx では本質的に
低くできる。これは半導体上の誘電体としてのＳｉＯx
のつけ加わる利点である。
【図１】従来技術の（ハーメチック）レーザモジュール
の例を概略的に示す図。
の例を概略的に示す図。
【図２】従来の前面及び裏面ファセット被膜及び接触手
段を含む従来技術の半導体レーザを概略的に描いた図。
段を含む従来技術の半導体レーザを概略的に描いた図。
【図３】本発明に従うレーザモジュールの例（非ハーメ
チック）を概略的に示す図。
チック）を概略的に示す図。
【図４】前面及び裏面ファセット被膜及び接触手段を含
む本発明に従う半導体レーザの例を、概略的に描いた
図。
む本発明に従う半導体レーザの例を、概略的に描いた
図。
【図５】非ハーメチックレーザモジュールのもう１つの
例を概略的に示した図。
例を概略的に示した図。
【図６−図７】１．３μｍで放射する従来技術のレーザ
の例の経年変化のデータを示す図。
の例の経年変化のデータを示す図。
【図８】ＹＳＺファセット被膜を有するハーメチックレ
ーザの例についての経年変化のデータを示す図。
ーザの例についての経年変化のデータを示す図。
【図９】ＳｉＯファセット被膜を有する類似の非ハーメ
チックレーザについての経年変化のデータを示す図。
チックレーザについての経年変化のデータを示す図。
【図１０】温水に浸す前及び浸した後の本発明に従うＳ
ｉＯ薄膜及びシリコンについてのスペクトル的なデータ
を示す図。
ｉＯ薄膜及びシリコンについてのスペクトル的なデータ
を示す図。
【図１１】温水中の薄膜の浸透時間対ＳｉＯ薄膜の水含
有量のデータを示す図。
有量のデータを示す図。
【図１２】ＳｉＯ薄膜の処理温度の関数として、０℃な
いし２００℃の基板温度において堆積させたＳｉＯ薄膜
の、屈折率及び厚さをそれぞれ示す図。
いし２００℃の基板温度において堆積させたＳｉＯ薄膜
の、屈折率及び厚さをそれぞれ示す図。
【図１３】ＳｉＯ薄膜の処理温度の関数として、０℃な
いし２００℃の基板温度において堆積させたＳｉＯ薄膜
の、屈折率及び厚さをそれぞれ示す図。
いし２００℃の基板温度において堆積させたＳｉＯ薄膜
の、屈折率及び厚さをそれぞれ示す図。
【図１４】酸素含有量の関数として、ＳｉＯx 薄膜中の
応力のデータを示す図。
応力のデータを示す図。
【図１５】酸素含有量の関数として、ＳｉＯx 薄膜中の
応力のデータを示す図。
応力のデータを示す図。
１０ レーザモジュール １１ 基盤 １２ レーザサブマウント １３ レーザ １４ ふた １５ 窓 １６ 光検出器 １７１〜１７４ ピン １８ 銅放熱器 ２０ 半導体基体 ２１ 活性領域 ２２ 裏面ファセット被膜 ２２１ ＹＳＺ層 ２２２ Ｓｉ層 ２３ 前面ファセット被膜 ２４、２５ 接触手段 ３３ レーザ ４０ ファセット被膜 ４０１ ファセット被膜、層 ４０２ 層 ５０ 保持手段 ５１ ポリマ １０１ ベークされたＳｉＯ薄膜（についてのデー
タ） １０２ ９９℃の水中に浸した後のＳｉＯ薄膜（につ
いてのデータ） １０３ ９９℃の水中に浸した後のＳｉ基板（につい
てのデータ）
タ） １０２ ９９℃の水中に浸した後のＳｉＯ薄膜（につ
いてのデータ） １０３ ９９℃の水中に浸した後のＳｉ基板（につい
てのデータ）
フロントページの続き (72)発明者 ロバート ベネディクト コミッゾリ アメリカ合衆国 08502 ニュージャーシ ィ，ベルミード，ニッカーボッカー ドラ イヴ 95 (72)発明者 ラトナジ ラオ コラ アメリカ合衆国 07922 ニュージャーシ ィ，バークレイ ハイツ，ワシントン ス トリート 214 (72)発明者 ジョン ウィリアム オーゼンバッハ アメリカ合衆国 19503 ペンシルヴァニ ア，カッツタウン，ウォルナット ドライ ヴ 17 (72)発明者 チャールズ ブレイクリー ロックスロ アメリカ合衆国 08807 ニュージャーシ ィ，ブリッジウォーター，エヴァーグリー ン ドライヴ 1181 (72)発明者 ウォン−ティエン ツァン アメリカ合衆国 07733 ニュージャーシ ィ，ホルムデル，テイラー ラン ８
Claims (10)
- 【請求項１】 表面をもち、表面上に配置された誘電体
層（例えば４１）を有する半導体基体（例えば２０）を
含む製品において、 誘電体層は組成ＳｉＯx （１≦ｘ＜２）の材料を含み、
前記材料は ａ）材料が水分で飽和するのに十分な時間、９９℃の脱
イオン水中に浸した後、材料は１００μｍ-1以下の水分
含有量を有するか、又は ｂ）組成ＳｉＯx の材料は９０ＭＰａより小さい絶対応
力を有するように選択されることを特徴とする製品。 - 【請求項２】 レーザは２つの相対するファセットをも
ち、前記ファセットのそれぞれの上に配置された前記誘
電体層（例えば４０、４０１）を有する半導体基体を含
む半導体レーザ（例えば３３）を含む製品において、前
記レーザは高信頼性レーザで、前記半導体基体は本質的
にハーメチック封入容器内には配置されず、それによっ
て前記誘電体層は、大気からの水分に露出される請求項
１記載の製品。 - 【請求項３】 与えられたレーザファセットに付随し
て、ファセットに垂直な方向があり、与えられたファセ
ット上の前記ＳｉＯx は、与えられたファセットをＳｉ
及びＯを含む粒子ビームに露出することを含む方法によ
り、堆積させ、ビームに付随して、ビーム方向と、前記
ビーム方向及び与えられたファセットへの垂直方向の間
の角があり、前記角は１５゜より小さい請求項２記載の
製品。 - 【請求項４】 与えられたファセット上のＳｉＯx は、
１．５ｎｍ／秒を越えない速度で堆積させる請求項３記
載の製品。 - 【請求項５】 前記半導体基体の少なくとも一部は、本
質的にポリマ材料（５１）により被覆される請求項２−
４のいずれかに記載の製品。 - 【請求項６】 前記半導体基体は、非ハーメチック封入
容器内に配置される請求項２−４のいずれかに記載の製
品。 - 【請求項７】 組成ＳｉＯx の材料は、半導体基体の表
面上に配置された層で、層は i）与えられた流速で封入容器中に酸素を入れられる手
段を含み、一定量のＳｉＯが容器内で加熱でき、半導体
基体も容器内に配置できる排気可能な容器を準備し、 ii）容器を排気し、基体上にＳｉＯx が堆積するよう一
定量のＳｉＯを加熱し、 iii）９０ＭＰａより小さい応力の前記絶対値を有する
ＳｉＯx が堆積するような速度で、容器中に酸素が入れ
られることを含む方法により形成される請求項１記載の
製品。 - 【請求項８】 半導体基体はＳｉ基体又はＩＩＩ−Ｖ半
導体基体である請求項７記載の製品。 - 【請求項９】 堆積させたＳｉＯx は約２０ＭＰａより
小さい応力の絶対値を有する請求項８記載の製品。 - 【請求項１０】 製品は１乃至複数の電子デバイスを含
む請求項７記載の製品。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/223,877 US5440575A (en) | 1994-04-06 | 1994-04-06 | Article comprising a semiconductor laser with stble facet coating |
| US223877 | 1994-04-06 | ||
| US39578195A | 1995-03-06 | 1995-03-06 | |
| US395781 | 1995-03-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0856056A true JPH0856056A (ja) | 1996-02-27 |
| JP3602600B2 JP3602600B2 (ja) | 2004-12-15 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP3602600B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1995
- 1995-03-29 DE DE69516933T patent/DE69516933T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-29 EP EP95302114A patent/EP0676797B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-06 JP JP08092495A patent/JP3602600B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5943356A (en) * | 1996-06-06 | 1999-08-24 | Nec Corporation | Semiconductor laser with front face covered with laminated dielectric layers which produce oppositely acting stresses |
| JP2011507268A (ja) * | 2007-12-12 | 2011-03-03 | ニューポート コーポレーション | 性能が改善された光学的に被覆された半導体デバイス及び関連した製造方法 |
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