JP2010263183A5 - - Google Patents
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- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 29
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 22
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 15
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004430 oxygen atoms Chemical group O* 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000691 Re alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
Description
本発明の一視点によれば、半導体基板上に形成された第１の高誘電体材料層と、前記第１の高誘電体材料層上に形成された酸素を含む第１の合金層と、前記酸素を含む第１の合金層上に形成されたRe層と、前記第１の高誘電体材料層と前記酸素を含む第１の合金層との間に位置するRe酸化物層を含むp 型電界効果トランジスタと、前記半導体基板上に形成された第２の高誘電体材料層と、前記第２の高誘電体材料層上に形成された酸素を含む第２の合金層と、前記酸素を含む第２の合金層上に形成されたSiを含む金属層と、前記第２の高誘電体材料層と前記酸素を含む第２の合金層との間に位置するAl層と、前記Siを含む金属層と前記酸素を含む第２の合金層との間に位置するAl層を含むn 型電界効果トランジスタとを具備する半導体装置が提供される。
本発明の他の視点によれば、半導体基板上に高誘電体材料の層を堆積し、酸素原子を含む合金層を形成し、Re及びRe酸化物からなるグループから選択される１以上からなる第１の層を前記合金層の一部領域上に堆積し、熱処理を加え、前記高誘電体材料の層と前記合金層との間に、Re酸化物層を形成することを具備するp 型電界効果トランジスタを形成し、前記第１の層を前記合金層の一部領域上に堆積した後に、全面にSiを含む金属層を堆積し、前記Siを含む金属層、前記第１の層、前記合金層、及び前記高誘電体材料の層からなる積層構造をパターニングして、前記p 型電界効果トランジスタの形成領域及びn 型電界効果トランジスタの形成領域に積層構造を残し、前記Siを含む金属層に対してAl原子を注入した後、熱処理を行って、前記n 型電界効果トランジスタの形成領域において前記合金層と前記高誘電体材料の層との間に第１のAl層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
Claims (3)
- 半導体基板上に形成された第１の高誘電体材料層と、
前記第１の高誘電体材料層上に形成された酸素を含む第１の合金層と、
前記酸素を含む第１の合金層上に形成されたRe層と、
前記第１の高誘電体材料層と前記酸素を含む第１の合金層との間に位置するRe酸化物層を含むp 型電界効果トランジスタと、
前記半導体基板上に形成された第２の高誘電体材料層と、
前記第２の高誘電体材料層上に形成された酸素を含む第２の合金層と、
前記酸素を含む第２の合金層上に形成されたSiを含む金属層と、
前記第２の高誘電体材料層と前記酸素を含む第２の合金層との間に位置するAl層と、
前記Siを含む金属層と前記酸素を含む第２の合金層との間に位置するAl層を含むn 型電界効果トランジスタと
を具備する半導体装置。 - 半導体基板上に高誘電体材料の層を堆積し、
酸素原子を含む合金層を形成し、
Re及びRe酸化物からなるグループから選択される１以上からなる第１の層を前記合金層の一部領域上に堆積し、
熱処理を加え、前記高誘電体材料の層と前記合金層との間に、Re酸化物層を形成する
ことを具備するp 型電界効果トランジスタを形成し、
前記第１の層を前記合金層の一部領域上に堆積した後に、全面にSiを含む金属層を堆積し、
前記Siを含む金属層、前記第１の層、前記合金層、及び前記高誘電体材料の層からなる積層構造をパターニングして、前記p 型電界効果トランジスタの形成領域及びn 型電界効果トランジスタの形成領域に積層構造を残し、
前記Siを含む金属層に対してAl原子を注入した後、熱処理を行って、前記n 型電界効果トランジスタの形成領域において前記合金層と前記高誘電体材料の層との間に第１のAl層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理を行って、前記n 型電界効果トランジスタの形成領域において前記合金層と前記高誘電体材料の層との間に前記第１のAl層を形成する際に、前記p 型電界効果トランジスタの形成領域においてSiを含む前記金属層と前記合金層との間にAlとReの合金層を形成し、かつ前記n 型電界効果トランジスタの形成領域において前記合金層と前記高誘電体材料の層との間に第２のAl層を形成する請求項２記載の半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/434,070 | 2009-05-01 | ||
| US12/434,070 US8120117B2 (en) | 2009-05-01 | 2009-05-01 | Semiconductor device with metal gate |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010263183A JP2010263183A (ja) | 2010-11-18 |
| JP2010263183A5 true JP2010263183A5 (ja) | 2012-04-19 |
| JP5023163B2 JP5023163B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=43029752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010008465A Expired - Fee Related JP5023163B2 (ja) | 2009-05-01 | 2010-01-18 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8120117B2 (ja) |
| JP (1) | JP5023163B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110095379A1 (en) * | 2009-10-28 | 2011-04-28 | International Business Machines Corporation | Scaling of metal gate with aluminum containing metal layer for threshold voltage shift |
| US8435878B2 (en) * | 2010-04-06 | 2013-05-07 | International Business Machines Corporation | Field effect transistor device and fabrication |
| CN103311281B (zh) * | 2012-03-14 | 2016-03-30 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
| CN103311247B (zh) * | 2012-03-14 | 2016-07-13 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
| JP5960491B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2016-08-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8921171B2 (en) | 2012-07-16 | 2014-12-30 | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | Method for forming gate structure, method for forming semiconductor device, and semiconductor device |
| CN103545190B (zh) * | 2012-07-16 | 2016-05-04 | 中国科学院微电子研究所 | 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 |
| US9064857B2 (en) * | 2012-12-19 | 2015-06-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | N metal for FinFET |
| US9466492B2 (en) | 2014-05-02 | 2016-10-11 | International Business Machines Corporation | Method of lateral oxidation of NFET and PFET high-K gate stacks |
| KR102354369B1 (ko) | 2015-11-20 | 2022-01-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
| KR102571567B1 (ko) | 2018-11-02 | 2023-08-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2803676B2 (ja) * | 1989-07-04 | 1998-09-24 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5407855A (en) * | 1993-06-07 | 1995-04-18 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device having a reducing/oxidizing conductive material |
| US7494927B2 (en) * | 2000-05-15 | 2009-02-24 | Asm International N.V. | Method of growing electrical conductors |
| US7189431B2 (en) * | 2004-09-30 | 2007-03-13 | Tokyo Electron Limited | Method for forming a passivated metal layer |
| JP2008084970A (ja) | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP5280670B2 (ja) * | 2007-12-07 | 2013-09-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7776680B2 (en) * | 2008-01-03 | 2010-08-17 | International Business Machines Corporation | Complementary metal oxide semiconductor device with an electroplated metal replacement gate |
| US7863126B2 (en) * | 2008-05-15 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | Fabrication of a CMOS structure with a high-k dielectric layer oxidizing an aluminum layer in PFET region |
| US7867839B2 (en) * | 2008-07-21 | 2011-01-11 | International Business Machines Corporation | Method to reduce threshold voltage (Vt) in silicon germanium (SiGe), high-k dielectric-metal gate, p-type metal oxide semiconductor field effect transistors |
-
2009
- 2009-05-01 US US12/434,070 patent/US8120117B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-18 JP JP2010008465A patent/JP5023163B2/ja not_active Expired - Fee Related
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