JP2012099599A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 半導体装置の製造方法であって、
   基板面を有する炭化珪素基板を準備する工程と、
   前記基板面の一部を覆うようにゲート絶縁膜を形成する工程とを備え、
   前記ゲート絶縁膜を形成する工程は、
   前記ゲート絶縁膜となる部分を有する絶縁膜を形成する工程と、
   前記絶縁膜上に、開口を有するレジスト膜を形成する工程と、
   前記レジスト膜をマスクとして用いて、前記ゲート絶縁膜が形成されるように前記絶縁膜を部分的に除去する工程とを含み、前記半導体装置の製造方法はさらに
   前記ゲート絶縁膜に接触して隣り合うように前記基板面上に、Ａｌ原子を有するコンタクト電極を形成する工程を備え、
   前記コンタクト電極を形成する工程は、
   前記ゲート絶縁膜が設けられた前記炭化珪素基板上にＴｉ膜を形成する工程と、
   前記Ｔｉ膜上にＡｌ膜を形成する工程と、
   前記Ａｌ膜上にＳｉ膜を形成する工程とを含み、前記半導体装置の製造方法はさらに
   前記コンタクト電極をレーザ光でアニールすることによって、Ａｌ原子を有する合金を形成する工程と、
   前記ゲート絶縁膜の一部を覆うゲート電極を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
2. 前記ゲート絶縁膜は珪素酸化物を含有する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記珪素酸化物は二酸化珪素を含む、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記レーザ光の波長は３８６ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 基板面を有する炭化珪素基板と、
   前記基板面の一部を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜の一部を覆うゲート電極と、
   前記ゲート絶縁膜に接触して隣り合うように前記基板面上に設けられ、Ａｌ原子とＴｉ原子とＳｉ原子とを有する合金を含むコンタクト電極とを備え、
   前記ゲート絶縁膜のうち前記基板面と前記ゲート電極とによって挟まれる部分へは、前記コンタクト電極からＡｌ原子が拡散していない、半導体装置。
6. 前記ゲート絶縁膜は珪素酸化物を含有する、請求項５に記載の半導体装置。
7. 前記珪素酸化物は二酸化珪素を含む、請求項６に記載の半導体装置。