CN102844871B - 半导体装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
碳化硅衬底(SB)具有衬底表面(12B)。栅绝缘膜(15)以覆盖所述衬底表面(12B)的一部分的方式设置。栅极(17)覆盖所述栅绝缘膜(15)的一部分。接触电极(16)设置在所述衬底表面(12B)上、邻近所述栅绝缘膜(15)并与所述栅绝缘膜(15)接触、且包含具有Al原子的合金。Al原子不从所述接触电极(16)扩散到所述栅绝缘膜(15)的夹在所述衬底表面(12B)和所述栅极(17)之间的部分中。由此，在使用具有Al原子的接触电极的情况下，可提高半导体装置的栅绝缘膜(15)的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体装置及其制造方法，更特别地涉及具有碳化硅衬底的半导体装置及其制造方法。
背景技术
国际公开第2009/128419号(专利文献1)公开了包含钛(Ti)和铝(Al)的材料作为以与SiC晶片(碳化硅衬底)接触的方式设置的欧姆接触电极的材料。根据该公报，通过应用上述材料，可降低与SiC晶片的接触电阻。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2009/128419号
发明内容
技术问题
在以与栅绝缘膜接触的方式设置具有Al原子的接触电极的情况下，在退火处理期间，接触电极中的Al原子可能扩散到栅绝缘膜中，这可能导致栅极和碳化硅衬底之间的电绝缘的可靠性降低。
于是，本发明的目的是提供一种半导体装置及其制造方法，其中，在使用具有Al原子的接触电极的情况下，所述半导体装置能够提高半导体装置的栅绝缘膜的可靠性。
技术方案
根据本发明的半导体装置包含碳化硅衬底、栅绝缘膜、栅极和接触电极。碳化硅衬底具有衬底表面。栅绝缘膜以覆盖衬底表面的一部分的方式设置。栅极覆盖栅绝缘膜的一部分。接触电极设置在衬底表面上、邻近栅绝缘膜并与栅绝缘膜接触、且包含具有Al原子的合金。Al原子不从接触电极扩散到栅绝缘膜的夹在衬底表面和栅极之间的部分中。
根据该半导体装置，Al原子不从接触电极扩散到栅绝缘膜的夹在衬底表面和栅极之间的部分中。因此，提高了栅极和碳化硅衬底之间的电绝缘的可靠性。
优选地，栅绝缘膜包含氧化硅。更优选地，氧化硅包括二氧化硅。
优选地，接触电极具有Ti原子。因此，可降低接触电极对碳化硅衬底的接触电阻。
根据本发明的制造半导体装置的方法具有下列步骤。
准备具有衬底表面的碳化硅衬底。形成栅绝缘膜以覆盖衬底表面的一部分。在衬底表面上形成具有Al原子的接触电极，所述接触电极邻近栅绝缘膜并与栅绝缘膜接触。通过用激光束对接触电极进行退火而形成具有Al原子的合金。形成覆盖栅绝缘膜的一部分的栅极。
根据该制造方法，由于利用激光束对接触电极进行退火，所以与使用其它退火方法的情况中相比，通过在更短的时间内进行局部加热而进行退火。由此，由于抑制了接触电极中的Al原子到栅绝缘膜中的扩散距离，所以可阻止Al原子到达栅绝缘膜的夹在衬底表面和栅极之间的部分。因此，提高了栅极和碳化硅衬底之间的电绝缘的可靠性。
优选地，栅绝缘膜包含氧化硅。更优选地，氧化硅包括二氧化硅。
优选地，接触电极具有Ti原子。因此，可降低接触电极对碳化硅衬底的接触电阻。
优选地，激光束的波长为386nm以下。因此，激光束具有对应于4H多型碳化硅的带隙的能量以上的光子能。因此，由于将激光束更可靠地吸收在碳化硅衬底的表面中，所以可更有效地进行退火。
发明效果
从以上说明可清楚，根据本发明，提高了栅极和碳化硅衬底之间的电绝缘的可靠性。
附图说明
图1是剖视图，示意性地显示在本发明一个实施方式中的半导体装置的构造。
图2是流程图，显示制造图1中的半导体装置的方法的概略。
图3是流程图，显示图2中的欧姆电极形成步骤的细节。
图4是剖视图，示意性地显示在制造图1中的半导体装置的方法中的第一步骤。
图5是剖视图，示意性地显示在制造图1中的半导体装置的方法中的第二步骤。
图6是剖视图，示意性地显示在制造图1中的半导体装置的方法中的第三步骤。
图7是剖视图，示意性地显示在制造图1中的半导体装置的方法中的第四步骤。
图8是剖视图，示意性地显示在制造图1中的半导体装置的方法中的第五步骤。
图9是剖视图，示意性地显示在制造图1中的半导体装置的方法中的第六步骤。
图10是光学显微镜照片，显示在埋设在二氧化硅膜中的Ti/Al图案的退火时Al原子的热扩散方式。
图11是光学显微镜照片，显示在埋设在二氧化硅膜中的Al图案的退火时Al原子的热扩散方式。
具体实施方式
在下文中参考附图描述本发明的实施方式。
首先，将一般地描述本发明中的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的构造。
参考图1，MOSFET1具有碳化硅衬底SB、栅绝缘膜15、栅极17、源极22、钝化膜21和漏极20。源极22具有接触电极16和源极布线19。碳化硅衬底SB具有衬底表面12B。栅绝缘膜15以覆盖衬底表面12B的一部分的方式设置。栅极17覆盖栅绝缘膜15的一部分。接触电极16设置在衬底表面12B上、邻近栅绝缘膜15并与栅绝缘膜15接触。此外，接触电极16包含具有Al原子的合金。Al原子不从接触电极16扩散到栅绝缘膜15的夹在衬底表面12B和栅极17之间的部分中。
例如，可将Al与Ti、Ni和Si中的至少任一种的合金用作上述具有Al原子的合金。此外，例如，可将SiO2膜、SiON膜或ONO膜用作栅绝缘膜15。此处，ONO膜指的是具有氧化膜-氮化膜-氧化膜的三层结构的膜。SiO2可用于该氧化膜，Si3N4可用于该氮化膜。
现在将描述MOSFET1的构造的细节。
MOSFET1包含作为由碳化硅(SiC)构成且具有n型导电型(第一导电型)的晶片的n+SiC晶片11，充当由SiC构成的半导体层且具有n型导电型(第一导电型)的n-SiC层12，充当具有p型导电型(第二导电型)的第二导电型区域的一对p体13，充当具有n型导电型(第一导电型)的高浓度第一导电型区域的n+源区域14，和充当具有p型导电型(第二导电型)的高浓度第二导电型区域的p+区域18。其中形成有p体13、n+源区域14和p+区域18的n-SiC层12与n+SiC晶片11构成由碳化硅构成的碳化硅衬底SB。n+SiC晶片11包含高浓度的n型杂质(具有n型导电型的杂质)如N(氮)。
n-SiC层12以例如约10μm的厚度形成在n+SiC晶片11的一个主表面11A上，且所述n-SiC层12通过包含n型杂质而具有n型导电型。n-SiC层12中包含的n型杂质的例子包括N(氮)，并且以比n+SiC晶片11中包含的n型杂质的浓度低的浓度，例如以5×1015cm-3的浓度包含n型杂质。
形成一对p体13，使得所述p体彼此分离，从而包括n-SiC层12中的衬底表面12B，并且所述一对p体通过包含p型杂质(具有p型导电型的杂质)而具有p型导电型(第二导电型)。例如，采用Al、B(硼)等作为p体13中包含的p型杂质，并且以比n+SiC晶片11中包含的n型杂质的浓度低的浓度，例如以1×1017cm-3的浓度包含p型杂质。
n+源区域14形成在每个p体13内部，以便包括衬底表面12B且被p体13包围。n+源区域14以比n-SiC层12包含中的n型杂质的浓度高的浓度，例如以1×1020cm-3的浓度包含n型杂质如P(磷)。
当从在一对p体13的一个p体13内部形成的n+源区域14观看时，在与形成在另一个p体13内部的n+源区域14相反的侧上，形成p+区域18以包括衬底表面12B。p+区域18以比p体13中包含的p型杂质的浓度高的浓度，例如以1×1020cm-3的浓度包含p型杂质如Al或B。
MOSFET 1还包含栅绝缘膜15、栅极17、一对接触电极16、源极布线19、漏极20和钝化膜21。
栅绝缘膜15以与衬底表面12B接触并从一个n+源区域14的上表面延伸到另一个n+源区域14的上表面的方式形成在n-SiC层12的衬底表面12B上。栅绝缘膜15包含氧化硅，且氧化硅包括二氧化硅(SiO2)。换言之，栅绝缘膜15例如是二氧化硅膜。
栅极17以与栅绝缘膜15接触，从而从一个n+源区域14上延伸至另一个n+源区域14上的方式设置。此外，栅极17由导体如多晶硅、Al等制成。
接触电极16以与衬底表面12B接触，从而在远离栅绝缘膜15的方向上从一对n+源区域14延伸至p+区域18的方式设置。此外，接触电极16由钛(Ti)原子、铝(Al)原子、硅(Si)原子、碳(C)原子以及剩余的不可避免的杂质构成。此处，不可避免的杂质包含在制造过程期间不可避免地引入的氧(O)原子。于是，接触电极16在包括与形成源区域14和p+区域18的n-SiC层12的界面的区域中具有铝原子和钛原子。
源极布线19以与接触电极16接触的方式形成且由导体如Al制成。源极布线19通过接触电极16与n+源区域14电连接。源极布线19和接触电极16构成源极22。
漏极20以与n+SiC晶片11的与一个主表面11A相反的另一个主表面11B接触的方式形成，所述主表面11A是在形成n-SiC层12的侧的主表面。例如，该漏极20可以以与上述接触电极16类似的方式构造，或者其可以由能够与n+SiC晶片11建立欧姆接触的其他材料如Ni制成。由此，漏极20与n+SiC晶片11电连接。
以从一个源极布线19开始、越过栅极17延伸至另一个源极布线19的方式形成钝化膜21。钝化膜21由例如SiO2构成，并具有从外部将源极布线19和栅极17电绝缘并保护MOSFET 1的功能。
现在将描述MOSFET 1的运行。参考图1，在将阈值以下的电压施加至栅极17的状态下，换言之，在OFF状态下，在n-SiC层12和直接位于栅绝缘膜15之下的p体13之间的部分是反向偏置的并处于非导电状态。另一方面，当向栅极17施加正的电压时，在沟道区域13A中形成反转层，所述沟道区域13A是在p体13与栅绝缘膜15的接触部分附近的区域。结果，n+源区域14和n-SiC层12彼此电连接，并且电流在源极22和漏极20之间流动。
现在将描述制造MOSFET 1的方法。
参考图2，首先，在步骤(S10)中，进行衬底准备步骤。在该步骤(S10)中，准备第一导电型的SiC晶片。具体言之，参考图4，例如，准备由六方晶系SiC构成并通过包含n型杂质而具有n型导电型的n+SiC晶片11。
接着参考图2，在步骤(S20)中，进行n型层形成步骤。在该步骤(S20)中，在n+SiC晶片11上形成第一导电型的半导体层。具体言之，参考图4，通过外延生长，在n+SiC晶片11的一个主表面11A上形成n-SiC层12。例如通过采用SiH4(硅烷)和C3H8(丙烷)的气体混合物作为原料气体，可实现外延生长。此处，例如，引入N以作为n型杂质。由此，可形成n-SiC层12，所述n-SiC层12以比n+SiC晶片11中包含的n型杂质的浓度低的浓度包含n型杂质。
接着参考图2，在步骤(S30)中，进行p体形成步骤。在该步骤(S30)中，参考图5，包括n-SiC层12的衬底表面12B的方式形成具有第二导电型的第二导电型区域。具体言之，首先，例如利用CVD(化学气相淀积)，在衬底表面12B上形成由SiO2构成的氧化膜。然后，在将抗蚀剂涂布到氧化膜上之后，进行曝光和显影，由此形成在与充当第二导电型区域的p体13的期望形状对应的区域中具有开口的抗蚀膜。使用该抗蚀膜作为掩模，例如通过RIE(反应离子蚀刻)，将氧化膜部分除去，并且在n-SiC层12上形成由具有开口图案的氧化膜形成的掩模层。此后，除去上述抗蚀膜。然后，使用该掩模层作为掩模，进行n-SiC层12中的p-型杂质如Al的离子注入，由此在n-SiC层12中形成p体13。
接着参考图2，在步骤(S40)中，进行n+区域形成步骤。在该步骤(S40)中，在包含衬底表面12B的p体13内的区域中形成高浓度第一导电型区域，所述高浓度第一导电型区域以比n-SiC层12中高的浓度包含具有第一导电型的杂质。具体言之，参考图5，首先，在除去在步骤(S30)中用作掩模的上述氧化膜之后，根据与步骤(S30)相似的程序，形成在与n+源区域14的期望形状对应的区域中具有开口的掩模层。使用该掩模层作为掩模，通过离子注入将n型杂质如P引入到n-SiC层12中，由此形成n+源区域14。
接着参考图2，在步骤(S50)中，进行p+区域形成步骤。在步骤(S50)中，参考图5，当从在一对p体13的一个p体13内部形成的n+源区域14观看时，在与形成在另一个p体13内部的n+源区域14相反的侧上，形成高浓度第二导电型区域(p+区域18)以包括衬底表面12B。具体言之，参考图5，根据与步骤(S30)和(S40)相似的程序，形成在与p+区域18的期望形状对应的区域中具有开口的掩模层，并利用该掩模层作为掩模，通过离子注入将p型杂质如Al或B引入在n-SiC层12中，由此形成p+区域18。
接着参考图2，在步骤(S60)中，进行活化退火步骤。在该步骤(S60)中，通过例如在Ar(氩)气氛下将其中已注入离子的n-SiC层12加热至约1700℃的温度并保持约30分钟而进行活化退火，其中所述活化退火是用于活化通过上述离子注入引入的杂质的热处理。
接着参考图2，在步骤(S70)中，进行栅绝缘膜形成步骤。在该步骤(S70)中，参考图6，对n+SiC晶片11进行热氧化，其中在n+SiC晶片11上已通过步骤(S 10)至(S60)形成了包含期望的离子注入区域的n-SiC层12。可例如通过在氧气氛下将衬底加热至约1300℃的温度并保持约40分钟而进行热氧化。由此，在衬底表面12B上形成充当由二氧化硅(SiO2)构成的栅绝缘膜15(参见图1)的热氧化膜15A(例如具有约50nm的厚度)。
接着参考图2，在步骤(S80)中，进行漏极形成步骤。在步骤(S80)中，参考图6，在n+SiC晶片11的主表面11B上依次形成由Ti构成的Ti膜51、由Al构成的Al膜52和由Si构成的Si膜53。然后，进行该堆叠膜的合金化步骤。具体言之，进行热处理，其中，在惰性气体如Ar的气氛下，加热至550℃以上且1200℃以下、优选900℃以上且1100℃以下、例如1000℃的温度，并保持10分钟以下、如2分钟的时间。由此，使分别包含在Ti膜51、Al膜52和Si膜53中的Ti、Al和Si以及包含在n+SiC晶片11中的Si和C合金化。结果，如图7中所示，形成漏极20。
接着参考图2，在步骤(S90)中，进行欧姆电极形成步骤。在步骤(S90)中，参考图3，首先，在步骤(S91)至(S93)中，依次进行Ti膜形成步骤、Al膜形成步骤和Si膜形成步骤。
具体言之，参考图7，首先，在将抗蚀剂涂布到热氧化膜15A上之后，进行曝光和显影，由此形成抗蚀膜91，所述抗蚀膜91具有与将形成接触电极16(见图1)的区域对应的开口。然后，使用抗蚀膜91作为掩模，作为例如通过RIE部分除去热氧化膜15A的结果，形成覆盖衬底表面12B的一部分的栅绝缘膜15。其后，例如通过溅射，在衬底表面12B上依次形成由Ti构成的Ti膜51、由Al构成的Al膜52和由Si构成的Si膜53。此外，作为除去抗蚀膜91的结果，除去(剥离)了抗蚀膜91上的Ti膜51、Al膜52和Si膜53，因此，如图8中所示，Ti膜51、Al膜52和Si膜53残留在通过栅绝缘膜15露出的衬底表面12B上。因此，随后充当接触电极16(图1)的接触电极16m形成在衬底表面12B上、邻近栅绝缘膜15并与栅绝缘膜15接触。
此处，在步骤(S91)中，优选形成具有以上且以下的厚度的Ti膜51。由此，可形成以稳定方式具有低电阻的欧姆接触电极。此外，在步骤(S92)中，优选形成厚度为步骤(S91)中形成的Ti膜51的厚度的1.5倍以上且6倍以下的Al膜52。因此，可制造进一步可靠地实现与n+源区域14和p体13的低接触电阻的接触电极16。此外，在步骤(S93)中，优选形成具有以上且以下的厚度的Si膜53。由此，可形成以稳定方式具有低电阻的欧姆接触电极。
接着参考图3，在步骤(S94)中，进行合金化步骤。具体言之，参考图8和图9，在惰性气体如Ar的气氛下用激光束对接触电极16m进行退火。由此，使分别包含在Ti膜51、Al膜52和Si膜53中的Ti、Al和Si以及包含在n-SiC层12中的Si和C合金化。结果，如图9中所示，形成接触电极16，所述接触电极16以与衬底表面12B接触，在远离栅绝缘膜15的方向上从一对n+源区域14延伸至p+区域18的方式设置。
此处，由于通过在极短时间内的局部加热来进行利用激光束的退火，所以在退火期间原子的扩散距离小。因此，Al原子不从接触电极16m扩散到栅绝缘膜15的随后会夹在衬底表面12B和栅极17之间的部分中(图1)。
此处，在步骤(S94)中，优选在氢和惰性气体，特别是Ar和/或N2的气体混合物中加热n+SiC晶片11。由此，可制造与na+源区域14和p体13(p+区域18)的接触电阻进一步可靠地降低且制造成本得到抑制的接触电极16。在上述程序中完成步骤(S90)。
接着参考图2，在步骤(S100)中，进行栅极形成步骤。在该步骤(S100)中，再次参考图1，形成覆盖栅绝缘膜15的一部分的栅极17。栅极17的端部与栅绝缘膜15的端部间隔一定距离设置。具体言之，以从一个n+源区域14上延伸至另一个n+源区域14上的方式，在栅绝缘膜15上直接形成由导体如多晶硅或Al构成的栅极17。在采用多晶硅作为栅极的材料的实例中，多晶硅能够以超过1×1020cm-3的高浓度包含P。
接着参考图2，在步骤(S110)中，进行源极布线形成步骤。在该步骤(S110)中，例如利用气相淀积方法，在接触电极16的上表面上形成由导体如Al构成的源极布线19(参见图1)。在上述步骤(S90)和该步骤(S110)中完成源极22(参见图1)。
接着参考图2，在步骤(S120)中，进行钝化膜形成步骤。在步骤(S120)中，参考图1，形成例如由SiO2构成的钝化膜21以从一个源极布线19开始、越过栅极17延伸至另一个源极布线19。例如通过CVD方法，可形成钝化膜21。通过上文的步骤(S10)至(S120)，完成MOSFET1(参见图1)。
根据本实施方式中的MOSFET1，Al原子不从接触电极16扩散到栅绝缘膜15的夹在衬底表面12B和栅极17之间的部分中。因此，提高了栅极17和碳化硅衬底SB之间的电绝缘的可靠性。
此外，根据本实施方式中的制造MOSFET1的方法，由于利用激光束对接触电极16m进行退火，所以与使用其它退火方法的情况相比，通过在更短的时间内进行局部加热而进行退火。由此，由于抑制了接触电极16m中的Al原子到栅绝缘膜15中的扩散距离，所以可阻止Al原子到达栅绝缘膜15的夹在衬底表面和栅极17之间的部分。因此，提高了栅极17和碳化硅衬底SB之间的电绝缘的可靠性。
优选地，激光束的波长为386nm以下。例如，使用作为YAG激光的第3谐波的激光束。因此，激光束具有对应于4H多型碳化硅的带隙的能量以上的光子能。因此，由于将激光束更可靠地吸收在碳化硅衬底的表面中，所以可更有效地进行退火。
激光束具有10μs以下且更优选100ns以下的脉冲宽度。因此，可以在更短的时间内进行退火。因此，可进一步可靠地抑制Al原子的扩散。
每一个脉冲的激光束的能量密度优选为0.3J/cm2以上且1.5J/cm2以下，且更优选为0.5J/cm2以上且1.3J/cm2以下。因此，通过退火的合金化可有效地进行，且可抑制Al原子的扩散。
在上述说明中，栅绝缘膜15的Al原子不扩散到其中的区域是指Al原子基本上不扩散到其中的区域。换言之，其是指栅绝缘膜15的Al原子基本上不从接触电极16扩散到其中的区域。例如，通过使用光学显微镜进行观察，可确定Al原子基本上不扩散到其中的区域和Al原子基本上扩散到其中的区域之间的界限。下面将描述使用试验图案的该观察例。
在第一实例(图10)中，利用光学显微镜观察在埋设在二氧化硅膜中的Ti/Al图案101的退火期间Al原子的热扩散方式。二氧化硅膜和Ti/Al图案101分别对应于上述栅绝缘膜15和接触电极16。根据该观察，基于亮度的明显差异，可将二氧化硅膜分为第一区域DF和第二区域ND。利用组成分析方法测量第一区域DF和第二区域ND的每一个区域中的Al浓度。然后发现，第一区域DF具有高的Al浓度值，第二区域ND的Al浓度值明显低于第一区域DF的Al浓度值，且Al原子基本上不扩散到第二区域ND中。应注意，使用能量色散X射线衍射法、俄歇(Augér)电子能谱法和次级离子质谱法作为组分分析方法。
在第二实例(图11)中，利用光学显微镜观察在埋设在二氧化硅膜中的Al图案102的退火期间Al原子的热扩散方式。二氧化硅膜和Al图案102分别对应于上述栅绝缘膜15和接触电极16。根据该观察同样，基于亮度的明显差异，可将二氧化硅膜分为第一区域DF和第二区域ND。
当将第一实例和第二实例相互比较时，在第一实施例中，第一区域DF在较小程度上延伸。由此发现，Al原子从Ti/Al图案101到二氧化硅膜的扩散距离小于Al原子从Al图案102到二氧化硅膜的扩散距离。因此发现，与使用Al的情况相比，通过使用Ti/Al作为用于接触电极16的材料，可以抑制Al原子从接触电极16到栅绝缘膜15的扩散距离。
应理解，本文中公开的实施方式和实施例在各方面均为例示性的和非限制性的。本发明的范围由权利要求书的项限定，而不是由上述说明限定，且旨在包括与权利要求书的项等价的含义和范围内的任何变更。
附图标记
11n+SiC晶片；12n-SiC层；12B衬底表面；13p体；13A沟道区域；14n+源区域；15栅绝缘膜；15A热氧化膜；16，16m接触电极；17栅极；18p+区域；19源极布线；20漏极；21钝化膜；22源极；51Ti膜；52Al膜；53Si膜。
Claims (4)
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：
准备碳化硅衬底的步骤，所述碳化硅衬底具有衬底表面；
形成栅绝缘膜的步骤，所述栅绝缘膜覆盖所述衬底表面的一部分，
所述形成栅绝缘膜的步骤包括：
形成绝缘膜的步骤，所述绝缘膜具有作为所述栅绝缘膜的部分，
在所述绝缘膜上形成具有开口的抗蚀膜的步骤，和
通过使用所述抗蚀膜作为掩模将所述绝缘膜部分除去以形成所述栅绝缘膜的步骤；
在所述衬底表面上形成具有Al原子的接触电极的步骤，所述接触电极邻近所述栅绝缘膜并与所述栅绝缘膜接触，
所述形成具有Al原子的接触电极的步骤包括：
在设置有所述栅绝缘膜的所述碳化硅衬底上形成Ti膜的步骤，
在所述Ti膜上形成Al膜的步骤，和
在所述Al膜上形成Si膜的步骤；
通过用激光束对所述接触电极进行退火而形成具有Al原子的合金的步骤；和
形成栅极的步骤，所述栅极覆盖所述栅绝缘膜的一部分，
其中，利用具有0.3J/cm2以上且1.5J/cm2以下的能量密度的激光束对所述接触电极进行退火。
2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中
所述栅绝缘膜包含氧化硅。
3.根据权利要求2所述的制造半导体装置的方法，其中
所述氧化硅包括二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中
所述激光束的波长为386nm以下。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |