JPH1079349A - 選択成長マスク、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 成長層内の結晶性の劣化を抑えた選択成長を
行うことができる選択成長マスク，及び半導体装置の製
造方法を提供する。 【解決手段】 ＩｎＰ基板２上に設けられた、ストライ
プ形状の２つの誘電体膜からなる第１のマスク５０ａ
と、該第１のマスク５０ａを構成する２本の誘電体膜に
挟まれた領域内に該第１のマスク５０ａの２本の誘電体
膜のそれぞれに対して所定の間隔を隔てて平行に配置さ
れた２本の線状の誘電体膜からなる第２のマスク５０ｂ
とにより構成される選択成長マスク５０を用いて、選択
成長を行うようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、選択成長マス
ク，及び半導体装置の製造方法に関し、特に、歪多重量
子井戸構造を選択成長させる際に用いる選択成長マス
ク，及び歪多重量子井戸構造を有する半導体装置の製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図６は従来の選択成長マスクを用いた光
変調器付半導体レーザの製造方法の主要工程を模式的に
示す図であり、図６(a) は基板の上面からみた平面図を
示し、図６(b) は、該図６(a) のVIb-VIb 線による断面
に相当する図を示している。図において、２はｎ型Ｉｎ
Ｐ基板、３０は幅Ｗｍの２本のストライプ形状の誘電体
膜が間隔Ｗｏを隔てて互いに平行に配置されてなる選択
成長マスクで、ここではＷｍ＝５０μｍ，Ｗｏ＝７０μ
ｍ，ストライプ方向の長さを４５０μｍとしている。１
０は幅１．５μｍの導波路形成領域、３１は下クラッド
層、３２は歪多重量子井戸構造、３３は上クラッド層で
ある。

【０００３】誘電体からなる選択成長マスクを用いた選
択ＭＯＣＶＤ成長法は、半導体基板上の一部に設けられ
た所定のパターンを有する誘電体マスクによって、本来
誘電体マスクの表面に吸着、成長すべき有機金属からな
る成長種が、マスク周辺部の半導体基板の成長面へ向か
って気相中あるいは誘電体マスクの表面上を拡散すると
いう現象を用いた成長方法であり、誘電体マスクの端か
らその周辺部において成長速度が増大するという効果が
得られる成長方法である。

【０００４】実デバイスの作製では、特に、図６(a) に
示したような基板２上に間隔Ｗｏで互いに平行に２本配
置した幅Ｗｍのストライプ形状の誘電体材料からなる選
択成長マスク３０により、マスク３０の周辺の領域，及
びマスク３０に挟まれた領域，の成長速度を、マスク３
０から十分に離れた領域，つまりマスク３０の影響のな
い領域に比べて増大させる効果を利用している。このよ
うな選択成長マスク３０を用いた選択成長においては、
マスク３０の周囲、及びマスク３０の間に挟まれた領域
上の成長速度は、マスク３０を構成する２本の誘電体膜
のそれぞれの幅Ｗｍに比例して増大し、また、２本の誘
電体膜同士の間隔Ｗｏを狭めることで増大する。このよ
うな選択成長マスク３０を用いた成長方法においては、
マスク３０周辺、及びマスク３０に挟まれた領域と、マ
スク３０から離れた領域との間で成長速度に差を生じさ
せることができるため、結晶成長層の厚さの基板の上面
内における分布を、マスクの幅Ｗｍとマスク間隔Ｗｏに
よって制御できる。

【０００５】従来から、このような選択成長マスク３０
を用いた結晶成長方法を利用して、各種の光デバイスが
作製されている。例えば同一基板上に光変調器と半導体
レーザとを集積化した光変調器付分布帰還型（ＤＦＢ）
レーザ等の光導波路デバイスの製造方法に本技術を適用
した場合について説明すると、図６(a) に示すような選
択成長マスクを用いて、基板２上に下クラッド層３１、
多重量子井戸層（以下，ＭＱＷ層とも称す）３２、上ク
ラッド層３３、コンタクト層（図示せず）を順次結晶成
長させると、図６(b) に示す成長断面図のように、マス
ク３０上部には結晶成長が起こらず、マスク３０から離
れた領域では、通常の成長速度で成長されるとともに、
マスク３０に挟まれた領域においては、すべての成長層
に一定の成長速度の増大が生じる。このため、マスク３
０から十分に離れた領域とマスク３０に挟まれた領域と
の間で、ＭＱＷ層３１の層厚が異なるため、マスク３０
に挟まれた領域とマスク３０に挟まれていない領域とを
貫通するように、即ち導波路形成領域１０の位置で上記
結晶成長した層をメサ形状にエッチングして導波路を形
成することにより、導波路となるＭＱＷ層３１にマスク
３０に挟まれた領域とマスクに挟まれていない領域との
間でバンドギャップ差を生じさせることができ、この結
果、マスク３０に挟まれた領域に半導体レーザを形成
し、マスクに挟まれていない領域に光変調器を形成する
ことができ、半導体レーザと光変調器の２つの機能素子
を基板上に一括して形成することができる。

【０００６】一方、上記のような選択成長マスクを用い
た選択成長方法を歪多重量子井戸層を含む構造等の選択
成長に適用した場合、選択成長される層の結晶性が低下
する場合がある。

【０００７】図７は従来の選択成長マスクを用いた選択
成長方法において選択成長された、井戸層に０．７％圧
縮歪を有するＩｎＧａＡｓＰウエル層（７ｎｍ）とＰＬ
波長が１．１８μｍとなる組成のＩｎＧａＡｓＰバリア
層（５ｎｍ）とを、ウエル層が８層となるように交互に
積層してなる多重量子井戸構造（Multi quantum well構
造）の顕微フォトルミネッセンス（以下、ＰＬと称す）
マッピング測定によるＰＬ強度分布を示す図であり、図
において、３０ａは選択成長マスクであり、４０は最大
のＰＬ強度が観測される領域に対して、その強度が約４
０％以上落ちている領域を示している。なおここでは、
上記図６(a) に示した選択成長マスク３０と同様の選択
成長マスク３０ａを用いて、ｎ−ＩｎＰ基板上に厚さ
０．２μｍのｎ−ＩｎＰ層と、Ｉｎ_0.74Ｇａ_0.26Ａｓ
_0.78Ｐ_0.22ウエル層及びＩｎ_0.797 Ｇａ_0.203 Ａｓ
_0.442 Ｐ_0.558 バリア層からなる多重量子井戸構造と、
厚さ０．１μｍのｐ−ＩｎＰ層とを順次成長した場合の
多重量子井戸構造のＰＬ分布強度を求めており、この選
択成長マスク３０ａのマスクの幅Ｗｍとマスク間隔Ｗｏ
はそれぞれ５０μｍ，７０μｍである。このＰＬ強度の
測定は、基板の上方からレーザ光を照射することにより
発生したＰＬ光を受光してマッピングしたものであり、
励起光源として１．０６μｍＹＡＧレーザを用い、ピッ
チを２．５μｍとして測定を行った。ビームスポット径
は１μｍである。

【０００８】この図７に示されているように、マスク３
０ａ周辺部において、マスク端を起点として特に〈０１
１〉方向に平行に発生したＰＬ強度が連続して低下した
領域、例えばＰＬ強度が４０％以上低下している領域４
０が観察される。このＰＬ強度の低下した領域は一般に
ＰＬダークラインと呼ばれている。半導体結晶内にはク
ラック等の発生にともない、結晶構造が正常な状態から
ずれてすべり面が形成される場合があるが、ＰＬダーク
ラインは、このような半導体結晶内のすべり面が形成さ
れた部分において観測されるものである。つまり、ＰＬ
ダークラインが観測される部分は良好な結晶性が得られ
ていない領域であることを示している。

【０００９】図８は、図７に示したようなＰＬ強度分布
を１７個のマスクペアについてそれぞれ測定し、それぞ
れのマスクペアにおいて図７のVIII-VIII 線で表された
部分に対応した部分、即ちマスク３０ａのストライプ方
向の端部近傍を通過する部分におけるダークラインの発
生している頻度を、マスク３０ａのストライプ方向と垂
直な方向における位置関係で表したものである。図にお
いて、図７と同一符号は同一または相当する部分を示し
ており、線グラフは成長速度の増大率を示し、棒グラフ
はＰＬダークラインの発生頻度を示している。横軸の０
の位置はマスク３０ａに挟まれた領域の中央位置に対応
している。なお、成長速度増大率は増大率を測定する部
分の成長速度Ｒｇとマスク等の影響がない通常の成長速
度が得られる部分との成長速度Ｒ0 との比により表され
る。

【００１０】この図８からわかるように、ＰＬダークラ
インの発生頻度分布は、ストライプ形状のマスク３０ａ
が形成されている領域の延長上の領域では、それぞれの
マスク３０ａのそれぞれの中央近傍部分にピークを有し
たなだらかな分布を示しているとともに、マスク３０ａ
の端部からやや離れた位置においても、特徴的に高い頻
度の分布を示している部分がある。

【００１１】半導体結晶の選択成長においては、マスク
端部を最大とした指数関数的な層厚の増大が起こる。ま
た、ＭＱＷ層を構成するＩｎＧａＡｓの選択成長におい
ては、マスク端部近傍とマスクから離れた領域との間で
の成長層の組成の変動が発生する。この変化はマスク端
部近傍でＩｎ組成がＧａ組成より高くなるもので、この
Ｉｎ組成比の増加によりマスク端部近傍では、マスクよ
り離れた成長層よりも圧縮歪がかかる。一般に化合物半
導体において、結晶成長層に圧縮歪をかけた場合、成長
層の層厚の増大及び歪量の増大によって成長層にかかる
応力が増大して結晶構造が破壊されるという、臨界膜厚
の存在が知られているが、選択成長マスクを用いた選択
成長では、マスク周辺部、特に層厚、及び圧縮歪量とも
に最大となるマスク端において、臨界膜厚を超えやす
く、臨界膜厚を越えた場合に、結晶構造が破壊されて、
結晶内にすべり面が形成され、これがＰＬダークライン
として観察されるようになる。

【００１２】また、図１０は従来の選択成長マスクを用
いた選択成長方法において選択成長された、井戸層に
１．０％圧縮歪を有するＩｎＧａＡｓＰウエル層（７ｎ
ｍ）とＰＬ波長が１．１８μｍとなる組成のＩｎＧａＡ
ｓＰバリア層（５ｎｍ）とを、ウエル層が８層となるよ
うに交互に積層してなる多重量子井戸層に対して図７と
同様に顕微フォトルミネッセンス（ＰＬ）マッピング測
定を行って作成されたＰＬ強度分布の一例を示す図であ
り、具体的には、ｎ−ＩｎＰ基板上に厚さ０．２μｍの
ｎ−ＩｎＰ層と、Ｉｎ_0.806 Ｇａ_0.194 Ａｓ_0.729 Ｐ
_0.271 ウエル層及びＩｎ_0.797 Ｇａ_0.203 Ａｓ_0.442 Ｐ
_0.558 バリア層からなる多重量子井戸構造と、厚さ０．
１μｍのｐ−ＩｎＰ層とを順次成長したサンプルを用い
た測定結果を示している。図において、図７と同一符号
は同一または相当する部分を示している。この図からわ
かるように、多重量子井戸層の井戸層に、より高い圧縮
歪を加えると新たなモードのＰＬダークラインが発生す
る。つまり、図１０に示すように、マスク３０ａ端部か
ら〈０１１〉方向に平行に発生する成分に加え、〈０１
１〉方向に直交して発生する成分が観察される。

【００１３】ここで、図９にマスク周辺部での層厚増大
率，つまり成長速度増大率とＰＬダークライン発生頻度
との関係を示す。図において、横軸は成長速度増大率を
示し、縦軸はダークラインの発生頻度を示している。こ
の図９より、マスク端から発生するダークラインの発生
頻度と、マスク周辺部の結晶の層厚増大率とは相関関係
にあるとともに、層厚増大率が約１．１未満ではＰＬダ
ークラインは殆ど発生せず、層厚増大率が１．１以上と
なるとＰＬダークラインが発生することが分かる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
選択成長マスクを用いた光変調器付半導体レーザ等の半
導体装置の製造方法においては、選択成長マスクの近傍
における成長速度の増大，及び組成の変化によって、選
択成長マスクの近傍の結晶性が劣化して、この結晶性の
劣化が結晶成長層内に広がってしまうという問題があっ
た。そして、その結果が結晶成長層内に広がったＰＬダ
ークラインとして観察されていた。このようなＰＬダー
クラインが発生している場合、その周辺領域においてリ
ーク電流が発生してキャリアの再結合が生じるため、作
製される素子の性能が大きく劣化してしまう。例えばレ
ーザダイオードにおいては、ＰＬダークラインの発生に
よりリーク電流が生じると、発振しきい値電流密度の増
大、ばらつきや信頼性の低下を招き、素子性能を大きく
劣化させてしまい、素子の歩留まりを大きく低下させて
しまう。

【００１５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたものであり、成長層内の結晶性の劣化を
抑えた選択成長を行うことができる選択成長マスク，及
びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この発明に係る選択成長
マスクは、互いに平行に配置された所定幅を有する２本
のストライプ形状の誘電体膜からなる第１のマスクと、
該第１のマスクの２本の誘電体膜に挟まれた領域内に、
該第１のマスクの２本の誘電体膜のそれぞれに対して所
定の間隔を隔てて平行に配置された、所定幅を有する２
本の線状の誘電体膜からなる第２のマスクとを備えるよ
うにしたものである。

【００１７】また、上記選択成長マスクにおいて、上記
第２のマスクのそれぞれは、上記第１のマスクのそれぞ
れの長さよりも長さが長く、上記第１のマスクの２本の
誘電体膜に挟まれた領域以外の領域上にも配置されてい
るようにしたものである。

【００１８】また、上記選択成長マスクにおいて、上記
第２のマスクのそれぞれは、上記第１のマスクのそれぞ
れの周囲を囲むように、上記第１のマスクのそれぞれに
対して所定の間隔を隔てて配置されているようにしたも
のである。

【００１９】また、この発明に係る選択成長マスクは、
互いに平行に配置され、その先端部が互いに対向する側
に折れ曲がっているとともに、該折れ曲がった先端部の
折れ曲がった側の辺上に、該折れ曲がった先端部以外の
部分と平行な方向に突出した突出部，またはくぼんだく
ぼみ部を有する、所定幅の２本のストライプ形状の誘電
体膜からなるようにしたものである。

【００２０】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法は、半導体基板を用意する工程と、該半導体基板上
に、互いに平行に配置された所定幅を有する２本のスト
ライプ形状の誘電体膜からなる第１のマスクと、該第１
のマスクの２本の誘電体膜に挟まれた領域内に、該第１
の領域の２本の誘電体膜のそれぞれに対して所定の間隔
を隔てて平行に配置された、所定幅を有する２本の線状
の誘電体膜からなる第２のマスクとからなる選択成長マ
スクを配置する工程と、該選択成長マスクを用いて、上
記半導体基板上の、該選択成長マスクが配置されていな
い領域上に、１層以上の半導体層を選択的に結晶成長さ
せる工程とを含むようにしたものである。

【００２１】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記第２のマスクを、上記半導体基板の半導体装置
を形成する領域の両端に達するように配置するようにし
たものである。

【００２２】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法は、半導体基板を用意する工程と、該半導体基板上
に、互いに平行に配置され、その先端部が互いに対向す
る側に折れ曲がっているとともに、該折れ曲がった先端
部の折れ曲がった側の辺上に、該折れ曲がった先端部以
外の部分と平行な方向に突出した突出部，またはくぼん
だくぼみ部を有する、所定幅の２本のストライプ形状の
誘電体膜からなる選択成長マスクを配置する工程と、該
選択成長マスクを用いて、上記半導体基板上の、該選択
成長マスクが配置されていない領域上に、１層以上の半
導体層を選択的に結晶成長させる工程とを含むようにし
たものである。

【００２３】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１に係る選
択成長マスクの構造を示す，基板の上面からみた平面図
であり、ここでは、特に光変調器付分布帰還型（以下，
ＤＦＢと称す）半導体レーザの製造に用いられる選択成
長マスクを示している。図において、２は（１００）面
を主面とするｎ型ＩｎＰ基板、１０は導波路形成領域、
５０はＳｉＮやＳｉＯ2 等の誘電体膜からなる選択成長
マスクで、ＩｎＰ基板２上に間隔７０μｍで〈０１１〉
方向に互いに平行に配置された幅５０μｍ，長さ４５０
μｍのストライプ形状の２つの誘電体膜からなる第１の
マスク５０ａと、該第１のマスク５０ａを構成する２本
の誘電体膜に挟まれた領域内に該第１のマスク５０ａの
２本の誘電体膜のそれぞれに対して約１０μｍの間隔を
隔てて平行に配置された幅約３μｍの２本の線状の誘電
体膜からなる第２のマスク５０ｂとにより構成されてい
る。

【００２４】また、図１４はこの発明の実施の形態１に
係る選択成長マスクを用いた光変調器付ＤＦＢレーザの
製造方法の主要工程を示す図であり、図１４(a) は図１
のＩｂ−Ｉｂ線による断面に相当する図、図１４(b) は
一部切り欠き斜視図である。図において、図１と同一符
号は同一または相当する部分を示しており、１は光変調
器１０２とＤＦＢレーザ１０１を同一基板上に集積して
なる変調器付半導体レーザ、２７はｎ型ＩｎＰ下クラッ
ド層、４は多重量子井戸層であり、組成比の異なるＩｎ
ＧａＡｓＰ層を交互に積層して形成されている。１２は
ＩｎＧａＡｓＰからなる埋込み型の回折格子で、回折格
子として機能するものであればどのような構造のものを
用いるようにしてもよい。２６はｐ型ＩｎＰ第１上クラ
ッド層，１４はメサ構造，８は半絶縁性ＦｅドープＩｎ
Ｐ電流ブロック層、５はｐ型ＩｎＰ第２上クラッド層，
６はｐ型のＩｎＧａＡｓ等からなるコンタクト層，２９
はＳｉＯ₂ 等の絶縁膜からなる保護膜、３はＴｉ／Ａｕ
／Ｐｔ等からなる裏面電極，７はＣｒ／Ａｕ等からなる
表面電極，１５はプロセスメサ，１０１はＤＦＢレー
ザ，１０２は光変調器である。また、１３はｐ型ＩｎＰ
バリア層、２３はＩｎＧａＡｓＰガイド層、２４はｐ型
ＩｎＰキャップ層である。

【００２５】この発明の実施の形態１に係る選択成長マ
スク５０は、基板２上に形成された主たる成長速度増大
効果をもたらす２本の誘電体膜からなる第１のマスク５
０ａと、該第１のマスク５０ａに挟まれた領域内に、該
第１のマスク５０ａに近接して形成された線状の第２の
マスク５０ｂとからなるものである。

【００２６】つぎに選択成長マスクを用いた光変調器付
ＤＦＢレーザの製造方法について図１，図１４を用いて
説明する。まず、図１に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板２
表面上の，ＤＦＢレーザ１０１及び光変調器１０２のリ
ッジ型導波路となる導波路形成領域１０を挟むように２
本のストライプ形状の第１のマスク５０ａと、２本の線
状の第２のマスク５０ｂとからなる選択成長マスク５０
を形成する。次に、図１４(a) に示すように、選択成長
マスク５０を用いて、ｎ型ＩｎＰ基板２上にｎ型ＩｎＰ
下クラッド層２７、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ多重
量子井戸層２２、ｐ型ＩｎＰバリア層１３、ＩｎＧａＡ
ｓＰガイド層２３、ｐ型ＩｎＰキャップ層２４を、基板
２の上記選択成長マスク５０が設けられている領域以外
の領域にＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）を用いて
順次成長させる。この際、この選択成長マスク５０の第
１のマスク５０ａに挟まれた領域の成長層の厚さは、こ
れ以外の領域に成長する層の厚さより厚くなる。従っ
て、多重量子井戸層４の厚さも、この第１のマスク５０
ａ間の領域の厚さが、他の領域の厚さより厚くなる。な
お、第２のマスク５０ｂ上には結晶成長は行われないと
ともに、この第２のマスク５０ｂの幅は第１のマスク５
０ａの幅よりも十分に狭いため、この第２のマスク５０
ｂは、第１のマスク５０ａによる成長層の成長速度を増
加させる効果を阻害しない。

【００２７】この後、選択成長マスク５０を除去し、全
面にフォトレジスト（図示せず）を塗布した後、干渉露
光法を用いて周期的なレジストパターンを形成し、この
レジストをマスクとして、ｐ型ＩｎＰキャップ層２４及
びＩｎＧａＡｓＰガイド層２３をエッチングして、上部
にｐ型ＩｎＰキャップ層２４を備えたＩｎＧａＡｓＰガ
イド層２３からなる回折格子１２を形成し、さらに、光
変調器を形成すべき領域のｐ型ＩｎＰキャップ層２４及
びＩｎＧａＡｓＰガイド層２３をエッチング除去して、
ＤＦＢレーザ１０１を形成すべき領域のみに回折格子１
２を残す。この後、全面にｐ型ＩｎＰ層（図示せず）を
ＭＯＣＶＤ法を用いて成長させる。このｐ型ＩｎＰ層
と，ｐ型ＩｎＰバリア層１３と，ｐ型ＩｎＰキャップ層
２４とが、ｐ型ＩｎＰ第１上クラッド層２６となる。

【００２８】その後、導波路領域１０部分を残すように
選択的にウエットエッチングを行い、メサ構造１４を形
成し、さらに、このメサ構造１４の両脇を埋め込むよう
に半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ層８をＭＯＣＶＤ法を用い
て成長させた後、全面にｐ型ＩｎＰ第２上クラッド層
５、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６をＭＯＣＶＤ法を
用いて順次成長させる。続いて、ＤＦＢレーザと光変調
器の間のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層６をエッチング
除去して、アイソレーション溝を形成し、さらに、ＤＢ
Ｆレーザ及び光変調器を形成すべき領域の両脇の領域を
エッチングして、プロセスメサ１５を形成した後、全面
にＳｉＯ₂ 保護膜２９をスパッタリングにより被着さ
せ、ＤＦＢレーザ１０１の活性層と光変調器１０２の光
吸収層の直上の領域のＳｉＯ₂ 保護膜２９を除去した
後、この保護膜２９を除去した領域にＣｒ／Ａｕ表面電
極７を形成する。最後に、ｎ型ＩｎＰ基板２裏面を研削
した後、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ裏面電極３を形成することに
より、図１４(b) に示すように、ＤＦＢレーザ１０１と
光変調器１０２とを集積化した変調器付半導体レーザ１
を得る。

【００２９】ここで、図２に典型的な誘電体マスクを用
いて選択成長を行ったときの、マスク端からの距離に対
する成長層厚増大率，つまり成長速度増大率の変化の関
係（以下、層厚プロファイルと称す）を示す。なお図２
において、横軸は、マスク端からの距離（μｍ）を示
し、縦軸は成長層厚増大率を示している。

【００３０】従来の技術において図９を用いて説明した
ように、成長層厚増大率が約１．１以上となると、ＰＬ
ダークラインが発生することから、この図２より、マス
ク端からの距離が約１０μｍ以内の部分においては、成
長層厚増大率が約１．１以上となり、この部分で成長さ
れる多重量子井戸層は臨界膜厚を越えてしまい、その結
果、ＰＬダークラインが発生することがわかる。

【００３１】通常、変調器付半導体レーザにおいては、
選択成長マスクを用いて成長された多重量子井戸層を含
む成長層は、その選択成長マスクに挟まれた中央の幅
１．５μｍの導波路領域のみがデバイスに用いられ、そ
の他の領域はメサエッチングにより除去される。したが
って、品質のよい変調器付半導体レーザ等の半導体装置
を得るためには、歪多重量子井戸構造の選択ＭＯＣＶＤ
成長においてマスク端近傍で必然的に発生するＰＬダー
クラインが、デバイス領域まで伝搬することを阻止する
ことが必要となる。

【００３２】この実施の形態１においては、図２に示さ
れた層厚プロファイルからわかるように、第１のマスク
５０ａの端から約１０μｍの位置に第２のマスク５０ｂ
を設け、この第２のマスク５０ｂが形成された領域に非
成長領域を形成しているので、第１のマスク５０ａの端
で発生したＰＬダークラインを第１のマスク５０ａの端
と、この第２のマスク５０ｂとの間の、幅約１０μｍの
領域に閉じ込めることができ、第１のマスク５０ａに近
接した部分の成長層において発生し、〈０１１〉方向と
直交する方向に伝搬するＰＬダークラインが、デバイス
に利用される導波路領域１０の存在する第１のマスク５
０ａに挟まれた領域の中央部分に伝搬することを阻止す
ることが可能となる。したがって、導波路領域１０を含
む中央部分へのＰＬダークラインの発生を抑えた選択成
長、つまり結晶性の劣化を抑えた選択成長が可能とな
る。

【００３３】このように本実施の形態１によれば、Ｉｎ
Ｐ基板２上に設けられた、ストライプ形状の２つの誘電
体膜からなる第１のマスク５０ａと、該第１のマスク５
０ａを構成する２本の誘電体膜に挟まれた領域内に該第
１のマスク５０ａの２本の誘電体膜のそれぞれに対して
所定の間隔を隔てて平行に配置された２本の線状の誘電
体膜からなる第２のマスク５０ｂとにより構成される選
択成長マスク５０を用いるようにしたから、選択成長の
際に、第１のマスク５０ａの端部近傍で発生する〈０１
１〉方向に直交するＰＬダークラインを第１のマスク５
０ａの近傍に閉じ込めることができ、選択的に成長した
成長層の選択成長マスク５０に挟まれた領域の中央部分
の結晶性の劣化を抑えて、品質に優れた光変調器付半導
体レーザを得られる効果がある。

【００３４】なお、図２に示されたマスク端からの層厚
プロファイルは、マスク幅や成長圧力、隣接するマスク
等によって変化する。また、選択成長される歪ＭＱＷ構
造の井戸層の歪量が高いほど、成長層厚増大率の小さな
場合でも、ＰＬダークラインが発生しやすくなることが
予想される。したがって、第２のマスク５０ｂを配置す
る位置は、選択成長させる半導体層や、その選択成長条
件等に合わせて、第１のマスク５０ａの端から、導波路
領域１０までの間の位置で適宜調整する必要がある。

【００３５】また、選択成長マスク５０の第２のマスク
５０ｂの幅は、第１のマスク５０ａの対の層厚を増大さ
せる効果、及び組成を変化させる効果に影響を与えない
程度の幅にする必要がある。この第２のマスク５０ｂの
幅は形成される半導体装置の素子設計によって異なる
が、通常の半導体装置においては、第１のマスク５０ａ
の幅の約１０パーセント以下の幅であれば、実用上問題
が生じることはない。

【００３６】実施の形態２．図３はこの発明の実施の形
態２に係る選択成長マスクを説明するための図であり、
特に光変調器付ＤＦＢレーザの製造に用いられる選択成
長マスクの平面図を示している。図において、図１と同
一符号は同一または相当する部分を示している。この実
施の形態２に係る選択成長マスクは、主基板上に形成さ
れる主たる成長速度増大効果をもたらす第１のマスク５
０ａに近接して設けられる第２のマスク５０ｂを、スト
ライプ形状の第１のマスク５０ａに挟まれた領域内のみ
ではなく、ストライプ形状の第１のマスク５０ａと平行
に、第１のマスク５０ａに挟まれた領域内を通って光変
調器付ＤＦＢレーザが形成される領域の両端に達するよ
うに形成したものである。

【００３７】図３に示すように、この実施の形態２に係
る選択成長マスク５０は、第２のマスク５０ｂの対が、
ＤＦＢレーザ１０１が形成される領域、つまり第１のマ
スク５０ａの対において挟まれた領域から光変調器１０
２が形成される領域までを貫通するように形成されてい
る。上記実施の形態１においては、選択成長マスク５０
の第２のマスク５０ｂにより、第１のマスク５０ａ間の
ＰＬダークラインの発生を抑えることができたが、第１
のマスク５０ａの端部に近接した部分においては、該第
１のマスク５０ａに挟まれた領域以外の領域においても
選択成長の際に、選択成長速度が増加することにより
〈０１１〉方向及びこれに直交する方向に伝搬するＰＬ
ダークラインが発生し、これが、第２のマスク５０ｂの
設けられていない光変調器１０２の導波路形成領域１０
にまで伝搬して、光変調器１０２の特性に影響を与える
という問題が発生する場合がある。

【００３８】これに対し、この実施の形態２に係る選択
成長マスク５０を用いた場合、第１のマスク５０ａに挟
まれた領域以外の光変調器が形成される部分にも連続し
て、第１のマスク５０ａと平行に第２のマスク５０ｂが
設けられているため、第１のマスク５０ａに挟まれた領
域以外の、該第１のマスク５０に近接した部分において
発生するＰＬダークラインが、光変調器１０２の導波路
に伝搬するのを防ぐことができ、この結果、特性に優れ
た光変調器付半導体レーザが得られる効果がある。

【００３９】図１２は本発明の実施の形態２に係る選択
成長マスクを用いた選択成長方法により形成された、井
戸層に０．７％圧縮歪を有するＩｎＧａＡｓＰウエル層
（７ｎｍ）とＰＬ波長が１．１８μｍとなる組成のＩｎ
ＧａＡｓＰバリア層（５ｎｍ）とを、ウエル層が８層と
なるように交互に積層してなる多重量子井戸構造（Mult
i quantum well構造）の顕微フォトルミネッセンス（以
下、ＰＬと称す）マッピング測定によるＰＬ強度分布を
示す図であり、図において、図３と同一符号は同一また
は相当する部分を示しており、４１は最大のＰＬ強度が
観測される領域に対して、その強度が４０％以上落ちて
いる領域を示している。なおここでは、上記図３に示し
た選択成長マスク５０と同様の選択成長マスク５１を用
いて、ｎ−ＩｎＰ基板上に厚さ０．２μｍのｎ−ＩｎＰ
層と、Ｉｎ_0.74Ｇａ_0.26Ａｓ_0.78Ｐ_0.22ウエル層及びＩ
ｎ_0.797 Ｇａ_0.203 Ａｓ_0.442 Ｐ_0.558 バリア層からな
る多重量子井戸構造と、厚さ０．１μｍのｐ−ＩｎＰ層
とを順次成長してなるサンプルについてＰＬ分布強度を
求めており、この選択成長マスク３０ａのマスクの幅Ｗ
ｍとマスク間隔Ｗｏはそれぞれ５０μｍ，７０μｍであ
る。このＰＬ強度の測定は、基板の上方からレーザ光を
照射することにより発生したＰＬ光を受光してマッピン
グしたものであり、励起光源として１．０６μｍＹＡＧ
レーザを用い、ピッチを２．５μｍとして測定を行っ
た。ビームスポット径は１μｍである。

【００４０】この図１２と、図７に示した従来の選択成
長マスクを用いて形成した多重量子井戸構造のフォトル
ミネッセンスマッピングの結果とを比較すると、この実
施の形態２に係る選択成長マスク５０を用いて選択成長
を行うと、選択成長マスク５０に挟まれた領域のＰＬダ
ークラインの発生が抑えられる効果が得られることがわ
かる。

【００４１】実施の形態３．図４はこの発明の実施の形
態３に係る選択成長マスクを説明するための図であり、
図において、図１と同一符号は同一または相当する部分
を示している。この実施の形態２に係る選択成長マスク
は、基板２上に形成される主たる成長速度増大効果をも
たらす第１のマスク５０ａの周囲に、該第１のマスク５
０ａを所定の間隔を隔てて囲むように第２のマスク５０
ｂを設けたものであり、ここでは、第２のマスク５０ｂ
の幅を約３μｍとし、第１のマスク５０ａとの間隔を約
１０μｍとしている。

【００４２】上記実施の形態１においては、選択成長マ
スク５０の第２のマスク５０ｂにより、第１のマスク５
０ａ間のＰＬダークラインの発生を抑えることができた
が、第１のマスク５０ａの周囲に近接した部分において
は、該第１のマスク５０ａに挟まれた領域以外の領域に
おいても、選択成長の際に選択成長速度が増加して〈０
１１〉方向やこれに直交する方向に伝搬するＰＬダーク
ラインが発生し、これが、第２のマスク５０ｂの設けら
れていない領域にも伝搬して、この結果、選択成長マス
ク５０間以外の領域に形成される素子等の特性に影響を
与えるという問題が発生する場合がある。

【００４３】これに対し、この実施の形態３に係る選択
成長マスク５０を用いた場合、第１のマスク５０ａの周
囲に近接して、該第１のマスク５０ａを囲うように非成
長領域を形成するための第２のマスク５０ｂを設けるよ
うにしたので、第１のマスク５０ａのマスク端近傍で発
生する〈０１１〉方向に平行な成分、及びこれに直交す
る成分の両方のＰＬダークラインを第１のマスク５０ａ
近傍に閉じ込めることができ、ＰＬダークラインが第１
のマスク５０ａの近傍からその他の領域に伝搬するのを
防ぐことができ、この結果、複数の素子を集積化する場
合においても、特性に優れた半導体装置が得られる効果
がある。

【００４４】例えば、この実施の形態３に係る選択成長
マスク５０を、図１５に示すような、４つの異なる波長
を出力するレーザダイオードの出力を、一つのレーザダ
イオード（ＬＤ）アンプ部で増幅する４波長レーザダイ
オードアレイの製造方法に用いた場合について考える
と、この４波長レーザダイオードアレイのそれぞれのレ
ーザダイオード７２、及びＬＤアンプ部７０を従来の選
択成長マスクを用いて成長した場合には、各マスクから
発生した〈０１１〉方向やこれに直交する方向に伝搬す
るＰＬダークラインにより、曲がり導波路部７１等の結
晶性が悪くなってしまい、品質が劣化するという問題が
生じるが、この実施の形態３に係る選択成長マスク５０
を４波長レーザダイオードアレイのそれぞれのレーザダ
イオード７２、及びＬＤアンプ部７０の成長に用いる
と、ＰＬダークラインの発生を抑えて、高品質な所望の
特性を備えた４波長レーザダイオードアレイを得ること
ができる。なお、図１５において、図４と同一符号は同
一または相当する部分を示しており、７０はＬＤアンプ
部、７１は曲がり導波路部、７２はレーザダイオードを
示している。

【００４５】図１３は本発明の実施の形態２に係る選択
成長マスクを用いた選択成長方法により形成された、井
戸層に０．７％圧縮歪を有するＩｎＧａＡｓＰウエル層
（７ｎｍ）とＰＬ波長が１．１８μｍとなる組成のＩｎ
ＧａＡｓＰバリア層（５ｎｍ）とを、ウエル層が８層と
なるように交互に積層してなる多重量子井戸構造（Mult
i quantum well構造）の顕微フォトルミネッセンス（以
下、ＰＬと称す）マッピング測定によるＰＬ強度分布を
示す図であり、図において、図１２と同一符号は同一ま
たは相当する部分を示している。この測定は図１２にお
いて行った測定を選択成長マスクをこの実施の形態２に
係る選択成長マスクに代えて同様の条件で行ったもので
ある。

【００４６】この図１３と、図７に示した従来の選択成
長マスクを用いて形成した多重量子井戸構造のフォトル
ミネッセンスマッピングの結果とを比較すると、この実
施の形態２に係る選択成長マスク５０を用いて選択成長
を行うと、選択成長マスク５０に挟まれた領域のＰＬダ
ークラインの発生が抑えられる効果が得られることがわ
かる。

【００４７】実施の形態４．図５は本発明の実施の形態
４に係る選択成長マスクを説明するための図であり、特
に光変調器付半導体レーザの製造に用いられる選択成長
マスクの平面図を示している。図において、図１と同一
符号は同一または相当する部分を示しており、６０は互
いに平行に配置され、その先端部が互いに対向する側に
折れ曲がっているとともに、該折れ曲がった先端部の折
れ曲がった側の辺上に、該先端部以外の部分と平行な方
向に突出した突出部６１を有する、２本のストライプ形
状の誘電体膜からなる選択成長マスクで、平面形状はＬ
字型となっている。ここでは、この選択成長マスク６０
のストライプ幅は５０μｍで、ストライプの伸びる方向
の長さは４５０μｍ、折れ曲がった部分のストライプ幅
は２５μｍ、折れ曲がった部分の長さは１５μｍ、折れ
曲がった部分以外の２本の誘電体膜同士の間隔は約７０
μｍとしている。また、突起部６１は、折れ曲がった部
分から１０μｍの位置に設けられている。この選択成長
マスク６０は基板２の（１００）面上に設けられてお
り、該マスク６０のストライプの伸びる方向は〈０１
１〉方向となっている。

【００４８】本実施の形態４に係る選択成長マスク６０
を用いて選択成長を行うと、上述した従来の選択成長マ
スクと同様にこの選択成長マスク６０に挟まれた領域の
成長速度は他の領域よりも速くなる。ここで、マスク６
０の突起部６１が設けられている部分においては、選択
成長により形成される成長層は〈０１１〉方向に平行あ
るいは直交する面以外の面方位を有する成長となるた
め、異常成長となり、他の部分よりも成長速度が増加す
る。このため、成長速度の速い選択成長マスク６０に挟
まれた領域のうちでも、この突起部が設けられている領
域近傍が成長中に最も早く局所的に臨界膜厚を越え、こ
こからＰＬダークラインが〈０１１〉方向に平行に発生
する。この〈０１１〉方向に平行なＰＬダークラインの
存在により、のちに選択成長マスク６０の内側の端部で
発生する，〈０１１〉方向と直交するＰＬダークライン
がマスクの中央方向へ伝搬することが阻止される。

【００４９】これは、（１００）面を主面として結晶成
長させた時の結晶破断は〈０１１〉方向に平行な面に進
行しやすいため、後に発生する〈０１１〉方向に直交す
る成分の破断エネルギーが、突起部６１によって発生し
すでに存在している〈０１１〉方向に平行な破断面に吸
収されるためである。

【００５０】この結果、選択成長マスク６０の端部近傍
で発生したＰＬダークラインが導波路形成領域１０に伝
搬することがなくなり、この結果、高品質な導波路を得
ることができる。

【００５１】なお、突起部６１を、選択成長マスク６０
の折れ曲がった部分以外の内側の辺，つまり２つのマス
クの向かい合う辺から、約１０μｍ離れた位置に形成し
ているが、これは第１の実施例で説明したように、選択
成長マスクに挟まれた領域のＰＬダークラインが発生す
る位置よりも、選択成長マスクに挟まれた領域のうちの
中央に近い位置に〈０１１〉方向に直交する方向のダー
クラインの伝搬を阻止する手段を講じる必要があるため
である。

【００５２】このように本実施の形態４においては、互
いに平行に配置され、その先端部が互いに対向する側に
折れ曲がっているとともに、該折れ曲がった先端部の折
れ曲がった側の辺上に、該先端部以外の部分と平行な方
向に突出した突出部を有する、２本のストライプ形状の
誘電体膜からなる選択成長マスクを用いるようにしたか
ら、選択成長工程において２本の選択成長マスクのマス
クの互いに向かいあった端部近傍に発生するＰＬダーク
ラインを、同じ選択成長工程において選択成長マスクの
突起部から発生するＰＬダークラインで、選択成長マス
クにおいて挟まれた領域の中央に伝搬することを防ぐこ
とができ、これにより、品質の優れた選択成長層を得る
ことができ、特性に優れた半導体装置が得られる効果が
ある。

【００５３】なお、上記実施の形態４に置いては突起部
６１を設けた場合について説明したが、本発明において
は、図１１に示すように、突起部６１を設ける代わり
に、選択成長マスク６０の内部方向にくぼんだくぼみ部
６２を設けるようにしてもよく、このような場合におい
ても、このくぼみ部６２の部分において異常成長が起こ
ることによって、このくぼみ部６２から〈０１１〉方向
にＰＬダークラインを発生させて、選択成長マスク６０
の端部から〈０１１〉方向と直交する方向のＰＬダーク
ラインの伝搬を防いで、上記実施の形態４と同様の効果
を奏することができる。このとき、図１１において、図
５と同一符号は同一又は相当する部分を示しており、６
２はくぼみ部を示している。

【００５４】また、上記実施の形態１，２，４において
は、光変調器付ＤＦＢレーザの製造方法について説明し
たが、本発明はその他の選択成長により形成される半導
体装置においても適用できるものであり、このような場
合においても上記実施の形態１，２，４と同様に、選択
成長マスクに挟まれた領域の中央部分の結晶品質を向上
させることができ、品質に優れた半導体装置が得られる
効果を奏する。

【００５５】

【発明の効果】以上のように、この発明に係る選択成長
マスクによれば、互いに平行に配置された所定幅を有す
る２本のストライプ形状の誘電体膜からなる第１のマス
クと、該第１のマスクの２本の誘電体膜に挟まれた領域
内に、該第１のマスクの２本の誘電体膜のそれぞれに対
して所定の間隔を隔てて平行に配置された、所定幅を有
する２本の線状の誘電体膜からなる第２のマスクとを備
えるようにしたから、選択成長層の第１のマスク近傍に
おいて発生する結晶品質の劣化を、選択成長層の、第１
のマスクに挟まれた領域の中央部分に伝わるのを防ぐこ
とができ、選択成長マスクに挟まれた領域の中央部分の
結晶品質を向上させることができ、品質に優れた半導体
装置が得られる効果を奏する。

【００５６】また、この発明によれば、上記選択成長マ
スクにおいて、上記第２のマスクのそれぞれが、上記第
１のマスクのそれぞれの長さよりも長さが長く、上記第
１のマスクの２本の誘電体膜に挟まれた領域以外の領域
上にも配置されているようにしたから、選択成長層の、
第１のマスクにより挟まれた領域以外の第２のマスクに
挟まれた領域の結晶品質の劣化を防ぐことができ、品質
に優れた半導体装置が得られる効果を奏する。

【００５７】また、この発明によれば、上記選択成長マ
スクにおいて、上記第２のマスクのそれぞれは、上記第
１のマスクのそれぞれの周囲を囲むように、上記第１の
マスクのそれぞれに対して所定の間隔を隔てて配置され
ているようにしたから、第１のマスク近傍において発生
する結晶品質の劣化が広がることを、第１のマスク近傍
のみにおいて閉じ込めて、結晶品質の劣化が選択成長層
の他の部分に広がることを防ぐことができ、品質に優れ
た半導体装置が得られる効果を奏する。

【００５８】また、この発明に係る選択成長マスクによ
れば、互いに平行に配置され、その先端部が互いに対向
する側に折れ曲がっているとともに、該折れ曲がった先
端部の折れ曲がった側の辺上に、該折れ曲がった先端部
以外の部分と平行な方向に突出した突出部，またはくぼ
んだくぼみ部を有する、所定幅の２本のストライプ形状
の誘電体膜からなるようにしたから、突起部またはくぼ
み部より発生する結晶破断によって、選択成長層の選択
成長マスクの近傍において発生する結晶品質の劣化を、
選択成長層の、選択成長層マスクに挟まれた領域の中央
部分に伝わるのを防ぐことができ、選択成長マスクに挟
まれた領域の中央部分の結晶品質を向上させることがで
き、品質に優れた半導体装置が得られる効果を奏する。

【００５９】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法によれば、半導体基板を用意する工程と、該半導体基
板上に、互いに平行に配置された所定幅を有する２本の
ストライプ形状の誘電体膜からなる第１のマスクと、該
第１のマスクの２本の誘電体膜に挟まれた領域内に、該
第１の領域の２本の誘電体膜のそれぞれに対して所定の
間隔を隔てて平行に配置された、所定幅を有する２本の
線状の誘電体膜からなる第２のマスクとからなる選択成
長マスクを配置する工程と、該選択成長マスクを用い
て、上記半導体基板上の、該選択成長マスクが配置され
ていない領域上に、１層以上の半導体層を選択的に結晶
成長させる工程とを含むようにしたから、選択成長層の
第１のマスク近傍において発生する結晶品質の劣化を、
選択成長層の、第１のマスクに挟まれた領域の中央部分
に伝わるのを防ぐことができ、選択成長マスクに挟まれ
た領域の中央部分の結晶品質を向上させることができ、
品質に優れた半導体装置が得られる効果を奏する。

【００６０】また、この発明によれば、上記半導体装置
の製造方法において、上記第２のマスクを、上記半導体
基板の半導体装置を形成する領域の両端に達するように
配置するようにしたから、選択成長層の、第１のマスク
により挟まれた領域内以外に位置する第２のマスクに挟
まれた領域内の結晶品質の劣化を防ぐことができ、品質
に優れた半導体装置が得られる効果を奏する。

【００６１】また、この発明に係る半導体装置の製造方
法によれば、半導体基板を用意する工程と、該半導体基
板上に、互いに平行に配置され、その先端部が互いに対
向する側に折れ曲がっているとともに、該折れ曲がった
先端部の折れ曲がった側の辺上に、該折れ曲がった先端
部以外の部分と平行な方向に突出した突出部，またはく
ぼんだくぼみ部を有する、所定幅の２本のストライプ形
状の誘電体膜からなる選択成長マスクを配置する工程
と、該選択成長マスクを用いて、上記半導体基板上の、
該選択成長マスクが配置されていない領域上に、１層以
上の半導体層を選択的に結晶成長させる工程とを含むよ
うにしたから、突起部またはくぼみ部より発生する結晶
破断によって、選択成長層の選択成長マスクの近傍にお
いて発生する結晶品質の劣化を、選択成長層の、選択成
長層マスクに挟まれた領域の中央部分に伝わるのを防ぐ
ことができ、選択成長マスクに挟まれた領域の中央部分
の結晶品質を向上させることができ、品質に優れた半導
体装置が得られる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１に係る選択成長マス
クの構造を示す平面図である。

【図２】 この発明の実施の形態１に係る選択成長マス
クを説明するための、層厚プロファイルを示す図であ
る。

【図３】 この発明の実施の形態２に係る選択成長マス
クを説明するための図である。

【図４】 この発明の実施の形態３に係る選択成長マス
クを説明するための図である。

【図５】 この発明の実施の形態４に係る選択成長マス
クを説明するための図である。

【図６】 従来の選択成長マスクを説明するための図で
ある。

【図７】 従来の選択成長マスクを用いて形成した多重
量子井戸層のＰＬ強度分布を示す図である。

【図８】 従来の選択成長マスク近傍における結晶成長
位置と、成長速度増大率、及びＰＬダークライン発生頻
度との関係を示す図である。

【図９】 従来の選択成長マスクにおける成長速度増大
率とダークラインの発生頻度との関係を示す図である。

【図１０】 従来の他の選択成長マスクを用いて形成し
た多重量子井戸層のＰＬ強度分布を示す図である。

【図１１】 この発明の実施の形態４に係る選択成長マ
スクの変形例を示す図である。

【図１２】 この発明の実施の形態２に係る選択成長マ
スクを用いて形成した多重量子井戸層のＰＬ強度分布を
示す図である。

【図１３】 この発明の実施の形態３に係る選択成長マ
スクを用いて形成した多重量子井戸層のＰＬ強度分布を
示す図である。

【図１４】 この発明の実施の形態１に係る選択成長マ
スクを説明するための、光変調器付ＤＦＢレーザの製造
方法を示す図である。

【図１５】 この発明の実施の形態３に係る選択成長マ
スクを用いて形成された半導体装置の構造を説明するた
めの図である。

【符号の説明】

１ 光変調器付ＤＦＢレーザ、２ ｎ型ＩｎＰ基板、３
裏面電極、４ 多重量子井戸層、５ ｐ型ＩｎＰ第２
上クラッド層、６ ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、７
表面電極、８ ＦｅドープＩｎＰ電流ブロック層、１
０ 導波路形成領域、１２ ＩｎＧａＡｓＰ埋込み回折
格子、１３ ｐ型ＩｎＰバリア層、１４メサ構造、１５
プロセスメサ、２３ ＩｎＧａＡｓガイド層、２４
ｐ型ＩｎＰキャップ層、２６ ｐ型ＩｎＰ第１上クラッ
ド層、２７ ｎ型ＩｎＰ下クラッド層、２９ ＳｉＯ2
保護膜、３０，３０ａ，５０，５１，６０ 選択成長マ
スク、３１ 下クラッド層、３２ 多重量子井戸層、３
３ 上クラッド層、４０，４１ ＰＬ発光強度が低下し
た領域、５０ａ 第１のマスク、５０ｂ 第２のマス
ク、６１ 突起部、６２ くぼみ部、７０ ＬＤアンプ
部、７１ 曲がり導波路部、７２ レーザダイオード
部、１０１ ＤＦＢレーザ、１０２ 光変調器。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに平行に配置された所定幅を有する
   ２本のストライプ形状の誘電体膜からなる第１のマスク
   と、 該第１のマスクの２本の誘電体膜に挟まれた領域内に、
   該第１のマスクの２本の誘電体膜のそれぞれに対して所
   定の間隔を隔てて平行に配置された、所定幅を有する２
   本の線状の誘電体膜からなる第２のマスクとを備えたこ
   とを特徴とする選択成長マスク。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の選択成長マスクにおい
   て、 上記第２のマスクのそれぞれは、上記第１のマスクのそ
   れぞれの長さよりも長さが長く、上記第１のマスクの２
   本の誘電体膜に挟まれた領域以外の領域上にも配置され
   ていることを特徴とする選択成長マスク。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の選択成長マスクにおい
   て、 上記第２のマスクのそれぞれは、上記第１のマスクのそ
   れぞれの周囲を囲むように、上記第１のマスクのそれぞ
   れに対して所定の間隔を隔てて配置されていることを特
   徴とする選択成長マスク。
4. 【請求項４】 互いに平行に配置され、その先端部が互
   いに対向する側に折れ曲がっているとともに、該折れ曲
   がった先端部の折れ曲がった側の辺上に、該折れ曲がっ
   た先端部以外の部分と平行な方向に突出した突出部，ま
   たはくぼんだくぼみ部を有する、所定幅の２本のストラ
   イプ形状の誘電体膜からなることを特徴とする選択成長
   マスク。
5. 【請求項５】 半導体基板を用意する工程と、 該半導体基板上に、互いに平行に配置された所定幅を有
   する２本のストライプ形状の誘電体膜からなる第１のマ
   スクと、該第１のマスクの２本の誘電体膜に挟まれた領
   域内に、該第１の領域の２本の誘電体膜のそれぞれに対
   して所定の間隔を隔てて平行に配置された、所定幅を有
   する２本の線状の誘電体膜からなる第２のマスクとから
   なる選択成長マスクを配置する工程と、 該選択成長マスクを用いて、上記半導体基板上の、該選
   択成長マスクが配置されていない領域上に、１層以上の
   半導体層を選択的に結晶成長させる工程とを含むことを
   特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の半導体装置の製造方法
   において、 上記第２のマスクは、上記半導体基板の半導体装置を形
   成する領域の両端に達するように配置されていることを
   特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 半導体基板を用意する工程と、 該半導体基板上に、互いに平行に配置され、その先端部
   が互いに対向する側に折れ曲がっているとともに、該折
   れ曲がった先端部の折れ曲がった側の辺上に、該折れ曲
   がった先端部以外の部分と平行な方向に突出した突出
   部，またはくぼんだくぼみ部を有する、所定幅の２本の
   ストライプ形状の誘電体膜からなる選択成長マスクを配
   置する工程と、 該選択成長マスクを用いて、上記半導体基板上の、該選
   択成長マスクが配置されていない領域上に、１層以上の
   半導体層を選択的に結晶成長させる工程とを含むことを
   特徴とする半導体装置の製造方法。