JP2000277869A - 変調器集積型半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
変調器集積型半導体レーザ装置及びその製造方法Info
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2077—Methods of obtaining the confinement using lateral bandgap control during growth, e.g. selective growth, mask induced
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 変調器集積型半導体レーザ装置において、変
調器に印加される変調信号による電界変動の影響を少な
くし、周波数特性の改善された変調器集積型半導体レー
ザ装置を提供することである。 【解決手段】 活性層１６と、この活性層１６よりもバ
ンドギャップエネルギーの大きいバルク構造の光導波層
３２と、活性層１６のバンドギャップエネルギーよりも
大きく光導波層３２のバンドギャップエネルギーよりも
小さいバルク構造の光吸収層４０とを連続した導波路
（２０、３６、４４）を形成し、この導波路（２０、３
６、４４）上または下に回折格子２４を含むクラッド層
２２を有する構成とした。
調器に印加される変調信号による電界変動の影響を少な
くし、周波数特性の改善された変調器集積型半導体レー
ザ装置を提供することである。 【解決手段】 活性層１６と、この活性層１６よりもバ
ンドギャップエネルギーの大きいバルク構造の光導波層
３２と、活性層１６のバンドギャップエネルギーよりも
大きく光導波層３２のバンドギャップエネルギーよりも
小さいバルク構造の光吸収層４０とを連続した導波路
（２０、３６、４４）を形成し、この導波路（２０、３
６、４４）上または下に回折格子２４を含むクラッド層
２２を有する構成とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光通信用に用い
られる変調器集積型半導体レーザ装置およびその製造方
法に係り、特に変調器に印加される変調信号による電界
変動の影響を少なくすることにより周波数特性を改善し
た変調器集積型半導体レーザ装置とその製造方法に関す
るものである。
られる変調器集積型半導体レーザ装置およびその製造方
法に係り、特に変調器に印加される変調信号による電界
変動の影響を少なくすることにより周波数特性を改善し
た変調器集積型半導体レーザ装置とその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバーを用いた公衆通信網の普及
には、半導体レーザの高性能化とこの半導体レーザを安
価に製造するために歩留りをよくすることが重要であ
る。特に半導体レーザの高性能化には、情報量の増大に
対応するためのレーザ光の高速変調が必須の要件であ
る。このレーザ光の高速変調には、変調時の波長の変動
を小さくして長距離の伝送を可能にするために、通常半
導体レーザを一定強度で発振させておいて、光の透過量
をオン・オフできる変調器を通すことによって変調を行
う外部変調方式が採用される。
には、半導体レーザの高性能化とこの半導体レーザを安
価に製造するために歩留りをよくすることが重要であ
る。特に半導体レーザの高性能化には、情報量の増大に
対応するためのレーザ光の高速変調が必須の要件であ
る。このレーザ光の高速変調には、変調時の波長の変動
を小さくして長距離の伝送を可能にするために、通常半
導体レーザを一定強度で発振させておいて、光の透過量
をオン・オフできる変調器を通すことによって変調を行
う外部変調方式が採用される。
【０００３】この外部変調方式では、変調器と半導体レ
ーザとの光結合が難しくまた部品点数も多いことから高
価になるというという難点があったが、この難点を克服
する方法として、半導体レーザと変調器とをモノリシッ
クに集積化した変調器集積型半導体レーザの開発が行わ
れている。この変調器集積型半導体レーザにおいては、
共通電極を接地とし、半導体レーザでは順バイアスで電
流注入され、変調器側では逆バイアスの変調信号が印加
される。このため半導体レーザと変調器の間に設けられ
た分離領域の構成が重要となってくる。また半導体変調
器においては、変調器の光吸収層を多重量子井戸構造
（以下ＭＱＷという）で形成すると、低い動作電圧で高
い消光比（ｏｎ時とｏｆｆ時の光透過量の比）が得られ
るために、高速伝送においては通常ＭＱＷの光吸収層が
使用される。
ーザとの光結合が難しくまた部品点数も多いことから高
価になるというという難点があったが、この難点を克服
する方法として、半導体レーザと変調器とをモノリシッ
クに集積化した変調器集積型半導体レーザの開発が行わ
れている。この変調器集積型半導体レーザにおいては、
共通電極を接地とし、半導体レーザでは順バイアスで電
流注入され、変調器側では逆バイアスの変調信号が印加
される。このため半導体レーザと変調器の間に設けられ
た分離領域の構成が重要となってくる。また半導体変調
器においては、変調器の光吸収層を多重量子井戸構造
（以下ＭＱＷという）で形成すると、低い動作電圧で高
い消光比（ｏｎ時とｏｆｆ時の光透過量の比）が得られ
るために、高速伝送においては通常ＭＱＷの光吸収層が
使用される。
【０００４】図２７は従来の変調器集積型半導体レーザ
（以下、変調器付レーザ、という）の一部破断斜視図で
ある。また図２８は図２７のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩ
Ｉ断面の断面図である。図２７、図２８において、２０
１は変調器付レーザ、Ｄ部は分離部と変調器部とからな
る分離・変調器部、Ｃ部はレーザ部である。
（以下、変調器付レーザ、という）の一部破断斜視図で
ある。また図２８は図２７のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩ
Ｉ断面の断面図である。図２７、図２８において、２０
１は変調器付レーザ、Ｄ部は分離部と変調器部とからな
る分離・変調器部、Ｃ部はレーザ部である。
【０００５】図２７及び図２８において、２０２はｎ−
ＩｎＰの基板、２０４はｎ−ＩｎＧａＡｓＰのレーザｎ
側光閉込層、２０６はＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷの活性
層、２０８はｐ−ＩｎＧａＡｓＰのレーザｐ側光閉込層
で、レーザｎ側光閉込層２０４と活性層２０６とレーザ
ｐ側光閉込層２０８でレーザ導波路２０７を構成してい
る。２１０はｐ−ＩｎＰの第１クラッド層、２１２はｐ
−ＩｎＧａＡｓＰの回折格子、２１４はｐ−ＩｎＰの第
２クラッド層、２１６はｐ+− ＩｎＧａＡｓのコンタク
ト層である。ここで「ｎ−」は「ｎ型」また「ｐ−」は
「ｐ型」を表す。以下も同様である。
ＩｎＰの基板、２０４はｎ−ＩｎＧａＡｓＰのレーザｎ
側光閉込層、２０６はＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷの活性
層、２０８はｐ−ＩｎＧａＡｓＰのレーザｐ側光閉込層
で、レーザｎ側光閉込層２０４と活性層２０６とレーザ
ｐ側光閉込層２０８でレーザ導波路２０７を構成してい
る。２１０はｐ−ＩｎＰの第１クラッド層、２１２はｐ
−ＩｎＧａＡｓＰの回折格子、２１４はｐ−ＩｎＰの第
２クラッド層、２１６はｐ+− ＩｎＧａＡｓのコンタク
ト層である。ここで「ｎ−」は「ｎ型」また「ｐ−」は
「ｐ型」を表す。以下も同様である。
【０００６】２１８はｎ−ＩｎＧａＡｓＰの分離・変調
器部ｎ側光閉込層、２２０は分離変調器部ＤのＩｎＧａ
ＡｓＰ−ＭＱＷの光吸収層で、変調器領域の光吸収層２
２０ａと分離領域の光導波層２２０ｂとを含んでいる。
２２２はｐ−ＩｎＧａＡｓＰの分離・変調器部ｐ側光閉
込層である。分離・変調器部ｎ側光閉込層２１８と光吸
収層２２０と分離・変調器部ｐ側光閉込層で分離・変調
器部導波路２２１を構成している。
器部ｎ側光閉込層、２２０は分離変調器部ＤのＩｎＧａ
ＡｓＰ−ＭＱＷの光吸収層で、変調器領域の光吸収層２
２０ａと分離領域の光導波層２２０ｂとを含んでいる。
２２２はｐ−ＩｎＧａＡｓＰの分離・変調器部ｐ側光閉
込層である。分離・変調器部ｎ側光閉込層２１８と光吸
収層２２０と分離・変調器部ｐ側光閉込層で分離・変調
器部導波路２２１を構成している。
【０００７】２２４はＦｅドープＩｎＰの第１埋込層、
２２６はｎ−ＩｎＰのホールトラップ層、２２８はＦｅ
ドープＩｎＰの第２埋込層で、リッジ状のレーザ導波路
２０７および分離・変調器部導波路２２１の両側面も第
１埋込層２２４、ホールトラップ層２２６および第２埋
込層２２８が形成されていてこれらは電流ブロック層を
構成し、出射端面側では窓構造２２９を構成している。
２３０はＳｉＯ2の絶縁膜、２３１はレーザ部Ｃと変調
器領域とを分離する分離溝で、２３２はＴｉ／Ａｕの表
面蒸着電極、２３４はＡｕメッキ層のｐ側レーザ電極、
２３６はＡｕメッキ層のｐ側変調器電極、２３８は蒸着
電極、２４０は共通電極である。また２４２の矢印はレ
ーザ光の射出方向である。
２２６はｎ−ＩｎＰのホールトラップ層、２２８はＦｅ
ドープＩｎＰの第２埋込層で、リッジ状のレーザ導波路
２０７および分離・変調器部導波路２２１の両側面も第
１埋込層２２４、ホールトラップ層２２６および第２埋
込層２２８が形成されていてこれらは電流ブロック層を
構成し、出射端面側では窓構造２２９を構成している。
２３０はＳｉＯ2の絶縁膜、２３１はレーザ部Ｃと変調
器領域とを分離する分離溝で、２３２はＴｉ／Ａｕの表
面蒸着電極、２３４はＡｕメッキ層のｐ側レーザ電極、
２３６はＡｕメッキ層のｐ側変調器電極、２３８は蒸着
電極、２４０は共通電極である。また２４２の矢印はレ
ーザ光の射出方向である。
【０００８】従来の変調器付レーザは以下のようにして
製造される。まず基板２０２の上にＭＯＣＶＤ法によ
り、レーザｎ側光閉込層２０４としてのｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ層、活性層２０６としてのＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ
層、レーザｐ側光閉込層２０８としてのｐ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ層、第１クラッド層２１０としてのｐ−ＩｎＰ層、
回折格子２１２を形成するｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層を順次
結晶成長で積層する。
製造される。まず基板２０２の上にＭＯＣＶＤ法によ
り、レーザｎ側光閉込層２０４としてのｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ層、活性層２０６としてのＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ
層、レーザｐ側光閉込層２０８としてのｐ−ＩｎＧａＡ
ｓＰ層、第１クラッド層２１０としてのｐ−ＩｎＰ層、
回折格子２１２を形成するｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層を順次
結晶成長で積層する。
【０００９】次に、回折格子２１２を形成するためにｐ
−ＩｎＧａＡｓＰ層を干渉露光法を用いて、格子状にエ
ッチングし、回折格子２１２を形成する。この後全面に
第１クラッド層２１０としてのｐ−ＩｎＰ層で埋込成長
させる。この第１クラッド層２１０としてのｐ−ＩｎＰ
層の上にＳｉＯ2またはＳｉＮなどの誘電体膜を形成
し、回折格子２１２を含みレーザの導波路を形成するた
めのストライプ状の誘電体膜が残るように誘電体膜をエ
ッチングし、このストライプ状の誘電体膜をマスクとし
て、分離・変調器部Ｄを含む領域の積層を基板２０２が
露呈するまでエッチングする。
−ＩｎＧａＡｓＰ層を干渉露光法を用いて、格子状にエ
ッチングし、回折格子２１２を形成する。この後全面に
第１クラッド層２１０としてのｐ−ＩｎＰ層で埋込成長
させる。この第１クラッド層２１０としてのｐ−ＩｎＰ
層の上にＳｉＯ2またはＳｉＮなどの誘電体膜を形成
し、回折格子２１２を含みレーザの導波路を形成するた
めのストライプ状の誘電体膜が残るように誘電体膜をエ
ッチングし、このストライプ状の誘電体膜をマスクとし
て、分離・変調器部Ｄを含む領域の積層を基板２０２が
露呈するまでエッチングする。
【００１０】次にストライプ状の誘電体膜を残したま
ま、ＭＯＣＶＤ法により、分離・変調器部ｎ側光閉込層
２１８としてのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、分離・変調器部
Ｄの光吸収層２２０としてのＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ
層、分離・変調器部ｐ側光閉込層２２２としてのｐ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層、および第１クラッド層２１０としての
ｐ−ＩｎＰ層を形成する。この後、ストライプ状の誘電
体膜を除去し、改めてＳｉＯ2またはＳｉＮなどの誘電
体膜を形成し、分離・変調器部Ｄおよびレーザ部Ｃの導
波路を形成するために、エッチングにより分離・変調器
部Ｄおよびレーザ部Ｃに重なるストライプ状の誘電体膜
を形成し、このストライプ状の誘電体膜をマスクとして
基板２０２が露呈するまで、ＨＢｒを用いたウエットエ
ッチングを行い、導波路のリッジ形成を行う。このとき
窓構造２２９を形成する場合には、出射端面側をもエッ
チング除去できるようなストライプ形状の誘電体膜とす
る。
ま、ＭＯＣＶＤ法により、分離・変調器部ｎ側光閉込層
２１８としてのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、分離・変調器部
Ｄの光吸収層２２０としてのＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ
層、分離・変調器部ｐ側光閉込層２２２としてのｐ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層、および第１クラッド層２１０としての
ｐ−ＩｎＰ層を形成する。この後、ストライプ状の誘電
体膜を除去し、改めてＳｉＯ2またはＳｉＮなどの誘電
体膜を形成し、分離・変調器部Ｄおよびレーザ部Ｃの導
波路を形成するために、エッチングにより分離・変調器
部Ｄおよびレーザ部Ｃに重なるストライプ状の誘電体膜
を形成し、このストライプ状の誘電体膜をマスクとして
基板２０２が露呈するまで、ＨＢｒを用いたウエットエ
ッチングを行い、導波路のリッジ形成を行う。このとき
窓構造２２９を形成する場合には、出射端面側をもエッ
チング除去できるようなストライプ形状の誘電体膜とす
る。
【００１１】次にこのストライプ形状の誘電体膜を残し
た状態で、第１埋込層２２４としてのＦｅドープＩｎＰ
層、ホールトラップ層２２６としてのｎ−ＩｎＰ層、第
２埋込層２２８としてのＦｅドープＩｎＰ層をＭＯＣＶ
Ｄ法により結晶成長する。この後、ストライプ形状の誘
電体膜を除去し、ＭＯＣＶＤ法によって全面に第２クラ
ッド層２１４としてのｐ−ＩｎＰ層、コンタクト層２１
６としてのｐ+−ＩｎＧａＡｓ層を結晶成長する。
た状態で、第１埋込層２２４としてのＦｅドープＩｎＰ
層、ホールトラップ層２２６としてのｎ−ＩｎＰ層、第
２埋込層２２８としてのＦｅドープＩｎＰ層をＭＯＣＶ
Ｄ法により結晶成長する。この後、ストライプ形状の誘
電体膜を除去し、ＭＯＣＶＤ法によって全面に第２クラ
ッド層２１４としてのｐ−ＩｎＰ層、コンタクト層２１
６としてのｐ+−ＩｎＧａＡｓ層を結晶成長する。
【００１２】次いで、分離領域に対応するコンタクト層
２１６の一部および第２クラッド層２１４の上面の一部
をエッチングにより除去し、分離溝２３１を形成する。
この後、全面に絶縁膜２３０をスパッタにより形成した
後、変調器領域及びレーザ部Ｃの電極コンタクト部分の
絶縁膜２３０を除去する。次いで表面に表面蒸着電極２
３２のＴｉ／Ａｕ膜及びＡｕメッキ層を形成する。この
後、基板２０２の裏面を基板厚みが１００μｍ程度にな
るまで研削した後、蒸着電極２３８としてのＡｕＧｅ／
Ｎｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜を蒸着により形
成し、Ａｕメッキ層をメッキでパターン形成し、共通電
極２４０を形成する。
２１６の一部および第２クラッド層２１４の上面の一部
をエッチングにより除去し、分離溝２３１を形成する。
この後、全面に絶縁膜２３０をスパッタにより形成した
後、変調器領域及びレーザ部Ｃの電極コンタクト部分の
絶縁膜２３０を除去する。次いで表面に表面蒸着電極２
３２のＴｉ／Ａｕ膜及びＡｕメッキ層を形成する。この
後、基板２０２の裏面を基板厚みが１００μｍ程度にな
るまで研削した後、蒸着電極２３８としてのＡｕＧｅ／
Ｎｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ膜を蒸着により形
成し、Ａｕメッキ層をメッキでパターン形成し、共通電
極２４０を形成する。
【００１３】上記のように構成された変調器付レーザ２
０１は、レーザ電極２３４と共通電極２４０との間に順
バイアス電圧を印加し活性層２０６に電流を注入し、レ
ーザ部Ｃで発光させたレーザ光を分離・変調器部導波路
２２１によって分離・変調器部Ｄに導き、変調器電極２
３６と共通電極２４０との間で逆バイアス電圧の変調信
号を印加し、変調信号に対応する電界を光吸収層２２０
ａに印加することにより、量子閉じ込めシュタルク効果
により高い消光比の下で変調し、この高速に変調された
レーザ光２４２を射出するものである。
０１は、レーザ電極２３４と共通電極２４０との間に順
バイアス電圧を印加し活性層２０６に電流を注入し、レ
ーザ部Ｃで発光させたレーザ光を分離・変調器部導波路
２２１によって分離・変調器部Ｄに導き、変調器電極２
３６と共通電極２４０との間で逆バイアス電圧の変調信
号を印加し、変調信号に対応する電界を光吸収層２２０
ａに印加することにより、量子閉じ込めシュタルク効果
により高い消光比の下で変調し、この高速に変調された
レーザ光２４２を射出するものである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】従来の変調器付レーザ
２０１は上記のように構成されていて、ｐ側レーザ電極
２３４とｐ側変調器電極２３６は分離溝２３１及びこの
分離溝２３１に設けられた絶縁膜２３０を介して離隔さ
れており、レーザ光２４２に波長変動の生じることを防
いでいる。しかしながら変調器の光吸収層２２０ａはＭ
ＱＷで構成されているので、低電圧で消光比が高いとい
う利点を有する一方で、変調信号による電界変動の影響
を受けて屈折率が変動しやすく、屈折率変化による波長
変動が必ずしも小さくならなかった。この波長変動が大
きい場合には伝送距離を長く取ることができなかった。
２０１は上記のように構成されていて、ｐ側レーザ電極
２３４とｐ側変調器電極２３６は分離溝２３１及びこの
分離溝２３１に設けられた絶縁膜２３０を介して離隔さ
れており、レーザ光２４２に波長変動の生じることを防
いでいる。しかしながら変調器の光吸収層２２０ａはＭ
ＱＷで構成されているので、低電圧で消光比が高いとい
う利点を有する一方で、変調信号による電界変動の影響
を受けて屈折率が変動しやすく、屈折率変化による波長
変動が必ずしも小さくならなかった。この波長変動が大
きい場合には伝送距離を長く取ることができなかった。
【００１５】またレーザ部Ｃと分離・変調器部Ｄとは接
合面を介して配置されていて、分離・変調器部Ｄは再成
長により形成されている。つまり分離・変調器部Ｄが一
回のバットジョイント（Butt-joint）法によって形成さ
れ、均一なバンドギャップエネルギーを有する構成にな
っていた。このような変調器付半導体レーザ２０１を作
動する場合、変調器電極２３６と共通電極２４０との間
で変調信号が印加される。この変調信号により発生する
電界は変調器電極２３６とこの変調器電極２３６直下の
共通電極２４０との間のみならず、変調器電極２３６と
レーザ部Ｃ側の共通電極２４０との間にも発生し、分離
・変調器部導波路２２１の分離溝２３１直下の部分にも
電界が生じる。
合面を介して配置されていて、分離・変調器部Ｄは再成
長により形成されている。つまり分離・変調器部Ｄが一
回のバットジョイント（Butt-joint）法によって形成さ
れ、均一なバンドギャップエネルギーを有する構成にな
っていた。このような変調器付半導体レーザ２０１を作
動する場合、変調器電極２３６と共通電極２４０との間
で変調信号が印加される。この変調信号により発生する
電界は変調器電極２３６とこの変調器電極２３６直下の
共通電極２４０との間のみならず、変調器電極２３６と
レーザ部Ｃ側の共通電極２４０との間にも発生し、分離
・変調器部導波路２２１の分離溝２３１直下の部分にも
電界が生じる。
【００１６】先に述べたように光導波層２２０ｂと光吸
収層２２０ａとは、一回のバットジョイント法による再
成長により形成されるため、均一なバンドギャップエネ
ルギーを有する構成になっている。このために、変調信
号による電界によって変調器電極２３６の直下の光吸収
層２２０ａのみに光吸収が生じるのではなく、分離溝２
３１直下の導波路領域にかかるわずかな電界によって、
光導波層２２０ｂにおいても光吸収が発生し、光吸収層
として動作するという不都合が生じる。光導波層２２０
ｂが光吸収層として動作した場合には、光導波層２２０
ｂにかかる電界は光吸収層２２０ａにかかる電界に比べ
て小さいために、光導波層２２０ｂのｐｎ接合部分での
空乏層が大きく広がらないので接合容量が大きくなり、
変調信号の周波数に対して、低周波領域で光の吸収は大
きく、高周波領域で小さい。このために全体の周波数特
性が平坦にならずに波形（なみがた）に歪むような様子
を示す場合があった。
収層２２０ａとは、一回のバットジョイント法による再
成長により形成されるため、均一なバンドギャップエネ
ルギーを有する構成になっている。このために、変調信
号による電界によって変調器電極２３６の直下の光吸収
層２２０ａのみに光吸収が生じるのではなく、分離溝２
３１直下の導波路領域にかかるわずかな電界によって、
光導波層２２０ｂにおいても光吸収が発生し、光吸収層
として動作するという不都合が生じる。光導波層２２０
ｂが光吸収層として動作した場合には、光導波層２２０
ｂにかかる電界は光吸収層２２０ａにかかる電界に比べ
て小さいために、光導波層２２０ｂのｐｎ接合部分での
空乏層が大きく広がらないので接合容量が大きくなり、
変調信号の周波数に対して、低周波領域で光の吸収は大
きく、高周波領域で小さい。このために全体の周波数特
性が平坦にならずに波形（なみがた）に歪むような様子
を示す場合があった。
【００１７】この発明は上記の問題点を解消するために
なされたもので、第１の目的は、半導体レーザと変調器
とを集積化した変調器集積型半導体レーザ装置におい
て、変調器に印加される変調信号による電界変動の影響
を少なくすることにより、周波数特性の改善された変調
器集積型半導体レーザ装置を提供することである。
なされたもので、第１の目的は、半導体レーザと変調器
とを集積化した変調器集積型半導体レーザ装置におい
て、変調器に印加される変調信号による電界変動の影響
を少なくすることにより、周波数特性の改善された変調
器集積型半導体レーザ装置を提供することである。
【００１８】また第２の目的は、変調器をバルク構造と
し変調信号の電界によって変化する吸収係数の変動を小
さくし吸収係数変化による屈折率変化を小さくするとと
もに、半導体レーザと変調器との間に介在する分離領域
の光導波層をバルク構造にし、漏れ電界による光導波層
での光の吸収を少なくすることによって、周波数特性が
良好でかつ高出力な変調器集積型半導体レーザ装置を提
供することである。
し変調信号の電界によって変化する吸収係数の変動を小
さくし吸収係数変化による屈折率変化を小さくするとと
もに、半導体レーザと変調器との間に介在する分離領域
の光導波層をバルク構造にし、漏れ電界による光導波層
での光の吸収を少なくすることによって、周波数特性が
良好でかつ高出力な変調器集積型半導体レーザ装置を提
供することである。
【００１９】また第３の目的は、半導体レーザ、変調器
及びこれら両部の間に介在する分離領域それぞれの導波
路が接合を介して連続させるとともに、分離領域の光導
波層をバルク結晶構造にすることにより、変調器に印加
される変調信号による電界変動の影響を少なくし、周波
数特性の改善された変調器集積型半導体レーザ装置を提
供することである。
及びこれら両部の間に介在する分離領域それぞれの導波
路が接合を介して連続させるとともに、分離領域の光導
波層をバルク結晶構造にすることにより、変調器に印加
される変調信号による電界変動の影響を少なくし、周波
数特性の改善された変調器集積型半導体レーザ装置を提
供することである。
【００２０】また第４の目的は、周波数特性の改善され
た変調器集積型半導体レーザ装置を容易に形成できる製
造方法を提供することである。
た変調器集積型半導体レーザ装置を容易に形成できる製
造方法を提供することである。
【００２１】なお、変調器集積型半導体レーザ装置の導
波路のレーザ部、分離部及び変調器部でバンドギャップ
波長を変えた公知文献として、特開平８−３３５７４５
号公報がある。これはバットジョイント法で形成された
分離部及び変調器部を有する変調器集積半導体レーザ装
置において、分離部にイオン注入を施して短波長化を図
ったものであるが、変調器の光吸収層がバルク構造であ
る点の開示は無く、分離部と変調器とが接合面を介して
配置された点の記載も無く構成を異にする。さらに、変
調器付レーザにおいて、半導体レーザ部分、変調器部分
及びこれらの中間部分を選択成長により一度に形成し、
半導体レーザ部分の発光波長を変調器部の発光波長より
大きくするとともに、これら両部の中間に当たる遷移領
域の発光波長を半導体レーザ部分、変調器部分よりも小
さくすることが、特開平７−１７６８２７号公報に開示
されているが、これには半導体レーザ部と分離部との間
をバットジョイント法で接合されることの開示は無く、
また活性層、光導波路層および光吸収層がＭＱＷ構造に
なっているので構成を異にしている。
波路のレーザ部、分離部及び変調器部でバンドギャップ
波長を変えた公知文献として、特開平８−３３５７４５
号公報がある。これはバットジョイント法で形成された
分離部及び変調器部を有する変調器集積半導体レーザ装
置において、分離部にイオン注入を施して短波長化を図
ったものであるが、変調器の光吸収層がバルク構造であ
る点の開示は無く、分離部と変調器とが接合面を介して
配置された点の記載も無く構成を異にする。さらに、変
調器付レーザにおいて、半導体レーザ部分、変調器部分
及びこれらの中間部分を選択成長により一度に形成し、
半導体レーザ部分の発光波長を変調器部の発光波長より
大きくするとともに、これら両部の中間に当たる遷移領
域の発光波長を半導体レーザ部分、変調器部分よりも小
さくすることが、特開平７−１７６８２７号公報に開示
されているが、これには半導体レーザ部と分離部との間
をバットジョイント法で接合されることの開示は無く、
また活性層、光導波路層および光吸収層がＭＱＷ構造に
なっているので構成を異にしている。
【００２２】
【課題を解決するための手段】この発明に係る変調器集
積型半導体レーザ装置においては、第１導電型の半導体
基板と、この半導体基板の一主面上の一部に配設される
とともに、活性層を有するリッジ状の第一の導波路と、
この第一の導波路の延長方向にこの第一の導波路と連続
して半導体基板上に配設されるとともに、活性層よりも
バンドギャップエネルギーの大きいバルク構造の光導波
層を有するリッジ状の第二の導波路と、この第二の導波
路の延長方向にこの第二の導波路と連続して半導体基板
上に配設されるとともに、活性層のバンドギャップエネ
ルギーよりも大きく光導波層のバンドギャップエネルギ
ーよりも小さいバルク構造の光吸収層を有するリッジ状
の第三の導波路と、これら第一、第二及び第三の導波路
上に配設された第二導電型半導体の第一クラッド層と、
この第一のクラッド層または半導体基板と第一、第二及
び第三の導波路との間に配設され、第一の導波路に沿っ
て配設された回折格子を含むリッジ状の第二のクラッド
層と、第一、第二のクラッド層、第一、第二及び第三の
導波路の両側の半導体基板上に配設された電流ブロック
層と、第一のクラッド層の上に活性層に対向して配設さ
れた第一の電極と、この第一の電極と分離し、第一のク
ラッド層の上に光吸収層に対向して配設された第二の電
極と、半導体基板の他主面上に配設された第三の電極
と、を備えたもので、この構成を備えることにより、変
調器に印加される変調信号による電界変動の影響を少な
くする、つまり変調信号の電界によって変化する吸収係
数の変動を小さくし、吸収係数変化による変調器の屈折
率変化を小さくするとともに、半導体レーザと変調器と
の間に介在する分離領域の光導波層をバルク構造にし、
漏れ電界による光導波層での光の吸収を少なくすること
によって、周波数特性を良好にするものである。
積型半導体レーザ装置においては、第１導電型の半導体
基板と、この半導体基板の一主面上の一部に配設される
とともに、活性層を有するリッジ状の第一の導波路と、
この第一の導波路の延長方向にこの第一の導波路と連続
して半導体基板上に配設されるとともに、活性層よりも
バンドギャップエネルギーの大きいバルク構造の光導波
層を有するリッジ状の第二の導波路と、この第二の導波
路の延長方向にこの第二の導波路と連続して半導体基板
上に配設されるとともに、活性層のバンドギャップエネ
ルギーよりも大きく光導波層のバンドギャップエネルギ
ーよりも小さいバルク構造の光吸収層を有するリッジ状
の第三の導波路と、これら第一、第二及び第三の導波路
上に配設された第二導電型半導体の第一クラッド層と、
この第一のクラッド層または半導体基板と第一、第二及
び第三の導波路との間に配設され、第一の導波路に沿っ
て配設された回折格子を含むリッジ状の第二のクラッド
層と、第一、第二のクラッド層、第一、第二及び第三の
導波路の両側の半導体基板上に配設された電流ブロック
層と、第一のクラッド層の上に活性層に対向して配設さ
れた第一の電極と、この第一の電極と分離し、第一のク
ラッド層の上に光吸収層に対向して配設された第二の電
極と、半導体基板の他主面上に配設された第三の電極
と、を備えたもので、この構成を備えることにより、変
調器に印加される変調信号による電界変動の影響を少な
くする、つまり変調信号の電界によって変化する吸収係
数の変動を小さくし、吸収係数変化による変調器の屈折
率変化を小さくするとともに、半導体レーザと変調器と
の間に介在する分離領域の光導波層をバルク構造にし、
漏れ電界による光導波層での光の吸収を少なくすること
によって、周波数特性を良好にするものである。
【００２３】さらに、第二の導波路を第一の導波路と接
合面を介して連続させたので、設計の自由度高く保ちな
がら周波数特性を良好にするものである。
合面を介して連続させたので、設計の自由度高く保ちな
がら周波数特性を良好にするものである。
【００２４】さらに、第三の導波路を第二の導波路と接
合面を介して連続させるとともに光導波層及び光吸収層
をともにバルク結晶構造としたもので、光の吸収を少な
くして、周波数特性を良好にするものである。またさら
に、光導波層および光吸収層をともにディスオーダリン
グによる混晶化された多重量子井戸構造とし、光導波層
の混晶化の程度を吸収層のそれよりも高くしたもので、
簡単な構成で周波数特性を良好にするものである。また
さらに、第二の導波路を第一の導波路に隣接する側より
も第三の導波路に隣接する側で厚い導波路厚みとしたも
ので、光の吸収を少なくして、周波数特性を良好にする
ものである。
合面を介して連続させるとともに光導波層及び光吸収層
をともにバルク結晶構造としたもので、光の吸収を少な
くして、周波数特性を良好にするものである。またさら
に、光導波層および光吸収層をともにディスオーダリン
グによる混晶化された多重量子井戸構造とし、光導波層
の混晶化の程度を吸収層のそれよりも高くしたもので、
簡単な構成で周波数特性を良好にするものである。また
さらに、第二の導波路を第一の導波路に隣接する側より
も第三の導波路に隣接する側で厚い導波路厚みとしたも
ので、光の吸収を少なくして、周波数特性を良好にする
ものである。
【００２５】また、第１導電型の半導体基板と、この半
導体基板の一主面上の一部に配設されるとともに、活性
層を有するリッジ状の第一の導波路と、この第一の導波
路の延長方向にこの第一の導波路と接合面を介して連続
し半導体基板上に配設されるとともに、活性層よりもバ
ンドギャップエネルギーの大きい光導波層を有するリッ
ジ状の第二の導波路と、この第二の導波路の延長方向に
この第二の導波路と接合面を介して連続し半導体基板上
に配設されるとともに、活性層のバンドギャップエネル
ギーよりも大きく光導波層のバンドギャップエネルギー
よりも小さい多重量子井戸構造の光吸収層を有するリッ
ジ状の第三の導波路と、これら第一、第二及び第三の導
波路上に配設された第二導電型半導体の第一クラッド層
と、この第一のクラッド層または半導体基板と第一、第
二及び第三の導波路との間に配設され、第一の導波路に
沿って配設された回折格子を含むリッジ状の第二のクラ
ッド層と、第一、第二のクラッド層、上記第一、第二及
び第三の導波路の両側の上記半導体基板上に配設された
電流ブロック層と、第一のクラッド層の上に活性層に対
向して配設された第一の電極と、この第一の電極と分離
し、第一のクラッド層の上に吸収層に対向して配設され
た第二の電極と、半導体基板の他主面上に配設された第
三の電極と、を備えたので、光の吸収を少なくしつつ、
変調器に印加される変調信号による電界変動の影響を少
なくすることにより、周波数特性を良好にするものであ
る。
導体基板の一主面上の一部に配設されるとともに、活性
層を有するリッジ状の第一の導波路と、この第一の導波
路の延長方向にこの第一の導波路と接合面を介して連続
し半導体基板上に配設されるとともに、活性層よりもバ
ンドギャップエネルギーの大きい光導波層を有するリッ
ジ状の第二の導波路と、この第二の導波路の延長方向に
この第二の導波路と接合面を介して連続し半導体基板上
に配設されるとともに、活性層のバンドギャップエネル
ギーよりも大きく光導波層のバンドギャップエネルギー
よりも小さい多重量子井戸構造の光吸収層を有するリッ
ジ状の第三の導波路と、これら第一、第二及び第三の導
波路上に配設された第二導電型半導体の第一クラッド層
と、この第一のクラッド層または半導体基板と第一、第
二及び第三の導波路との間に配設され、第一の導波路に
沿って配設された回折格子を含むリッジ状の第二のクラ
ッド層と、第一、第二のクラッド層、上記第一、第二及
び第三の導波路の両側の上記半導体基板上に配設された
電流ブロック層と、第一のクラッド層の上に活性層に対
向して配設された第一の電極と、この第一の電極と分離
し、第一のクラッド層の上に吸収層に対向して配設され
た第二の電極と、半導体基板の他主面上に配設された第
三の電極と、を備えたので、光の吸収を少なくしつつ、
変調器に印加される変調信号による電界変動の影響を少
なくすることにより、周波数特性を良好にするものであ
る。
【００２６】さらに、光導波層をバルク結晶構造とした
ので光の吸収を少なくしつつ、変調器に印加される変調
信号による電界変動の影響を少なくして、周波数特性を
良好にするものである。
ので光の吸収を少なくしつつ、変調器に印加される変調
信号による電界変動の影響を少なくして、周波数特性を
良好にするものである。
【００２７】またさらに、光導波層を多重量子井戸構造
としたので、光の吸収を少なくしつつ、周波数特性を良
好にするものである。
としたので、光の吸収を少なくしつつ、周波数特性を良
好にするものである。
【００２８】この発明に係る変調器集積型半導体レーザ
装置の製造方法は、第一導電型の半導体基板の一主面上
に、活性層を有する第一の導波路層とこの第一の導波路
層の上に配設された第二導電型半導体の第一クラッド層
とが配設され、この第一のクラッド層または半導体基板
と上記第一の導波路層との間に、回折格子を埋設した所
定の導電型の半導体の第二のクラッド層をさらに備えた
積層構造を準備する第一の工程と、第一のクラッド層の
表面上に、レーザの導波方向に延在し回折格子に重なる
とともに半導体基板の一部長さを全長とするストライプ
状の第一の誘電体膜を形成し、この第一の誘電体膜をマ
スクとして半導体基板が露呈するまでエッチングする第
二の工程と、第一の誘電体膜をマスクとし、活性層より
もバンドギャップエネルギーの大きい光導波層を有する
第二の導波路層および第二導電型半導体の第三のクラッ
ド層を、エッチングで露呈した半導体基板上に順次形成
する第三の工程と、第一の誘電体膜を除去し、第二のク
ラッド層及び第三のクラッド層の表面上に、第一の誘電
体膜の位置を含みさらにレーザの導波方向に延長させた
ストライプ状の第二の誘電体膜を形成し、この第二の誘
電体膜をマスクとして半導体基板が露呈するまでエッチ
ングする第四の工程と、第二の誘電体膜をマスクとし、
活性層のバンドギャップエネルギーよりも大きく光導波
層のバンドギャップエネルギーよりも小さい半導体の光
吸収層を有する第三の導波路層および第二導電型半導体
の第四のクラッド層を、エッチングで露呈した半導体基
板上に順次形成する第五の工程と、第二の誘電体膜を除
去し、第二のクラッド層、第三のクラッド層及び第四の
クラッド層の表面上に、第二の誘電体膜の位置を含みさ
らにレーザの導波方向に延長したストライプ状の第三の
誘電体膜を形成し、この第三の誘電体膜をマスクとして
半導体基板が露呈するまでエッチングしてリッジを形成
し、エッチングで露呈した半導体基板上に電流ブロック
層を形成する第六の工程と、を含むので、第一、第二お
よび第三の導波路層それぞれを個別に結晶成長により形
成できるから、周波数特性の改善された変調器集積型半
導体レーザ装置を設計の自由度高く、容易に形成でき
る。
装置の製造方法は、第一導電型の半導体基板の一主面上
に、活性層を有する第一の導波路層とこの第一の導波路
層の上に配設された第二導電型半導体の第一クラッド層
とが配設され、この第一のクラッド層または半導体基板
と上記第一の導波路層との間に、回折格子を埋設した所
定の導電型の半導体の第二のクラッド層をさらに備えた
積層構造を準備する第一の工程と、第一のクラッド層の
表面上に、レーザの導波方向に延在し回折格子に重なる
とともに半導体基板の一部長さを全長とするストライプ
状の第一の誘電体膜を形成し、この第一の誘電体膜をマ
スクとして半導体基板が露呈するまでエッチングする第
二の工程と、第一の誘電体膜をマスクとし、活性層より
もバンドギャップエネルギーの大きい光導波層を有する
第二の導波路層および第二導電型半導体の第三のクラッ
ド層を、エッチングで露呈した半導体基板上に順次形成
する第三の工程と、第一の誘電体膜を除去し、第二のク
ラッド層及び第三のクラッド層の表面上に、第一の誘電
体膜の位置を含みさらにレーザの導波方向に延長させた
ストライプ状の第二の誘電体膜を形成し、この第二の誘
電体膜をマスクとして半導体基板が露呈するまでエッチ
ングする第四の工程と、第二の誘電体膜をマスクとし、
活性層のバンドギャップエネルギーよりも大きく光導波
層のバンドギャップエネルギーよりも小さい半導体の光
吸収層を有する第三の導波路層および第二導電型半導体
の第四のクラッド層を、エッチングで露呈した半導体基
板上に順次形成する第五の工程と、第二の誘電体膜を除
去し、第二のクラッド層、第三のクラッド層及び第四の
クラッド層の表面上に、第二の誘電体膜の位置を含みさ
らにレーザの導波方向に延長したストライプ状の第三の
誘電体膜を形成し、この第三の誘電体膜をマスクとして
半導体基板が露呈するまでエッチングしてリッジを形成
し、エッチングで露呈した半導体基板上に電流ブロック
層を形成する第六の工程と、を含むので、第一、第二お
よび第三の導波路層それぞれを個別に結晶成長により形
成できるから、周波数特性の改善された変調器集積型半
導体レーザ装置を設計の自由度高く、容易に形成でき
る。
【００２９】また、第一導電型の半導体基板の一主面上
に、活性層を有する第一の導波路層とこの第一の導波路
層の上に配設された第二導電型半導体の第一のクラッド
層とが配設され、この第一のクラッド層または半導体基
板と第一の導波路層との間に、回折格子を埋設した所定
の導電型の半導体の第二のクラッド層をさらに備えた積
層構造を準備する第一の工程と、第一のクラッド層の表
面上に、レーザの導波方向に延在し回折格子に重なると
ともに半導体基板の一部長さを全長とするストライプ状
の第一の誘電体膜とこの第一の誘電体膜のレーザ導波方
向の延長上のストライプ部分を介して互いに対向し第一
の誘電体膜に近接する端部を含む一部が他部より幅が狭
い一対の第二の誘電体膜とを形成し、これらの誘電体膜
をマスクとして半導体基板が露呈するまでエッチングす
る第二の工程と、第一，第二の誘電体膜をマスクとし、
活性層よりもバンドギャップエネルギーの大きい半導体
層を有する第二の導波路層および第二導電型半導体の第
三のクラッド層を、エッチングで露呈した半導体基板上
に選択成長により順次形成する第三の工程と、第一，第
二の誘電体膜を除去し、第二のクラッド層および第三の
クラッド層の表面上に、第二の誘電体膜の位置を含みさ
らにレーザの導波方向に延長したストライプ状の第三の
誘電体膜を形成し、この第三の誘電体膜をマスクとして
半導体基板が露呈するまでエッチングしてリッジを形成
し、エッチングで露呈した半導体基板上電流ブロック層
を形成する第四の工程と、を含むので、分離領域と変調
器部の導波路を一度に形成できるので、工程の簡単化を
行うことができる。
に、活性層を有する第一の導波路層とこの第一の導波路
層の上に配設された第二導電型半導体の第一のクラッド
層とが配設され、この第一のクラッド層または半導体基
板と第一の導波路層との間に、回折格子を埋設した所定
の導電型の半導体の第二のクラッド層をさらに備えた積
層構造を準備する第一の工程と、第一のクラッド層の表
面上に、レーザの導波方向に延在し回折格子に重なると
ともに半導体基板の一部長さを全長とするストライプ状
の第一の誘電体膜とこの第一の誘電体膜のレーザ導波方
向の延長上のストライプ部分を介して互いに対向し第一
の誘電体膜に近接する端部を含む一部が他部より幅が狭
い一対の第二の誘電体膜とを形成し、これらの誘電体膜
をマスクとして半導体基板が露呈するまでエッチングす
る第二の工程と、第一，第二の誘電体膜をマスクとし、
活性層よりもバンドギャップエネルギーの大きい半導体
層を有する第二の導波路層および第二導電型半導体の第
三のクラッド層を、エッチングで露呈した半導体基板上
に選択成長により順次形成する第三の工程と、第一，第
二の誘電体膜を除去し、第二のクラッド層および第三の
クラッド層の表面上に、第二の誘電体膜の位置を含みさ
らにレーザの導波方向に延長したストライプ状の第三の
誘電体膜を形成し、この第三の誘電体膜をマスクとして
半導体基板が露呈するまでエッチングしてリッジを形成
し、エッチングで露呈した半導体基板上電流ブロック層
を形成する第四の工程と、を含むので、分離領域と変調
器部の導波路を一度に形成できるので、工程の簡単化を
行うことができる。
【００３０】また、第一導電型の半導体基板の一主面上
に、レーザの導波方向に延在し半導体基板の長さの一部
を全長とするストライプ形状を介して互いに対向しレー
ザの導波方向の一端を含む一部が他部より幅が狭い形状
をした一対の第一の誘電体膜を形成し、この第一の誘電
体膜をマスクとして半導体基板よりもバンドギャップエ
ネルギーの小さな第一の半導体層を有する第一の導波路
層を選択成長により形成する第一の工程と、第一の誘電
体膜を除去し、一対の第一の誘電体膜に挟まれて形成さ
れた第一の導波路層の表面上の位置に、この第一の誘電
体膜の長さに対応するストライプ形状の第二の誘電体膜
を形成し、この第二の誘電体膜をマスクとして半導体基
板が露呈するまでエッチングする第二の工程と、第二の
誘電体膜をマスクとし、第一の半導体層よりもバンドギ
ャップエネルギーの小さい半導体の活性層を有する第二
の導波路層を、エッチングで露呈した半導体基板上に選
択成長により形成する第三の工程と、第二の誘電体膜を
除去し、第一，第二の導波路層の上に第二導電型半導体
の第一クラッド層および第二導電型半導体の光ガイド層
を順次形成し、光ガイド層をエッチングして活性層に対
向する回折格子を形成し、第二導電型半導体の第二のク
ラッド層で前記回折格子を埋設する第四の工程と、第二
のクラッド層の上に、第二の誘電体膜の幅以下の幅でレ
ーザの導波方向に延在し第一の半導体層と活性層を覆う
長さをしたストライプ状の第三の誘電体膜を形成し、こ
の第三の誘電体膜をマスクとして半導体基板が露呈する
までエッチングしてリッジを形成し、エッチングで露呈
した半導体基板上に電流ブロック層を形成する第五の工
程と、を含むので、分離領域と変調器部の導波路を一度
に形成できるので、工程の簡単化を行うことができる。
に、レーザの導波方向に延在し半導体基板の長さの一部
を全長とするストライプ形状を介して互いに対向しレー
ザの導波方向の一端を含む一部が他部より幅が狭い形状
をした一対の第一の誘電体膜を形成し、この第一の誘電
体膜をマスクとして半導体基板よりもバンドギャップエ
ネルギーの小さな第一の半導体層を有する第一の導波路
層を選択成長により形成する第一の工程と、第一の誘電
体膜を除去し、一対の第一の誘電体膜に挟まれて形成さ
れた第一の導波路層の表面上の位置に、この第一の誘電
体膜の長さに対応するストライプ形状の第二の誘電体膜
を形成し、この第二の誘電体膜をマスクとして半導体基
板が露呈するまでエッチングする第二の工程と、第二の
誘電体膜をマスクとし、第一の半導体層よりもバンドギ
ャップエネルギーの小さい半導体の活性層を有する第二
の導波路層を、エッチングで露呈した半導体基板上に選
択成長により形成する第三の工程と、第二の誘電体膜を
除去し、第一，第二の導波路層の上に第二導電型半導体
の第一クラッド層および第二導電型半導体の光ガイド層
を順次形成し、光ガイド層をエッチングして活性層に対
向する回折格子を形成し、第二導電型半導体の第二のク
ラッド層で前記回折格子を埋設する第四の工程と、第二
のクラッド層の上に、第二の誘電体膜の幅以下の幅でレ
ーザの導波方向に延在し第一の半導体層と活性層を覆う
長さをしたストライプ状の第三の誘電体膜を形成し、こ
の第三の誘電体膜をマスクとして半導体基板が露呈する
までエッチングしてリッジを形成し、エッチングで露呈
した半導体基板上に電流ブロック層を形成する第五の工
程と、を含むので、分離領域と変調器部の導波路を一度
に形成できるので、工程の簡単化を行うことができる。
【００３１】また、第一導電型の半導体基板の一主面上
に、レーザの導波方向に延在し半導体基板の長さの一部
を全長とした回折格子を介して、第一導電型半導体の第
一のクラッド層が配設された積層構造を準備する第一の
工程と、第一のクラッド層の表面上に、回折格子先端よ
りレーザの導波方向に延在するストライプ部分を介して
互いに対向し回折格子に近接する端部を含む一部が他部
より幅が狭い一対の第一の誘電体膜を形成し、この第一
の誘電体膜をマスクとして第一の半導体層よりもバンド
ギャップエネルギーの小さい半導体の活性層を有する第
一の導波路層を、エッチングで露呈した半導体基板上に
選択成長により形成する第二の工程と、第一の導波路層
の表面上に、一対の第一の誘電体膜に挟まれた位置にこ
の第一の誘電体膜の長さに対応するストライプ形状の第
二の誘電体膜を形成し、この第二の誘電体膜をマスクと
して第一のクラッド層が露呈するまでエッチングする第
二の工程と、第二の誘電体膜をマスクとし、第一の半導
体層よりもバンドギャップエネルギーの小さい半導体の
活性層を有する第二の導波路層を、半導体基板上に選択
成長により形成する第三の工程と、残存する誘電体膜を
除去し、第一，第二の導波路層上に第二のクラッド層を
形成する工程と、第二のクラッド層の上に、第二の誘電
体膜の幅以下の幅でレーザの導波方向に延在し第一の半
導体層と活性層を覆う長さをしたストライプ状の第三の
誘電体膜を形成し、この第三の誘電体膜をマスクとして
半導体基板が露呈するまでエッチングしてリッジを形成
し、エッチングで露呈した半導体基板上に電流ブロック
層を形成する第五の工程と、を含むので、基板側に回折
格子を備えた構成において、分離領域と変調器部の導波
路を一度に形成できるので、工程の簡単化を行うことが
できる。
に、レーザの導波方向に延在し半導体基板の長さの一部
を全長とした回折格子を介して、第一導電型半導体の第
一のクラッド層が配設された積層構造を準備する第一の
工程と、第一のクラッド層の表面上に、回折格子先端よ
りレーザの導波方向に延在するストライプ部分を介して
互いに対向し回折格子に近接する端部を含む一部が他部
より幅が狭い一対の第一の誘電体膜を形成し、この第一
の誘電体膜をマスクとして第一の半導体層よりもバンド
ギャップエネルギーの小さい半導体の活性層を有する第
一の導波路層を、エッチングで露呈した半導体基板上に
選択成長により形成する第二の工程と、第一の導波路層
の表面上に、一対の第一の誘電体膜に挟まれた位置にこ
の第一の誘電体膜の長さに対応するストライプ形状の第
二の誘電体膜を形成し、この第二の誘電体膜をマスクと
して第一のクラッド層が露呈するまでエッチングする第
二の工程と、第二の誘電体膜をマスクとし、第一の半導
体層よりもバンドギャップエネルギーの小さい半導体の
活性層を有する第二の導波路層を、半導体基板上に選択
成長により形成する第三の工程と、残存する誘電体膜を
除去し、第一，第二の導波路層上に第二のクラッド層を
形成する工程と、第二のクラッド層の上に、第二の誘電
体膜の幅以下の幅でレーザの導波方向に延在し第一の半
導体層と活性層を覆う長さをしたストライプ状の第三の
誘電体膜を形成し、この第三の誘電体膜をマスクとして
半導体基板が露呈するまでエッチングしてリッジを形成
し、エッチングで露呈した半導体基板上に電流ブロック
層を形成する第五の工程と、を含むので、基板側に回折
格子を備えた構成において、分離領域と変調器部の導波
路を一度に形成できるので、工程の簡単化を行うことが
できる。
【００３２】
【発明の実施の形態】実施の形態１ 図１はこの発明の一つの実施の形態に係る変調器付半導
体レーザの一部破断斜視図である。図２は図１のＩＩ−
ＩＩ断面の断面図である。ここでは一例として幹線通信
用として使用される１０Gb/sの変調器付半導体レーザに
ついて説明する。この変調器付半導体レーザは電界吸収
型外部変調器と単一波長レーザとを集積した複合光デバ
イスである。
体レーザの一部破断斜視図である。図２は図１のＩＩ−
ＩＩ断面の断面図である。ここでは一例として幹線通信
用として使用される１０Gb/sの変調器付半導体レーザに
ついて説明する。この変調器付半導体レーザは電界吸収
型外部変調器と単一波長レーザとを集積した複合光デバ
イスである。
【００３３】図１及び図２において、１０は変調器付レ
ーザ、Ａ部は変調器部、Ｂ部は分離部、 Ｃ部はレーザ
部である。図１及び図２において、１２はｎ−ＩｎＰの
基板、１４は基板１２の一端のＣ部に配設されたストラ
イプ状をしたｎ−ＩｎＧａＡｓＰのレーザｎ側光閉込層
である。なおこのｎ−ＩｎＧａＡｓＰを含めて以下の材
料表記においてＩｎＧａＡｓＰと記載しているのは所定
の組成比を有するＩｎＧａＡｓＰ系材料を意味するもの
とする。
ーザ、Ａ部は変調器部、Ｂ部は分離部、 Ｃ部はレーザ
部である。図１及び図２において、１２はｎ−ＩｎＰの
基板、１４は基板１２の一端のＣ部に配設されたストラ
イプ状をしたｎ−ＩｎＧａＡｓＰのレーザｎ側光閉込層
である。なおこのｎ−ＩｎＧａＡｓＰを含めて以下の材
料表記においてＩｎＧａＡｓＰと記載しているのは所定
の組成比を有するＩｎＧａＡｓＰ系材料を意味するもの
とする。
【００３４】１６はレーザｎ側光閉込層１４の上に積層
されたＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷの活性層、１８は活性層
１６の上に積層されたｐ−ＩｎＧａＡｓＰのレーザｐ側
光閉込層で、レーザｎ側光閉込層１４と活性層１６とレ
ーザｐ側光閉込層１８はリッジ状に積層されて、第１の
導波路としてのレーザ導波路２０を構成している。
されたＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷの活性層、１８は活性層
１６の上に積層されたｐ−ＩｎＧａＡｓＰのレーザｐ側
光閉込層で、レーザｎ側光閉込層１４と活性層１６とレ
ーザｐ側光閉込層１８はリッジ状に積層されて、第１の
導波路としてのレーザ導波路２０を構成している。
【００３５】２２ｃはｐ−ＩｎＰの第１クラッド層で、
レーザ導波路２０上に配設されている。２４はｐ−Ｉｎ
ＧａＡｓＰの回折格子で、活性層１６に対向して第１ク
ラッド層２２ｃに埋設されている。２６はｐ−ＩｎＰの
第２クラッド層で変調器部Ａ、分離部Ｂ、レーザ部Ｃの
全面を覆って第１クラッド層２２（２２ａ，２２ｂおよ
び２２ｃ）上に配設されている。２８はｐ+− ＩｎＧａ
Ａｓのコンタクト層で、分離部Ｂを除く変調器部Ａ及び
レーザ部Ｃの第２クラッド層２６上に配設されている。
レーザ導波路２０上に配設されている。２４はｐ−Ｉｎ
ＧａＡｓＰの回折格子で、活性層１６に対向して第１ク
ラッド層２２ｃに埋設されている。２６はｐ−ＩｎＰの
第２クラッド層で変調器部Ａ、分離部Ｂ、レーザ部Ｃの
全面を覆って第１クラッド層２２（２２ａ，２２ｂおよ
び２２ｃ）上に配設されている。２８はｐ+− ＩｎＧａ
Ａｓのコンタクト層で、分離部Ｂを除く変調器部Ａ及び
レーザ部Ｃの第２クラッド層２６上に配設されている。
【００３６】３０は分離部Ｂの基板１２上に配設された
ｎ−ＩｎＧａＡｓＰの分離部ｎ側光閉込層で、３２は分
離部ｎ側光閉込層３０上に配設された光導波層で、活性
層１６よりもバンドギャップエネルギーの大きな材料で
構成されたＩｎＧａＡｓＰのバルク構造をしている。バ
ルク構造としては、再結晶成長によるバルク結晶構造で
もよいし、ＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷにイオン注入を行っ
て混晶化したいわゆるバルクライクな構造でもよい。３
４は光導波層３２の上に配設されたｐ−ＩｎＧａＡｓＰ
の分離部ｐ側光閉込層である。２２ｂは分離部ｐ側光閉
込層３４上に配設された第１クラッド層である。
ｎ−ＩｎＧａＡｓＰの分離部ｎ側光閉込層で、３２は分
離部ｎ側光閉込層３０上に配設された光導波層で、活性
層１６よりもバンドギャップエネルギーの大きな材料で
構成されたＩｎＧａＡｓＰのバルク構造をしている。バ
ルク構造としては、再結晶成長によるバルク結晶構造で
もよいし、ＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷにイオン注入を行っ
て混晶化したいわゆるバルクライクな構造でもよい。３
４は光導波層３２の上に配設されたｐ−ＩｎＧａＡｓＰ
の分離部ｐ側光閉込層である。２２ｂは分離部ｐ側光閉
込層３４上に配設された第１クラッド層である。
【００３７】分離部ｎ側光閉込層３０、光導波層３２お
よび分離部ｐ側光閉込層３４はリッジ状に積層され第２
の導波路としての分離部導波路３６を形成し、レーザ導
波路２０の光出射方向の延長上に接続されている。分離
部ｎ側光閉込層３０、光導波層３２、および分離部ｐ側
光閉込層３４が再成長によって形成される場合には再成
長界面である接合面を介して活性層１６を含むレーザ導
波路２０と光導波層３２を含む分離部導波路３６が接続
されるが、光導波層３２と光吸収層４０がＭＱＷ構造で
活性層１６と同時に形成され混晶化によるバルク構造と
した場合には再成長界面である接合面は存在しない。
よび分離部ｐ側光閉込層３４はリッジ状に積層され第２
の導波路としての分離部導波路３６を形成し、レーザ導
波路２０の光出射方向の延長上に接続されている。分離
部ｎ側光閉込層３０、光導波層３２、および分離部ｐ側
光閉込層３４が再成長によって形成される場合には再成
長界面である接合面を介して活性層１６を含むレーザ導
波路２０と光導波層３２を含む分離部導波路３６が接続
されるが、光導波層３２と光吸収層４０がＭＱＷ構造で
活性層１６と同時に形成され混晶化によるバルク構造と
した場合には再成長界面である接合面は存在しない。
【００３８】３８は変調器部Ａの基板１２上に配設され
たｎ−ＩｎＧａＡｓＰの変調器部ｎ側光閉込層、４０は
変調器部ｎ側光閉込層３８上に配設された光吸収層、４
２は光吸収層４０の上に配設されたｐ−ＩｎＧａＡｓＰ
の変調器部ｐ側光閉込層である。光吸収層４０は活性層
１６よりもバンドギャップエネルギーが大きくかつ分離
部Ｂの光導波層３２よりもバンドギャップエネルギーが
小さい材料のＩｎＧａＡｓＰで構成されたバルク構造を
している。
たｎ−ＩｎＧａＡｓＰの変調器部ｎ側光閉込層、４０は
変調器部ｎ側光閉込層３８上に配設された光吸収層、４
２は光吸収層４０の上に配設されたｐ−ＩｎＧａＡｓＰ
の変調器部ｐ側光閉込層である。光吸収層４０は活性層
１６よりもバンドギャップエネルギーが大きくかつ分離
部Ｂの光導波層３２よりもバンドギャップエネルギーが
小さい材料のＩｎＧａＡｓＰで構成されたバルク構造を
している。
【００３９】バルク構造としては、再結晶成長によるバ
ルク結晶構造 でもよいし、ＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷに
イオン注入を行って混晶化したいわゆるバルクライクな
構造でもよい。２２ａは変調器部ｐ側光閉込層３４上に
配設されたｐ−ＩｎＰの第１クラッド層である。
ルク結晶構造 でもよいし、ＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷに
イオン注入を行って混晶化したいわゆるバルクライクな
構造でもよい。２２ａは変調器部ｐ側光閉込層３４上に
配設されたｐ−ＩｎＰの第１クラッド層である。
【００４０】変調器部ｎ側光閉込層３８、光吸収層４０
および変調器部ｐ側光閉込層４２はリッジ状に積層され
第３の導波路としての変調器部導波路４４を形成し、レ
ーザ導波路２０の光出射方向の延長上に接続されてい
る。変調器部ｎ側光閉込層３８、光吸収層４０および変
調器部ｐ側光閉込層４２が再成長によって形成される場
合には再成長界面である接合面を介して変調器部導波路
４４が分離部導波路３６と接続されるが、ＭＱＷの混晶
化によるバルク構造とした場合には再成長界面である接
合面は存在しない。
および変調器部ｐ側光閉込層４２はリッジ状に積層され
第３の導波路としての変調器部導波路４４を形成し、レ
ーザ導波路２０の光出射方向の延長上に接続されてい
る。変調器部ｎ側光閉込層３８、光吸収層４０および変
調器部ｐ側光閉込層４２が再成長によって形成される場
合には再成長界面である接合面を介して変調器部導波路
４４が分離部導波路３６と接続されるが、ＭＱＷの混晶
化によるバルク構造とした場合には再成長界面である接
合面は存在しない。
【００４１】４６はＦｅドープＩｎＰの第１埋込層、４
８は第１埋込層４６上に配設されたｎ−ＩｎＰのホール
トラップ層、５０はホールトラップ層４８上に配設され
たＦｅドープＩｎＰの第２埋込層で、第１埋込層４６、
ホールトラップ層４８および第２埋込層５０は出射端面
側では窓構造５２を構成している。
８は第１埋込層４６上に配設されたｎ−ＩｎＰのホール
トラップ層、５０はホールトラップ層４８上に配設され
たＦｅドープＩｎＰの第２埋込層で、第１埋込層４６、
ホールトラップ層４８および第２埋込層５０は出射端面
側では窓構造５２を構成している。
【００４２】また、第１埋込層４６、ホールトラップ層
４８および第２埋込層５０は、レーザ導波路２０、分離
部導波路３６及び変調器部導波路４４及びこれら導波上
に配設された第１クラッド層２２で形成されたリッジの
両側面にも埋込形成されており、これら第１埋込層４
６、ホールトラップ層４８および第２埋込層５０は電流
ブロック層５４を構成している。
４８および第２埋込層５０は、レーザ導波路２０、分離
部導波路３６及び変調器部導波路４４及びこれら導波上
に配設された第１クラッド層２２で形成されたリッジの
両側面にも埋込形成されており、これら第１埋込層４
６、ホールトラップ層４８および第２埋込層５０は電流
ブロック層５４を構成している。
【００４３】５６はＳｉＯ2の絶縁膜で、必要な箇所に
開口部を設けて、コンタクト層２８の全面に形成され
る。５８はレーザ部Ｃと変調器部Ａとを分離する分離溝
でこの部分はコンタクト層２８を除去し第２クラッド層
２６に堀込まれている。６０はＴｉ／Ａｕの表面蒸着電
極で、絶縁膜５６の開口部に形成される。６２は第１の
電極としてのＡｕメッキ層のｐ側レーザ電極、６４は第
２の電極としてのＡｕメッキ層のｐ側変調器電極、６６
はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの層
序に基板裏面上に積層された蒸着電極、６８第３の電極
としてのＡｕメッキ層の共通電極である。また７０の矢
印はレーザ光の出射方向である。
開口部を設けて、コンタクト層２８の全面に形成され
る。５８はレーザ部Ｃと変調器部Ａとを分離する分離溝
でこの部分はコンタクト層２８を除去し第２クラッド層
２６に堀込まれている。６０はＴｉ／Ａｕの表面蒸着電
極で、絶縁膜５６の開口部に形成される。６２は第１の
電極としてのＡｕメッキ層のｐ側レーザ電極、６４は第
２の電極としてのＡｕメッキ層のｐ側変調器電極、６６
はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの層
序に基板裏面上に積層された蒸着電極、６８第３の電極
としてのＡｕメッキ層の共通電極である。また７０の矢
印はレーザ光の出射方向である。
【００４４】図３はＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷの活性層１
６の断面図である。１６ａは井戸層で３〜４ｎｍで層数
は７〜１３層である。この井戸層１６ａの間にバリア層
１６ｂが形成されている。バリア層１６ｂの層厚みは１
０ｎｍ程度である。井戸層１６ａとバリア層１６ｂはと
もにアンドープＩｎＧａＡｓＰで形成され、井戸層１６
ａはバリア層１６ｂよりもバンドギャップの小さいＩｎ
ＧａＡｓＰで構成されている。
６の断面図である。１６ａは井戸層で３〜４ｎｍで層数
は７〜１３層である。この井戸層１６ａの間にバリア層
１６ｂが形成されている。バリア層１６ｂの層厚みは１
０ｎｍ程度である。井戸層１６ａとバリア層１６ｂはと
もにアンドープＩｎＧａＡｓＰで形成され、井戸層１６
ａはバリア層１６ｂよりもバンドギャップの小さいＩｎ
ＧａＡｓＰで構成されている。
【００４５】この発明に係る変調器付レーザは以下のよ
うに製造される。図４、図５、図７、図８、図９及び図
１０はこの発明に係る変調器付レーザの製造工程を示す
素子の断面図である。図６は一部工程の素子の斜視図で
ある。まず図４において、ｎ−ＩｎＰの基板１２上にＭ
ＯＣＶＤ法により、レーザｎ側光閉込層１４としてのｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ層、活性層１６としてのＩｎＧａＡｓ
Ｐ−ＭＱＷ層、レーザｐ側光閉込層１８としてのｐ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層、第１クラッド層２２ｃの一部としての
ｐ−ＩｎＰ層及び回折格子２４を形成するためのｐ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層を順次積層する。この工程の結果が図４
（ａ）である。
うに製造される。図４、図５、図７、図８、図９及び図
１０はこの発明に係る変調器付レーザの製造工程を示す
素子の断面図である。図６は一部工程の素子の斜視図で
ある。まず図４において、ｎ−ＩｎＰの基板１２上にＭ
ＯＣＶＤ法により、レーザｎ側光閉込層１４としてのｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ層、活性層１６としてのＩｎＧａＡｓ
Ｐ−ＭＱＷ層、レーザｐ側光閉込層１８としてのｐ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層、第１クラッド層２２ｃの一部としての
ｐ−ＩｎＰ層及び回折格子２４を形成するためのｐ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層を順次積層する。この工程の結果が図４
（ａ）である。
【００４６】次いで、回折格子２４を形成するためにｐ
−ＩｎＧａＡｓＰ層を干渉露光法を用いて、格子状にエ
ッチングし、回折格子２４を形成する。この後回折格子
２４を埋込ために、全面に第１クラッド層２２ｃとして
のｐ−ＩｎＰ層を成長させる。この工程の結果が図４
（ｂ）である。この第１クラッド層２２としてのｐ−Ｉ
ｎＰ層の上にＳｉＯ2またはＳｉＮなどの誘電体膜を形
成し、回折格子２４と重なり、レーザ導波路２０を形成
するためのストライプ状の誘電体膜７２が残るように誘
電体膜をエッチングし、このストライプ状の誘電体膜７
２をマスクとして、分離部Ｂ及び変調器部Ａを含む領域
の積層を基板１２が露呈するまでエッチングする。この
工程の結果が図５（ａ）である。また図６は図５（ａ）
に示された素子の斜視図である。
−ＩｎＧａＡｓＰ層を干渉露光法を用いて、格子状にエ
ッチングし、回折格子２４を形成する。この後回折格子
２４を埋込ために、全面に第１クラッド層２２ｃとして
のｐ−ＩｎＰ層を成長させる。この工程の結果が図４
（ｂ）である。この第１クラッド層２２としてのｐ−Ｉ
ｎＰ層の上にＳｉＯ2またはＳｉＮなどの誘電体膜を形
成し、回折格子２４と重なり、レーザ導波路２０を形成
するためのストライプ状の誘電体膜７２が残るように誘
電体膜をエッチングし、このストライプ状の誘電体膜７
２をマスクとして、分離部Ｂ及び変調器部Ａを含む領域
の積層を基板１２が露呈するまでエッチングする。この
工程の結果が図５（ａ）である。また図６は図５（ａ）
に示された素子の斜視図である。
【００４７】次にストライプ状の誘電体膜７２を残した
まま、エッチング除去によって露呈した基板１２上に、
ＭＯＣＶＤ法により、分離部ｎ側光閉込層３０として
のｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、光導波層３２としてのアンド
ープＩｎＧａＡｓＰ層、分離部ｐ側光閉込層３４として
のｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層及び第１クラッド層２２ｂとし
てのｐ−ＩｎＰ層を順次積層する。この光導波層３２と
してのＩｎＧａＡｓＰ層は活性層１６よりもバンドギャ
ップエネルギーの大きくなるように形成されたバルク結
晶構造である。この工程の結果が図５（ｂ）である。
まま、エッチング除去によって露呈した基板１２上に、
ＭＯＣＶＤ法により、分離部ｎ側光閉込層３０として
のｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、光導波層３２としてのアンド
ープＩｎＧａＡｓＰ層、分離部ｐ側光閉込層３４として
のｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層及び第１クラッド層２２ｂとし
てのｐ−ＩｎＰ層を順次積層する。この光導波層３２と
してのＩｎＧａＡｓＰ層は活性層１６よりもバンドギャ
ップエネルギーの大きくなるように形成されたバルク結
晶構造である。この工程の結果が図５（ｂ）である。
【００４８】次にストライプ状の誘電体膜７２をマスク
を除去し、改めて第１クラッド層２２ｂ及び２２ｃとし
てのｐ−ＩｎＰ層の上にＳｉＯ2またはＳｉＮなどの誘
電体膜を形成し、レーザ導波路２０と分離部導波路３６
を形成するために、回折格子２４と重なりつつ更に出射
端面側に延長したストライプ状の誘電体膜７４を形成
し、この誘電体膜７４をマスクとして、変調器部Ａを含
む領域の積層を基板１２が露呈するまでエッチングす
る。この工程の結果が図７（ａ）である。
を除去し、改めて第１クラッド層２２ｂ及び２２ｃとし
てのｐ−ＩｎＰ層の上にＳｉＯ2またはＳｉＮなどの誘
電体膜を形成し、レーザ導波路２０と分離部導波路３６
を形成するために、回折格子２４と重なりつつ更に出射
端面側に延長したストライプ状の誘電体膜７４を形成
し、この誘電体膜７４をマスクとして、変調器部Ａを含
む領域の積層を基板１２が露呈するまでエッチングす
る。この工程の結果が図７（ａ）である。
【００４９】次にストライプ状の誘電体膜７４を残した
まま、エッチング除去によって露呈した基板１２上に、
ＭＯＣＶＤ法により、変調器部ｎ側光閉込層３８とし
てのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、光吸収層４０としてのアン
ドープＩｎＧａＡｓＰ層、変調器部ｐ側光閉込層４２と
してのｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層及び第１クラッド層２２ａ
としてのｐ−ＩｎＰ層を順次積層する。光吸収層４０
は、活性層１６よりもバンドギャップエネルギーが大き
くかつ分離部Ｂの光導波層３２よりもバンドギャップエ
ネルギーが小さい材料で構成されたバルク結晶構造であ
る。この工程の結果が図７（ｂ）である。
まま、エッチング除去によって露呈した基板１２上に、
ＭＯＣＶＤ法により、変調器部ｎ側光閉込層３８とし
てのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、光吸収層４０としてのアン
ドープＩｎＧａＡｓＰ層、変調器部ｐ側光閉込層４２と
してのｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層及び第１クラッド層２２ａ
としてのｐ−ＩｎＰ層を順次積層する。光吸収層４０
は、活性層１６よりもバンドギャップエネルギーが大き
くかつ分離部Ｂの光導波層３２よりもバンドギャップエ
ネルギーが小さい材料で構成されたバルク結晶構造であ
る。この工程の結果が図７（ｂ）である。
【００５０】次に図８において、誘電体膜７４を除去
し、第１クラッド層２２（２２ａ、２２ｂ及び２２ｃ）
のｐ−ＩｎＰ層の上に改めてＳｉＯ2またはＳｉＮなど
の誘電体膜を形成し、活性層１６を含むレーザ導波路２
０、光導波層３２を含む分離部導波路３６及び光吸収層
４０を含む変調器部導波路４４を形成するためのストラ
イプ状の誘電体膜７６を形成し（図８（ａ））、この誘
電体膜７６をマスクとして、基板１２が露呈するまで、
Ｈｂｒを用いたウエットエッチングを行い導波路として
のリッジ形成を行う。このとき出射端面における窓構造
を形成するときには、導波路の両側面のみならず出射端
面近傍も基板１２が露呈するまでエッチングする。この
工程の結果が図８（ｂ）である。図８（ｂ）は図８
（ａ）のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ断面の位置における素
子の断面図である。
し、第１クラッド層２２（２２ａ、２２ｂ及び２２ｃ）
のｐ−ＩｎＰ層の上に改めてＳｉＯ2またはＳｉＮなど
の誘電体膜を形成し、活性層１６を含むレーザ導波路２
０、光導波層３２を含む分離部導波路３６及び光吸収層
４０を含む変調器部導波路４４を形成するためのストラ
イプ状の誘電体膜７６を形成し（図８（ａ））、この誘
電体膜７６をマスクとして、基板１２が露呈するまで、
Ｈｂｒを用いたウエットエッチングを行い導波路として
のリッジ形成を行う。このとき出射端面における窓構造
を形成するときには、導波路の両側面のみならず出射端
面近傍も基板１２が露呈するまでエッチングする。この
工程の結果が図８（ｂ）である。図８（ｂ）は図８
（ａ）のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ断面の位置における素
子の断面図である。
【００５１】次に誘電体膜７６をマスクとして残したま
ま、第１埋込層４６としてのＦｅドープＩｎＰ層、ホー
ルトラップ層４８としてのｎ−ＩｎＰ層および第２埋込
層５０としてのＦｅドープＩｎＰをＭＯＣＶＤ法により
順次積層する。この工程の結果が図９（ａ）である。図
９（ａ）は図８（ａ）のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ断面の
位置における素子の断面図である
ま、第１埋込層４６としてのＦｅドープＩｎＰ層、ホー
ルトラップ層４８としてのｎ−ＩｎＰ層および第２埋込
層５０としてのＦｅドープＩｎＰをＭＯＣＶＤ法により
順次積層する。この工程の結果が図９（ａ）である。図
９（ａ）は図８（ａ）のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ断面の
位置における素子の断面図である
【００５２】次に、第１クラッド層２２及び第２埋込層
５０の表面上全面に第２クラッド層２６としてのｐ−
ＩｎＰ層及びコンタクト層２８としてのｐ+−ＩｎＧａ
Ａｓ層を順次ＭＯＣＶＤ法により結晶成長する。この工
程の結果が図９（ｂ）である。次に、分離部Ｂに対応す
るコンタクト層２８と第２クラッド層２６の一部をエッ
チング除去し、分離溝５８を形成する。このときコンタ
クト層２８であるｐ+−ＩｎＧａＡｓ層のエッチングに
は酒石酸溶液を、第２クラッド層２６のｐ−ＩｎＰ層の
エッチングには塩酸を用いる。この工程の結果が図１０
である。
５０の表面上全面に第２クラッド層２６としてのｐ−
ＩｎＰ層及びコンタクト層２８としてのｐ+−ＩｎＧａ
Ａｓ層を順次ＭＯＣＶＤ法により結晶成長する。この工
程の結果が図９（ｂ）である。次に、分離部Ｂに対応す
るコンタクト層２８と第２クラッド層２６の一部をエッ
チング除去し、分離溝５８を形成する。このときコンタ
クト層２８であるｐ+−ＩｎＧａＡｓ層のエッチングに
は酒石酸溶液を、第２クラッド層２６のｐ−ＩｎＰ層の
エッチングには塩酸を用いる。この工程の結果が図１０
である。
【００５３】この後、分離溝５８の表面を含め、全面に
ＳｉＯ2などの絶縁膜５６をスパッタにより形成した
後、電極コンタクト部分に開口を設けて絶縁膜５６を除
去し、電極部分に表面蒸着電極６０としてのＴｉ／Ａｕ
膜を蒸着で形成し、この上にＡｕメッキ層を形成し、
ｐ側レーザ電極６２およびｐ側変調器電極６４を形成す
る。素子の裏面側は、基板の裏面を素子の基板厚が１０
０μｍ程度になるまで研削し、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ｔｉ／
Ｐｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの層序に基板裏面上に蒸着電極
６６を積層し、この上にＡｕメッキ層を形成し、共通電
極６８を形成し、変調器付半導体レーザ１０が完成す
る。
ＳｉＯ2などの絶縁膜５６をスパッタにより形成した
後、電極コンタクト部分に開口を設けて絶縁膜５６を除
去し、電極部分に表面蒸着電極６０としてのＴｉ／Ａｕ
膜を蒸着で形成し、この上にＡｕメッキ層を形成し、
ｐ側レーザ電極６２およびｐ側変調器電極６４を形成す
る。素子の裏面側は、基板の裏面を素子の基板厚が１０
０μｍ程度になるまで研削し、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ｔｉ／
Ｐｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの層序に基板裏面上に蒸着電極
６６を積層し、この上にＡｕメッキ層を形成し、共通電
極６８を形成し、変調器付半導体レーザ１０が完成す
る。
【００５４】以上の製造方法では、分離部導波路３６の
形成と変調器部導波路４４の形成に際し、バットジョイ
ント法を用いてバルク結晶成長を行う場合について説明
したが、２回のバットジョイント法を適用し、光導波路
層３２と光吸収層４０をともにＭＱＷの構成として形成
してもよい。このようなバットジョイント法は、レーザ
部Ｃ、分離部Ｂ、変調器部Ａそれぞれで異なる材料や層
構造で形成できるので、設計の自由度が高く、レーザ部
Ｃ、分離部Ｂ、変調器部Ａそれぞれに適した屈折率やバ
ンドギャップエネルギーを備えた構造に形成できもので
ある。
形成と変調器部導波路４４の形成に際し、バットジョイ
ント法を用いてバルク結晶成長を行う場合について説明
したが、２回のバットジョイント法を適用し、光導波路
層３２と光吸収層４０をともにＭＱＷの構成として形成
してもよい。このようなバットジョイント法は、レーザ
部Ｃ、分離部Ｂ、変調器部Ａそれぞれで異なる材料や層
構造で形成できるので、設計の自由度が高く、レーザ部
Ｃ、分離部Ｂ、変調器部Ａそれぞれに適した屈折率やバ
ンドギャップエネルギーを備えた構造に形成できもので
ある。
【００５５】また図５（ａ）で示された工程の後に、次
にストライプ状の誘電体膜７２を残したまま、基板１２
上に、 ＭＯＣＶＤ法により、光導波層３２を形成する
ときＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷを形成し、分離部Ｂの光導
波層３２と変調器部Ａの光吸収層４０をイオン注入によ
る混晶化の程度を変えることにより、光吸収層４０のバ
ンドギャップエネルギーよりも光導波層３２のバンドギ
ャップエネルギーを大きくするようにして形成してもよ
い。図１１はイオン注入を示す工程の素子の断面図であ
る。ここで矢印の長さはドーズ量の大きさを示す。
にストライプ状の誘電体膜７２を残したまま、基板１２
上に、 ＭＯＣＶＤ法により、光導波層３２を形成する
ときＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷを形成し、分離部Ｂの光導
波層３２と変調器部Ａの光吸収層４０をイオン注入によ
る混晶化の程度を変えることにより、光吸収層４０のバ
ンドギャップエネルギーよりも光導波層３２のバンドギ
ャップエネルギーを大きくするようにして形成してもよ
い。図１１はイオン注入を示す工程の素子の断面図であ
る。ここで矢印の長さはドーズ量の大きさを示す。
【００５６】図１１において、７８はイオン注入により
混晶化されたＭＱＷ構造の光導波層、８０はイオン注入
により混晶化されたＭＱＷ構造の光吸収層である。この
場合には活性層１６と光導波層７８がバットジョイント
によって接続されるとともに光導波層７８と光吸収層８
０とがいわゆるバルクライクな構造になる。イオン種と
してはＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷに対してはＳｉ，Ｚｎ，
Ｇａなどが使用可能で、ＩｎＧａＡｌＡｓ−ＭＱＷの場
合にはＳｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌなどが使用可能である。
混晶化されたＭＱＷ構造の光導波層、８０はイオン注入
により混晶化されたＭＱＷ構造の光吸収層である。この
場合には活性層１６と光導波層７８がバットジョイント
によって接続されるとともに光導波層７８と光吸収層８
０とがいわゆるバルクライクな構造になる。イオン種と
してはＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷに対してはＳｉ，Ｚｎ，
Ｇａなどが使用可能で、ＩｎＧａＡｌＡｓ−ＭＱＷの場
合にはＳｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌなどが使用可能である。
【００５７】図１２はイオン注入による混晶化の程度を
変えることにより形成された素子の断面図である。分離
部Ｂの光導波層７８と変調器部Ａの光吸収層８０が相違
する他は図２の構成と同じである。また、図４（ａ）ま
たは図４（ｂ）のＭＱＷの活性層１６を形成した後、分
離部Ｂの光導波層３２と変調器部Ａの光吸収層４０をイ
オン注入による混晶化の程度を変えることにより、光吸
収層４０のバンドギャップエネルギーよりも光導波層３
２のバンドギャップエネルギーを大きくするようにして
形成してもよい。この場合はバットジョイントを含まな
いことになる。
変えることにより形成された素子の断面図である。分離
部Ｂの光導波層７８と変調器部Ａの光吸収層８０が相違
する他は図２の構成と同じである。また、図４（ａ）ま
たは図４（ｂ）のＭＱＷの活性層１６を形成した後、分
離部Ｂの光導波層３２と変調器部Ａの光吸収層４０をイ
オン注入による混晶化の程度を変えることにより、光吸
収層４０のバンドギャップエネルギーよりも光導波層３
２のバンドギャップエネルギーを大きくするようにして
形成してもよい。この場合はバットジョイントを含まな
いことになる。
【００５８】次にこの発明に係る変調器付半導体レーザ
の動作について説明する。レーザ電極６２と共通電極６
８との間に順バイアス電圧を印加し活性層１６に電流を
注入し、レーザ部Ｃで発光させたレーザ光を分離部導波
路３６を介して変調器部導波路４４に導く。このとき、
変調器電極６４と共通電極６８との間で逆バイアス電圧
の変調信号を印加し、変調信号に対応する電界を光吸収
層４０に印加することにより、高速に変調されたレーザ
光７０を射出するものである。このとき光吸収層４０は
バルク結晶構造、又は混晶化されたバルク構造であるの
で、変調原理は量子閉じ込めシュタルク効果ではなく、
フランツケルディシュ効果となる。
の動作について説明する。レーザ電極６２と共通電極６
８との間に順バイアス電圧を印加し活性層１６に電流を
注入し、レーザ部Ｃで発光させたレーザ光を分離部導波
路３６を介して変調器部導波路４４に導く。このとき、
変調器電極６４と共通電極６８との間で逆バイアス電圧
の変調信号を印加し、変調信号に対応する電界を光吸収
層４０に印加することにより、高速に変調されたレーザ
光７０を射出するものである。このとき光吸収層４０は
バルク結晶構造、又は混晶化されたバルク構造であるの
で、変調原理は量子閉じ込めシュタルク効果ではなく、
フランツケルディシュ効果となる。
【００５９】フランツケルディシュ効果では電界による
吸収係数の変化が小さく、かつ吸収係数の変化による屈
折率の変化が少ない。従ってバルク型の変調器を使うこ
とにより、屈折率変化による波長変動を小さくでき長距
離伝送に有利である。
吸収係数の変化が小さく、かつ吸収係数の変化による屈
折率の変化が少ない。従ってバルク型の変調器を使うこ
とにより、屈折率変化による波長変動を小さくでき長距
離伝送に有利である。
【００６０】また分離部の光導波層３２をバルク結晶構
造または混晶化されたバルクライクであるバルク構造に
することにより、フランツケルディシュ効果では電界に
よる吸収係数の変化が小さいので、分離部Ｂの光導波層
３２において漏れ電界が印加されたとしても、光吸収量
の変化を小さくすることができる。特に分離部の光導波
層３２では低周波（数Ｇｈｚ）のみに応答するので、光
吸収量が変化すると周波数特性が平坦にならないが、光
導波層３２をバルク構造とすることにより周波数特性の
劣化を低減できる。
造または混晶化されたバルクライクであるバルク構造に
することにより、フランツケルディシュ効果では電界に
よる吸収係数の変化が小さいので、分離部Ｂの光導波層
３２において漏れ電界が印加されたとしても、光吸収量
の変化を小さくすることができる。特に分離部の光導波
層３２では低周波（数Ｇｈｚ）のみに応答するので、光
吸収量が変化すると周波数特性が平坦にならないが、光
導波層３２をバルク構造とすることにより周波数特性の
劣化を低減できる。
【００６１】さらに、光導波層３２及び光吸収層４０を
バットジョイント法による再結晶によるバルク結晶構造
とすることにより、非発光結合中心が少ないために光の
吸収が少ない変調器付半導体レーザを構成することがで
きる。以上に説明した構成では、回折格子はｐ−ＩｎＰ
層に設けた構成であったが、回折格子は、基板側に設け
てもよい。
バットジョイント法による再結晶によるバルク結晶構造
とすることにより、非発光結合中心が少ないために光の
吸収が少ない変調器付半導体レーザを構成することがで
きる。以上に説明した構成では、回折格子はｐ−ＩｎＰ
層に設けた構成であったが、回折格子は、基板側に設け
てもよい。
【００６２】図１３はこの実施の形態１の変形例の一例
を示す断面図である。図１３において、回折格子２４が
ｎ−ＩｎＰの第３クラッド層８２に埋め込まれ、この第
３クラッド層８２が、レーザｎ側光閉込層１４、分離部
ｎ側光閉込層３０及び変調器部ｎ側光閉込層３８と基板
１２との間に配設されている。図１４はこの実施の形態
１の他の変形例を示す断面図である。図１４において
は、回折格子２４が基板１２に埋め込まれて形成され、
この上にｎ−ＩｎＰの第３クラッド層８２が配設され、
この第３クラッド層８２を介してレーザｎ側光閉込層１
４、分離部ｎ側光閉込層３０及び変調器部ｎ側光閉込層
３８が配設されている。
を示す断面図である。図１３において、回折格子２４が
ｎ−ＩｎＰの第３クラッド層８２に埋め込まれ、この第
３クラッド層８２が、レーザｎ側光閉込層１４、分離部
ｎ側光閉込層３０及び変調器部ｎ側光閉込層３８と基板
１２との間に配設されている。図１４はこの実施の形態
１の他の変形例を示す断面図である。図１４において
は、回折格子２４が基板１２に埋め込まれて形成され、
この上にｎ−ＩｎＰの第３クラッド層８２が配設され、
この第３クラッド層８２を介してレーザｎ側光閉込層１
４、分離部ｎ側光閉込層３０及び変調器部ｎ側光閉込層
３８が配設されている。
【００６３】実施の形態２ この実施の形態２は、分離部導波路３６及び変調器部導
波路４４を同時にバットジョイント法により再結晶成長
で形成するに際して、活性層１６のバンドギャップエネ
ルギーより光吸収層４０のバンドギャップエネルギーを
大きくし、光吸収層４０よりも光導波層３２のバンドギ
ャップエネルギーをさらに大きくするために選択成長に
よって光導波層３２を含む分離部導波路３６と光吸収層
４０を含む変調器部導波路４４の層の厚みを変えたもの
である。
波路４４を同時にバットジョイント法により再結晶成長
で形成するに際して、活性層１６のバンドギャップエネ
ルギーより光吸収層４０のバンドギャップエネルギーを
大きくし、光吸収層４０よりも光導波層３２のバンドギ
ャップエネルギーをさらに大きくするために選択成長に
よって光導波層３２を含む分離部導波路３６と光吸収層
４０を含む変調器部導波路４４の層の厚みを変えたもの
である。
【００６４】実施例１ 図１５はこの実施の形態２に係る実施例１の変調器付半
導体レーザの断面図である。図１５において、９０は変
調器付半導体レーザである。図２と同じ符号は同じ部分
又は相当する部分を示している。変調器付半導体レーザ
９０においては、分離部導波路３６と変調器部導波路４
４の、分離部ｎ側光閉込層３０と変調器部ｎ側光閉込層
３８、光導波層３２と光吸収層４０、及び分離部ｐ側光
閉込層３４と変調器部ｐ側光閉込層４２がそれぞれ同時
に選択成長で形成されたバルク結晶構造を成している。
導体レーザの断面図である。図１５において、９０は変
調器付半導体レーザである。図２と同じ符号は同じ部分
又は相当する部分を示している。変調器付半導体レーザ
９０においては、分離部導波路３６と変調器部導波路４
４の、分離部ｎ側光閉込層３０と変調器部ｎ側光閉込層
３８、光導波層３２と光吸収層４０、及び分離部ｐ側光
閉込層３４と変調器部ｐ側光閉込層４２がそれぞれ同時
に選択成長で形成されたバルク結晶構造を成している。
【００６５】分離部導波路３６の各層の厚みはレーザ導
波路２０の側で薄く、変調器部導波路４４の側で厚くな
っている。分離部導波路３６とレーザ導波路２０とは再
結晶界面の接合面を介して各層の厚みがそれぞれ同じに
なるように接続している。次にこの実施の形態２に係る
変調器付半導体レーザ９０の製造方法を説明する。図１
６、図１８は各工程を示す素子の断面図、図１７は一工
程を示す素子の斜視図である。
波路２０の側で薄く、変調器部導波路４４の側で厚くな
っている。分離部導波路３６とレーザ導波路２０とは再
結晶界面の接合面を介して各層の厚みがそれぞれ同じに
なるように接続している。次にこの実施の形態２に係る
変調器付半導体レーザ９０の製造方法を説明する。図１
６、図１８は各工程を示す素子の断面図、図１７は一工
程を示す素子の斜視図である。
【００６６】図１６において、まずｎ−ＩｎＰの基板１
２上にＭＯＣＶＤ法により、レーザｎ側光閉込層１４と
してのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、活性層１６としてのアン
ドープＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ層、レーザｐ側光閉込層
１８としてのｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層を順次積層しこの表
面上に、ＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶縁膜９２を形成す
る。この工程の結果が図１６である。
２上にＭＯＣＶＤ法により、レーザｎ側光閉込層１４と
してのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、活性層１６としてのアン
ドープＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ層、レーザｐ側光閉込層
１８としてのｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層を順次積層しこの表
面上に、ＳｉＯ2やＳｉＮなどの絶縁膜９２を形成す
る。この工程の結果が図１６である。
【００６７】次に図１７において、この絶縁膜９２を写
真製版工程及びエッチング工程により、レーザ導波路２
０を形成するためのストライプ状の絶縁膜９４と、この
絶縁膜９４のレーザ出射端面側にストライプ形状を設定
し、このストライプ形状を介して、このストライプ形状
の長手両側面に延在する台形状の一対の絶縁膜９６が形
成される。この絶縁膜９６は絶縁膜９４に近接する側で
台形の幅が狭く絶縁膜９４から離れるに伴って次第に広
くなり所定の位置から一様な幅となっている。この幅が
変化する部分が、分離部導波路３６に対応することにな
る。この絶縁膜９４及び絶縁膜９６をマスクとして基板
１２が露呈するまでエッチングを行う。この工程の結果
が図１７である。
真製版工程及びエッチング工程により、レーザ導波路２
０を形成するためのストライプ状の絶縁膜９４と、この
絶縁膜９４のレーザ出射端面側にストライプ形状を設定
し、このストライプ形状を介して、このストライプ形状
の長手両側面に延在する台形状の一対の絶縁膜９６が形
成される。この絶縁膜９６は絶縁膜９４に近接する側で
台形の幅が狭く絶縁膜９４から離れるに伴って次第に広
くなり所定の位置から一様な幅となっている。この幅が
変化する部分が、分離部導波路３６に対応することにな
る。この絶縁膜９４及び絶縁膜９６をマスクとして基板
１２が露呈するまでエッチングを行う。この工程の結果
が図１７である。
【００６８】次に絶縁膜９４及び絶縁膜９６をマスクと
して残した状態で、ＭＯＣＶＤ法による選択成長より、
分離部ｎ側光閉込層３０と変調器部ｎ側光閉込層３８と
しての ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、光導波層３２と光吸収
層４０としての ＩｎＧａＡｓＰ層及び分離部ｐ側光閉
込層３４と変調器部ｐ側光閉込層４２としてのｐ− Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層を順次積層する。この選択成長により一
対の絶縁膜９６に挟まれたストライプ状の部分では、絶
縁膜９６の幅が順次広がるに従って積層の厚みが厚くな
るように変化し、絶縁膜９６の幅が一様になったところ
で層の厚み一定になるように積層される。この工程の結
果が図１８（ａ）である。図１８（ａ）は図１７のＸＶ
ＩＩＩＡ − ＸＶＩＩＩＡ位置での断面である。
して残した状態で、ＭＯＣＶＤ法による選択成長より、
分離部ｎ側光閉込層３０と変調器部ｎ側光閉込層３８と
しての ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、光導波層３２と光吸収
層４０としての ＩｎＧａＡｓＰ層及び分離部ｐ側光閉
込層３４と変調器部ｐ側光閉込層４２としてのｐ− Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層を順次積層する。この選択成長により一
対の絶縁膜９６に挟まれたストライプ状の部分では、絶
縁膜９６の幅が順次広がるに従って積層の厚みが厚くな
るように変化し、絶縁膜９６の幅が一様になったところ
で層の厚み一定になるように積層される。この工程の結
果が図１８（ａ）である。図１８（ａ）は図１７のＸＶ
ＩＩＩＡ − ＸＶＩＩＩＡ位置での断面である。
【００６９】次に絶縁膜９４及び絶縁膜９６を除去し、
レーザ部ｐ側光閉込層１８、分離部ｐ側光閉込層３４及
び変調器部ｐ側光閉込層４２の上に第１クラッド層２２
としてのｐ−ＩｎＰ層を形成し、レーザ部Ｃの活性層１
６に対応して回折格子２４を形成し、次いで第１クラッ
ド層２２としてのｐ−ＩｎＰ層で回折格子２４を埋め込
む。この工程の結果が図１８（ｂ）である。次いで、導
波路のリッジ形成を行う。以降の製造工程は実施の形態
１に示した工程にしたがって素子を形成する。
レーザ部ｐ側光閉込層１８、分離部ｐ側光閉込層３４及
び変調器部ｐ側光閉込層４２の上に第１クラッド層２２
としてのｐ−ＩｎＰ層を形成し、レーザ部Ｃの活性層１
６に対応して回折格子２４を形成し、次いで第１クラッ
ド層２２としてのｐ−ＩｎＰ層で回折格子２４を埋め込
む。この工程の結果が図１８（ｂ）である。次いで、導
波路のリッジ形成を行う。以降の製造工程は実施の形態
１に示した工程にしたがって素子を形成する。
【００７０】実施例１の製造方法の変形例 分離部導波路３６及び変調器部導波路４４をバットジョ
イント法による選択成長により形成する製造方法の他の
変形例について説明する。図１９，図２１は一工程の素
子を示す斜視図、図２０，図２２は製造工程を示す素子
の断面図である。
イント法による選択成長により形成する製造方法の他の
変形例について説明する。図１９，図２１は一工程の素
子を示す斜視図、図２０，図２２は製造工程を示す素子
の断面図である。
【００７１】まず図１９において、基板１２上に分離部
導波路３６及び変調器部導波路４４を形成するための選
択成長マスクを形成する。すなわち基板１２上に絶縁膜
を形成し、出射端面側分離部導波路３６及び変調器部導
波路４４の導波路形状に対応したストライプ形状を設定
し、このストライプ形状を介してこのストライプ形状の
長手両側面に延在する台形状の一対の絶縁膜９６が写真
製版工程及びエッチングにより形成される。この絶縁膜
９６は基板１２の内部側で台形の幅が狭く出射端面に近
づくにつれて次第に広くなり一様な幅となっている。こ
の幅が変化する部分が、分離部導波路３６に対応するこ
とになる。この工程の結果が図１９である。
導波路３６及び変調器部導波路４４を形成するための選
択成長マスクを形成する。すなわち基板１２上に絶縁膜
を形成し、出射端面側分離部導波路３６及び変調器部導
波路４４の導波路形状に対応したストライプ形状を設定
し、このストライプ形状を介してこのストライプ形状の
長手両側面に延在する台形状の一対の絶縁膜９６が写真
製版工程及びエッチングにより形成される。この絶縁膜
９６は基板１２の内部側で台形の幅が狭く出射端面に近
づくにつれて次第に広くなり一様な幅となっている。こ
の幅が変化する部分が、分離部導波路３６に対応するこ
とになる。この工程の結果が図１９である。
【００７２】次に図２０において、この絶縁膜９６を選
択成長マスクとしてＭＯＣＶＤ法により、分離部ｎ側光
閉込層３０と変調器部ｎ側光閉込層３８としての ｎ−
ＩｎＧａＡｓＰ層、光導波層３２と光吸収層４０として
の ＩｎＧａＡｓＰ層及び分離部ｐ側光閉込層３４と変
調器部ｐ側光閉込層４２としてのｐ− ＩｎＧａＡｓＰ
層を順次積層する。この選択成長により一対の絶縁膜９
６に挟まれたストライプ形状の部分では、出射端面側の
絶縁膜９６の幅が一様であるところで層の厚み一定で、
この絶縁膜９６の幅が一様であるところから基板１２内
部に向かって絶縁膜９６の幅が順次狭くなるに従って積
層の厚みが薄くなるように積層される。この工程の結果
が図２０（ａ）である。
択成長マスクとしてＭＯＣＶＤ法により、分離部ｎ側光
閉込層３０と変調器部ｎ側光閉込層３８としての ｎ−
ＩｎＧａＡｓＰ層、光導波層３２と光吸収層４０として
の ＩｎＧａＡｓＰ層及び分離部ｐ側光閉込層３４と変
調器部ｐ側光閉込層４２としてのｐ− ＩｎＧａＡｓＰ
層を順次積層する。この選択成長により一対の絶縁膜９
６に挟まれたストライプ形状の部分では、出射端面側の
絶縁膜９６の幅が一様であるところで層の厚み一定で、
この絶縁膜９６の幅が一様であるところから基板１２内
部に向かって絶縁膜９６の幅が順次狭くなるに従って積
層の厚みが薄くなるように積層される。この工程の結果
が図２０（ａ）である。
【００７３】次に、絶縁膜９６を除去し、改めて絶縁膜
を形成し写真製版工程とエッチングにより、先の一対の
絶縁膜９６に挟まれたストライプ形状の部分に、この部
分以下の幅を有し先の絶縁膜９６と同じ長さのストライ
プ状の絶縁膜９８を形成し（図２０（ｂ））、この絶縁
膜９８をマスクとして分離部導波路３６及び変調器部導
波路４４を残し基板１２が露呈するまでエッチングす
る。この工程の結果が図２０（ｃ）である。またこの工
程での素子の斜視図が図２１である。
を形成し写真製版工程とエッチングにより、先の一対の
絶縁膜９６に挟まれたストライプ形状の部分に、この部
分以下の幅を有し先の絶縁膜９６と同じ長さのストライ
プ状の絶縁膜９８を形成し（図２０（ｂ））、この絶縁
膜９８をマスクとして分離部導波路３６及び変調器部導
波路４４を残し基板１２が露呈するまでエッチングす
る。この工程の結果が図２０（ｃ）である。またこの工
程での素子の斜視図が図２１である。
【００７４】次に絶縁膜９８をマスクとして残したまま
で、レーザｎ側光閉込層１４としてのｎ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層、活性層１６としてのＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ層、
レーザｐ側光閉込層１８としてのｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層
を基板１２上に順次積層する。この工程の結果が図２２
（ａ）である。この後、絶縁膜９８を除去し、分離部ｐ
側光閉込層３４と変調器部ｐ側光閉込層４２とレーザｐ
側光閉込層１８の表面上に、第１クラッド層２２として
のｐ−ＩｎＰ層を形成し、レーザ部Ｃの活性層に対応し
て回折格子２４を形成する。この工程の結果が図２２
（ｂ）である。図２２は図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ断
面位置での断面図である。次いで第１クラッド層２２で
回折格子２４を埋め込み、導波路のリッジ形成を行う。
以降の製造工程はの実施の形態１に示した工程にしたが
って素子を形成する。
で、レーザｎ側光閉込層１４としてのｎ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層、活性層１６としてのＩｎＧａＡｓＰ−ＭＱＷ層、
レーザｐ側光閉込層１８としてのｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層
を基板１２上に順次積層する。この工程の結果が図２２
（ａ）である。この後、絶縁膜９８を除去し、分離部ｐ
側光閉込層３４と変調器部ｐ側光閉込層４２とレーザｐ
側光閉込層１８の表面上に、第１クラッド層２２として
のｐ−ＩｎＰ層を形成し、レーザ部Ｃの活性層に対応し
て回折格子２４を形成する。この工程の結果が図２２
（ｂ）である。図２２は図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ断
面位置での断面図である。次いで第１クラッド層２２で
回折格子２４を埋め込み、導波路のリッジ形成を行う。
以降の製造工程はの実施の形態１に示した工程にしたが
って素子を形成する。
【００７５】実施例２ またこの実施の形態２の上記説明においては、回折格子
２４はｐ−ＩｎＰ層に設けた構成であったが、回折格子
２４は、基板側のｎ−ＩｎＰ層に設けてもよい。図２３
はこの実施の形態２の実施例２を示す断面図である。図
２３において、回折格子２４がｎ−ＩｎＰの第３クラッ
ド層８２に埋め込まれ、この第３クラッド層８２が、レ
ーザｎ側光閉込層１４、分離部ｎ側光閉込層３０及び変
調器部ｎ側光閉込層３８と基板１２との間に配設されて
いる。図２４はこの実施例２の他の変形例を示す断面図
である。図２４においては、回折格子２４が基板１２に
埋め込まれて形成され、この上にｎ−ＩｎＰの第３クラ
ッド層８２が配設され、この第３クラッド層８２を介し
てレーザｎ側光閉込層１４、分離部ｎ側光閉込層３０及
び変調器部ｎ側光閉込層３８が配設されている。
２４はｐ−ＩｎＰ層に設けた構成であったが、回折格子
２４は、基板側のｎ−ＩｎＰ層に設けてもよい。図２３
はこの実施の形態２の実施例２を示す断面図である。図
２３において、回折格子２４がｎ−ＩｎＰの第３クラッ
ド層８２に埋め込まれ、この第３クラッド層８２が、レ
ーザｎ側光閉込層１４、分離部ｎ側光閉込層３０及び変
調器部ｎ側光閉込層３８と基板１２との間に配設されて
いる。図２４はこの実施例２の他の変形例を示す断面図
である。図２４においては、回折格子２４が基板１２に
埋め込まれて形成され、この上にｎ−ＩｎＰの第３クラ
ッド層８２が配設され、この第３クラッド層８２を介し
てレーザｎ側光閉込層１４、分離部ｎ側光閉込層３０及
び変調器部ｎ側光閉込層３８が配設されている。
【００７６】図２３に示した実施例２の製造方法を説明
する。図２５は製造工程を示す素子の断面図である。ま
ず図２５において、基板１２上にレーザ導波路２０を形
成する端面側に回折格子２４を形成し、この回折格子２
４を第３クラッド層８２としてのｎ−ＩｎＰ層で埋め込
む。この後は実施例１の製造方法の変形例と同様の製造
方法で、選択成長マスクを使用したＭＯＣＶＤ法によ
り、分離部ｎ側光閉込層３０及び変調器部ｎ側光閉込層
３８としてのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、光導波層３２と光
吸収層４０としての ＩｎＧａＡｓＰ層及び分離部ｐ側
光閉込層３４と変調器部ｐ側光閉込層４２としてのｐ−
ＩｎＧａＡｓＰ層を順次積層する。この結果を示すのが
図２５（ａ）である。
する。図２５は製造工程を示す素子の断面図である。ま
ず図２５において、基板１２上にレーザ導波路２０を形
成する端面側に回折格子２４を形成し、この回折格子２
４を第３クラッド層８２としてのｎ−ＩｎＰ層で埋め込
む。この後は実施例１の製造方法の変形例と同様の製造
方法で、選択成長マスクを使用したＭＯＣＶＤ法によ
り、分離部ｎ側光閉込層３０及び変調器部ｎ側光閉込層
３８としてのｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、光導波層３２と光
吸収層４０としての ＩｎＧａＡｓＰ層及び分離部ｐ側
光閉込層３４と変調器部ｐ側光閉込層４２としてのｐ−
ＩｎＧａＡｓＰ層を順次積層する。この結果を示すのが
図２５（ａ）である。
【００７７】次に絶縁膜９６を除去し、改めて絶縁膜を
形成し写真製版工程とエッチングにより、先の一対の絶
縁膜９６に挟まれたストライプ形状の部分に、この部分
以下の幅を有し先の絶縁膜９６と同じ長さのストライプ
状の絶縁膜９８を形成し（図２５（ｂ）参照）、この絶
縁膜９８をマスクとして分離部導波路３６及び変調器部
導波路４４を残しエッチングするのであるが、このとき
実施例１の製造方法の変形例では基板１２が露呈するま
でエッチングするのであるが、実施例２では回折格子２
４が基板１２上に形成されているので、第３クラッド層
８２としてのｎ−ＩｎＰ層が露呈するところで停止する
（図２６（ａ））。ついで絶縁膜９８をマスクとして残
したままで、この第３クラッド層８２としてのｎ−Ｉｎ
Ｐ層の上に、レーザｎ側光閉込層１４としてのｎ−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層、活性層１６としてのＩｎＧａＡｓＰ−Ｍ
ＱＷ層、およびレーザｐ側光閉込層１８としてのｐ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層を、第３クラッド層８２としてのｎ−Ｉ
ｎＰ層上に順次積層する。
形成し写真製版工程とエッチングにより、先の一対の絶
縁膜９６に挟まれたストライプ形状の部分に、この部分
以下の幅を有し先の絶縁膜９６と同じ長さのストライプ
状の絶縁膜９８を形成し（図２５（ｂ）参照）、この絶
縁膜９８をマスクとして分離部導波路３６及び変調器部
導波路４４を残しエッチングするのであるが、このとき
実施例１の製造方法の変形例では基板１２が露呈するま
でエッチングするのであるが、実施例２では回折格子２
４が基板１２上に形成されているので、第３クラッド層
８２としてのｎ−ＩｎＰ層が露呈するところで停止する
（図２６（ａ））。ついで絶縁膜９８をマスクとして残
したままで、この第３クラッド層８２としてのｎ−Ｉｎ
Ｐ層の上に、レーザｎ側光閉込層１４としてのｎ−Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層、活性層１６としてのＩｎＧａＡｓＰ−Ｍ
ＱＷ層、およびレーザｐ側光閉込層１８としてのｐ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰ層を、第３クラッド層８２としてのｎ−Ｉ
ｎＰ層上に順次積層する。
【００７８】この後、絶縁膜９８を除去し、分離部ｐ側
光閉込層３４と変調器部ｐ側光閉込層４２とレーザｐ側
光閉込層１８の表面上に、第１クラッド層２２としての
ｐ−ＩｎＰ層を形成する（図２６（ｂ））。以降の製造
工程はの実施の形態１に示した工程にしたがって素子を
形成する。このように構成された変調器付半導体レーザ
９０においては、分離部導波路３６及び変調器部導波路
４４を同時にバットジョイント法により再結晶成長で形
成するので、光導波層３２及び光吸収層４０がバルク結
晶構造になり、電界による吸収係数の変化が小さく、か
つ吸収係数の変化による屈折率の変化が少ない変調器と
することができ、屈折率変化による波長変動を小さくで
き長距離伝送に有利とすることができる。さらに分離部
Ｂの光導波層３２をバルク結晶構造にすることにより、
電界による吸収係数の変化が小さいので、漏れ電界があ
ったとしても光吸収量の変化を小さくすることができ、
低周波（数ＧＨｚ）における周波数特性の劣化を低減で
きる。
光閉込層３４と変調器部ｐ側光閉込層４２とレーザｐ側
光閉込層１８の表面上に、第１クラッド層２２としての
ｐ−ＩｎＰ層を形成する（図２６（ｂ））。以降の製造
工程はの実施の形態１に示した工程にしたがって素子を
形成する。このように構成された変調器付半導体レーザ
９０においては、分離部導波路３６及び変調器部導波路
４４を同時にバットジョイント法により再結晶成長で形
成するので、光導波層３２及び光吸収層４０がバルク結
晶構造になり、電界による吸収係数の変化が小さく、か
つ吸収係数の変化による屈折率の変化が少ない変調器と
することができ、屈折率変化による波長変動を小さくで
き長距離伝送に有利とすることができる。さらに分離部
Ｂの光導波層３２をバルク結晶構造にすることにより、
電界による吸収係数の変化が小さいので、漏れ電界があ
ったとしても光吸収量の変化を小さくすることができ、
低周波（数ＧＨｚ）における周波数特性の劣化を低減で
きる。
【００７９】また分離部導波路３６及び変調器部導波路
４４を選択成長により同時に形成しつつ、分離部導波路
３６の層の厚みをレーザ導波路層２０側で薄く、変調器
部導波路４４側で厚くなるようにすることにより、光導
波層３２のバンドギャップエネルギーを光吸収層４０の
バンドギャップエネルギーより大きくすることにより光
の吸収を低減しつつ周波数変動を小さくすることができ
る。
４４を選択成長により同時に形成しつつ、分離部導波路
３６の層の厚みをレーザ導波路層２０側で薄く、変調器
部導波路４４側で厚くなるようにすることにより、光導
波層３２のバンドギャップエネルギーを光吸収層４０の
バンドギャップエネルギーより大きくすることにより光
の吸収を低減しつつ周波数変動を小さくすることができ
る。
【００８０】更に分離部導波路３６及び変調器部導波路
４４の各層を選択成長により同時に形成することができ
るので、製造工程を少なく簡単に形成することができ
る。以上の説明においては、光導波層３２及び光吸収層
４０をバルク結晶構造とする構成について説明したが、
光導波層３２及び光吸収層４０をＭＱＷで構成し、イオ
ン注入の程度を変えて混晶化し、光導波層３２のバンド
ギャップエネルギーを光吸収層４０のバンドギャップエ
ネルギーより大きくしてもよい。これにより、光導波層
３２及び光吸収層４０を簡単にバルク構成とすることが
できる。実施の形態１及び２において、レーザ部Ｃの活
性層１６をＭＱＷとしたが、バルク結晶構造としても同
様の効果を得ることができる。
４４の各層を選択成長により同時に形成することができ
るので、製造工程を少なく簡単に形成することができ
る。以上の説明においては、光導波層３２及び光吸収層
４０をバルク結晶構造とする構成について説明したが、
光導波層３２及び光吸収層４０をＭＱＷで構成し、イオ
ン注入の程度を変えて混晶化し、光導波層３２のバンド
ギャップエネルギーを光吸収層４０のバンドギャップエ
ネルギーより大きくしてもよい。これにより、光導波層
３２及び光吸収層４０を簡単にバルク構成とすることが
できる。実施の形態１及び２において、レーザ部Ｃの活
性層１６をＭＱＷとしたが、バルク結晶構造としても同
様の効果を得ることができる。
【００８１】
【発明の効果】この発明に係る変調器集積型半導体レー
ザ装置は以上に説明したような構成を備えているので、
以下のような効果を有する。この発明に係る変調器集積
型半導体レーザ装置においては、活性層を有するリッジ
状の第一の導波路と、この第一の導波路の延長方向にこ
の第一の導波路と連続し活性層よりもバンドギャップエ
ネルギーの大きいバルク構造の光導波層を有するリッジ
状の第二の導波路と、この第二の導波路の延長方向にこ
の第二の導波路と連続し活性層のバンドギャップエネル
ギーよりも大きく光導波層のバンドギャップエネルギー
よりも小さいバルク構造の光吸収層を有するリッジ状の
第三の導波路と、第一、第二及び第三の導波路上に配設
された第二導電型半導体の第一クラッド層または半導体
基板と第一、第二及び第三の導波路との間に配設され、
第一の導波路に沿って配設された回折格子を含むリッジ
状の第二のクラッド層と、を有する構成を備えることに
より、変調器に印加される変調信号による電界変動によ
って変化する吸収係数の変動を小さくし、吸収係数変化
による変調器の屈折率変化を小さくするとともに、漏れ
電界による分離領域の光導波層での光の吸収を少なくす
ることと相俟って、周波数特性を良好にすることがで
き、周波数特性の改善された変調器集積型半導体レーザ
装置を得ることができるという効果を有する。
ザ装置は以上に説明したような構成を備えているので、
以下のような効果を有する。この発明に係る変調器集積
型半導体レーザ装置においては、活性層を有するリッジ
状の第一の導波路と、この第一の導波路の延長方向にこ
の第一の導波路と連続し活性層よりもバンドギャップエ
ネルギーの大きいバルク構造の光導波層を有するリッジ
状の第二の導波路と、この第二の導波路の延長方向にこ
の第二の導波路と連続し活性層のバンドギャップエネル
ギーよりも大きく光導波層のバンドギャップエネルギー
よりも小さいバルク構造の光吸収層を有するリッジ状の
第三の導波路と、第一、第二及び第三の導波路上に配設
された第二導電型半導体の第一クラッド層または半導体
基板と第一、第二及び第三の導波路との間に配設され、
第一の導波路に沿って配設された回折格子を含むリッジ
状の第二のクラッド層と、を有する構成を備えることに
より、変調器に印加される変調信号による電界変動によ
って変化する吸収係数の変動を小さくし、吸収係数変化
による変調器の屈折率変化を小さくするとともに、漏れ
電界による分離領域の光導波層での光の吸収を少なくす
ることと相俟って、周波数特性を良好にすることがで
き、周波数特性の改善された変調器集積型半導体レーザ
装置を得ることができるという効果を有する。
【００８２】さらに第二の導波路を第一の導波路と接合
面を介して連続させたので、レーザ部及び分離領域の設
計の自由度高く保ちながら周波数特性を良好にすること
ができ、所望の特性が得やすく周波数特性の改善された
変調器集積型半導体レーザ装置を得ることができるとい
う効果を有する。
面を介して連続させたので、レーザ部及び分離領域の設
計の自由度高く保ちながら周波数特性を良好にすること
ができ、所望の特性が得やすく周波数特性の改善された
変調器集積型半導体レーザ装置を得ることができるとい
う効果を有する。
【００８３】さらに第三の導波路を第二の導波路と接合
面を介して連続させるとともに光導波層及び光吸収層を
ともにバルク結晶構造としたので、光の吸収を少なくし
て、周波数特性を良好にすることができ、高出力の変調
器集積型半導体レーザ装置を得ることができるという効
果を有する。
面を介して連続させるとともに光導波層及び光吸収層を
ともにバルク結晶構造としたので、光の吸収を少なくし
て、周波数特性を良好にすることができ、高出力の変調
器集積型半導体レーザ装置を得ることができるという効
果を有する。
【００８４】またさらに、光導波層および光吸収層をと
もにディスオーダリングによる混晶化された多重量子井
戸構造とし、光導波層の混晶化の程度を吸収層のそれよ
りも高くしたので、簡単な構成で安価な周波数特性の良
好な変調器集積型半導体レーザ装置を得ることができる
という効果を有する。
もにディスオーダリングによる混晶化された多重量子井
戸構造とし、光導波層の混晶化の程度を吸収層のそれよ
りも高くしたので、簡単な構成で安価な周波数特性の良
好な変調器集積型半導体レーザ装置を得ることができる
という効果を有する。
【００８５】またさらに、第二の導波路を第一の導波路
に隣接する側よりも第三の導波路に隣接する側で厚い導
波路厚みを有するようにしたので、光の吸収を少なくし
て、周波数特性を良好にすることができ、高出力の変調
器集積型半導体レーザ装置を得ることができるという効
果を有する。
に隣接する側よりも第三の導波路に隣接する側で厚い導
波路厚みを有するようにしたので、光の吸収を少なくし
て、周波数特性を良好にすることができ、高出力の変調
器集積型半導体レーザ装置を得ることができるという効
果を有する。
【００８６】活性層を有するリッジ状の第一の導波路
と、この第一の導波路の延長方向にこの第一の導波路と
接合面を介して連続し活性層よりもバンドギャップエネ
ルギーの大きい光導波層を有するリッジ状の第二の導波
路と、この第二の導波路の延長方向にこの第二の導波路
と接合面を介して連続し活性層のバンドギャップエネル
ギーよりも大きく光導波層のバンドギャップエネルギー
よりも小さい多重量子井戸構造の光吸収層を有するリッ
ジ状の第三の導波路と、これら第一、第二及び第三の導
波路上に配設された第二導電型半導体の第一クラッド層
と、この第一のクラッド層または半導体基板と第一、第
二及び第三の導波路との間に配設され、第一の導波路に
沿って配設された回折格子を含むリッジ状の第二のクラ
ッド層と、を備えたので、変調器に印加される変調信号
による漏れ電界変動の影響の少ない分離領域を備えて周
波数特性を良好にしかつ光の吸収を少なくしたので、周
波数の安定した高出力の変調器集積型半導体レーザ装置
を得ることができるという効果を有する。
と、この第一の導波路の延長方向にこの第一の導波路と
接合面を介して連続し活性層よりもバンドギャップエネ
ルギーの大きい光導波層を有するリッジ状の第二の導波
路と、この第二の導波路の延長方向にこの第二の導波路
と接合面を介して連続し活性層のバンドギャップエネル
ギーよりも大きく光導波層のバンドギャップエネルギー
よりも小さい多重量子井戸構造の光吸収層を有するリッ
ジ状の第三の導波路と、これら第一、第二及び第三の導
波路上に配設された第二導電型半導体の第一クラッド層
と、この第一のクラッド層または半導体基板と第一、第
二及び第三の導波路との間に配設され、第一の導波路に
沿って配設された回折格子を含むリッジ状の第二のクラ
ッド層と、を備えたので、変調器に印加される変調信号
による漏れ電界変動の影響の少ない分離領域を備えて周
波数特性を良好にしかつ光の吸収を少なくしたので、周
波数の安定した高出力の変調器集積型半導体レーザ装置
を得ることができるという効果を有する。
【００８７】さらに、光導波層をバルク結晶構造とし変
調器に印加される変調信号による電界変動の影響を少な
くしたので、周波数特性の良好な変調器集積型半導体レ
ーザ装置を得ることができるという効果を有する。また
さらに、光導波層を多重量子井戸構造としたので、光の
吸収を少なくしつつ、周波数特性の良好な変調器集積型
半導体レーザ装置を得ることができるという効果を有す
る。
調器に印加される変調信号による電界変動の影響を少な
くしたので、周波数特性の良好な変調器集積型半導体レ
ーザ装置を得ることができるという効果を有する。また
さらに、光導波層を多重量子井戸構造としたので、光の
吸収を少なくしつつ、周波数特性の良好な変調器集積型
半導体レーザ装置を得ることができるという効果を有す
る。
【００８８】この発明に係る変調器集積型半導体レーザ
装置の製造方法は、第一のクラッド層の表面上に、レー
ザの導波方向に延在し回折格子に重なるとともに半導体
基板の一部長さを全長とするストライプ状の第一の誘電
体膜を形成し、この第一の誘電体膜をマスクとして半導
体基板が露呈するまでエッチングし、第一の誘電体膜を
マスクとし、活性層よりもバンドギャップエネルギーの
大きい光導波層を有する第二の導波路層および第二導電
型半導体の第三のクラッド層を、エッチングで露呈した
半導体基板上に順次形成し、第一の誘電体膜を除去し、
第二のクラッド層及び第三のクラッド層の表面上に、第
一の誘電体膜の位置を含みさらにレーザの導波方向に延
長させたストライプ状の第二の誘電体膜を形成し、この
第二の誘電体膜をマスクとして半導体基板が露呈するま
でエッチングし、第二の誘電体膜をマスクとし、活性層
のバンドギャップエネルギーよりも大きく光導波層のバ
ンドギャップエネルギーよりも小さい半導体の光吸収層
を有する第三の導波路層および第二導電型半導体の第四
のクラッド層を、エッチングで露呈した半導体基板上に
順次形成する工程を含むので、第一、第二および第三の
導波路層それぞれを個別に結晶成長により形成できるか
ら、周波数特性の改善された変調器集積型半導体レーザ
装置を設計の自由度高く、容易に形成できるという効果
を有する。
装置の製造方法は、第一のクラッド層の表面上に、レー
ザの導波方向に延在し回折格子に重なるとともに半導体
基板の一部長さを全長とするストライプ状の第一の誘電
体膜を形成し、この第一の誘電体膜をマスクとして半導
体基板が露呈するまでエッチングし、第一の誘電体膜を
マスクとし、活性層よりもバンドギャップエネルギーの
大きい光導波層を有する第二の導波路層および第二導電
型半導体の第三のクラッド層を、エッチングで露呈した
半導体基板上に順次形成し、第一の誘電体膜を除去し、
第二のクラッド層及び第三のクラッド層の表面上に、第
一の誘電体膜の位置を含みさらにレーザの導波方向に延
長させたストライプ状の第二の誘電体膜を形成し、この
第二の誘電体膜をマスクとして半導体基板が露呈するま
でエッチングし、第二の誘電体膜をマスクとし、活性層
のバンドギャップエネルギーよりも大きく光導波層のバ
ンドギャップエネルギーよりも小さい半導体の光吸収層
を有する第三の導波路層および第二導電型半導体の第四
のクラッド層を、エッチングで露呈した半導体基板上に
順次形成する工程を含むので、第一、第二および第三の
導波路層それぞれを個別に結晶成長により形成できるか
ら、周波数特性の改善された変調器集積型半導体レーザ
装置を設計の自由度高く、容易に形成できるという効果
を有する。
【００８９】また、第一のクラッド層の表面上に、レー
ザの導波方向に延在し回折格子に重なるとともに半導体
基板の一部長さを全長とするストライプ状の第一の誘電
体膜とこの第一の誘電体膜のレーザ導波方向の延長上の
ストライプ部分を介して互いに対向し第一の誘電体膜に
近接する端部を含む一部が他部より幅が狭い一対の第二
の誘電体膜とを形成し、これらの誘電体膜をマスクとし
て半導体基板が露呈するまでエッチングし、第一，第二
の誘電体膜をマスクとし、活性層よりもバンドギャップ
エネルギーの大きい半導体層を有する第二の導波路層お
よび第二導電型半導体の第三のクラッド層を、エッチン
グで露呈した半導体基板上に選択成長により順次形成す
る工程を含み、分離領域と変調器部の導波路を同時に形
成できるので、周波数特性の改善された変調器集積型半
導体レーザ装置を簡単な工程で形成できるという効果を
有する。
ザの導波方向に延在し回折格子に重なるとともに半導体
基板の一部長さを全長とするストライプ状の第一の誘電
体膜とこの第一の誘電体膜のレーザ導波方向の延長上の
ストライプ部分を介して互いに対向し第一の誘電体膜に
近接する端部を含む一部が他部より幅が狭い一対の第二
の誘電体膜とを形成し、これらの誘電体膜をマスクとし
て半導体基板が露呈するまでエッチングし、第一，第二
の誘電体膜をマスクとし、活性層よりもバンドギャップ
エネルギーの大きい半導体層を有する第二の導波路層お
よび第二導電型半導体の第三のクラッド層を、エッチン
グで露呈した半導体基板上に選択成長により順次形成す
る工程を含み、分離領域と変調器部の導波路を同時に形
成できるので、周波数特性の改善された変調器集積型半
導体レーザ装置を簡単な工程で形成できるという効果を
有する。
【００９０】また、半導体基板の一主面上に、レーザの
導波方向に延在し半導体基板の長さの一部を全長とする
ストライプ形状を介して互いに対向しレーザの導波方向
の一端を含む一部が他部より幅が狭い形状をした一対の
第一の誘電体膜を形成し、この第一の誘電体膜をマスク
として半導体基板よりもバンドギャップエネルギーの小
さな第一の半導体層を有する第一の導波路層を選択成長
により形成し、第一の誘電体膜を除去し、一対の第一の
誘電体膜に挟まれて形成された第一の導波路層の表面上
の位置に、この第一の誘電体膜の長さに対応するストラ
イプ形状の第二の誘電体膜を形成し、この第二の誘電体
膜をマスクとして半導体基板が露呈するまでエッチング
し、第二の誘電体膜をマスクとし、第一の半導体層より
もバンドギャップエネルギーの小さい半導体の活性層を
有する第二の導波路層を、エッチングで露呈した半導体
基板上に選択成長により形成し、第二の誘電体膜を除去
し、第一，第二の導波路層の上に第二導電型半導体の第
一クラッド層および第二導電型半導体の光ガイド層を順
次形成し、光ガイド層をエッチングして活性層に対向す
る回折格子を形成する工程を含み分離領域と変調器部の
導波路を同時に形成できるので、周波数特性の改善され
た変調器集積型半導体レーザ装置を簡単な工程で形成で
きるという効果を有する。
導波方向に延在し半導体基板の長さの一部を全長とする
ストライプ形状を介して互いに対向しレーザの導波方向
の一端を含む一部が他部より幅が狭い形状をした一対の
第一の誘電体膜を形成し、この第一の誘電体膜をマスク
として半導体基板よりもバンドギャップエネルギーの小
さな第一の半導体層を有する第一の導波路層を選択成長
により形成し、第一の誘電体膜を除去し、一対の第一の
誘電体膜に挟まれて形成された第一の導波路層の表面上
の位置に、この第一の誘電体膜の長さに対応するストラ
イプ形状の第二の誘電体膜を形成し、この第二の誘電体
膜をマスクとして半導体基板が露呈するまでエッチング
し、第二の誘電体膜をマスクとし、第一の半導体層より
もバンドギャップエネルギーの小さい半導体の活性層を
有する第二の導波路層を、エッチングで露呈した半導体
基板上に選択成長により形成し、第二の誘電体膜を除去
し、第一，第二の導波路層の上に第二導電型半導体の第
一クラッド層および第二導電型半導体の光ガイド層を順
次形成し、光ガイド層をエッチングして活性層に対向す
る回折格子を形成する工程を含み分離領域と変調器部の
導波路を同時に形成できるので、周波数特性の改善され
た変調器集積型半導体レーザ装置を簡単な工程で形成で
きるという効果を有する。
【００９１】また、第一導電型の半導体基板の一主面上
に、レーザの導波方向に延在し半導体基板の長さの一部
を全長とした回折格子を介して、第一導電型半導体の第
一のクラッド層が配設された積層構造を準備し、第一の
クラッド層の表面上に、回折格子先端よりレーザの導波
方向に延在するストライプ部分を介して互いに対向し回
折格子に近接する端部を含む一部が他部より幅が狭い一
対の第一の誘電体膜を形成し、この第一の誘電体膜をマ
スクとして第一の半導体層よりもバンドギャップエネル
ギーの小さい半導体の活性層を有する第一の導波路層
を、エッチングで露呈した半導体基板上に選択成長によ
り形成し、第一の導波路層の表面上に、一対の第一の誘
電体膜に挟まれた位置にこの第一の誘電体膜の長さに対
応するストライプ形状の第二の誘電体膜を形成し、この
第二の誘電体膜をマスクとして第一のクラッド層が露呈
するまでエッチングし、第二の誘電体膜をマスクとし、
第一の半導体層よりもバンドギャップエネルギーの小さ
い半導体の活性層を有する第二の導波路層を、半導体基
板上に選択成長により形成する工程を含み、基板側に回
折格子を備えた構成において、分離領域と変調器部の導
波路を一度に形成できるので、周波数特性の改善された
変調器集積型半導体レーザ装置を簡単な工程で形成でき
るという効果を有する。
に、レーザの導波方向に延在し半導体基板の長さの一部
を全長とした回折格子を介して、第一導電型半導体の第
一のクラッド層が配設された積層構造を準備し、第一の
クラッド層の表面上に、回折格子先端よりレーザの導波
方向に延在するストライプ部分を介して互いに対向し回
折格子に近接する端部を含む一部が他部より幅が狭い一
対の第一の誘電体膜を形成し、この第一の誘電体膜をマ
スクとして第一の半導体層よりもバンドギャップエネル
ギーの小さい半導体の活性層を有する第一の導波路層
を、エッチングで露呈した半導体基板上に選択成長によ
り形成し、第一の導波路層の表面上に、一対の第一の誘
電体膜に挟まれた位置にこの第一の誘電体膜の長さに対
応するストライプ形状の第二の誘電体膜を形成し、この
第二の誘電体膜をマスクとして第一のクラッド層が露呈
するまでエッチングし、第二の誘電体膜をマスクとし、
第一の半導体層よりもバンドギャップエネルギーの小さ
い半導体の活性層を有する第二の導波路層を、半導体基
板上に選択成長により形成する工程を含み、基板側に回
折格子を備えた構成において、分離領域と変調器部の導
波路を一度に形成できるので、周波数特性の改善された
変調器集積型半導体レーザ装置を簡単な工程で形成でき
るという効果を有する。
【図１】 この発明に係る変調器付半導体レーザの一部
破断斜視図である。
破断斜視図である。
【図２】 図１のＩＩ−ＩＩ断面の断面図である。
【図３】 ＭＱＷの活性層の断面図である。
【図４】 この発明に係る変調器付レーザの製造工程を
示す素子の断面図である。
示す素子の断面図である。
【図５】 この発明に係る変調器付レーザの製造工程を
示す素子の断面図である。
示す素子の断面図である。
【図６】 この発明に係る変調器付レーザの一部工程の
素子の斜視図である。
素子の斜視図である。
【図７】 この発明に係る変調器付レーザの製造工程を
示す素子の断面図である。
示す素子の断面図である。
【図８】 この発明に係る変調器付レーザの製造工程を
示す素子の断面図である。
示す素子の断面図である。
【図９】 この発明に係る変調器付レーザの製造工程を
示す素子の断面図である。
示す素子の断面図である。
【図１０】 この発明に係る変調器付レーザの製造工程
を示す素子の断面図である。
を示す素子の断面図である。
【図１１】 この発明に係る変調器付レーザのイオン注
入を示す工程の素子の断面図である。
入を示す工程の素子の断面図である。
【図１２】 この発明に係る変調器付半導体レーザの断
面図である。
面図である。
【図１３】 この発明に係る変調器付半導体レーザの断
面図である。
面図である。
【図１４】 この発明に係る変調器付半導体レーザの断
面図である。
面図である。
【図１５】 この発明に係る変調器付半導体レーザの断
面図である。
面図である。
【図１６】 この発明に係る変調器付レーザの製造工
程を示す素子の断面図である。
程を示す素子の断面図である。
【図１７】 この発明に係る変調器付レーザの一部工程
の素子の斜視図である。
の素子の斜視図である。
【図１８】 この発明に係る変調器付レーザの製造工程
を示す素子の断面図である。
を示す素子の断面図である。
【図１９】 この発明に係る変調器付レーザの一部工程
の素子の斜視図である。
の素子の斜視図である。
【図２０】 この発明に係る変調器付レーザの製造工程
を示す素子の断面図である。
を示す素子の断面図である。
【図２１】 この発明に係る変調器付レーザの一部工程
の素子の斜視図である。
の素子の斜視図である。
【図２２】 この発明に係る変調器付レーザの製造工程
を示す素子の断面図である。
を示す素子の断面図である。
【図２３】 この発明に係る変調器付半導体レーザの
断面図である。
断面図である。
【図２４】 この発明に係る変調器付半導体レーザの
断面図である。
断面図である。
【図２５】 この発明に係る変調器付レーザの製造工程
を示す素子の断面図である。
を示す素子の断面図である。
【図２６】 この発明に係る変調器付レーザの製造工程
を示す素子の断面図である。
を示す素子の断面図である。
【図２７】 従来の変調器付レーザの一部破断斜視図で
ある。
ある。
【図２８】 図２７のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ断面
の断面図である。
の断面図である。
１２ 基板、 １６ 活性層、 ２０ レーザ導波
路、 ３２ 光導波層、 ３６ 分離部導波路、
４０ 光吸収層、 ４４ 変調器部導波路、 ２
２ 第１クラッド層、 ２６ 第２クラッド層、
２４ 回折格子、 ５４ 電流ブロック層、 ６２
ｐ側レーザ電極、 ６４ ｐ側変調器電極、 ６
８ 共通電極
路、 ３２ 光導波層、 ３６ 分離部導波路、
４０ 光吸収層、 ４４ 変調器部導波路、 ２
２ 第１クラッド層、 ２６ 第２クラッド層、
２４ 回折格子、 ５４ 電流ブロック層、 ６２
ｐ側レーザ電極、 ６４ ｐ側変調器電極、 ６
８ 共通電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 瀧口 透 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2H079 AA02 AA13 BA01 CA04 DA16 DA22 DA25 EA03 EA07 EA08 EB04 HA14 KA18 5F073 AA22 AA45 AA64 AA74 AB21 BA01 CA12 DA05 DA14 DA15 EA14
Claims (12)
- 【請求項１】 第１導電型の半導体基板と、 この半導体基板の一主面上の一部に配設されるととも
に、活性層を有するリッジ状の第一の導波路と、 この第一の導波路の延長方向にこの第一の導波路と連続
して上記半導体基板上に配設されるとともに、上記活性
層よりもバンドギャップエネルギーの大きいバルク構造
の光導波層を有するリッジ状の第二の導波路と、 この第二の導波路の延長方向にこの第二の導波路と連続
して上記半導体基板上に配設されるとともに、上記活性
層のバンドギャップエネルギーよりも大きく上記第一の
半導体層のバンドギャップエネルギーよりも小さいバル
ク構造の光吸収層を有するリッジ状の第三の導波路と、 これら第一、第二及び第三の導波路上に配設された第二
導電型半導体の第一クラッド層と、 この第一のクラッド層または上記半導体基板と上記第
一、第二及び第三の導波路との間に配設され、上記第一
の導波路に沿って配設された回折格子を含むリッジ状の
第二のクラッド層と、 上記第一、第二のクラッド層、上記第一、第二及び第三
の導波路の両側の上記半導体基板上に配設された電流ブ
ロック層と、 上記第一のクラッド層の上に上記活性層に対向して配設
された第一の電極と、 この第一の電極と分離し、上記第一のクラッド層の上に
上記光吸収層に対向して配設された第二の電極と、 上記半導体基板の他主面上に配設された第三の電極と、
を備えた変調器集積型半導体レーザ装置。 - 【請求項２】第二の導波路が第一の導波路と接合面を介
して連続したことを特徴とする請求項１記載の変調器集
積型半導体レーザ装置。 - 【請求項３】第三の導波路が第二の導波路と接合面を介
して連続するとともに光導波層及び光吸収層がともにバ
ルク結晶構造であることを特徴とする請求項２記載の変
調器集積型半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 光導波層および光吸収層がともにディス
オーダリングによる混晶化された多重量子井戸構造で、
光導波層の混晶化の程度が吸収層のそれよりも高いこと
を特徴とする請求項１または２記載の変調器集積型半導
体レーザ装置。 - 【請求項５】 第二の導波路の光導波層が第一の導波路
に隣接する側よりも第三の導波路に隣接する側で厚い層
厚みを有することを特徴とする請求項２記載の変調器集
積型半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 第１導電型の半導体基板と、 この半導体基板の一主面上の一部に配設されるととも
に、活性層を有するリッジ状の第一の導波路と、 この第一の導波路の延長方向にこの第一の導波路と接合
面を介して連続し上記半導体基板上に配設されるととも
に、上記活性層よりもバンドギャップエネルギーの大き
い光導波層を有するリッジ状の第二の導波路と、 この第二の導波路の延長方向にこの第二の導波路と接合
面を介して連続し上記半導体基板上に配設されるととも
に、上記活性層のバンドギャップエネルギーよりも大き
く上記光導波層のバンドギャップエネルギーよりも小さ
い多重量子井戸構造の光吸収層を有するリッジ状の第三
の導波路と、 これら第一、第二及び第三の導波路上に配設された第二
導電型半導体の第一クラッド層と、 この第一のクラッド層または上記半導体基板と上記第
一、第二及び第三の導波路との間に配設され、上記第一
の導波路に沿って配設された回折格子を含むリッジ状の
第二のクラッド層と、 上記第一、第二のクラッド層、上記第一、第二及び第三
の導波路の両側の上記半導体基板上に配設された電流ブ
ロック層と、 上記第一のクラッド層の上に上記活性層に対向して配設
された第一の電極と、 この第一の電極と分離し、上記第一のクラッド層の上に
上記吸収層に対向して配設された第二の電極と、 上記半導体基板の他主面上に配設された第三の電極と、
を備えた変調器集積型半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 光導波層がバルク結晶構造であることを
特徴とする請求項６記載の変調器集積型半導体レーザ装
置。 - 【請求項８】 光導波層が多重量子井戸構造であること
を特徴とする請求項６記載の変調器集積型半導体レーザ
装置。 - 【請求項９】 第一導電型の半導体基板の一主面上に、
活性層を有する第一の導波路層とこの第一の導波路層の
上に配設された第二導電型半導体の第一クラッド層とが
配設され、この第一のクラッド層または半導体基板と上
記第一の導波路層との間に、回折格子を埋設した所定の
導電型の半導体の第二のクラッド層をさらに備えた積層
構造を準備する第一の工程と、 第一のクラッド層の表面上に、レーザの導波方向に延在
し回折格子に重なるとともに半導体基板の一部長さを全
長とするストライプ状の第一の誘電体膜を形成し、この
第一の誘電体膜をマスクとして半導体基板が露呈するま
でエッチングする第二の工程と、 第一の誘電体膜をマスクとし、活性層よりもバンドギャ
ップエネルギーの大きい光導波層を有する第二の導波路
層および第二導電型半導体の第三のクラッド層を、エッ
チングで露呈した半導体基板上に順次形成する第三の工
程と、 第一の誘電体膜を除去し、第二のクラッド層及び第三の
クラッド層の表面上に、第一の誘電体膜の位置を含みさ
らにレーザの導波方向に延長させたストライプ状の第二
の誘電体膜を形成し、この第二の誘電体膜をマスクとし
て半導体基板が露呈するまでエッチングする第四の工程
と、 第二の誘電体膜をマスクとし、活性層のバンドギャップ
エネルギーよりも大きく光導波層のバンドギャップエネ
ルギーよりも小さい半導体の光吸収層を有する第三の導
波路層および第二導電型半導体の第四のクラッド層を、
エッチングで露呈した半導体基板上に順次形成する第五
の工程と、 第二の誘電体膜を除去し、第二のクラッド層、第三のク
ラッド層及び第四のクラッド層の表面上に、第二の誘電
体膜の位置を含みさらにレーザの導波方向に延長したス
トライプ状の第三の誘電体膜を形成し、この第三の誘電
体膜をマスクとして半導体基板が露呈するまでエッチン
グしてリッジを形成し、エッチングで露呈した半導体基
板上に電流ブロック層を形成する第六の工程と、を含む
変調器集積型半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１０】 第一導電型の半導体基板の一主面上
に、活性層を有する第一の導波路層とこの第一の導波路
層の上に配設された第二導電型半導体の第一のクラッド
層とが配設され、この第一のクラッド層または半導体基
板と上記第一の導波路層との間に、回折格子を埋設した
所定の導電型の半導体の第二のクラッド層をさらに備え
た積層構造を準備する第一の工程と、 第一のクラッド層の表面上に、レーザの導波方向に延在
し回折格子に重なるとともに半導体基板の一部長さを全
長とするストライプ状の第一の誘電体膜とこの第一の誘
電体膜のレーザ導波方向の延長上のストライプ部分を介
して互いに対向し第一の誘電体膜に近接する端部を含む
一部が他部より幅が狭い一対の第二の誘電体膜とを形成
し、これらの誘電体膜をマスクとして半導体基板が露呈
するまでエッチングする第二の工程と、 第一，第二の誘電体膜をマスクとし、活性層よりもバン
ドギャップエネルギーの大きい半導体層を有する第二の
導波路層および第二導電型半導体の第三のクラッド層
を、エッチングで露呈した半導体基板上に選択成長によ
り順次形成する第三の工程と、 第一，第二の誘電体膜を除去し、第二のクラッド層およ
び第三のクラッド層の表面上に、第二の誘電体膜の位置
を含みさらにレーザの導波方向に延長したストライプ状
の第三の誘電体膜を形成し、この第三の誘電体膜をマス
クとして半導体基板が露呈するまでエッチングしてリッ
ジを形成し、エッチングで露呈した半導体基板上電流ブ
ロック層を形成する第四の工程と、を含む変調器集積型
半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１１】 第一導電型の半導体基板の一主面上
に、レーザの導波方向に延在し半導体基板の長さの一部
を全長とするストライプ形状を介して互いに対向しレー
ザの導波方向の一端を含む一部が他部より幅が狭い形状
をした一対の第一の誘電体膜を形成し、この第一の誘電
体膜をマスクとして半導体基板よりもバンドギャップエ
ネルギーの小さな第一の半導体層を有する第一の導波路
層を選択成長により形成する第一の工程と、 第一の誘電体膜を除去し、一対の第一の誘電体膜に挟ま
れて形成された第一の導波路層の表面上の位置に、この
第一の誘電体膜の長さに対応するストライプ形状の第二
の誘電体膜を形成し、この第二の誘電体膜をマスクとし
て半導体基板が露呈するまでエッチングする第二の工程
と、 第二の誘電体膜をマスクとし、第一の半導体層よりもバ
ンドギャップエネルギーの小さい半導体の活性層を有す
る第二の導波路層を、エッチングで露呈した半導体基板
上に選択成長により形成する第三の工程と、 第二の誘電体膜を除去し、第一，第二の導波路層の上に
第二導電型半導体の第一クラッド層および第二導電型半
導体の光ガイド層を順次形成し、光ガイド層をエッチン
グして活性層に対向する回折格子を形成し、第二導電型
半導体の第二のクラッド層で前記回折格子を埋設する第
四の工程と、 第二のクラッド層の上に、第二の誘電体膜の幅以下の幅
でレーザの導波方向に延在し第一の半導体層と活性層を
覆う長さをしたストライプ状の第三の誘電体膜を形成
し、この第三の誘電体膜をマスクとして半導体基板が露
呈するまでエッチングしてリッジを形成し、エッチング
で露呈した半導体基板上に電流ブロック層を形成する第
五の工程と、を含む変調器集積型半導体レーザ装置の製
造方法。 - 【請求項１２】 第一導電型の半導体基板の一主面上
に、レーザの導波方向に延在し半導体基板の長さの一部
を全長とした回折格子を介して、第一導電型半導体の第
一のクラッド層が配設された積層構造を準備する第一の
工程と、 第一のクラッド層の表面上に、回折格子先端よりレーザ
の導波方向に延在するストライプ部分を介して互いに対
向し回折格子に近接する端部を含む一部が他部より幅が
狭い一対の第一の誘電体膜を形成し、この第一の誘電体
膜をマスクとして第一の半導体層よりもバンドギャップ
エネルギーの小さい半導体の活性層を有する第一の導波
路層を、エッチングで露呈した半導体基板上に選択成長
により形成する第二の工程と、 第一の導波路層の表面上に、一対の第一の誘電体膜に挟
まれた位置にこの第一の誘電体膜の長さに対応するスト
ライプ形状の第二の誘電体膜を形成し、この第二の誘電
体膜をマスクとして第一のクラッド層が露呈するまでエ
ッチングする第二の工程と、 第二の誘電体膜をマスクとし、第一の半導体層よりもバ
ンドギャップエネルギーの小さい半導体の活性層を有す
る第二の導波路層を、半導体基板上に選択成長により形
成する第三の工程と、 残存する誘電体膜を除去し、第一，第二の導波路層上に
第二のクラッド層を形成する工程と、 第二のクラッド層の上に、第二の誘電体膜の幅以下の幅
でレーザの導波方向に延在し第一の半導体層と活性層を
覆う長さをしたストライプ状の第三の誘電体膜を形成
し、この第三の誘電体膜をマスクとして半導体基板が露
呈するまでエッチングしてリッジを形成し、エッチング
で露呈した半導体基板上に電流ブロック層を形成する第
五の工程と、を含む変調器集積型半導体レーザ装置の製
造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11085473A JP2000277869A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 変調器集積型半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US09/400,531 US6455338B1 (en) | 1999-03-29 | 1999-09-21 | Method of manufacturing an integrated semiconductor laser-modulator device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11085473A JP2000277869A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 変調器集積型半導体レーザ装置及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP11085473A Pending JP2000277869A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 変調器集積型半導体レーザ装置及びその製造方法 |
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