JPH0720506A - 光スイッチ及びその製造方法 - Google Patents

光スイッチ及びその製造方法

Info

Publication number
JPH0720506A
JPH0720506A JP5160629A JP16062993A JPH0720506A JP H0720506 A JPH0720506 A JP H0720506A JP 5160629 A JP5160629 A JP 5160629A JP 16062993 A JP16062993 A JP 16062993A JP H0720506 A JPH0720506 A JP H0720506A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switch
layer
optical
signal light
waveguide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5160629A
Other languages
English (en)
Inventor
Toru Takiguchi
透 瀧口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP5160629A priority Critical patent/JPH0720506A/ja
Priority to GB9401353A priority patent/GB2280306B/en
Priority to US08/188,233 priority patent/US5452383A/en
Priority to DE4404459A priority patent/DE4404459A1/de
Publication of JPH0720506A publication Critical patent/JPH0720506A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
    • G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
    • G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions
    • G02F1/3138—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions the optical waveguides being made of semiconducting materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
    • G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
    • G02F1/01708—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells in an optical wavequide structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H01S5/2272—Buried mesa structure ; Striped active layer grown by a mask induced selective growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34306—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000nm, e.g. InP based 1300 and 1500nm lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/3434—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer comprising at least both As and P as V-compounds

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 スイッチ部におけるＯＮ／ＯＦＦ比を高くで
き、しかも、導波路とスイッチ部の境界における信号光
の通過損失が無く、かつ、信号光が導波路を導波してい
く過程で生ずる信号光の吸収損失が小さい光スイッチ及
びその製造方法を得る。 【構成】 導波路２Ａ〜２Ｃの光導波層を多重量子井戸
層３１で形成し、該多重量子井戸層３１のスイッチ部３
０ａ，３０ｂとなる部分３１′の厚みを他の部分の厚み
より厚くして、そのエネルギーバンドギャップを信号光
のエネルギーより小さくならない範囲で上記他の部分の
それよりも小さくする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光スイッチ及びその
製造方法に関し、特に信号光が導波路を導波する過程で
の吸収損失が少なく、かつ、ＯＮ／ＯＦＦ比の高いスイ
ッチ部を備えた光スイッチ及びその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図１８，図１９は雑誌IEEE PHOTONICS T
ECHNOLOGY LETTERS(Vol.2,No.3,p.214〜215,1990) に示
された従来の光スイッチの構成を概略的に示した斜視図
と上面図であり、図において、１８０は光スイッチで、
これは、その裏面に電極１５が形成されたｎ型ＩｎＰ基
板１上に、波長１．１５μｍに対応するエネルギーバン
ドギャップを有するＩｎＧａＡｓＰ光導波層２３を光導
波層とする導波路２ａ〜２ｃが形成され、導波路２ａと
導波路２ｂの交差する部分の導波路２ａ側にスイッチ部
３ａが、導波路２ｃと導波路２ｂの交差する部分の導波
路２ｃ側にスイッチ部３ｂがそれぞれ形成され、導波路
２ｂに光増幅部１７が形成されて、構成されている。図
中、４〜６は信号光を示す矢印、８はスイッチ部３ａ，
スイッチ部３ｂ及び光増幅部１７を構成する電極であ
る。
【０００３】一方、図２０〜図２２は上記図１９のXX−
XX線，XXI −XXI 線及びXXII−XXII線における断面図で
あり、図２０は上記導波路２ｃの内部構造を示し、図２
１は上記スイッチ部３ａの内部構造を示し、図２２は増
幅部１７の内部構造を示している。尚、上記導波路２
ａ，２ｂの内部構造は図２０に示す導波路２ｃのそれと
同じであり、また、上記スイッチ部３ｂの内部構造は図
２１に示すスイッチ部３ａのそれと同じである。
【０００４】以下、図２０〜２２により上記各部の内部
構造を詳しく説明する。導波路２ａ〜２ｃにおけるスイ
ッチ部３ａ，３ｂとスイッチ部３ａ，３ｂ以外の他の導
波路部分の半導体層の層構成は基本的に同じであり、こ
れら半導体層は、ｎ型ＩｎＰ基板１上に形成されたＩｎ
ＧａＡｓＰ光導波層１２と、該ＩｎＧａＡｓＰ光導波層
１２上に形成され、該ＩｎＧａＡｓＰ光導波層１２とと
もに所定幅にパターニングされたｐ型ＩｎＰクラッド層
９及びＩｎＧａＡｓＰキャップ層１０から構成されてい
る。そして、スイッチ部３ａ，３ｂでは、図２１に示す
ように、ＩｎＧａＡｓＰキャップ層１０の上面に所定幅
の電極８が形成され、ＩｎＧａＡｓＰキャップ層１０の
上記電極８が形成されていない部分と、ＩｎＧａＡｓＰ
光導波層１２及びＰ−ＩｎＰクラッド層９の露出面がＳ
ｉＯ2 膜からなる絶縁膜１１で覆われ、スイッチ部３
ａ，３ｂ以外の導波路部分では、ＩｎＧａＡｓＰキャッ
プ層１０，ＩｎＧａＡｓＰ光導波層１２及びＰ−ＩｎＰ
クラッド層９の露出面全てがＳｉＯ2 膜からなる絶縁膜
１１で覆われている。
【０００５】また、図２２に示すように、導波路２ｂに
設けられた増幅部１７の内部構造は、導波路２ｂの増幅
部１７以外の他の導波路部分のそれとは異なり、ＩｎＧ
ａＡｓＰ光導波層１２とｐ−ＩｎＰクラッド層９との間
に更にＩｎＰエッチングストッパ層１４と波長１．３μ
ｍに対応するエネルギーバンドギャップを有するＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層１３が形成されている。
【０００６】次に、動作について説明する。先ず、スイ
ッチ部の動作について説明する。スイッチ部３ａ，３ｂ
において、電極８より電流を注入すると、プラズマ効果
とバンドフィリング効果により、この部分のＩｎＧａＡ
ｓＰ光導波層１２の屈折率が低下し、これにより、電流
が注入されたスイッチ部３ａ，３ｂにおけるＩｎＧａＡ
ｓＰ光導波層１２の屈折率と、電流が注入されない導波
路２ａ，２ｃのスイッチ部３ａ，３ｂ以外の他の導波路
部分との間に屈折率差が生じる。従って、導波路２ａを
矢印方向から進んできた信号光４は上記屈折率差により
スイッチ部３ａで導波路２ｂの方向へ反射されて、導波
路２ｂを進行し、次いで、スイッチ部３ｂで導波路２ｃ
の方向ヘ反射され、導波路２ｃを進行する（信号光
６）。一方、スイッチ部３ａ，３ｂに電流を注入しない
場合は、スイッチ部３ａ，３ｂと導波路２ａ，２ｃのス
イッチ部３ａ，３ｂ以外の他の導波路部分との間に屈折
率差を生じないため、導波路２ａを矢印方向から進んで
きた信号光４はそのまま導波路２ａを直進する（信号光
５）。
【０００７】次に、信号光の増幅について説明する。一
般に信号光は導波路を通過する際の吸収損失によってそ
の強度が弱くなる。光増幅部７においては、電極８から
電流を注入すると、半導体レーザの動作と同様の利得機
構により、この部分を通過する信号光を増幅させること
ができる。従って、上記のような導波路を通過すること
により損失を受けてその強度が低下した信号光は、光増
幅部７により再びその強度を増大させることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
光スイッチは、スイッチ部が導波路のスイッチ部以外の
他の導波路部分と同じエネルギーバンドギャップを有す
る半導体層でもって形成されており、スイッチ部の電流
注入時の屈折率変化が小さく、そのＯＮ／ＯＦＦ比を大
きくすることができないため、信号光を効率よく反射さ
せることができないという問題点があった。
【０００９】また、導波路に光増幅部を設けることによ
り、信号光が導波路を導波していく過程で生ずる吸収損
失を回復するようにしているものの、その増幅の程度は
あまり大きくなく、信号光の強度を高いレベルに安定に
保つことができないという問題点があった。
【００１０】ところで、特開昭６０−２５２３２９号公
報には、スイッチ部を多重量子井戸層（以下、ＭＱＷ層
と称す。）で構成することにより、スイッチ部における
ＯＮ／ＯＦＦ比を高くした光スイッチが提案されてい
る。しかるに、この光スイッチでは、スイッチ部と導波
路とを互いに異なる別の工程で形成しなければならない
ため、製造工程が煩雑になるという問題点があり、ま
た、スイッチ部と導波路における光導波層が異なる半導
体層で構成されることから、スイッチ部と導波路との境
界部における信号光の通過損失が大きく、信号光の強度
を安定に保つことができないという問題点がある。
【００１１】また、特開平１−２８３５２６号公報に
は、スイッチ部における上下のクラッド層をＭＱＷ層で
構成することにより、スイッチ部におけるＯＮ／ＯＦＦ
比を高くした光スイッチが提案されている。この光スイ
ッチは、上記特開昭６０−２５２３２９号公報に提案さ
れたものとは異なり、上記図１８，１９で示した光スイ
ッチと同様にスイッチ部とスイッチ部以外の導波路部分
における光導波層がひと続きの同じ半導体層で構成され
ているため、上記のようなスイッチ部と導波路の境界部
で信号光の通過損失が生じるという問題点は発生しな
い。しかしながら、スイッチ部の上下のクラッド層をＭ
ＱＷ層にしたところで、スイッチ部における屈折率変化
の増加の程度は小さく、スイッチ部のＯＮ／ＯＦＦ比を
満足できるレベルに向上させることはできない。
【００１２】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、スイッチ部におけるＯＮ／ＯＦ
Ｆ比を高くでき、しかも、導波路とスイッチ部の境界に
おける信号光の通過損失が無く、かつ、信号光が導波路
を導波していく過程で生ずる信号光の吸収損失も小さく
できる光スイッチ及びその製造方法を得ることを目的と
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる光スイ
ッチは、基板上にＭＱＷ層からなる光導波層を含む半導
体層を形成し、このＭＱＷ層のスイッチ部を構成する部
分の層厚を他の導波路を構成する部分の層厚より厚くす
ることにより、スイッチ部における光導波層のエネルギ
ーバンドギャップを導波路となる部分の光導波層のエネ
ルギーバンドギャップより小さく、かつ、信号光のエネ
ルギーより大きくしたものである。
【００１４】更に、この発明にかかる光スイッチは、上
記ＭＱＷ層の上記スイッチ部を構成する部分とは異なる
光増幅部を構成する部分の層厚を、上記スイッチ部を構
成する部分の層厚より厚くして、そのエネルギーギャッ
プを上記信号光のエネルギーより小さくなるようにした
ものである。
【００１５】更に、この発明にかかる光スイッチは、上
記ＭＱＷ層における信号光の導波方向に対する上記スイ
ッチ部の下流側に、上記スイッチ部と同等のエネルギー
バンドギャップを有する光吸収部を形成したものであ
る。
【００１６】更に、この発明にかかる光スイッチの製造
方法は、半導体基板のスイッチ部が形成される領域を所
定間隔を空けてマスクパターンで挟み、この状態で、該
半導体基板上のスイッチ部が形成される領域に成長する
ＭＱＷ層のエネルギーバンドギャップが信号光のエネル
ギーより大きくなるように、該ＭＱＷ層を含む半導体層
をエピタキシャル成長し、この後、この成長したエピタ
キシャル成長層を所定の導波路パターンにパターニング
するようにしたものである。
【００１７】更に、この発明にかかる光スイッチの製造
方法は、上記半導体基板上の上記光スイッチ部が形成さ
れる領域とは異なる光増幅部が形成される領域を、上記
スイッチ部が形成される領域を挟んだマスクパターンの
間隔よりも小さい間隔を空けてマスクパターンで挟み、
この状態で上記ＭＱＷ層を含む半導体層をエピタキシャ
ル成長するようにしたものである。
【００１８】更に、この発明にかかる光スイッチの製造
方法は、上記半導体基板上の上記光スイッチ部が形成さ
れる領域とは異なる光吸収部が形成される領域を、上記
スイッチ部が形成される領域を挟んだマスクパターンの
間隔と同等の間隔を空けてマスクパターンで挟み、この
状態で上記ＭＱＷ層を含む半導体層をエピタキシャル成
長するようにしたものである。
【００１９】
【作用】この発明においては、光導波層のエネルギーバ
ンドギャップを信号光のエネルギーより大きくし、該光
導波層のスイッチ部を構成する部分のエネルギーバンド
ギャップを導波路を構成する部分のエネルギーバンドギ
ャップより小さくしたから、光導波層を導波する過程で
起こる信号光の吸収損失が少なくなって、信号光の強度
の低下を小さくすることができ、しかも、スイッチ部に
電流を注入した時の該スイッチ部における屈折率変化が
大きくなることから、スイッチ部におけるＯＮ／ＯＦＦ
比を高めることができる。
【００２０】更に、この発明においては、上記光導波層
に上記信号光のエネルギーより小さいエネルギーバンド
ギャップを有する増幅部を形成したから、この部分で信
号光が効率よく増幅されることとなり、光導波層を導波
する過程で生ずる信号光の吸収損失を補償することがで
きる。
【００２１】更に、この発明においては、信号光の導波
方向における上記スイッチ部の下流側に、上記スイッチ
部と同等のエネルギーバンドギャップを有する光吸収部
を設けたから、上記スイッチ部で反射されずに上記スイ
ッチ部を通過してしまった信号光はこの光吸収部で吸収
されることになり、不要な信号光が光導波層を導波する
ことを無くすことができる。
【００２２】更に、この発明においては、半導体基板上
のスイッチ部が形成される所定領域を所定の間隔を空け
てマスクパターンで挟み、この状態で該半導体基板上に
ＭＱＷ層からなる光導波層を含む半導体層をエピタキシ
ャル成長するだけで、信号光のエネルギーよりそのエネ
ルギーバンドギャップが大きく、且つ、そのスイッチ部
を構成する部分のエネルギーバンドギャップは他の部分
に比べて小さくなった光導波層を含む半導体層を形成す
ることができるので、導波する信号光の強度の低下が小
さく、かつ、スイッチ部のＯＮ／ＯＦＦ比が高くなった
光スイッチを簡単な工程で製造することが可能になる。
【００２３】更に、この発明においては、上記半導体基
板上の上記スイッチ部が形成される領域とは異なる上記
増幅部が形成される所定領域を、上記スイッチ部が形成
される所定領域を挟むマスクパターンの間隔よりも小さ
い間隔を空けてマスクパターンで挟み、この状態で上記
半導体層をエピタキシャル成長するようにしたから、上
記スイッチ部とともに、その強度が低下した信号光を効
率よく増幅できる光増幅部を備えた光スイッチを簡単な
工程で製造することが可能になる。
【００２４】更に、この発明においては、上記半導基板
上の上記スイッチ部が形成される領域に近接する上記光
吸収部が形成される所定領域を、上記スイッチ部が形成
される所定領域を挟むマスクパターンの間隔と同等の間
隔を空けてマスクパターンで挟み、この状態で上記半導
体層をエピタキシャル成長するようにしたから、上記ス
イッチ部とともに、上記スイッチ部を通過してしまった
不要な信号光を吸収する光吸収部を備えた光スイッチを
簡単な工程で製造することが可能になる。
【００２５】
【実施例】
実施例１．図１，２はこの発明の実施例１によるそのエ
ネルギーが０．９５ｅＶ（波長１．３μｍに対応）の信
号光が導波する光スイッチの構成を概略的に示した斜視
図と上面図である。図において、図１８，１９と同一符
号は同一または相当する部分を示し、１００は光スイッ
チで、これは、その裏面にＣｒ／Ａｕからなる電極１３
が形成されたｎ型ＩｎＰ基板１，ｎ型ＩｎＰ基板１上に
形成された導波路２Ａ〜２Ｃ，導波路２Ａと導波路２Ｂ
の交差する部分の導波路２Ａ側に形成されたスイッチ部
３０ａ及び導波路２Ｃと導波路２Ｂの交差する部分の導
波路２Ｃ側に形成されたスイッチ部３０ｂとから構成さ
れている。また、図中４〜６は信号光を示す矢印、８は
スイッチ部３０ａ，３０ｂに設けられたＡｕ／Ｚｎ／Ｎ
ｉからなる電極である。
【００２６】図３は図２のIII −III 線における断面図
で、図１，２に示した導波路２Ｃの内部構造を示してい
る。尚、上記導波路２Ａ，２Ｂもこの図３に示す導波路
２Ｃの内部構造と同様の内部構造からなっている。図３
において、２Ｃは導波路で、これは、ｎ型ＩｎＰ基板１
上に順次形成されたｎ型ＩｎＰクラッド層３２，ＭＱＷ
層からなる光導波層３１，ｐ型ＩｎＰクラッド層９及び
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０と、これら各層の
露出部を被覆するＳｉＯ2 絶縁膜１１とで構成されてい
る。ここで、上記ＭＱＷ層からなる光導波層３１は、厚
み１０オングストームのＩｎ0.68Ｇａ0.32Ａｓ0.70Ｐ0.
30ウェル層３１ａと厚み７０オングストロームのＩｎＰ
又はＩｎ0.85Ｇａ0.15Ａｓ0.32Ｐ0.68バリア層３１ｂと
が交互に積み重ねて構成されており、波長１．１８μｍ
に対応するエネルギーバンドギャップ１．０５ｅＶを有
している。
【００２７】また、図４は図２のIV−IV線における断面
図で、図１，２に示したスイッチ部３０ａを含む導波路
２Ａ，２Ｂの交差する部分の内部構造を示している。
尚、スイッチ部３０ｂを含む上記記導波路２Ｂ，２Ｃの
交差する部分もこの図と同様の内部構造からなってい
る。図４において、導波路２Ａ，２Ｂは、ｎ型ＩｎＰ基
板１上に順次形成されたｎ型ＩｎＰクラッド層３２，Ｍ
ＱＷ層からなる光導波層３１′，ｐ型ＩｎＰクラッド層
９及びｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０と、これら
各層の露出面を被覆するＳｉＯ2 絶縁膜１１とで構成さ
れている。ここで、上記ＭＱＷ層からなる光導波層３
１′は、上記ＩｎＧａＡｓＰウェル層３１ａよりも大き
な厚みに形成された，厚み７０オングストロームのＩｎ
ＧａＡｓＰウェル層３１ａ′と、上記ＩｎＰ又はＩｎＧ
ａＡｓＰバリア層３１ｂよりも大きな厚みに形成され
た，厚み３００オングストロームのＩｎＰ又はＩｎＧａ
ＡｓＰバリア層３１ｂ′とが交互に積み重ねて構成さ
れ、波長１．２７μｍに対応するエネルギーバンドギャ
ップ０．９８ｅＶを有している。即ち、上記光導波層３
１のエネルギーバンドギャップ（１．０５ｅＶ）よりも
小さいエネルギーバンドギャップを有している。ここ
で、導波路２Ａの電極８の形成されている部分がスイッ
チ部３０ａになっている。
【００２８】次に、動作について説明する。図５は上記
導波路２Ａ〜２Ｃ内部における信号光の進路を示した図
である。図において、図１，２と同一符号は同一または
相当する部分を示し、３３は導波路２Ａにおけるスイッ
チ部３０ａと他の導波路部分との境界部、３４は導波路
２Ｃにおけるスイッチ部３０ｂと他の導波路部分との境
界部、θは信号光４のスイッチ部３０ａ（境界部３３）
への入射角である。
【００２９】導波路２Ａ，２Ｃに設けられたスイッチ部
３０ａ，３０ｂにおいて電極８からその内部に電流を注
入すると、電流が注入された部分の光導波層３１′の屈
折率が減少し、該スイッチ部３０ａ，３０ｂにおける光
導波層３１′と、スイッチ部３０ａ，３０ｂの周囲の電
流が注入されない部分の光導波層３１′及び導波路２
Ａ，２Ｃのスイッチ部以外の他の部分の光導波層３１と
の間に屈折率差が生ずる（図３，４参照）。従って、導
波路２Ａ内の光導波層３１，３１′をスイッチ部３０ａ
に向かって進行してきた信号光４は、上記境界面３３で
反射され、導波路２Ｂを進行し、次いで、上記境界面３
４で反射され、導波路２Ｃを進行する（信号光６）。一
方、スイッチ部３０ａ，３０ｂの半導体層内に電流を注
入しない場合、上記信号光４は、スイッチ部３ａを通過
して、導波路２Ａを進行する（信号光５）。ここで、上
記導波路２Ａ，２Ｂに形成したスイッチ部３０ａ，３０
ｂは、スイッチ部３０ａ，３０ｂと他の導波路部分との
境界部３３，３４における信号光の反射率が高いほど、
スイッチング特性が良好に、即ち、ＯＮ／ＯＦＦ比が高
くなる。
【００３０】図６は、スイッチ部に入射する信号光の入
射角と反射率の関係を示した図である。図中のθB はス
イッチ部に入射する信号光がスイッチ部とスイッチ部以
外の他の導波路部分との間の境界部で全反射するブリュ
ースター角を示し、θ1 ，θ2 はスイッチ部に入射する
信号光の最小の入力角と最大の入力角を示している。こ
のブリュースター角θB は、導波路を構成する光導波層
の屈折率をｎ，電流注入による屈折率変化をΔｎとする
と下記式(1) で表わされる。そして、この式(1) より、
光導波層のエネルギーバンドギャップが小さいほど上記
屈折率変化Δｎは大きくなることから、光導波層のエネ
ルギーバンドギャップが小さいほどブリュースター角θ
B が小さくなることがわかる。
【００３１】
【数１】
【００３２】ここで、図６は、導波路を構成する光導波
層のエネルギーバンドギャップが大きく、ブリュースタ
ー角θB がスイッチ部に入射する信号光がとりうる入射
角度の範囲（θ1 〜θ2 ）内に存在する場合は、ブリュ
ースター角θB より小さい角度で入力する信号光がスイ
ッチ部で反射されることなくスイッチ部を透過してしま
い（図６(a) ）、導波路を構成する光導波層のバンドギ
ャップが小さく信号光がとりうる最小の入射角度θ1 よ
りもブリュースター角θB が小さい場合は、あらゆる角
度（θ1 〜θ2 ）でスイッチ部に入射する信号光が全て
全反射する（図６(b) ）ことを示している。つまり、こ
の図６より、スイッチ部のスイッチング特性を良好にす
る（ＯＮ／ＯＦＦ比を高める）ためには、スイッチ部を
構成する光導波層のエネルギーバンドギャップを小さく
すればよいことがわかる。一方、導波路を構成する光導
波層のエネルギーバンドギャップが小さいほど、導波路
を信号光が導波する際の吸収損失が大きくなることが知
られている。
【００３３】また、図７はＭＱＷ層を構成するウエル層
の層厚とＭＱＷ層のエネルギーバンドギャップの関係を
示した図で、この図に示すように、ＭＱＷ層はそのウェ
ル層の層厚が厚くなるにつれてそのバンドギャップが小
さくなることが知られている。
【００３４】従って、本実施例では、導波路２Ａ〜２Ｃ
の光導波層をＭＱＷ層で構成し、該ＭＱＷ層のスイッチ
部３０ａを含む，導波路２Ａと導波路２Ｂの交差する部
分３１′のエネルギーバンドギャップが、他の部分３１
のエネルギーバンドギャップより小さくなるように、そ
のＩｎＧａＡｓＰウェル層３１ａ′の厚みをＩｎＧａＡ
ｓＰウェル層３１ａのそれよりもを厚く形成している
（図３，４参照）。
【００３５】次に、製造方法について説明する。一般
に、半導体基板上の所定領域の周囲をＳｉＯ2 膜等の絶
縁膜からなるマスクパターンで挟み、この状態で該半導
体基板上に半導体層をエピタキシャル成長した場合、上
記マスクパターンのない所定領域に供給されるIII 族元
素（Ｉｎ，Ｇａ）はそのまま半導体層成長に寄与し、上
記マスクパターン上に供給されたIII 族元素（Ｉｎ，Ｇ
ａ）は該マスクパターン上を移動して、上記マスクパタ
ーンのない所定領域に到達し、該領域における上記半導
体層の成長に寄与する。従って、上記半導体基板上の上
記マスクパターンで挟まれた所定領域における半導体層
の成長速度は、上記半導体基板上の上記マスクパターン
で挟まれていない領域における半導体層の成長速度より
も速くなることが知られている。
【００３６】先ず、図８に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板
１上の導波路２Ａ，２Ｂ，２Ｃが形成されるべき所定領
域２Ａ′，２Ｂ′，２Ｃ′の上記スイッチ部３０ａ，３
０ｂが形成される領域を所定間隔（Ｗａ）を空けて例え
ばＳｉＯ2 膜からなるマスクパターン３５で挟み、この
状態でｎ型ＩｎＰ基板１上にｎ−ＩｎＰクラッド層３
２，光導波層３１，３１′，ｐ型ＩｎＰクラッド層９，
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０を例えばＭＯＣＶ
Ｄ法により順次エピタキシャル成長する。このエピタキ
シャル成長時、上述した特性により、ｎ型ＩｎＰ基板１
上のマスクパターン３５で挟まれた領域は、ｎ型ＩｎＰ
基板１上の他の領域よりも成長速度が速くなり、上記各
層はこのマスクパターン３５で挟まれた領域に成長した
部分の厚みが他の部分に比べて厚くなる。次に、上記マ
スクパターン３５を除去した後、上記導波路２Ａ，２
Ｂ，２Ｃを形成されるべき所定領域２Ａ′，２Ｂ′，２
Ｃ′以外の領域に成長した上記半導体層をエッチング除
去する。この後、全面にＳｉＯ2 からなる絶縁膜１１を
形成し、上記工程により残された導波路２Ａ，２Ｂ，２
Ｃを構成する半導体層（上記ｎ−ＩｎＰクラッド層３
２，光導波層３１，３１′，ｐ型ＩｎＰクラッド層９，
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０）のスイッチ部３
０ａ，３０ｂとなる部分上にある絶縁膜１１を除去し、
例えばＡｕ／Ｚｎ／Ｎｉからなる電極１２を形成し、更
に、ｎ型ＩｎＰ基板１の裏面に例えばＣｒ／Ａｕからな
る電極１３を形成すると、図１に示す光スイッチ１００
が得られる。
【００３７】このような本実施例の光スイッチでは、光
導波層３１，３１′のエネルギーバンドギャップはそれ
ぞれ１．０５ｅＶと０．９８ｅＶで、信号光のエネルギ
ー０．９５ｅＶより大きく、かつ、スイッチ部３０ａ，
３０ｂを構成する上記光導波層３１′のエネルギーバン
ドギャップ（０．９８ｅＶ）を、スイッチ部以外の導波
路を構成する上記光導波層３１のエネルギーバンドギャ
ップ（１．０５ｅＶ）より小さくしているので、光導波
層を導波する過程での信号光の吸収損失を少なくでき、
しかも、電流注入時におけるスイッチ部３０ａ，３０ｂ
の光導波層３１′の屈折率変化（０．０５）が大きくな
って、これらスイッチ部３０ａ，３０ｂにおけるＯＮ／
ＯＦＦ比を高めることができる。また、これらスイッチ
部３０ａ，３０ｂは導波路２Ａ，２Ｃにおける他の導波
路部分と同一工程で成長した，ひと続きの半導体層によ
り形成されるため、スイッチ部３０ａ，３０ｂと導波路
２Ａ，２Ｃにおける他の導波路部分の境界部で信号光の
通過損失が生ずることもない。また、導波路２Ａ〜２Ｂ
の形成と同時にスイッチ部３０ａ，３０ｂが形成される
ので、製造工程が簡単になる。
【００３８】実施例２．図９，１０はこの発明の実施例
２による，エネルギーが０．９５ｅＶ（波長１．３μｍ
に対応）の信号光が導波する光スイッチの構成を概略的
に示した斜視図と上面図である。図において、図１，２
と同一符号は同一または相当する部分を示し、２００は
光スイッチで、これは、実施例１の光スイッチ１００の
導波路２Ｂに光増幅部４０を形成したもので、この光増
幅部４０以外の構成は上記実施例１の光スイッチ１００
と全く同じである。
【００３９】図１１は図１０のXI−XI線における断面図
で、上記光増幅部４０の内部構造を示している。図に示
すように、この光増幅部４０の半導体層は、ｎ型ＩｎＰ
基板１上に順次形成されたｎ型ＩｎＰクラッド層３２，
ＭＱＷ層からなる光導波層３１Ａ，ｐ型ＩｎＰクラッド
層９及びｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０から構成
されており、ＭＱＷ層からなる光導波層３１Ａの層厚
が、導波路２Ａ，２Ｃに形成されたスイッチ部３０ａ，
３０ｂにおける光導波層３１′のそれよりも更に厚く形
成され、そのエネルギーバンドギャップが信号光のエネ
ルギー（０．９５ｅＶ）よりも小さくなっている。つま
り、ＭＱＷ層からなる光導波層３１Ａを構成するＩｎＧ
ａＡｓＰウェル層３１Ｂの層厚が８０オングストローム
で、ＩｎＧａＡｓＰウェル層３１ａ′（図４参照）より
も厚く形成され、ＩｎＰ又はＩｎＧａＡｓＰバリア層３
１Ｃの層厚が３５０オングストロームで、ＩｎＰ又はＩ
ｎＧａＡｓＰバリア層３１ｂ′（図４参照）よりも厚く
形成されている。
【００４０】次に、製造方法について説明する。図１２
は、この光スイッチ２００の製造工程の主要工程を示す
断面図であり、図において、図８と同一符号は同一また
は相当する部分を示している。即ち、この光スイッチの
製造工程は、実施例１の光スイッチの製造工程と基本的
に同じであり、ｎ型ＩｎＰ基板１上にマスクパターン３
５を形成する際、同時にマスクパターン３５ａを形成
し、光増幅部４０が形成されるべき領域を、該マスクパ
ターン３５ａにより、上記スイッチ部３０ａ，３０ｂが
形成されるべき領域を挟むマスクパターン３５の間隔
（Ｗａ）よりも狭い間隔（Ｗｂ）（Ｗａ＞Ｗｂ）でもっ
て挟み、この後、半導体層をエピタキシャル成長するよ
うにし、そして、スイッチ部３０ａ，３０ｂの電極の形
成時に同時にこの光増幅部４０にも電極８を形成するよ
うにしたものである。
【００４１】このような本実施例の光スイッチ２００で
は、上記実施例１の光スイッチ１００と同様の効果が得
られるとともに、光増幅部４０における光導波層３１Ａ
のＩｎＧａＡｓＰウェル層３１Ｂの厚みを、スイッチ部
３０ａ，３０ｂにおける光導波層３１′のＩｎＧａＡｓ
Ｐウェル層３１ａ′よりも厚くして、そのエネルギーバ
ンドギャップを信号光のエネルギーよりも小さくしてい
るので、光増幅部４０の電極８からその内部に電流を注
入することにより、該光増幅部４０を通過する信号光を
効率良く増幅することができ、その結果、信号光の光導
波層を導波する過程で生じる吸収損失を補償することが
できる。また、この光増幅部４０は導波路２Ｂにおける
他の導波路部分と同一工程で成長した，ひと続きの半導
体層により形成されるため、該光増幅部４０と導波路２
Ｂにおける他の導波路部分の境界部で信号光の通過損失
が生ずることもない。また、導波路２Ａ〜２Ｃの形成と
同時に光増幅部４０が形成されるので、製造工程が簡単
になる。
【００４２】実施例３．図１３，１４はこの発明の実施
例３によるエネルギーが０．９５ｅＶ（波長１．３μｍ
に対応）の信号光が導波する光スイッチの構成を概略的
に示した斜視図と上面図である。図において、図１，２
と同一符号は同一または相当する部分を示し、３００は
光スイッチで、これは、実施例１の光スイッチ１００の
導波路２Ａに光吸収部５０を形成したもので、この光吸
収部５０以外の構成は上記実施例１の光スイッチ１００
と全く同じである。
【００４３】図１５は図１４のXV−XV線における断面図
で、上記光増幅部５０の内部構造を示している。図に示
すように、この光増幅部５０の半導体層は、ｎ型ＩｎＰ
基板１上に順次形成されたｎ型ＩｎＰクラッド層３２，
ＭＱＷ層からなる光導波層３１Ｄ，ｐ型ＩｎＰクラッド
層９及びｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０から構成
されており、ＭＱＷ層からなる光導波層３１Ｄが、導波
路２Ａ，２Ｃに形成されたスイッチ部３０ａ，３０ｂに
おける光導波層３１′の層厚とそれと同じ厚みに形成さ
れ、そのエネルギーバンドギャップが導波路２Ａ，２Ｃ
に形成されたスイッチ部３０ａ，３０ｂにおける光導波
層３１′と同じになっている。つまり、ＩｎＧａＡｓＰ
ウェル層３１Ｅの層厚が７０オングストロームで、Ｉｎ
ＧａＡｓＰウェル層３１ａ′（図４参照）と同じであ
り、ＩｎＰ又はＩｎＧａＡｓＰバリア層３１Ｆの層厚が
３００オングストロームで、ＩｎＰ又はＩｎＧａＡｓＰ
バリア層３１ｂ′（図４参照）と同じになっている。
【００４４】次に、製造方法について説明する。図１６
は、この光スイッチ３００の製造工程の主要工程を示す
断面図であり、図において、図１２と同一符号は同一ま
たは相当する部分を示している。即ち、この光スイッチ
の製造工程は、実施例２の光スイッチの製造工程と基本
的に同じであり、実施例２の光スイッチの製造工程にお
いて、ｎ型ＩｎＰ基板１上にマスクパターン３５，３５
ａを形成する際、更にマスクパターン３５ｂを形成し、
光吸収部５０が形成されるべき領域を、このマスクパタ
ーン３５ｂとマスクパターン３５ａとで、スイッチ部が
形成されるべき領域を挟むマスクパターン３５の間隔
（Ｗａ）と同じ間隔（Ｗｃ）（Ｗａ＝Ｗｃ）でもって挟
み、この後、半導体層をエピタキシャル成長するように
し、そして、スイッチ部３０ａ，３０ｂ及び光増幅部４
０の電極の形成時に同時にこの光吸収部５０にも電極８
を形成するようにしたものである。
【００４５】次に、動作について説明する。スイッチ部
３０ａ，３０ｂの内部に電流を流した時、導波路２Ａに
入射した信号光４は導波路２Ｃより出力光６として出力
されるが、厳密に言えば信号光４の一部の光がスイッチ
部３０ａで反射されずにスイッチ部３０ａを透過する。
【００４６】上述したように、光吸収部５０の光導波層
３１Ｄは、そのエネルギーバンドギャップが、信号光の
エネルギーより少し大きい値を持つように、ＩｎＧａＡ
ｓＰウェル層３１Ｅの厚みが設定されている。そして、
光吸収部５０に電極８，１３より逆バイアス電圧を印加
すると、量子閉込めシュタルク効果により光導波層３１
Ｄの吸収スペクトルが変化する。図１７は、光導波層３
１Ｄの吸収スペクトルの変化を示す図である。図中矢印
ａは信号光のエネルギーである。この図に示すように、
光吸収部５０に電圧を印加しない時は、信号光は光吸収
部５０を透過するが、逆バイアス電圧を印加すると、信
号光は光吸収部５０で吸収されることになる。従って、
光スイッチ部３０ａで反射されずに透過してきた信号光
は光吸収部５０に逆バイアスを印加することにより、該
光吸収部５０で吸収される。
【００４７】このような本実施例の光スイッチ３００で
は、上記実施例２の光スイッチ２００と同様の効果が得
られるとともに、光吸収部５０における光導波層３１Ｄ
のＩｎＧａＡｓＰウェル層３１Ｅの厚みを、スイッチ部
３０ａ，３０ｂにおける光導波層３１′のＩｎＧａＡｓ
Ｐウェル層３１ａ′と同じにして、そのエネルギーバン
ドギャップを信号光のエネルギーよりも少し大きくして
いるので、該光吸収部５０に逆バイアスを印加すること
により、量子閉込めシュタルク効果によりその吸収スペ
クトルが変化して、スイッチ部３０ａを透過した光が該
光吸収部５で吸収されることになり、その結果、スイッ
チングの精度がより一層向上する。
【００４８】尚、上記何れの実施例においても、Ｉｎ
Ｐ，ＩｎＧａＡｓＰの化合物半導体を用いた光スイッチ
について説明したが、ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓの化合物
半導体を用いた場合も同様の効果を得ることができる。
【００４９】
【発明の効果】以上のように、この発明にかかる光スイ
ッチによれば、基板上にＭＱＷ層からなる光導波層を含
む半導体層を形成し、このＭＱＷ層のスイッチ部を構成
する部分の層厚を他の導波路を構成する部分の層厚より
厚くすることにより、スイッチ部における光導波層のエ
ネルギーバンドギャップを導波路となる部分の光導波層
のエネルギーバンドギャップより小さく、かつ、信号光
のエネルギーより大きくしたので、スイッチ部における
ＯＮ／ＯＦＦ比を高くでき、しかも、導波路とスイッチ
部の境界における信号光の通過損失が無く、かつ、信号
光が導波路を導波していく過程で生ずる信号光の吸収損
失も小さくできる効果がある。
【００５０】更に、この発明にかかる光スイッチによれ
ば、上記ＭＱＷ層の上記スイッチ部を構成する部分とは
異なる光増幅部の層厚を、上記スイッチ部を構成する部
分の層厚より厚くして、そのエネルギーギャップを上記
信号光のエネルギーより小さくなるようにしたので、該
光増幅部で信号光が効率よく増幅されることとなり、信
号光の強度を安定に保つことができる効果がある。
【００５１】更に、この発明にかかる光スイッチによれ
ば、上記ＭＱＷ層における信号光の導波方向に対する上
記スイッチ部の下流側に、上記スイッチ部と同等のエネ
ルギーバンドギャップを有する光吸収部を形成したの
で、不要な信号光が光導波層を導波することが無くな
り、良好なスイッチング性を得ることができる効果があ
る。
【００５２】更に、この発明にかかる光スイッチの製造
方法によれば、半導体基板のスイッチ部が形成される領
域を所定間隔を空けてマスクパターンで挟み、この状態
で、該半導体基板上のスイッチ部が形成される領域に成
長するＭＱＷ層のエネルギーバンドギャップが信号光の
エネルギーより大きくなるように、該ＭＱＷ層を含む半
導体層をエピタキシャル成長し、この後、この成長した
エピタキシャル成長層を所定の導波路パターンにパター
ニングするようにしたので、スイッチ部におけるＯＮ／
ＯＦＦ比が高く、しかも、導波路とスイッチ部の境界に
おける信号光の通過損失が無く、信号光が導波路を導波
していく過程で生ずる信号光の吸収損失も小さい光スイ
ッチを簡単な工程で製造することができる効果がある。
【００５３】更に、この発明にかかる光スイッチの製造
方法によれば、上記半導体基板上の上記光スイッチ部が
形成される領域とは異なる光増幅部が形成される領域
を、上記スイッチ部が形成される領域を挟むマスクパタ
ーンの間隔よりも小さい間隔を空けてマスクパターンで
挟み、この状態で上記ＭＱＷ層を含む半導体層をエピタ
キシャル成長し、この成長したエピタキシャル成長層を
所定の導波路パターンにパターニングするようにしたの
で、上記スイッチ部とともに一旦強度が低下した信号光
を効率よく増幅する光増幅部を備えた光スイッチを簡単
な工程で製造できる効果がある。
【００５４】更に、この発明にかかる光スイッチの製造
方法は、上記半導体基板上の上記光スイッチ部が形成さ
れる領域とは異なる光吸収部が形成される領域を、上記
スイッチ部が形成される領域を挟んだマスクパターンの
間隔と同等の間隔を空けてマスクパターンで挟み、この
状態で上記ＭＱＷ層を含む半導体層をエピタキシャル成
長し、この成長したエピタキシャル成長層を所定の導波
路パターンにパターニングするようにしたので、上記ス
イッチ部とともに、上記スイッチ部を通過してしまった
不要な信号光を吸収する光吸収部を備えた光スイッチを
簡単な工程で製造できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例１による光スイッチの構成を
示す斜視図である。
【図２】この発明の実施例１による光スイッチの構成を
示す上面図である。
【図３】図２のIII −III 線における断面図である。
【図４】図２のIV−IV線における断面図である。
【図５】図１，２に示す導波路２Ａ〜２Ｃの内部におけ
る信号光の進路を説明するための図である。
【図６】スイッチ部に入射する信号光の入射角と反射率
の関係を示した図である。
【図７】ＭＱＷ層を構成するウエル層の層厚とＭＱＷ層
のエネルギーバンドギャップの関係を示した図である。
【図８】図１，２に示した光スイッチの製造に用いる半
導体基板の上面図である。
【図９】この発明の実施例２による光スイッチの構成を
示す斜視図である。
【図１０】この発明の実施例２による光スイッチの構成
を示す上面図である。
【図１１】図１０のXI−XI線における断面図である。
【図１２】図９，１０に示した光スイッチの製造に用い
る半導体基板の上面図である。
【図１３】この発明の実施例３による光スイッチの構成
を示す斜視図である。
【図１４】この発明の実施例３による光スイッチの構成
を示す上面図である。
【図１５】図１４のXV−XV線における断面図である。
【図１６】図１３，１４に示した光スイッチの製造に用
いる半導体基板の上面図である。
【図１７】図１５に示す光導波層３１Ｄの吸収スペクト
ルの変化を示す図である。
【図１８】従来の光スイッチの構成を示す斜視図であ
る。
【図１９】従来の光スイッチの構成を示す上面図であ
る。
【図２０】図１９のXX−XX線における断面図である。
【図２１】図１９のXXI −XXI 線における断面図であ
る。
【図２２】図１９のXXII−XXII線における断面図であ
る。
【符号の説明】
１ ｎ型ＩｎＰ基板 ２Ａ〜２Ｃ 導波路 ２Ａ′ ｎ型ＩｎＰ基板１上の導波路２Ａが形成さ
れる領域 ２Ｂ′ ｎ型ＩｎＰ基板１上の導波路２Ｂが形成さ
れる領域 ２Ｃ′ ｎ型ＩｎＰ基板１上の導波路２Ｃが形成さ
れる領域 ３ａ，３ｂ，３０ａ，３０ｂ スイッチ部 ４〜６ 信号光 ８，１５ 電極 ９ ｐ型ＩｎＰクラッド層 １０ ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層 １１ 絶縁膜 １２ ＩｎＧａＡｓＰ光導波層 １３ ＩｎＧａＡｓＰ活性層 １４ ＩｎＰエッチングストッパ層 １７，４０ 光増幅部 ３１，３１′，３１Ａ，３１Ｄ ＭＱＷ層からなる光導
波層 ３１ａ，３１ａ′，３１Ｂ，３１Ｅ ＩｎＧａＡｓＰウ
ェル層 ３１ｂ，３１ｂ′，３１Ｃ，３１Ｆ ＩｎＰまたはＩｎ
ＧａＡｓＰバリア層 ３２ ｎ型ＩｎＰクラッド層 ３３，３４ スイッチ部と導波路との境界部 ３５，３５ａ，３５ｂ マスクパターン ５０ 光吸収部 １００，１８０，２００，３００ 光スイッチ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年９月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】
【数１】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３６】先ず、図８に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板
１上の導波路２Ａ，２Ｂ，２Ｃが形成されるべき所定領
域２Ａ′，２Ｂ′，２Ｃ′の上記スイッチ部３０ａ，３
０ｂが形成される領域を所定間隔（Ｗａ）を空けて例え
ばＳｉＯ2 膜からなるマスクパターン３５で挟み、この
状態でｎ型ＩｎＰ基板１上にｎ−ＩｎＰクラッド層３
２，光導波層３１，３１′，ｐ型ＩｎＰクラッド層９，
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０を例えばＭＯＣＶ
Ｄ法により順次エピタキシャル成長する。このエピタキ
シャル成長時、上述した特性により、ｎ型ＩｎＰ基板１
上のマスクパターン３５で挟まれた領域は、ｎ型ＩｎＰ
基板１上の他の領域よりも成長速度が速くなり、上記各
層はこのマスクパターン３５で挟まれた領域に成長した
部分の厚みが他の部分に比べて厚くなる。次に、上記マ
スクパターン３５を除去した後、上記導波路２Ａ，２
Ｂ，２Ｃを形成されるべき所定領域２Ａ′，２Ｂ′，２
Ｃ′以外の領域に成長した上記半導体層をエッチング除
去する。この後、全面にＳｉＯ2 からなる絶縁膜１１を
形成し、上記工程により残された導波路２Ａ，２Ｂ，２
Ｃを構成する半導体層（上記ｎ−ＩｎＰクラッド層３
２，光導波層３１，３１′，ｐ型ＩｎＰクラッド層９，
ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０）のスイッチ部３
０ａ，３０ｂとなる部分上にある絶縁膜１１を除去し、
例えばＡｕ／Ｚｎ／Ｎｉからなる電極８を形成し、更
に、ｎ型ＩｎＰ基板１の裏面に例えばＣｒ／Ａｕからな
る電極１５を形成すると、図１に示す光スイッチ１００
が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】次に、製造方法について説明する。図１２
は、この光スイッチ２００の製造工程の主要工程を示す
平面図であり、図において、図８と同一符号は同一また
は相当する部分を示している。即ち、この光スイッチの
製造工程は、実施例１の光スイッチの製造工程と基本的
に同じであり、ｎ型ＩｎＰ基板１上にマスクパターン３
５を形成する際、同時にマスクパターン３５ａを形成
し、光増幅部４０が形成されるべき領域を、該マスクパ
ターン３５ａにより、上記スイッチ部３０ａ，３０ｂが
形成されるべき領域を挟むマスクパターン３５の間隔
（Ｗａ）よりも狭い間隔（Ｗｂ）（Ｗａ＞Ｗｂ）でもっ
て挟み、この後、半導体層をエピタキシャル成長するよ
うにし、そして、スイッチ部３０ａ，３０ｂの電極の形
成時に同時にこの光増幅部４０にも電極８を形成するよ
うにしたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４２】実施例３．図１３，１４はこの発明の実施
例３によるエネルギーが０．９５ｅＶ（波長１．３μｍ
に対応）の信号光が導波する光スイッチの構成を概略的
に示した斜視図と上面図である。図において、図９，１
０と同一符号は同一または相当する部分を示し、３００
は光スイッチで、これは、実施例２の光スイッチ２００
の導波路２Ａに光吸収部５０を形成したもので、この光
吸収部５０以外の構成は上記実施例２の光スイッチ２０
０と全く同じである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４３】図１５は図１４のXV−XV線における断面図
で、上記光吸収部５０の内部構造を示している。図に示
すように、この光吸収部５０の半導体層は、ｎ型ＩｎＰ
基板１上に順次形成されたｎ型ＩｎＰクラッド層３２，
ＭＱＷ層からなる光導波層３１Ｄ，ｐ型ＩｎＰクラッド
層９及びｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層１０から構成
されており、ＭＱＷ層からなる光導波層３１Ｄが、導波
路２Ａ，２Ｃに形成されたスイッチ部３０ａ，３０ｂに
おける光導波層３１′の層厚とそれと同じ厚みに形成さ
れ、そのエネルギーバンドギャップが導波路２Ａ，２Ｃ
に形成されたスイッチ部３０ａ，３０ｂにおける光導波
層３１′と同じになっている。つまり、ＩｎＧａＡｓＰ
ウェル層３１Ｅの層厚が７０オングストロームで、Ｉｎ
ＧａＡｓＰウェル層３１ａ′（図４参照）と同じであ
り、ＩｎＰ又はＩｎＧａＡｓＰバリア層３１Ｆの層厚が
３００オングストロームで、ＩｎＰ又はＩｎＧａＡｓＰ
バリア層３１ｂ′（図４参照）と同じになっている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４４】次に、製造方法について説明する。図１６
は、この光スイッチ３００の製造工程の主要工程を示す
平面図であり、図において、図１２と同一符号は同一ま
たは相当する部分を示している。即ち、この光スイッチ
の製造工程は、実施例２の光スイッチの製造工程と基本
的に同じであり、実施例２の光スイッチの製造工程にお
いて、ｎ型ＩｎＰ基板１上にマスクパターン３５，３５
ａを形成する際、更にマスクパターン３５ｂを形成し、
光吸収部５０が形成されるべき領域を、このマスクパタ
ーン３５ｂとマスクパターン３５ａとで、スイッチ部が
形成されるべき領域を挟むマスクパターン３５の間隔
（Ｗａ）と同じ間隔（Ｗｃ）（Ｗａ＝Ｗｃ）でもって挟
み、この後、半導体層をエピタキシャル成長するように
し、そして、スイッチ部３０ａ，３０ｂ及び光増幅部４
０の電極の形成時に同時にこの光吸収部５０にも電極８
を形成するようにしたものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４６】上述したように、光吸収部５０の光導波層
３１Ｄは、そのエネルギーバンドギャップが、信号光の
エネルギーより少し大きい値を持つように、ＩｎＧａＡ
ｓＰウェル層３１Ｅの厚みが設定されている。そして、
光吸収部５０に電極８，１５より逆バイアス電圧を印加
すると、量子閉込めシュタルク効果により光導波層３１
Ｄの吸収スペクトルが変化する。図１７は、光導波層３
１Ｄの吸収スペクトルの変化を示す図である。図中矢印
ａは信号光のエネルギーである。この図に示すように、
光吸収部５０に電圧を印加しない時は、信号光は光吸収
部５０を透過するが、逆バイアス電圧を印加すると、信
号光は光吸収部５０で吸収されることになる。従って、
光スイッチ部３０ａで反射されずに透過してきた信号光
は光吸収部５０に逆バイアスを印加することにより、該
光吸収部５０で吸収される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４７】このような本実施例の光スイッチ３００で
は、上記実施例２の光スイッチ２００と同様の効果が得
られるとともに、光吸収部５０における光導波層３１Ｄ
のＩｎＧａＡｓＰウェル層３１Ｅの厚みを、スイッチ部
３０ａ，３０ｂにおける光導波層３１′のＩｎＧａＡｓ
Ｐウェル層３１ａ′と同じにして、そのエネルギーバン
ドギャップを信号光のエネルギーよりも少し大きくして
いるので、該光吸収部５０に逆バイアスを印加すること
により、量子閉込めシュタルク効果によりその吸収スペ
クトルが変化して、スイッチ部３０ａを透過した光が該
光吸収部５０で吸収されることになり、その結果、スイ
ッチングの精度がより一層向上する。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも光導波層と、該光導波層を挟
    む第１及び第２のクラッド層とからなる導波路の所定部
    分に、電流注入によってその屈折率が低下して該導波路
    を導波する信号光を遮断するスイッチ部を形成してなる
    光スイッチにおいて、 上記光導波層は、その上記スイッチ部を構成する部分の
    層厚がその上記スイッチ部を構成する部分以外の他の部
    分の厚みより厚くなるよう形成された多重量子井戸層か
    らなり、 上記光導波層の上記スイッチ部を構成する部分のエネル
    ギーバンドギャップが、上記光導波層の上記スイッチ部
    を構成する部分以外の他の部分のそれより小さく、か
    つ、上記信号光のエネルギーより大きくなっていること
    を特徴とする光スイッチ。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の光スイッチにおいて、 上記多重量子井戸構造からなる光導波層はＩｎＧａＡｓ
    Ｐウエル層と、ＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰバリア層と
    で構成され、 上記第１及び第２のクラッド層はＩｎＰ層で構成されて
    いることを特徴とする光スイッチ。
  3. 【請求項３】 光導波層と、該光導波層を挟む第１，第
    ２のクラッド層とからなる導波路の所定部分に、電流注
    入によってその屈折率が低下して該導波路を導波する信
    号光を遮断するスイッチ部と、電流注入によって該信号
    光を増幅する光増幅部とを形成してなる光スイッチにお
    いて、 上記光導波層は、上記スイッチ部を構成する部分の厚み
    が、上記スイッチ部及び上記光増幅部を構成する部分以
    外の部分の厚みより厚く、かつ、上記光増幅部を構成す
    る部分の厚みが、上記スイッチ部を構成する部分の厚み
    より厚くなるよう形成された多重量子井戸層からなり、 上記光導波層の上記スイッチ部を構成する部分のエネル
    ギーバンドギャップが、上記光導波層の上記スイッチ部
    及び上記光増幅部を構成する部分以外の他の部分のエネ
    ルギーバンドギャップより小さく、かつ、上記信号光の
    エネルギーより大きく、 上記光導波層の上記光増幅部を構成する部分のエネルギ
    ーバンドギャップが、上記信号光のエネルギーより小さ
    くなっていることを特徴とする光スイッチ。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の光スイッチにおいて、 上記多重量子井戸構造からなる光導波層はＩｎＧａＡｓ
    Ｐウエル層と、ＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰバリア層と
    で構成され、 上記第１及び第２のクラッド層はＩｎＰ層で構成されて
    いることを特徴とする光スイッチ。
  5. 【請求項５】 少なくとも光導波層と、該光導波層を挟
    む第１及び第２のクラッド層とからなる導波路の所定部
    分に、電流注入によってその屈折率が低下して該導波路
    を導波する信号光を遮断するスイッチ部を形成してなる
    光スイッチにおいて、 上記導波路における上記スイッチ部の近傍に、電圧印加
    によって上記スイッチ部を通過した信号光が吸収される
    光吸収部を形成し、 上記光導波層は、上記スイッチ部及び上記光吸収部を構
    成する部分の厚みが、上記スイッチ部及び上記光吸収部
    を構成する部分以外の部分の厚みより厚く形成された多
    重量子井戸層からなり、 上記光導波層の上記スイッチ部及び上記光吸収部を構成
    する部分のエネルギーバンドギャップが、上記光導波層
    の上記スイッチ部及び上記光吸収部を構成する部分以外
    の部分のそれより小さく、かつ、上記信号光のエネルギ
    ーより大きくなっていることを特徴とする光スイッチ。
  6. 【請求項６】 請求項３に記載の光スイッチにおいて、 上記多重量子井戸構造からなる光導波層はＩｎＧａＡｓ
    Ｐウエル層と、ＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰバリア層と
    で構成され、 上記第１及び第２のクラッド層はＩｎＰ層で構成されて
    いることを特徴とする光スイッチ。
  7. 【請求項７】 信号光が導波する導波路に、該信号光を
    遮断または通過させるスイッチ部を形成してなる光スイ
    ッチを製造する方法において、 半導体基板上の上記スイッチ部を形成すべき領域の周囲
    に、該領域を所定間隔を空けて挟むように絶縁膜パター
    ンを形成する工程と、 上記半導体基板上に第１クラッド層を結晶成長する工程
    と、 該第１クラッド層上に、上記半導体基板上の上記スイッ
    チ部を形成すべき領域に成長する部分のエネルギーバン
    ドギャップが上記信号光のエネルギーより大きくなるよ
    うに、多重量子井戸層からなる光導波層を結晶成長する
    工程と、 該光導波層上に第２クラッド層を結晶成長する工程と、 上記工程により得られた第１クラッド層，光導波層，及
    び，第２クラッド層ををパターニングして所望の導波パ
    ターンを形成する工程と、 上記半導体基板の裏面と上記導波路パターンの上記スイ
    ッチ部となる部分上に電極を形成する工程とを含むこと
    を特徴とする光スイッチの製造方法。
  8. 【請求項８】 信号光が導波する導波路に、該信号光を
    遮断または通過させるスイッチ部と、該信号光を増幅す
    る光増幅部とを形成してなる光スイッチを製造する方法
    において、 半導体基板上の上記スイッチ部を形成すべき領域の周囲
    に、該領域を所定間隔を空けて挟むように第１の絶縁膜
    パターンを形成し、該半導体基板上の上記光増幅部を形
    成すべき領域の周囲に、該領域を上記所定間隔よりも小
    さい間隔を空けて挟むように第２の絶縁膜パターンを形
    成する工程と、 上記半導体基板上に第１クラッド層を結晶成長する工程
    と、 該第１クラッド層上に結晶成長を行い、この際、該結晶
    成長膜の組成と、上記小さい間隔との設定により、上記
    半導体基板上の上記スイッチ部を形成すべき領域に成長
    する部分のエネルギーバンドギャップが上記信号光のエ
    ネルギーより大きく、上記半導体基板上の上記光増幅部
    を形成すべき領域に成長する部分のエネルギーバンドギ
    ャップが上記信号光のエネルギーより小さい、多重量子
    井戸層からなる光導波層を形成する工程と、 該光導波層上に第２クラッド層を結晶成長する工程と、 上記工程により得られた第１クラッド層，光導波層，及
    び，第２クラッド層ををパターニングして所望の導波路
    パターンを形成する工程と、 上記半導体基板の裏面と上記導波路パターンの上記スイ
    ッチ部及び光増幅部となる部分上に電極を形成する工程
    とを含むことを特徴とする光スイッチの製造方法。
  9. 【請求項９】 信号光が導波する導波路に、該信号光を
    遮断または通過させるスイッチ部と、該信号光を吸収す
    る光吸収部とを形成してなる光スイッチを製造する方法
    において、 半導体基板上の上記スイッチ部を形成すべき領域の周囲
    と、該領域の近傍の上記光吸収部を形成すべき領域の周
    囲とに、これらの領域を所定間隔を空けて挟むように絶
    縁膜パターンを形成する工程と、 上記半導体基板上に第１クラッド層を結晶成長する工程
    と、 該第１クラッド層上に、上記半導体基板上の上記スイッ
    チ部及び光吸収部を形成すべき領域に成長する部分のエ
    ネルギーバンドギャップが上記信号光のエネルギーより
    大きくなるように、多重量子井戸層からなる光導波層を
    結晶成長する工程と、 該光導波層上に第２クラッド層を結晶成長する工程と、 上記工程により得られた第１クラッド層，光導波層，及
    び，第２クラッド層ををパターニングして所望の導波路
    パターンを形成する工程と、 上記半導体基板の裏面と上記導波路パターンの上記スイ
    ッチ部及び光吸収部となる部分上に電極を形成する工程
    とを含むことを特徴とする光スイッチの製造方法。
JP5160629A 1993-06-30 1993-06-30 光スイッチ及びその製造方法 Pending JPH0720506A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5160629A JPH0720506A (ja) 1993-06-30 1993-06-30 光スイッチ及びその製造方法
GB9401353A GB2280306B (en) 1993-06-30 1994-01-25 Optical switch and method for producing the optical switch
US08/188,233 US5452383A (en) 1993-06-30 1994-01-28 Optical switch and method for producing the optical switch
DE4404459A DE4404459A1 (de) 1993-06-30 1994-02-11 Optischer Schalter und Verfahren zum Herstellen des optischen Schalters

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5160629A JPH0720506A (ja) 1993-06-30 1993-06-30 光スイッチ及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0720506A true JPH0720506A (ja) 1995-01-24

Family

ID=15719068

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5160629A Pending JPH0720506A (ja) 1993-06-30 1993-06-30 光スイッチ及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5452383A (ja)
JP (1) JPH0720506A (ja)
DE (1) DE4404459A1 (ja)
GB (1) GB2280306B (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4304993A1 (de) * 1993-02-18 1994-08-25 Sel Alcatel Ag Verfahren zur Herstellung eines kaskadierten optischen Raumschalters und nach diesem Verfahren hergestellter kaskadierter optischer Raumschalter
JPH08264454A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Mitsubishi Electric Corp 選択ｍｏｃｖｄ成長法による成膜方法
JPH08307012A (ja) * 1995-05-01 1996-11-22 Mitsubishi Electric Corp 選択成長用マスク，半導体光装置の製造方法，および半導体光装置
US5889898A (en) * 1997-02-10 1999-03-30 Lucent Technologies Inc. Crosstalk-reduced integrated digital optical switch
US5987196A (en) * 1997-11-06 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Semiconductor structure having an optical signal path in a substrate and method for forming the same
US6473541B1 (en) 1999-09-15 2002-10-29 Seng-Tiong Ho Photon transistors
US6298180B1 (en) 1999-09-15 2001-10-02 Seng-Tiong Ho Photon transistors
US6539132B2 (en) 2000-02-22 2003-03-25 Gennadii Ivtsenkov Acousto-optical switch for fiber optic lines
WO2001067145A1 (en) * 2000-03-06 2001-09-13 Alcoa Fujikura Limited Angled fiber optic connector
US6532317B2 (en) 2000-04-17 2003-03-11 Polyoptic Technologies, Inc. Optical circuit board
JP4404174B2 (ja) * 2000-04-19 2010-01-27 ソニー株式会社 光スイッチング素子およびこれを用いたスイッチング装置並びに画像表示装置
US6654534B1 (en) * 2000-11-13 2003-11-25 Bookham Technology, Plc Electrode, termination for reduced local heating in an optical device
JP2005064051A (ja) * 2003-08-14 2005-03-10 Fibest Ltd 光モジュールおよび光通信システム
US7447397B1 (en) 2004-06-14 2008-11-04 Dynamic Method Enterprises Limited Optical switch matrix
RU2461921C1 (ru) * 2011-03-10 2012-09-20 Федеральное государственное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военная академия связи имени Маршала Советского Союза С.М. Буденного" (г.Санкт-Петербург) Министерства обороны Российской Федерации Интегрально-оптический пространственный разделитель поляризации на основе асимметричного y-разветвителя
US20120243826A1 (en) * 2011-03-21 2012-09-27 Liping Sun Low power compact optical switch

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60252329A (ja) * 1984-05-29 1985-12-13 Hitachi Ltd 光スイツチ
JPS6371826A (ja) * 1986-09-16 1988-04-01 Hitachi Ltd 光半導体装置
US4861130A (en) * 1986-10-29 1989-08-29 Hitachi, Ltd. Optical modulating device utilizing polariton substance
JP2928532B2 (ja) * 1988-05-06 1999-08-03 株式会社日立製作所 量子干渉光素子
JP2707592B2 (ja) * 1988-05-11 1998-01-28 日本電気株式会社 光スイッチおよびその製造方法
US4923264A (en) * 1989-01-18 1990-05-08 University Of Pittsburgh Of The Commonwealth System Of Higher Education Resonance coupled optical coupler with semiconductor waveguide layer comprising a multi-quantum-well structure
US5247592A (en) * 1989-01-30 1993-09-21 Hitachi, Ltd. Semiconductor optical device and array of the same
JP2656598B2 (ja) * 1989-01-30 1997-09-24 株式会社日立製作所 半導体光スイッチ及び半導体光スイッチアレイ
JPH03293622A (ja) * 1990-04-12 1991-12-25 Hitachi Ltd 光変調器
JP2707183B2 (ja) * 1992-03-12 1998-01-28 国際電信電話株式会社 ひずみ超格子を有する半導体デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
GB2280306A (en) 1995-01-25
GB9401353D0 (en) 1994-03-23
GB2280306B (en) 1997-04-02
DE4404459A1 (de) 1995-01-12
US5452383A (en) 1995-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5459747A (en) Semiconductor optical devices
US5539763A (en) Semiconductor lasers and methods for fabricating semiconductor lasers
US5701325A (en) Compound semiconductor device and fabrication method of producing the compound semiconductor device
JPH0720506A (ja) 光スイッチ及びその製造方法
JP2000277869A (ja) 変調器集積型半導体レーザ装置及びその製造方法
US8073033B2 (en) Optical semiconductor device and driving method thereof
JP2746326B2 (ja) 半導体光素子
CA2139140C (en) A method for fabricating a semiconductor photonic integrated circuit
US6327413B1 (en) Optoelectronic device and laser diode
JP2937751B2 (ja) 光半導体装置の製造方法
JP2870632B2 (ja) 半導体光集積回路およびその製造方法
JP2814906B2 (ja) 光半導体素子およびその製造方法
JP2701569B2 (ja) 光半導体素子の製造方法
JPH05110187A (ja) アレイ型半導体レーザ及びその製造方法
JPH05251812A (ja) 量子井戸構造光変調器付き分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法
JPH0555689A (ja) 波長制御機能付分布反射型半導体レーザ
GB2292011A (en) Semiconductor optical devices and methods for fabrication
JPH10190122A (ja) 波長可変半導体レーザ及びその製造方法
JPH1027935A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
JP2973215B2 (ja) 半導体レーザ装置
JPH10154845A (ja) 分布反射型半導体レーザアレイとその製造方法
JPH0446477B2 (ja)
JP2914249B2 (ja) 光半導体素子及びその製造方法
JP2005317659A (ja) 集積型半導体光デバイス及びその製造方法
JPH07335977A (ja) 半導体レーザ及び光集積デバイス並びにその製造方法