JPH03293622A - 光変調器 - Google Patents
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、超高速光フアイバ伝送システムにおける光送
信装置に係り、特に外部変調方式の光送信部に適用する
光変調器に関するものである。
信装置に係り、特に外部変調方式の光送信部に適用する
光変調器に関するものである。
種々の方式の光変調器が従来から提案されているが、そ
のうち代表的なのは、一般に電界吸収型光変調器と呼ば
れているものである（Ｋ、 Ｗａｋｉ−ｔａ ｅｔ ”
Ｉ ｎＧａＡ Ｑ Ａｓ／ Ｉ ｎＡ Ｑ Ａｓ多重
量子井戸光変調器ＩＩ Ｉ○０Ｃ８９，１９Ｃ２−２）
。その基本的な素子構造を第５図に示す。上記素子は幅
数μｍのリブ構造の光導波路からなっている。この先導
波路は、アンドープ層からなる光吸収層の上下を、それ
よりも屈折率が低いクラッド層で覆った構造をもってい
る（第５図（Ｃ））。上記アンドープ光吸収層に電界を
印加するために、上下のクラッド層はｐ型およびｎ型に
ドーピングされており、このため、いわゆるｐ−１−ｎ
型のダイオードが形成されている。上記ダイオードに逆
バイアスを印加することにより、アンドープ光吸収層に
高電界が印加される。
のうち代表的なのは、一般に電界吸収型光変調器と呼ば
れているものである（Ｋ、 Ｗａｋｉ−ｔａ ｅｔ ”
Ｉ ｎＧａＡ Ｑ Ａｓ／ Ｉ ｎＡ Ｑ Ａｓ多重
量子井戸光変調器ＩＩ Ｉ○０Ｃ８９，１９Ｃ２−２）
。その基本的な素子構造を第５図に示す。上記素子は幅
数μｍのリブ構造の光導波路からなっている。この先導
波路は、アンドープ層からなる光吸収層の上下を、それ
よりも屈折率が低いクラッド層で覆った構造をもってい
る（第５図（Ｃ））。上記アンドープ光吸収層に電界を
印加するために、上下のクラッド層はｐ型およびｎ型に
ドーピングされており、このため、いわゆるｐ−１−ｎ
型のダイオードが形成されている。上記ダイオードに逆
バイアスを印加することにより、アンドープ光吸収層に
高電界が印加される。
光吸収層は通常ＪｎＧａＡｓＰ等のバルク半導体、もし
くはＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡＱＡｓ等の多重量子井戸（Ｍ
ＱＷ）からなっている。電界印加時には、バルク半導体
の場合フランツケルデイシュ効果で、Ｍ Ｑ Ｗの場合
は量子シュタルク効果で、ともに吸収係数のスペクトル
が長波長側にシフトする。この関係を示したのが第５図
（ｄ）であり、λ。の位置に入射波長を設定することに
より、大きな吸収係数変化が得られる。これにより、光
の効率的なＯＮ、ＯＦＦが可能になる。
くはＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡＱＡｓ等の多重量子井戸（Ｍ
ＱＷ）からなっている。電界印加時には、バルク半導体
の場合フランツケルデイシュ効果で、Ｍ Ｑ Ｗの場合
は量子シュタルク効果で、ともに吸収係数のスペクトル
が長波長側にシフトする。この関係を示したのが第５図
（ｄ）であり、λ。の位置に入射波長を設定することに
より、大きな吸収係数変化が得られる。これにより、光
の効率的なＯＮ、ＯＦＦが可能になる。
上記のように電界吸収型光変調器は、小型（素子長は数
百μｍ程度）で、低駆動電圧（数Ｖ）、かつ、他の光素
子との集積化が可能であるなどの特長をもち、極めて有
力な方式である。
百μｍ程度）で、低駆動電圧（数Ｖ）、かつ、他の光素
子との集積化が可能であるなどの特長をもち、極めて有
力な方式である。
しかしながら、上記電界吸収型光変調器の問題点として
、電界印加時における光吸収層の屈折率変化（第５図（
Ｃ））によって付随的に位相変調を生じ、光信号のスペ
クトル幅が拡がる、いわゆるチャーピングを生じること
がある。
、電界印加時における光吸収層の屈折率変化（第５図（
Ｃ））によって付随的に位相変調を生じ、光信号のスペ
クトル幅が拡がる、いわゆるチャーピングを生じること
がある。
本発明は、上記強度変調と同時に生じる位相変調がチャ
ーピング現象を生じるのを防ぐことを目的とする。
ーピング現象を生じるのを防ぐことを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
従来、吸収型光変調器は、光吸収層が周囲のクラッド層
に較べて高い屈折率をもち、光を閉し込めて導波する働
きを有していた。本発明では上記光吸収層の他に光導波
路層を設け、この先導波路層による屈折率変化で、上記
光吸収層における屈折率変化をキャンセルすることによ
り、チャーピングをなくすのが特徴である。すなわち、
入射光を吸収する光吸収領域と、該光吸収領域の吸収係
数を変化させて入射光を変調するための変調手段と、上
記光吸収領域における屈折率の変動を補償するための光
導波領域とを有することにより、上記目的は達成される
。
に較べて高い屈折率をもち、光を閉し込めて導波する働
きを有していた。本発明では上記光吸収層の他に光導波
路層を設け、この先導波路層による屈折率変化で、上記
光吸収層における屈折率変化をキャンセルすることによ
り、チャーピングをなくすのが特徴である。すなわち、
入射光を吸収する光吸収領域と、該光吸収領域の吸収係
数を変化させて入射光を変調するための変調手段と、上
記光吸収領域における屈折率の変動を補償するための光
導波領域とを有することにより、上記目的は達成される
。
先導波路層による屈折率変化は、電気光学効果により生
じさせている。ＩｎＰ、ＧａＡｓ等の化合物半導体は、
一般に電気光学効果を有しており、電界の印加により屈
折率が変化する。したがって、ＩｎＰ、ＧａＡｓ等の化
合物半導体からなる先導波路層の全域もしくは部分をア
ンドープとし、この領域にも光吸収層と同様に電界が印
加される構造とすることにより、上記光導波領域の屈折
率変化によって、光吸収層の屈折率変化をキャンセルす
ることが可能になる。ただし、上記電気光学効果による
屈折率の変化は異方性を有しているので、導波路の形成
方向は適切に選ぶ必要がある。また。
じさせている。ＩｎＰ、ＧａＡｓ等の化合物半導体は、
一般に電気光学効果を有しており、電界の印加により屈
折率が変化する。したがって、ＩｎＰ、ＧａＡｓ等の化
合物半導体からなる先導波路層の全域もしくは部分をア
ンドープとし、この領域にも光吸収層と同様に電界が印
加される構造とすることにより、上記光導波領域の屈折
率変化によって、光吸収層の屈折率変化をキャンセルす
ることが可能になる。ただし、上記電気光学効果による
屈折率の変化は異方性を有しているので、導波路の形成
方向は適切に選ぶ必要がある。また。
光吸収層と光導波路層とを分離することによって、光吸
収層の厚さを任意に設定することが可能になった。この
ため、光吸収層を薄膜化し、屈折率変化の影響を低減す
ることができる。また、屈折率変化の極性は吸収ピーク
近傍で反転する。チャーピングとして問題になるのは屈
折率の増加であり、減少はむしろ特性を向上させる方向
に働く。上記光吸収層の薄膜化は光変調器の動作波長を
吸収ピークに近づけ、屈折率変化を反転させるためにも
必要になる。従来の構造では、光吸収層を薄膜化した場
合に導波モードがカットオフに近づき、光の伝搬特性が
劣化するために限界があった。
収層の厚さを任意に設定することが可能になった。この
ため、光吸収層を薄膜化し、屈折率変化の影響を低減す
ることができる。また、屈折率変化の極性は吸収ピーク
近傍で反転する。チャーピングとして問題になるのは屈
折率の増加であり、減少はむしろ特性を向上させる方向
に働く。上記光吸収層の薄膜化は光変調器の動作波長を
吸収ピークに近づけ、屈折率変化を反転させるためにも
必要になる。従来の構造では、光吸収層を薄膜化した場
合に導波モードがカットオフに近づき、光の伝搬特性が
劣化するために限界があった。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図は本発明による光変調器の第１実施例を示し、（
、）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は屈折
率分布図、第２図は本発明の原理を実験結果をもとに説
明する図で、（ａ）は屈折率変化のスペクトルを示す図
、（ｂ）は位相変調特性を示す図、第３図は本発明の第
２実施例を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ
’断面図、第４図は本発明の第３実施例を示す要部断面
図である。第１図（ａ）、（ｂ）において、光導波路は
リブ型に構成されており、光吸収層３、光導波路層４は
周囲のクラッド層５および基板７よりも僅かに屈折率が
高く、光を閉じ込めて伝搬させる働きを有している。破
線で示した領域はアンドープ領域であり、該領域の上下
の層および基板７は、相異なる極性（ｎ、ｐ）にドーピ
ングされておりｐ−１−ｎ型ダイオードを形成している
。上記ダイオードに逆バイアス電圧を印加することによ
って上記アンドープ領域に高電界を生じさせ、電界印加
によるバンド構造変化（フランツ・ケルデイシュ効果も
しくは量子閉じ込めシュタルク効果）によって、光吸収
層での吸収係数を変化させて光の変調を行っている。
、）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は屈折
率分布図、第２図は本発明の原理を実験結果をもとに説
明する図で、（ａ）は屈折率変化のスペクトルを示す図
、（ｂ）は位相変調特性を示す図、第３図は本発明の第
２実施例を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ
’断面図、第４図は本発明の第３実施例を示す要部断面
図である。第１図（ａ）、（ｂ）において、光導波路は
リブ型に構成されており、光吸収層３、光導波路層４は
周囲のクラッド層５および基板７よりも僅かに屈折率が
高く、光を閉じ込めて伝搬させる働きを有している。破
線で示した領域はアンドープ領域であり、該領域の上下
の層および基板７は、相異なる極性（ｎ、ｐ）にドーピ
ングされておりｐ−１−ｎ型ダイオードを形成している
。上記ダイオードに逆バイアス電圧を印加することによ
って上記アンドープ領域に高電界を生じさせ、電界印加
によるバンド構造変化（フランツ・ケルデイシュ効果も
しくは量子閉じ込めシュタルク効果）によって、光吸収
層での吸収係数を変化させて光の変調を行っている。
光吸収層３に電界を印加した場合には、吸収係数と同時
に屈折率の変化を生じる。第１図（ｃ）は第１図（ｂ）
におけるＢ−Ｂ’間の屈折率分布を示した図である。第
２図（ａ）は光吸収層３にＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡＱＡｓ
ＭＱＷを用いた場合の屈折率変化の波長依存性を示す図
である。吸収の裾の部分では正の屈折率変化が生じ、吸
収のピーク近傍では負の屈折率変化を生じていることが
判る。
に屈折率の変化を生じる。第１図（ｃ）は第１図（ｂ）
におけるＢ−Ｂ’間の屈折率分布を示した図である。第
２図（ａ）は光吸収層３にＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡＱＡｓ
ＭＱＷを用いた場合の屈折率変化の波長依存性を示す図
である。吸収の裾の部分では正の屈折率変化が生じ、吸
収のピーク近傍では負の屈折率変化を生じていることが
判る。
通常の光変調器は、吸収の裾の部分を動作波長としてお
り、生じる屈折率変化は正になる。光ファイバを変調光
が伝搬した場合には、正の屈折率変化によるチャーピン
グは、波形波がりによる伝搬特性の劣化を与える。これ
に対して負の屈折率変化は波形圧縮を生じさせるので、
伝搬特性を向上させる。したがって、光フアイバ伝送で
の応用を考える場合には、屈折率変化はキャンセルする
よりもむしろ負にすることが望ましい。第２図（ｂ）に
示したのは試作した従来型（光導波路層なしのもの）の
光変調器における位相変調特性の測定値を示す図である
。破線で示したのは同一の強度の電界が印加された場合
のＩｎＰの電気光学効果による屈折率変化である（光の
伝搬方向を＜０１１＞方向にとった場合）。両者を比較
すれば、光吸収層３での屈折率変化の方が数倍大きな屈
折率変化を生じさせることが判る。したがって、アンド
ープ光導波路層での光閉じ込め係数を光吸収層での同値
の数倍にとると共に、導波路での屈折率変化を逆の属性
にすることで、導波光に対する屈折率の変化はキャンセ
ルされる。
り、生じる屈折率変化は正になる。光ファイバを変調光
が伝搬した場合には、正の屈折率変化によるチャーピン
グは、波形波がりによる伝搬特性の劣化を与える。これ
に対して負の屈折率変化は波形圧縮を生じさせるので、
伝搬特性を向上させる。したがって、光フアイバ伝送で
の応用を考える場合には、屈折率変化はキャンセルする
よりもむしろ負にすることが望ましい。第２図（ｂ）に
示したのは試作した従来型（光導波路層なしのもの）の
光変調器における位相変調特性の測定値を示す図である
。破線で示したのは同一の強度の電界が印加された場合
のＩｎＰの電気光学効果による屈折率変化である（光の
伝搬方向を＜０１１＞方向にとった場合）。両者を比較
すれば、光吸収層３での屈折率変化の方が数倍大きな屈
折率変化を生じさせることが判る。したがって、アンド
ープ光導波路層での光閉じ込め係数を光吸収層での同値
の数倍にとると共に、導波路での屈折率変化を逆の属性
にすることで、導波光に対する屈折率の変化はキャンセ
ルされる。
また、光導波路層４を設けたことによって、光吸収層３
の厚さを導波特性に関係なく、任意に設定することが可
能になった。第２図に示したように、吸収ピーク近傍に
は光吸収層自体の屈折率変化が負になる波長域が存在し
ている。しかし、通常の構造では吸収が強すぎて、上記
屈折率変化が負となる波長域を使用することができなか
った。
の厚さを導波特性に関係なく、任意に設定することが可
能になった。第２図に示したように、吸収ピーク近傍に
は光吸収層自体の屈折率変化が負になる波長域が存在し
ている。しかし、通常の構造では吸収が強すぎて、上記
屈折率変化が負となる波長域を使用することができなか
った。
これに対して本発明の構造では、光吸収層を薄膜化する
ことによってＯＮ状態（光を通過させる状態＝電界を印
加しない状態）での光吸収層における吸収効果を小さく
抑えることが可能になり、動作波長を吸収ピーク近傍に
設定することが可能になる。これにより、光吸収層３で
の屈折率変化自体が負になる領域も利用することが可能
になる。
ことによってＯＮ状態（光を通過させる状態＝電界を印
加しない状態）での光吸収層における吸収効果を小さく
抑えることが可能になり、動作波長を吸収ピーク近傍に
設定することが可能になる。これにより、光吸収層３で
の屈折率変化自体が負になる領域も利用することが可能
になる。
この場合、吸収係数の変化量は裾の波長域に較べて十分
に大きいので、光吸収層３を薄膜化しても変調特性の劣
化は小さい。
に大きいので、光吸収層３を薄膜化しても変調特性の劣
化は小さい。
第３図は本発明による光変調器の第２実施例を示す図で
ある。本実施例の特徴は、先導波路４の周囲を半絶縁性
クラッド層１１で埋め込むことにより、完全な矩形導波
路を形成していることにある。これによって、導波特性
が改善され、伝搬損失が低減されるとともに、導波光の
分布が円に近くなり、光ファイバとの接続時における損
失を小さくすることができる。
ある。本実施例の特徴は、先導波路４の周囲を半絶縁性
クラッド層１１で埋め込むことにより、完全な矩形導波
路を形成していることにある。これによって、導波特性
が改善され、伝搬損失が低減されるとともに、導波光の
分布が円に近くなり、光ファイバとの接続時における損
失を小さくすることができる。
第４図は本発明による光変調器の第３実施例を示す光導
波路部分の拡大図である。本実施例の特徴は、光導波路
層４および光吸収層３を第４図に示すようにＭＱＷで形
成した点にある。ＭＱＷ部の屈折率および吸収ピーク波
長は、ＭＱＷのウェルおよびバリア部の厚さにより正確
に、かつ、独立に制御することが可能である。したがっ
て、光吸収Ｎ３と先導波路層４とを同一の材料系で構成
することが可能になる。このため、複数回の結晶成長が
不要であるとともに、屈折率の制御性を向上させること
ができる。
波路部分の拡大図である。本実施例の特徴は、光導波路
層４および光吸収層３を第４図に示すようにＭＱＷで形
成した点にある。ＭＱＷ部の屈折率および吸収ピーク波
長は、ＭＱＷのウェルおよびバリア部の厚さにより正確
に、かつ、独立に制御することが可能である。したがっ
て、光吸収Ｎ３と先導波路層４とを同一の材料系で構成
することが可能になる。このため、複数回の結晶成長が
不要であるとともに、屈折率の制御性を向上させること
ができる。
光変調器でのチャーピング量は、変調時に付随して生し
る位相変調の変調度に大きく依存する。
る位相変調の変調度に大きく依存する。
位相変調の変調度は、光変調器を通過する光が感じる屈
折率変化量（ΔＮ ｔｏｔａｌ）に比例する。このΔＮ
ｔｏｔａｌはつぎの式で評価することが可能である。
折率変化量（ΔＮ ｔｏｔａｌ）に比例する。このΔＮ
ｔｏｔａｌはつぎの式で評価することが可能である。
ΔＮ ｔｏｔａｌ： ｒ 、 ＸΔｎｘ＋１”２ＸΔｎ
２ここでｒｏ、ｒ２は光吸収層および先導波路層での光
閉じ込め係数であり、Δｎｓ＋ ６丁１□はそれぞれの
層での屈折率変化を表している。チャーピングによる伝
送特性の劣化をなくすためには、このΔＮ ｔｏｔａｌ
が≦０である条件を満たす様に変調器構造を選ぶ必要が
ある。したがって、光変調器での光導波路層および光吸
収層の厚さ、幅および材料は、上記条件を基に設計を行
う必要がある。
２ここでｒｏ、ｒ２は光吸収層および先導波路層での光
閉じ込め係数であり、Δｎｓ＋ ６丁１□はそれぞれの
層での屈折率変化を表している。チャーピングによる伝
送特性の劣化をなくすためには、このΔＮ ｔｏｔａｌ
が≦０である条件を満たす様に変調器構造を選ぶ必要が
ある。したがって、光変調器での光導波路層および光吸
収層の厚さ、幅および材料は、上記条件を基に設計を行
う必要がある。
上記のように本発明による光変調器は、入射光を吸収す
る光吸収領域と、該光吸収領域の吸収係数を変化させて
入射光を変調するための変調手段と、上記光吸収領域に
おける屈折率の変動を補償するための光導波領域とを有
することにより、光変調時の位相変調効果を制御するこ
とが可能となり、チャーピングを小さくすることができ
る。また、動作波長および変調器構造を適切に設計すれ
ば、負のチャーピングを生じさせることができる。
る光吸収領域と、該光吸収領域の吸収係数を変化させて
入射光を変調するための変調手段と、上記光吸収領域に
おける屈折率の変動を補償するための光導波領域とを有
することにより、光変調時の位相変調効果を制御するこ
とが可能となり、チャーピングを小さくすることができ
る。また、動作波長および変調器構造を適切に設計すれ
ば、負のチャーピングを生じさせることができる。
これにより、光フアイバ伝送時の特性を著しく向上させ
ることが可能になる。
ることが可能になる。
第１図は本発明による光変調器の第１実施例を示し、（
ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（Ｃ）は屈折
率分布図、第２図は本発明の原理を実験結果をもとに説
明する図で、（ａ）は屈折率変化のスペクトルを示す図
、（ｂ）は位相変調特性を示す図、第３図は本発明の第
２実施例を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ
’断面図、第４図は本発明の第３実施例を示す要部断面
図、第５図は従来の光変調器を示す図で、（ａ）は上面
図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（Ｃ）は屈折率分布図、
（ｄ）は吸収係数のスペクトルが長波長側にシフトする
状態を示す図である。 １・・光導波路 ３・・・光吸収領域４・・・光
導波領域 ５・・・クラッド部７・・・基板
ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（Ｃ）は屈折
率分布図、第２図は本発明の原理を実験結果をもとに説
明する図で、（ａ）は屈折率変化のスペクトルを示す図
、（ｂ）は位相変調特性を示す図、第３図は本発明の第
２実施例を示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ
’断面図、第４図は本発明の第３実施例を示す要部断面
図、第５図は従来の光変調器を示す図で、（ａ）は上面
図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（Ｃ）は屈折率分布図、
（ｄ）は吸収係数のスペクトルが長波長側にシフトする
状態を示す図である。 １・・光導波路 ３・・・光吸収領域４・・・光
導波領域 ５・・・クラッド部７・・・基板
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、入射光を吸収する光吸収領域と、該光吸収領域の吸
収係数を変化させて入射光を変調するための変調手段と
、上記光吸収領域における屈折率の変動を補償するため
の光導波領域とを有する光変調器。 ２、上記光吸収領域は、所定の光波長よりも僅かに短波
長側に吸収端を有する、化合物半導体よりなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載した光変調器。 ３、上記光導波領域は、上記光吸収領域よりも短波長側
に吸収端を有し、周囲のクラッド部よりも高い屈折率を
有することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載し
た光変調器。 ４、上記光吸収領域および上記光導波領域は、その一部
もしくは全域をアンドープとし、上部のクラッド層と下
部のクラッド層もしくは基板を異なる極性にドーピング
し、ｐ−ｉ−ｎ構造としたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載した光変調器。 ５、上記光導波領域は、その形成方向を、伝搬光に対し
て電気光学効果による屈折率変化が、負となる方向とし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第３項
か第４項のいずれかに記載した光変調器。 ６、上記光導波領域は、基板の面方位および電界の印加
方向を＜１００＞面としたときの形成方向を＜０１１＞
とするか、もしくは基板の面方位および電界の印加方向
を＜００１＞面としたときの形成方向を、＜１１０＞と
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第３
項ないし第５項のいずれかに記載した光変調器。 ７、上記光吸収領域および光導波領域は、ウェル層およ
びバリア層の厚さと材料との制御によって、吸収端およ
び屈折率を所定の値に設定したＭＱＷにより構成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第６項のい
ずれかに記載した光変調器。 ８、上記光吸収領域および上記光導波領域は、その材料
および厚さを、各領域における光の閉じ込め係数に、各
領域での電界印加時の屈折率変化量を掛け合わせた値で
定義される総屈折率変化量が、零もしくは負となるよう
に選ぶことを特徴とする特許請求の範囲第１項、第４項
、第７項のいずれかに記載した光変調器。 ９、特許請求の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記
載した光変調器を、光出力部に用いたことを特徴とする
光通信装置。 １０、所定の光波長よりも僅かに短波長側に吸収端を有
する化合物半導体材料からなる光吸収領域と、該光吸収
層よりも短波長側に吸収端を有し、周囲のクラッド部よ
りも高い屈折率を有する光導波領域を有することを特徴
とする半導体基板。 １１、上記光吸収領域および光導波領域は、ウェルおよ
びバリア層の厚さと材料の制御によって、吸収端および
屈折率を所定の値に設定したＭＱＷにより構成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１０項に記載した半導体
基板。 １２、上記光吸収領域および上記光導波領域は、その材
料および厚さを、各領域における光の閉じ込め係数に、
各領域での電界印加時の屈折率変化量を掛け合わせた値
で定義される総屈折率変化量が、零もしくは負となるよ
うに選ぶことを特徴とする特許請求の範囲第１０項また
は第１１項に記載した半導体基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2094942A JPH03293622A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 光変調器 |
| GB9107576A GB2243456B (en) | 1990-04-12 | 1991-04-10 | Optical modulator and optical communication system utilizing the same |
| US08/047,339 US5339370A (en) | 1990-04-12 | 1993-04-16 | Optical modulator and optical communication system utilizing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2094942A JPH03293622A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 光変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03293622A true JPH03293622A (ja) | 1991-12-25 |
Family
ID=14124003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2094942A Pending JPH03293622A (ja) | 1990-04-12 | 1990-04-12 | 光変調器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5339370A (ja) |
| JP (1) | JPH03293622A (ja) |
| GB (1) | GB2243456B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5550855A (en) * | 1993-07-23 | 1996-08-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical modulator |
| US5742423A (en) * | 1994-02-18 | 1998-04-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor optical modulator |
| US6115169A (en) * | 1998-01-29 | 2000-09-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor optical modulator and integrated optical circuit device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03293622A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-25 | Hitachi Ltd | 光変調器 |
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| JPH0720506A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光スイッチ及びその製造方法 |
| US5689603A (en) * | 1993-07-07 | 1997-11-18 | Huth; Gerald C. | Optically interactive nanostructure |
| US5543957A (en) * | 1993-12-20 | 1996-08-06 | Nec Corporation | Optical modulator and method of producing the same |
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|---|---|---|---|---|
| US4093345A (en) * | 1976-05-27 | 1978-06-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Semiconductor rib waveguide optical modulator with heterojunction control electrode cladding |
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| JPS62260120A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体外部光変調器 |
| DE68925019T2 (de) * | 1988-08-30 | 1996-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | Optisches Element und Verfahren zum Modulieren von Licht unter Verwendung desselben. |
| JPH03293622A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-25 | Hitachi Ltd | 光変調器 |
-
1990
- 1990-04-12 JP JP2094942A patent/JPH03293622A/ja active Pending
-
1991
- 1991-04-10 GB GB9107576A patent/GB2243456B/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-04-16 US US08/047,339 patent/US5339370A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5339370A (en) | 1994-08-16 |
| GB9107576D0 (en) | 1991-05-29 |
| GB2243456A (en) | 1991-10-30 |
| GB2243456B (en) | 1994-11-16 |
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