JPS61212823A - 光変調器 - Google Patents
光変調器Info
- Publication number
- JPS61212823A JPS61212823A JP5368685A JP5368685A JPS61212823A JP S61212823 A JPS61212823 A JP S61212823A JP 5368685 A JP5368685 A JP 5368685A JP 5368685 A JP5368685 A JP 5368685A JP S61212823 A JPS61212823 A JP S61212823A
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- Japan
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- absorption
- layer
- semiconductor
- semiconductors
- electric field
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光通信及び元情報処理の分野で用込られる光変
調器に関するものである。
調器に関するものである。
（従来技術）
光通信の分野や光情報処理の分野では、より高速の信号
全制御する技術が必要となりつつあり、光通信の分野で
は現在２Ｇｂ／ｓの伝送が実現されでいる。従来、この
工うな旨速の信号を通信する場合、光臨には直接変調さ
れた半導体レーザ、伝送路には単一モード光ファイバ、
光検知器にはアバランシェ・フォトダイオードが用いら
れて来た。
全制御する技術が必要となりつつあり、光通信の分野で
は現在２Ｇｂ／ｓの伝送が実現されでいる。従来、この
工うな旨速の信号を通信する場合、光臨には直接変調さ
れた半導体レーザ、伝送路には単一モード光ファイバ、
光検知器にはアバランシェ・フォトダイオードが用いら
れて来た。
しかし、従来用いられた直接変調方式では、半導体レー
ザを高速で変調すると発振波長の幅が拡がり、光ファイ
バの分散によって分散限界となり２Ｇｂ／ｓを超える高
速信号を伝送することば非常に困難である。
ザを高速で変調すると発振波長の幅が拡がり、光ファイ
バの分散によって分散限界となり２Ｇｂ／ｓを超える高
速信号を伝送することば非常に困難である。
このような技術的問題点を克服する試みとして、半導体
レーザでは変調しないで、この半導体レーザの外に付加
した光変調器で変調を行なう外部変調力式がある。この
方式によると信号光の波長の幅の拡がりは大幅に低減さ
れ、高速伝送が可能となると考えられている。
レーザでは変調しないで、この半導体レーザの外に付加
した光変調器で変調を行なう外部変調力式がある。この
方式によると信号光の波長の幅の拡がりは大幅に低減さ
れ、高速伝送が可能となると考えられている。
光情報処理の分野でも、光通信と同様に高速処理の必要
性が高くなりつつあり、この工うな昼速の光信号をオン
・オフするスイッチとして光変調器による光ゲートスイ
ッチが考えられる。
性が高くなりつつあり、この工うな昼速の光信号をオン
・オフするスイッチとして光変調器による光ゲートスイ
ッチが考えられる。
これらの目的で用いられる光変調器には種々の原理に基
づくものがある。Ｃれらの中で将来性の ＋＠ ’
ｙｈ方式として、材料として半導体レーザと同じＧ ａ
Ａ ｓやＩｎＰもしくはこれらの結晶に格子定数が等
しいＩ−Ｖ族混晶半導体全バルクの状態で用い、電界を
これらの半導体に印加して吸収波長を移動するものが考
えられている。この光変調器は、電界全半導体に加える
ことＶＣよって、半導体の吸収波長端が長波長側に移動
するフランツ・ケルディシュ効果を利用している。
づくものがある。Ｃれらの中で将来性の ＋＠ ’
ｙｈ方式として、材料として半導体レーザと同じＧ ａ
Ａ ｓやＩｎＰもしくはこれらの結晶に格子定数が等
しいＩ−Ｖ族混晶半導体全バルクの状態で用い、電界を
これらの半導体に印加して吸収波長を移動するものが考
えられている。この光変調器は、電界全半導体に加える
ことＶＣよって、半導体の吸収波長端が長波長側に移動
するフランツ・ケルディシュ効果を利用している。
この光変調器の動作原理を第３図ｆａｔを用いて説明す
る。横軸は波長で、縦軸は吸収損失を示す。
る。横軸は波長で、縦軸は吸収損失を示す。
半導体に電界全印加すると、印加されていない時の吸収
波長端２１から長波長の吸収波長端２５に特性が移動す
るが、この効果はフランツ・ケルティシュ効果といわれ
ている。このような半導体を用いて、電圧が印加されて
ｂない時の吸収波長端２１より僅かに長波長側の波長λ
８Ｖｃ被変調光を合わせると、電界が印加されていな−
ときにぽ吸収損失がα。Ｎ２３ と小さいのに、電界が
印カ■されると吸収損失ば α。ＰＦ２４ と大きくな
り変調が可能となる。
波長端２１から長波長の吸収波長端２５に特性が移動す
るが、この効果はフランツ・ケルティシュ効果といわれ
ている。このような半導体を用いて、電圧が印加されて
ｂない時の吸収波長端２１より僅かに長波長側の波長λ
８Ｖｃ被変調光を合わせると、電界が印加されていな−
ときにぽ吸収損失がα。Ｎ２３ と小さいのに、電界が
印カ■されると吸収損失ば α。ＰＦ２４ と大きくな
り変調が可能となる。
この方式では、半導体レーザと光変調器とを同一基板上
に構成する事が可能で、結合損失を小さくする事が容易
で、かつ組み立てが簡易Ｖこなる長所がある。しかし、
この効果ｆＩｎＧａＡ’ｓＰ ’ｆｒ：用−た半導体
［実際に適用して消光比２０ｄＢ ’に得るためには
場合、 １ｍｍ の素子長で印加電圧として約５Ｖｉ
必要とする。一つの素子長が１ｍｍにもなると、集積化
することば非常に困難になり、かつ５■の変調ηＬ圧で
は高速の変調電圧制御回路の形成が非常に難しくなる。
に構成する事が可能で、結合損失を小さくする事が容易
で、かつ組み立てが簡易Ｖこなる長所がある。しかし、
この効果ｆＩｎＧａＡ’ｓＰ ’ｆｒ：用−た半導体
［実際に適用して消光比２０ｄＢ ’に得るためには
場合、 １ｍｍ の素子長で印加電圧として約５Ｖｉ
必要とする。一つの素子長が１ｍｍにもなると、集積化
することば非常に困難になり、かつ５■の変調ηＬ圧で
は高速の変調電圧制御回路の形成が非常に難しくなる。
このような問題点を解決する試みとして、多重量子井戸
を光変調器の導波路に使用する試みがイー・イー・メン
ブーツ等に、【って提案された（フィジカル・レビュー
Ｂ、１９８２年１２月１５日号、２６巻、７１０１〜７
１０４頁）。この多重量子井戸は、禁制帯幅の小さい層
が一献子サイズ効果を起す程度１で薄く形成された量子
井戸層と、量子井戸層より禁制帯幅の犬き１障壁層とが
交互に積層された多層構造である。このような構造の半
導体に電圧全印加したときの吸収損失の変化を、第３図
ｆｂ）に示１−０この構造の半導体では、エキシトンに
よる吸収２６が顕著になるために、吸収端での吸収損失
の波長依存性が、バルクの場合に比べて急峻になる。こ
のため電圧を印加していないときの吸収損失αｏＮ２８
がバルクの時よりは小さくなり、小さい動作電圧で大
きな消光比が得られることが期待された。しかじ、実際
に電界を加えると、吸収端は移動するが、吸収損失α。
を光変調器の導波路に使用する試みがイー・イー・メン
ブーツ等に、【って提案された（フィジカル・レビュー
Ｂ、１９８２年１２月１５日号、２６巻、７１０１〜７
１０４頁）。この多重量子井戸は、禁制帯幅の小さい層
が一献子サイズ効果を起す程度１で薄く形成された量子
井戸層と、量子井戸層より禁制帯幅の犬き１障壁層とが
交互に積層された多層構造である。このような構造の半
導体に電圧全印加したときの吸収損失の変化を、第３図
ｆｂ）に示１−０この構造の半導体では、エキシトンに
よる吸収２６が顕著になるために、吸収端での吸収損失
の波長依存性が、バルクの場合に比べて急峻になる。こ
のため電圧を印加していないときの吸収損失αｏＮ２８
がバルクの時よりは小さくなり、小さい動作電圧で大
きな消光比が得られることが期待された。しかじ、実際
に電界を加えると、吸収端は移動するが、吸収損失α。
、、２７が本来期待されている値に比べてきわめて小さ
くなり、バルクのときに比べてほとんど消光比の改善が
見られなかった。
くなり、バルクのときに比べてほとんど消光比の改善が
見られなかった。
（発明の目的）
本発明の目的は、以上述べた問題点全解決し、短い素子
長でかつ小さな印加電圧で十分な消光比が得られる半導
体からなるプロ変調器を提供する事にある。
長でかつ小さな印加電圧で十分な消光比が得られる半導
体からなるプロ変調器を提供する事にある。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明の構成は、光吸収部に電界を印加する事によって
半導体の吸収波長端全長波長側に移動させて吸収損失全
制御する光変調器にお込て、前記光吸収部が、それぞれ
５００オングストローム２．ｉ：り薄い半導体層で一方
の半導体層の禁制帯幅が他方より大きい禁制帯幅を有す
る半導体層を父互に積層しこれら各層のヘテロ界面が光
の伝播方向と平行となった多層構造と、前記光の伝播方
向と垂直な断面で前記多層構造の平均屈折率より低い屈
折率の半導体でこの多層構造を上下左右から囲んだ半導
体構造とからなり、前記多層構造を左右から囲んだ半纏
体が夫々ｐ形お工びｎ形ｑ）半導体であり、前記多層構
造全上下から囲んだ半導体が高抵抗半纏体であることを
特徴とする。
半導体の吸収波長端全長波長側に移動させて吸収損失全
制御する光変調器にお込て、前記光吸収部が、それぞれ
５００オングストローム２．ｉ：り薄い半導体層で一方
の半導体層の禁制帯幅が他方より大きい禁制帯幅を有す
る半導体層を父互に積層しこれら各層のヘテロ界面が光
の伝播方向と平行となった多層構造と、前記光の伝播方
向と垂直な断面で前記多層構造の平均屈折率より低い屈
折率の半導体でこの多層構造を上下左右から囲んだ半導
体構造とからなり、前記多層構造を左右から囲んだ半纏
体が夫々ｐ形お工びｎ形ｑ）半導体であり、前記多層構
造全上下から囲んだ半導体が高抵抗半纏体であることを
特徴とする。
６一
（発明の原理・作用）
本発明の構成を取る＠により、従来技術の問題点が解決
される。
される。
本発明では、光吸収部が、量子サイズ効果を示すよ′）
ｖｃ厚みが５００オングストローム以下の禁制帯幅の小
さい量子井戸層と禁制帯幅の大きい障壁層とが交互に積
層された多層構造、すなわち多重量子井戸構造となって
いる。この点では、イー・イー・メンテーラ等の実験（
前述）と同様、第３図（Ｃ）で示す工すに、吸収端２９
の波長依存性がエキシトンの影響によって非常に急峻に
なる。したがって、被変調光の波長λＳを吸収端２９に
近接して使用することが出来る。また、多層構造の界面
が光の伝播方向と平行であり、かつｐ形とｎ形半導体が
多層構造の左右から囲凌しているため、多層構造に印加
される電界は多層構造の界面と平行になる。このため多
層構造に印加される電界は界面に対し平行になり、イー
・イー・メンブーツ等が行なった垂直電界の時に起こる
電子の波動関数とホールの波動関数が印加された電界で
分離する現象は起きなくなる。従って電界印刀口時の吸
収損失３０が、電圧が印加されていないときの吸収損失
２９Ｖｃ比べて減少する現象が起こらなくなる。
ｖｃ厚みが５００オングストローム以下の禁制帯幅の小
さい量子井戸層と禁制帯幅の大きい障壁層とが交互に積
層された多層構造、すなわち多重量子井戸構造となって
いる。この点では、イー・イー・メンテーラ等の実験（
前述）と同様、第３図（Ｃ）で示す工すに、吸収端２９
の波長依存性がエキシトンの影響によって非常に急峻に
なる。したがって、被変調光の波長λＳを吸収端２９に
近接して使用することが出来る。また、多層構造の界面
が光の伝播方向と平行であり、かつｐ形とｎ形半導体が
多層構造の左右から囲凌しているため、多層構造に印加
される電界は多層構造の界面と平行になる。このため多
層構造に印加される電界は界面に対し平行になり、イー
・イー・メンブーツ等が行なった垂直電界の時に起こる
電子の波動関数とホールの波動関数が印加された電界で
分離する現象は起きなくなる。従って電界印刀口時の吸
収損失３０が、電圧が印加されていないときの吸収損失
２９Ｖｃ比べて減少する現象が起こらなくなる。
址た、多層構造の平均屈折率より低い屈折率の半導体が
該ストライブ形状をした多層構造を上下左右から囲維し
ているため、屈折率導波構造が形成され、導波損失が低
減さＦＬるという副次的効果も得られる。
該ストライブ形状をした多層構造を上下左右から囲維し
ているため、屈折率導波構造が形成され、導波損失が低
減さＦＬるという副次的効果も得られる。
（実施例）
以下本発明について図面全参照して詳、ＩＩＢに説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を説明する斜視図である。本
実施例は、半絶縁性１型ＩｎＰ半導体基板１１上に、ｉ
型ＩｎＰバッファ層１２と、多重量子井戸層１３と、ｉ
型 ＩｎＰクラッド層１４とが積層されている。この多
重量子井戸層１３は、εし２図の拡大図に示すように、
ＩｎＧａＡｓＰ ｔ！子井戸層４０と ＩｎＰｌ滝壁
層４１が１２周期積層された構造をＭしている。この積
層体にメサストライプ状ｆＣメサ中吊２ミクロンになる
よう１テ、メサの両側がエツチングで削られ、メサの左
側にはｐ形ＩｎＰクラッド層１５、メサの右側に一１′
ｌ：ｎ形ＩｎＰクラッド層１６で埋めこ唸れて−る。そ
してこのように形成された埋込み形多重量子井戸構造光
変調器に、ｐ形ＩｎＰ層１５にぼ負電極１７がｎ形Ｉｎ
Ｐ 層１６には正電極１８がオーミック接触で形成され
ている。
実施例は、半絶縁性１型ＩｎＰ半導体基板１１上に、ｉ
型ＩｎＰバッファ層１２と、多重量子井戸層１３と、ｉ
型 ＩｎＰクラッド層１４とが積層されている。この多
重量子井戸層１３は、εし２図の拡大図に示すように、
ＩｎＧａＡｓＰ ｔ！子井戸層４０と ＩｎＰｌ滝壁
層４１が１２周期積層された構造をＭしている。この積
層体にメサストライプ状ｆＣメサ中吊２ミクロンになる
よう１テ、メサの両側がエツチングで削られ、メサの左
側にはｐ形ＩｎＰクラッド層１５、メサの右側に一１′
ｌ：ｎ形ＩｎＰクラッド層１６で埋めこ唸れて−る。そ
してこのように形成された埋込み形多重量子井戸構造光
変調器に、ｐ形ＩｎＰ層１５にぼ負電極１７がｎ形Ｉｎ
Ｐ 層１６には正電極１８がオーミック接触で形成され
ている。
このような構造の多重量子井戸層１３ｖｃ波長１３００
ｎｍの被変調光を横断面と垂直に入射し、光変調器の電
極［２Ｖの電圧を印加したときと、印加しないときの吸
収特性の波長依存性は、第３図（ｃ）ＶＣ示される。こ
の図から分かるように、被変調波長λ５は、電圧が印加
されていないときの吸収端２９工り ２Ｑｎｍ 長波長
側に選ぶと、素子長２００ミクロンで変調器に電圧２Ｖ
’（ｒ印加しただけで、消光比２０ｄＢと良好な特性を
得る事が出来た。
ｎｍの被変調光を横断面と垂直に入射し、光変調器の電
極［２Ｖの電圧を印加したときと、印加しないときの吸
収特性の波長依存性は、第３図（ｃ）ＶＣ示される。こ
の図から分かるように、被変調波長λ５は、電圧が印加
されていないときの吸収端２９工り ２Ｑｎｍ 長波長
側に選ぶと、素子長２００ミクロンで変調器に電圧２Ｖ
’（ｒ印加しただけで、消光比２０ｄＢと良好な特性を
得る事が出来た。
本実施例では、ｉ形半導体基板１１としてクロム（Ｃｒ
）ドープＩｎＰ基板、ｉ形バッファ層１２として３ミク
ロンのノンドープＩｎＰ層、多重量子井戸層１３として
ノンドーグの層厚２００オン＝９− ゲストロームのＩｎＧａＡｓＰ 量子井戸層４０とノ
ンドープの層厚２００オングストロームのノンドープＩ
ｎＰ障壁層４１が１２周期交互に積層された多層構造、
１形りラッド層として厚み１ミクロンのノンドーフ゛Ｉ
ｎＰ層１４、メサの左側のｐ形りラッド層には亜鉛（Ｚ
ｎ）ドープＩｎＰ ｌ曽１５、メサの右側のｎ形りラッ
ド層ｖＣｆＪ、硫黄（Ｓ）ドープＩｎＰ層１６全それぞ
れ用い、筐た負電極１９には金−亜鉛、正電極２０には
金−錫を用いた。
）ドープＩｎＰ基板、ｉ形バッファ層１２として３ミク
ロンのノンドープＩｎＰ層、多重量子井戸層１３として
ノンドーグの層厚２００オン＝９− ゲストロームのＩｎＧａＡｓＰ 量子井戸層４０とノ
ンドープの層厚２００オングストロームのノンドープＩ
ｎＰ障壁層４１が１２周期交互に積層された多層構造、
１形りラッド層として厚み１ミクロンのノンドーフ゛Ｉ
ｎＰ層１４、メサの左側のｐ形りラッド層には亜鉛（Ｚ
ｎ）ドープＩｎＰ ｌ曽１５、メサの右側のｎ形りラッ
ド層ｖＣｆＪ、硫黄（Ｓ）ドープＩｎＰ層１６全それぞ
れ用い、筐た負電極１９には金−亜鉛、正電極２０には
金−錫を用いた。
この実施例では、基板ｖＣ１型ＩｎＰ ｉ用いたが、ｉ
ｍＧａＡｓｆ用いてもよく、その場合はＩｎＦ３代わ
りにＡＩＧａＡｓＰｒＤ代わりにＧａＡｓ−′ＰＡＩＧ
ａＡ−ｓが用いられる。この場合、被変調波長が０．７
０μｍから０．８５μｍで効率よい変調が得られる。ま
た、その他の混晶系でも同様な構造が実現可能なことは
明らかである。さらに本実施例における各層厚、メサ幅
、各層のドーパントの種類に限定されないことは明らか
である。
ｍＧａＡｓｆ用いてもよく、その場合はＩｎＦ３代わ
りにＡＩＧａＡｓＰｒＤ代わりにＧａＡｓ−′ＰＡＩＧ
ａＡ−ｓが用いられる。この場合、被変調波長が０．７
０μｍから０．８５μｍで効率よい変調が得られる。ま
た、その他の混晶系でも同様な構造が実現可能なことは
明らかである。さらに本実施例における各層厚、メサ幅
、各層のドーパントの種類に限定されないことは明らか
である。
（発明の効果）
以上詳細に述べて来たように、本′＃、明Ｖｃ工れば、
従来のバルク形の光変調器の欠点である吸収端の吸収特
性の急峻性の悪さから来る消光比の低さ及び印加電圧の
高さ、素子長の長さ、多重量子井戸を用いた時の欠点で
ある電界印加時の吸収係数の低減現象を解決し、低い駆
動電圧で、良好な消光比の素子長の短め光変調器を得る
事が出来た。また屈折率導波構造を導入する事により導
波路損失を低減することが出来た。
従来のバルク形の光変調器の欠点である吸収端の吸収特
性の急峻性の悪さから来る消光比の低さ及び印加電圧の
高さ、素子長の長さ、多重量子井戸を用いた時の欠点で
ある電界印加時の吸収係数の低減現象を解決し、低い駆
動電圧で、良好な消光比の素子長の短め光変調器を得る
事が出来た。また屈折率導波構造を導入する事により導
波路損失を低減することが出来た。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は第１図の
多重量子井戸部分の拡大断面図、第３図（ａ）、 （ｂ
Ｌ （Ｃ）は従来のバルク形光変調器、従来の多重量子
井戸形変調器および本実施例の多重量子井戸形変調器の
波長に対する吸収特性を示す特性図である。図において
、 １１・・・・・・ｉ形ＩｎＰ基板、１２・・・・・・ｉ
形ＩｎＰバッファ層、１３・・・・・・多重量子井戸層
、１４・・・・・・ｉ形ＩｎＰクラッド層、１５・・・
・・・ｐ形ＩｎＰクラッド層、１６・・・・・ｎ形Ｉｎ
Ｐクラッド層、１７・・・・・・負電極、１８・・・・
正電極、２１・・・・・・電界を印加していないときの
吸収端、２３・・・・・・′電界全印加していないとき
の吸収損失、２４・・・・電圧全印加したときの吸収損
失、２５・・・・電界を印加したときの吸収端、２６・
・・・・エキシトンの吸収波長、２７・・・・・・電圧
を印カロしたときの吸収損失、２８・・・・・・電界全
印加していないときの吸収損失、２９・・・・・エキシ
トンの吸収波長、３０・・・・・・電圧を印加し罠とき
の吸収損失、３１・・・・・・電界を印加していないと
きの吸収損失、４０・・・・・・ＩｎＧａＡ、ｓＰ量子
井戸層、４１・・・・・ＩｎＰ障壁層、をそれぞれ示す
。 ゛）ｆｊ１図 粥Ｚ図
多重量子井戸部分の拡大断面図、第３図（ａ）、 （ｂ
Ｌ （Ｃ）は従来のバルク形光変調器、従来の多重量子
井戸形変調器および本実施例の多重量子井戸形変調器の
波長に対する吸収特性を示す特性図である。図において
、 １１・・・・・・ｉ形ＩｎＰ基板、１２・・・・・・ｉ
形ＩｎＰバッファ層、１３・・・・・・多重量子井戸層
、１４・・・・・・ｉ形ＩｎＰクラッド層、１５・・・
・・・ｐ形ＩｎＰクラッド層、１６・・・・・ｎ形Ｉｎ
Ｐクラッド層、１７・・・・・・負電極、１８・・・・
正電極、２１・・・・・・電界を印加していないときの
吸収端、２３・・・・・・′電界全印加していないとき
の吸収損失、２４・・・・電圧全印加したときの吸収損
失、２５・・・・電界を印加したときの吸収端、２６・
・・・・エキシトンの吸収波長、２７・・・・・・電圧
を印カロしたときの吸収損失、２８・・・・・・電界全
印加していないときの吸収損失、２９・・・・・エキシ
トンの吸収波長、３０・・・・・・電圧を印加し罠とき
の吸収損失、３１・・・・・・電界を印加していないと
きの吸収損失、４０・・・・・・ＩｎＧａＡ、ｓＰ量子
井戸層、４１・・・・・ＩｎＰ障壁層、をそれぞれ示す
。 ゛）ｆｊ１図 粥Ｚ図
Claims (1)
- 光吸収部に電界を印加する事によって半導体の吸収波長
端を長波長側に移動させて吸収損失を制御する光変調器
において、前記光吸収部が、それぞれ５００オングスト
ロームより薄い半導体層で一方の半導体層の禁制帯幅が
他方より大きい禁制帯幅を有する半導体層を交互に積層
し、これら各層のヘテロ界面が光の伝播方向と平行とな
った多層構造と、前記光の伝播方向と垂直な断面で前記
多層構造の平均屈折率より低い屈折率の半導体でこの多
層構造を上下左右から囲んだ半導体構造とからなり、前
記多層構造を左右から囲んだ半導体が夫々ｐ形およびｎ
形の半導体であり、前記多層構造を上下から囲んだ半導
体が高抵抗半導体であることを特徴とする光変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5368685A JPS61212823A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5368685A JPS61212823A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 光変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61212823A true JPS61212823A (ja) | 1986-09-20 |
Family
ID=12949697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5368685A Pending JPS61212823A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 光変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61212823A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6371826A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Hitachi Ltd | 光半導体装置 |
| JPS63127226A (ja) * | 1986-11-17 | 1988-05-31 | Nec Corp | 光スイツチ |
| JPH02132415A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-21 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
| US4943133A (en) * | 1988-08-08 | 1990-07-24 | Bell Communications Research, Inc. | Low loss semiconductor optical phase modulator |
| US5160993A (en) * | 1990-06-06 | 1992-11-03 | Fujitsu Limited | High speed optosemiconductor device having multiple quantum wells |
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