JP2016100593A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- 結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、コランダム構造を有する結晶性半導体を主成分として含むエピタキシャル膜が形成されている結晶性積層構造体であって、前記エピタキシャル膜がボイドを含むことを特徴とする結晶性積層構造体。
- 前記ボイドが、周期的に形成されている請求項１記載の結晶性積層構造体。
- 前記結晶性半導体が酸化物半導体である請求項１または２に記載の結晶性積層構造体。
- 前記酸化物半導体が少なくともガリウムを含む請求項３記載の結晶性積層構造体。
- 前記エピタキシャル膜が、ＣＶＤ膜、ＭＯＣＶＤ膜、ＭＯＶＰＥ膜、ミストＣＶＤ膜、ミスト・エピタキシー膜、ＭＢＥ膜、ＨＶＰＥ膜またはパルス成長膜である請求項１〜４のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- 前記結晶基板が、サファイア基板である請求項１〜５のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- 前記結晶基板上に、凹部または凸部からなる凹凸部が形成されている請求項１〜６のいずれかに記載の結晶性積層構造体。
- 請求項１〜７のいずれかに記載の結晶性積層構造体を用いてなる半導体装置。
- 結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含むエピタキシャル膜を成膜して結晶性積層構造体を製造する方法であって、前記成膜時に、前記エピタキシャル膜にボイドを形成することを特徴とする結晶性積層構造体の製造方法。
- 前記ボイドの形成を、前記ボイドを周期的に形成することにより行う請求項９記載の製造方法。
- 前記ボイドの形成を、前記結晶基板の結晶成長面上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部を形成し、ついで、前記凹凸部上に、前記エピタキシャル膜を成膜することにより行う請求項９または１０に記載の製造方法。
- 前記エピタキシャル膜の成膜を、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、ＭＯＶＰＥ法、ミストＣＶＤ法、ミスト・エピタキシー法、ＭＢＥ法、ＨＶＰＥ法またはパルス成長法を用いて行う請求項９〜１１のいずれかに記載の製造方法。
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