JP3876518B2 - 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 - Google Patents
窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3876518B2 JP3876518B2 JP05257398A JP5257398A JP3876518B2 JP 3876518 B2 JP3876518 B2 JP 3876518B2 JP 05257398 A JP05257398 A JP 05257398A JP 5257398 A JP5257398 A JP 5257398A JP 3876518 B2 JP3876518 B2 JP 3876518B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- layer
- semiconductor substrate
- grown
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は窒化物半導体よりなる（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）基板の製造方法と、窒化物半導体基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に半導体を基板上に成長させる際、成長させる半導体と格子整合した基板を用いると半導体の結晶欠陥が少なくなって結晶性が向上することが知られている。しかし、窒化物半導体は格子整合する基板が現在世の中に存在しないことから、一般にサファイア、スピネル、炭化ケイ素のような窒化物半導体と格子整合しない異種基板の上に成長されている。
【０００３】
一方、窒化物半導体と格子整合するＧａＮバルク結晶を作製する試みは、様々な研究機関において成されているが、未だに数ミリ程度のものしか得られたという報告しかされておらず、実用化には程遠い状態である。
【０００４】
ＧａＮ基板を作製する技術として、例えば特開平７−２０２２６５号公報、特開平７−１６５４９８号に、サファイア基板の上にＺｎＯよりなるバッファ層を形成して、そのバッファ層の上に窒化物半導体を成長させた後、バッファ層を溶解除去する技術が記載されている。しかしながらサファイア基板の上に成長されるＺｎＯバッファ層の結晶性は悪く、そのバッファ層の上に厚膜で窒化物半導体を成長させても、結晶全体の結晶欠陥が１０8個／cm2以上もあり、良質の窒化物半導体結晶を得ることは難しい。さらに、薄膜のＺｎＯよりなるバッファ層の上に、基板となるような厚膜の窒化物半導体を連続して成長させることも難しい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ＬＥＤ素子、ＬＤ素子、受光素子等の数々の電子デバイスに使用される窒化物半導体素子を作製する際、窒化物半導体よりなる基板を作製することができれば、その基板の上に新たな窒化物半導体を成長させて、格子欠陥が少ない窒化物半導体が成長できるので、それら素子の結晶性が飛躍的に良くなり、従来実現されていなかった素子が実現できるようになる。従って本発明の目的とするところは、結晶性の良い窒化物半導体基板の製造方法と、窒化物半導体基板を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の窒化物半導体基板の製造方法は、窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板上に、まず第１の窒化物半導体よりなる下地層を成長させ、その下地層の上に表面に窒化物半導体が成長しないか、若しくは成長しにくい性質を有する保護膜を部分的に形成する第１の工程と、第１の工程後、有機金属気相成長法（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy:以下、ＭＯＶＰＥという。）により、下地層から前記保護膜上部に至るまで、第２の窒化物半導体を成長させて、前記保護膜のほぼ中央部に空洞を形成する第２の工程と、第２の工程後、ハイドライド気相成長法（Hydride Vapor Phase Epitaxy:以下、ＨＶＰＥという。）により、第２の窒化物半導体層の上に、その第２の窒化物半導体層よりも厚い膜厚で第３の窒化物半導体を成長させる第３の工程とを具備することを特徴とする。
【０００７】
前記第２の窒化物半導体層は、端面が保護膜の水平面に対してほぼ垂直な形状で成長させることを特徴とする。前記第２の窒化物半導体層は、窒素源のガスのモル比（窒素源／３族源）を２０００以下に調整して成長させることを特徴とする。前記第２の工程、または第３の工程の少なくとも一方の工程において、窒化物半導体にｎ型不純物をドープすることを特徴とする。ドープするｎ型不純物としてはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ等のIV族元素を用い、好ましくはＳｉ、Ｓｎをドープする。
【０００８】
また、前記第２の工程、または前記第３の工程の内の少なくとも一方の工程において、窒化物半導体層中のｎ型不純物に濃度勾配を設けることを特徴とする。濃度勾配とはｎ型不純物濃度に傾斜があることであり、連続的に傾斜が設けられていても良いし、またステップ状に傾斜が設けられていても良い。
【０００９】
さらに、前記濃度勾配は異種基板から離れるに従ってｎ型不純物濃度が小さくなるように調整されていることを特徴とする。これは主面に接近するに従ってｎ型不純物濃度が小さくなるようにしてあれば、後にｎ電極を設ける際に、どこの窒化物半導体基板を露出させても、高濃度にｎ型不純物をドープした第２、第３の窒化物半導体層側をコンタクト層とすることできるため、素子のＶｆを低下させ、出力を向上させる上で望ましいからである。また、窒化物半導体基板上に成長させた半導体層側からエッチングして、エッチング面に電極を設けても、ｎ型不純物を高濃度にドープした第２の窒化物半導体層または、第３の窒化物半導体層を電極形成層とすることが同理由において望ましい。
【００１０】
本発明では、前記第３の窒化物半導体成長後、少なくとも異種基板、下地層、および保護膜を除去する第４の工程を具備することを特徴とする。この工程を行うことにより、窒化物半導体基板単体、つまり半導体層を積層するためのウェーハとできる。なお、この基板を用いて半導体を基板の表面に成長させる場合、第３の窒化物半導体層面側を成長面とする方が、結晶欠陥が少ないので、結晶性の良い半導体層が積層成長できる。
【００１１】
また本発明の窒化物半導体基板は、ハイドライド気相成長法により成長され、第１の主面と第２の主面とを有する窒化物半導体基板であって、前記第１の主面、若しくは第２の主面近傍の結晶欠陥が１×１０5個／cm2以下であり、前記窒化物半導体基板にはｎ型不純物が含有されており、該ｎ型不純物は窒化物半導体基板内で濃度勾配を有することを特徴とする。主面上に次に成長させる半導体層の結晶欠陥を少なくするには、望ましくは５×１０4個／cm2以下、さらに望ましくは１×１０4個／cm2以下、最も望ましくは１×１０3個／cm2以下の主面近傍の結晶欠陥を有する窒化物半導体基板を選択する。なお主面近傍は主面表面から５μｍ以内とし、その５μｍ以内の結晶欠陥の数はＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により計測できる。結晶欠陥はＴＥＭにより平面観察（plan-view）を行い、その欠陥密度の平均を指すものとする。
【００１２】
さらに本発明の窒化物半導体基板は、ｎ型不純物がドープされていることを特徴とする。好ましくはそのｎ型不純物は窒化物半導体基板内で濃度勾配を有し、さらに好ましくは窒化物半導体基板の第１の主面若しくは第２の主面のいずれか一方の面に接近するに従って、ｎ型不純物濃度が小さくなるようにされていることが望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１乃至図５は、本発明の製造方法の各工程を順を追って説明するための、窒化物半導体基板の構造を示す模式断面図である。なお、図において窒化物半導体層内部に示す細線は結晶欠陥の方向、および数を模式的に示している。図１に示すように第１の工程では、異種基板１上に、まず第１の窒化物半導体よりなる下地層２を成長させ、その下地層２の上に、表面に窒化物半導体が成長しないか、若しくは成長しにくい性質を有する保護膜を部分的に形成する。
【００１４】
異種基板１は窒化物半導体と異なる材料よりなる基板であればどのようなものでも良く、例えば、サファイアＣ面の他、Ｒ面、Ａ面を主面とするサファイア、スピネル（ＭｇＡ１2Ｏ4）のような絶縁性基板、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、及び窒化物半導体と格子整合する酸化物基板等、従来知られている窒化物半導体と異なる基板材料を用いることができる。さらに前記基板材料の主面をオフアングルさせた基板も用いることもできる。
【００１５】
下地層２の成長方法は特に問うものではなく、ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ、ＨＶＰＥ等、窒化物半導体を成長させるのに知られている従来の方法で成長できる。この下地層２は異種基板１と材料が異なるために、結晶欠陥が非常に多く、通常１０8個／cm2以上あり、窒化物半導体基板とはならない。下地層にはアンドープのＧａＮを成長させることが最も好ましい。
【００１６】
保護膜１０の材料としては その保護膜表面に窒化物半導体が成長しないか、若しくは成長しにくい性質を有する材料を選択し、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯX）、窒化ケイ素（ＳｉXＮY）、酸化チタン（ＴｉＯX）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯX）等の酸化物、窒化物、またこれらの多層膜の他、１２００℃以上の融点を有する金属等を用いることができる。これらの保護膜材料は、窒化物半導体の成長温度６００℃〜１１００℃の温度にも耐え、その表面に窒化物半導体が成長しないか、成長しにくい性質を有している。保護膜を部分的（＝選択的）に形成するためには、例えばフォトリソグラフィー技術を用いて、所定の形状を有するフォトマスクを作製し、そのフォトマスクを介して、前記材料を気相製膜することにより、所定の形状を有する保護膜を形成できる。保護膜１０の形状は特に問うものではなく、例えばドット、ストライプ、碁盤面状の形状で形成でき、好ましくはストライプ状の形状で形成することが望ましい。図１では下地層２の上に例えばストライプ状の保護膜を形成し、そのストライプに対して垂直な方向でウェーハを切断した際の部分的な断面図を示している。特に図１に示すように部分的に形成した保護膜１０の露出部分（窓部）の面積を、保護膜の面積よりも小さくすると、下地層から転位する結晶欠陥の数が少なくなり、さらに結晶欠陥の少ない窒化物半導体基板が成長できるため、特に望ましい。
【００１７】
保護膜１０をストライプ状に形成する場合、窓部の幅は１０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以下、最も好ましくは３μｍ以下に調整する。１０μｍよりも広いと保護膜上部に成長させる結晶欠陥の数が多くなる傾向にある。さらに、結晶欠陥の少ない窒化物半導体基板を得るためには、窓部の幅（Ｗｗ）と保護膜の幅（Ｗｓ）の比Ｗｓ／Ｗｗは、１より大きく〜２０以下とすることが望ましく、好ましくは１０以下とする。
【００１８】
次に、本発明の第２の工程ではＭＯＶＰＥを用い、図２に示すように下地層から前記保護膜上部に至るまで、第２の窒化物半導体３を成長させる。第２の窒化物半導体３は結晶欠陥の少ない窒化物半導体を得る上で、アンドープのＧａＮ若しくはｎ型不純物をドープしたＧａＮを成長させることが最も好ましい。
【００１９】
図２に示すように、保護膜１０を形成した下地層２の上に、第２の窒化物半導体３を成長させると、保護膜１０の上には窒化物半導体が成長せず、窓部の下地層の上に第２の窒化物半導体３が最初に選択成長される。さらに成長を続けると、第２の窒化物半導体が保護膜１０の上で横方向に成長する。横方向に成長する窒化物半導体は、下地層のように縦方向に成長する窒化物半導体と異なり、結晶欠陥が保護膜１０によって覆われているため、結晶欠陥が転位しない。結晶欠陥は保護膜の上部において、横方向に伸びてくるが途中で止まる傾向にある。さらに窓部から転位する結晶欠陥も第２の窒化物半導体層表面に現れてくるものもあるが、途中で止まりやすい傾向にある。なお、この工程をＨＶＰＥで行うと第２の窒化物半導体層の結晶欠陥が多くなる傾向にあるため好ましくなく、本発明ではＭＯＶＰＥで行う。
【００２０】
本発明の方法において、図２に示すように保護膜１０の表面において、保護膜の平面に対してほぼ垂直に第２の窒化物半導体層を横方向に成長させる具体的手段として、例えばＭＯＶＰＥによると、窒化物半導体を成長させる際に、３族源のガスに対する、窒素源のガスのモル比（窒素源／３族源）を２０００以下に調整することが望ましい。好ましいモル比としては１８００以下、さらに望ましくは１５００以下に調整する。下限は化学量論比以上であれば特に限定しないが、望ましくは１０以上、さらに好ましくは３０以上、最も好ましくは５０以上に調整する。このモル比の値が２０００よりも大きいと、窓部から三角形状の窒化物半導体が成長し、それに従って結晶欠陥が伸びていくので、結晶欠陥が途中で止まることが少なく、結晶欠陥の数が多くなる。しかし、このようにガス流量を調整すると、保護膜水平面に対して垂直に窒化物半導体が成長して、その垂直な面が壁のようになって保護膜上で繋がるため、保護膜の上部において、結晶欠陥が成長途中で止まりやすい。また、窓部から伸びる結晶欠陥も途中で止まりやすい。従って、結晶欠陥の少ない第２の窒化物半導体層が成長できる。図３、図４で示すように、保護膜のほぼ中央部に三角形の空洞があるのは、横方向に対して垂直に第２の窒化物半導体層が伸びてきて繋がった形跡である。
【００２１】
ＭＯＶＰＥ法で成長させる際、窒素源のガスには、例えばアンモニア、ヒドラジン等の水素化物ガスを用い、３族源のガスには、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）、ＴＥＧ（トリエチルガリウム）等の有機Ｇａガス、ＴＭＡ、ＴＭＩ等の有機Ａｌ、有機Ｉｎガスを用いる。
【００２２】
またこの第２の窒化物半導体層成長中に前記したＳｉ、Ｓｎ等のｎ型不純物をドープすることもできる。ｎ型不純物濃度は５×１０16／cm3〜５×１０21／cm3の範囲でドープすることが望ましい。５×１０16／cm3よりも少ないと第２の窒化物半導体層のキャリア濃度が不十分となるので、抵抗率が高くなる傾向にある。５×１０21／cm3よりも多いと、不純物濃度が大きいために、結晶性が悪くなり、結晶欠陥が増大する傾向にある。好ましい範囲としては、１×１０17／cm3〜１×１０20／cm3である。
【００２３】
さらに、第２の窒化物半導体にｎ型不純物をドープする場合、ｎ型不純物に濃度勾配を設けることが望ましい。特に、濃度勾配は異種基板から離れるに従ってｎ型不純物濃度が小さくなるように調整されていることが望ましい。これは異種基板、下地層、保護膜を除去し、第２の窒化物半導体層にｎ電極を設ける際に、どのような面が露出していても、その面は他の部分と比較して、ｎ型不純物が高濃度にドープされた層となるので、ｎ＋、ｎの構造となり、窒化物半導体基板上に例えば発光素子構造を積層した場合、発光素子のＶｆを低下させ、出力を向上させる。
【００２４】
次に、図３に示すように、第２の窒化物半導体層３の成長を続けると、保護膜の上で横方向に成長する第２の窒化物半導体層が繋がり、一体となる。この第２の窒化物半導体は結晶欠陥が前述の下地層に比べて、結晶欠陥の数が１桁以上少なく窒化物半導体基板となる。しかし下地層に比べて膜厚が薄いので異種基板をつけた状態では基板となるが、異種基板を除去すると、第２の窒化物半導体がバラバラに割れてしまい基板とはなりにくい傾向にある。
【００２５】
第２の窒化物半導体層の成長膜厚は、保護膜１０の形成幅にもよるが、１μｍ以上、好ましくは５μｍ以上、最も好ましくは１０μｍ以上で成長させる。これは、保護膜の上部を第２の窒化物半導体層で覆うための膜厚の範囲であり、１μｍよりも少ないと、第２の窒化物半導体層が保護膜の上を横方向に成長しにくい傾向にあるので、第２の窒化物半導体層の上に成長させる第３の窒化物半導体層の結晶欠陥が多くなる傾向にある。横方向に成長しないと結晶欠陥を減らすことが難しい。なお上限については特に限定しないが、７０μｍ以下とすることが望ましい。７０μｍより厚く成長させると、成長時間が長時間になって窒化物半導体層の表面が荒れ、また保護膜が分解しやすい傾向にあるため、あまり好ましいとは言えない。
【００２６】
次に、第３の工程では、第２の窒化物半導体層３の上に、その第２の窒化物半導体層よりも厚い膜厚で、ＨＶＰＥにより、第３の窒化物半導体４を成長させる。図４は成長後の状態を示している。ＭＯＶＰＥでＧａＮを厚膜で成長させると、ＧａＮ表面が粗くなる傾向にある。これは長時間成長していることにより、異種基板との歪みにより面が荒れてくるものと思われる。さらに長時間成長していると保護膜（例えばＳｉＯ2）が分解する傾向にあり、保護膜上部に成長する窒化物半導体にピットが現れる傾向にある。一方ＨＶＰＥでは、成長速度がＭＯＶＰＥに比較して数倍以上速いので、例えば３００μｍの成長が数時間でできる。このため異種基板による歪みの影響を受けにくく、また保護膜の分解を押さえることができるので、表面が均一な第３の窒化物半導体を成長できる。なお、本発明の第３の工程は、図３に示す第２の窒化物半導体層３を保護膜上部全てに成長させた後、その第２の窒化物半導体層の上に成長させることが望ましいが、図２に示すように、第２の窒化物半導体層で保護膜の上が一部覆われた状態でも、第３の工程を行うこともでき、本発明の請求項の範囲内である。
【００２７】
ＨＶＰＥでは、ＧａメタルにＨＣｌガスを流し、一方別のガス配管でアンモニアガスを流して、基板上でそれらのガスを混合して、
ＧａＣｌ＋ＮＨ3→ＧａＮ＋ＨＣｌ＋Ｈ2
なる反応が行われる。このように結晶欠陥の少ない第２の窒化物半導体の上に、ＨＶＰＥにより厚膜で第３の窒化物半導体を成長させると、縦方向に伸びる結晶欠陥がほとんどなくなり、全体に結晶欠陥が非常に少ない窒化物半導体が成長できる。その第３の窒化物半導体層の結晶欠陥は、第２の窒化物半導体よりもさらに少なくなり、例えば最終的な表面近傍が１×１０5／cm2以下の結晶欠陥を有する基板が得られる。
【００２８】
この第３の窒化物半導体層成長中に前記したＳｉ、Ｓｎ等のｎ型不純物をドープすることもできる。ｎ型不純物濃度は第２の窒化物半導体層の場合と同様に５×１０16／cm3〜５×１０21／cm3の範囲、好ましくは１×１０17／cm3〜１×１０20／cm3とする。
【００２９】
さらに好ましい態様として、第３の窒化物半導体にｎ型不純物をドープする場合、ｎ型不純物に濃度勾配を設けることが望ましい。特に、濃度勾配は異種基板から離れるに従ってｎ型不純物濃度が小さくなるように調整されていることが望ましい。作用は第２の窒化物半導体層と同じであるので省略する。
【００３０】
第３の窒化物半導体層の膜厚は１０μｍ以上、好ましくは５０μｍ以上、さらに好ましくは１００μｍ以上成長させることが望ましい。１０μｍよりも少ないと、結晶欠陥の数が少なくなりにくい傾向にある。上限は特に限定しないが、１ｍｍ以下とすることが望ましい。１ｍｍより厚く成長させると、窒化物半導体と異種基板との熱膨張係数差により、ウェーハ全体が反ってしまい、均一な膜厚で第３の窒化物半導体層が成長しにくい傾向にあるからである。
【００３１】
次に、本発明の第４の工程では、第３の窒化物半導体３成長後、少なくとも異種基板１、下地層２、保護膜１０を除去する。図５では第２の窒化物半導体層３も除去した後の構造を示しているが、例えば第２の窒化物半導体層２を２０μｍ以上の膜厚で成長させた場合、異種基板、下地層、保護膜を除去して、第２の窒化物半導体３も残すこともできる。このように異種基板側を除去して、窒化物半導体のみよりなる基板の２つの主面を露出させた場合、元あった異種基板側には、若干の縦方向に伸びる結晶欠陥が残る場合があるが、第３の窒化物半導体層側には、縦方向に伸びる結晶欠陥はほとんどなく、全体の結晶欠陥も、例えば１×１０5／cm2以下と非常に少なくなっている。その第３の窒化物半導体層４の上に他の半導体層を積層しても縦方向の結晶欠陥がないため、結晶欠陥の貫通転位がなく、非常に良好な半導体を積層できる。従って窒化物半導体を基板とする場合、異種基板側を除去した面と反対側の面を成長面とすることが望ましい。異種基板等を除去するには研磨、エッチング等の手法があるが、異なる材料を積層しているため、研磨で除去することが最も好ましい。
【００３２】
また本発明の窒化物半導体基板は、ＨＶＰＥにより成長され、第１の主面と第２の主面とを有する窒化物半導体基板であって、第１の主面、若しくは第２の主面近傍の結晶欠陥が１×１０5個／cm2以下であることを特徴とするものであるが、成長方法は特に問うものではなく、前述した方法によって得られた基板であることが望ましい。このように、表面近傍の結晶欠陥が１×１０5個／cm2以下の窒化物半導体基板の上に他の窒化物半導体を積層して素子構造とすると、内部に結晶欠陥がない信頼性に優れた長寿命な素子ができる。特にレーザ素子を作製した場合、窒化物半導体基板は従来のサファイアに比べて熱伝導性が非常に優れているため、基板とヒートシンクとを接すると、放熱性が良くなり、長寿命なレーザが実現できる。
【００３３】
好ましい態様として、前記窒化物半導体基板にｎ型不純物がドープされており、さらに好ましくは、そのｎ型不純物は窒化物半導体基板内で濃度勾配を有しており、最も好ましくはその窒化物半導体基板の第１の主面若しくは第２の主面のいずれか一方の面に接近するに従って、ｎ型不純物濃度が小さくなるようにされていることが望ましい。
【００３４】
【実施例】
［実施例１］
以下、図１〜図５を元に本発明の実施例について説明する。
（第１の工程）
２インチφ、Ｃ面を主面とするサファイアよりなる異種基板１をＭＯＶＰＥ反応容器内にセットし、温度を５００℃にして、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アンモニア（ＮＨ3）を用い、ＧａＮよりなるバッファ層（図示せず。）を２００オングストロームの膜厚で成長させる。バッファ層成長後、温度を１０５０℃にして、同じくＧａＮよりなる下地層２を４μｍの膜厚で成長させる。
【００３５】
下地層２成長後、ウェーハを反応容器から取り出し、この下地層の表面に、ストライプ状のフォトマスクを形成し、ＣＶＤ装置によりストライプ幅１０μｍ、ストライプ間隔（窓部）２μｍのＳｉＯ2よりなる保護膜１０を０．５μｍの膜厚で形成する。保護膜形成後のウェーハの構造を図１に示す。
【００３６】
（第２の工程）
保護膜１０形成後、ウェーハを再度ＭＯＶＰＥの反応容器内にセットし、温度を１０５０℃にして、アンモニアを０．２７mol／min、ＴＭＧを２２５μmol／min（Ｖ／III比＝１２００）でアンドープＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層３を３０μｍの膜厚で成長させる。このようなモル比で成長させると、図２に示すように端面が保護膜水平面に対してほぼ垂直な形状で第２の窒化物半導体３が成長でき、結晶欠陥が非常に少なくなる。成長後の第２の窒化物半導体層は図３のように均一な膜厚で成長できており、表面近傍をＴＥＭで観察すると、窓部から伸びた結晶欠陥は第２の窒化物半導体層の途中で止まっており、表面にまで現れているものはほとんどなかった。
【００３７】
（第３の工程）
第２の窒化物半導体層３成長後、ウェーハをＨＶＰＥ装置に移送し、原料としてＧａメタル、ＨＣｌガス、アンモニアを用い、アンドープＧａＮよりなる第３の窒化物半導体層４を２００μｍの膜厚で成長させる。成長後のウェーハの構造を図４に示す。成長後その第３の窒化物半導体層の表面近傍の結晶欠陥の数をＴＥＭにより観察すると１×１０4個／cm2以下と、非常に良好な基板が得られていることが判明した。さらに極わずかな結晶欠陥でも平面に対しほぼ水平な結晶欠陥しか残っていなかった。
【００３８】
（第４の工程）
次に、ウェーハを研磨装置に移送し、ダイヤモンド研磨剤を用いて、異種基板１、下地層２、保護膜１０、第２の窒化物半導体層３を除去し、図５に示すように第３の窒化物半導体層４の裏面を露出させ、総膜厚１９５μｍの窒化物半導体基板とする。なお裏面側の結晶欠陥も１×１０5個／cm2以下と少なかった。
【００３９】
［実施例２］
実施例１の第３の工程において、ＨＶＰＥの原料ガスにシランガスを加え、最初にＳｉを１×１０19／cm3ドープしながらＧａＮを成長させ、成長させるに従って、シランガスの流量を少なくして、最後にＳｉを５×１０16／cm3ドープしたＧａＮとして、Ｓｉ濃度勾配を設けたＧａＮを２００μｍの膜厚で成長させる。その他は実施例１と同様にして、窒化物半導体基板を得たところ、Ｓｉ量の少ない面は実施例１とほぼ同等の結晶欠陥数を有する窒化物半導体基板が得られた。
【００４０】
［実施例３］
実施例１の第２の工程において、ＭＯＶＰＥの原料ガスにシランガスを加え、最初にＳｉを１×１０19／cm3ドープしながらＧａＮを成長させ、成長させるに従って、シランガスの流量を少なくして、最後にＳｉを１×１０17／cm3ドープしたＧａＮとして、Ｓｉ濃度勾配を設けたＧａＮを２０μｍの膜厚で成長させる。続いて第３の工程において、Ｓｉを１×１０17／cm3ドープしたＧａＮを２００μｍの膜厚で成長させる。その後、第４の工程において、異種基板、下地層、保護膜、および第１の窒化物半導体層を１５μｍ除去する。以上のようにして得られた窒化物半導体基板は、第３の窒化物半導体層の主面は実施例１とほぼ同等であったが、第２の窒化物半導体側の結晶欠陥は、第３の窒化物半導体に比較して１桁ぐらい多かった。
【００４１】
［実施例４］
実施例１の窒化物半導体基板の異種基板を除去していない側の主面を上にし、この面に次のようにして窒化物半導体積層成長させて図６に示すレーザ素子を得る。
【００４２】
実施例１で得られた窒化物半導体基板４の上に
（ｎ側コンタクト層２１）
アンモニアとＴＭＧ、不純物ガスとしてシランガスを用い、１０５０℃でＳｉを３×１０18／cm3ドープしたＧａＮよりなるｎ側コンタクト層５を４μｍの膜厚で成長させる。
【００４３】
（クラック防止層２２）
次に、ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニアを用い、温度を８００℃にしてＩｎ0.06Ｇａ0.94Ｎよりなるクラック防止層２２を０．１５μｍの膜厚で成長させる。なお、このクラック防止層は省略可能である。
【００４４】
（ｎ側クラッド層２３）
続いて、１０５０℃でＴＭＡ、ＴＭＧ、アンモニアを用い、アンドープＡｌ0.16Ｇａ0.84Ｎよりなる層を２５オングストロームの膜厚で成長させ、続いてＴＭＡを止めて、シランガスを流し、Ｓｉを１×１０19／cm3ドープしたｎ型ＧａＮよりなる層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。それらの層を交互に積層して超格子層を構成し、総膜厚１．２μｍの超格子よりなるｎ側クラッド層２３を成長させる。
【００４５】
（ｎ側光ガイド層２４）
続いて、シランガスを止め、１０５０℃でアンドープＧａＮよりなるｎ側光ガイド層８を０．１μｍの膜厚で成長させる。このｎ側光ガイド層２４にはｎ型不純物をドープしても良い。
【００４６】
（活性層２５）
次に、温度を８００℃にして、アンドープＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を１００オングストロームの膜厚で成長させ、続いて同一温度で、アンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層を４０オングストロームの膜厚で成長させる。障壁層と井戸層とを３回交互に積層し、最後に障壁層で終わり、総膜厚５２０オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層を成長させる。活性層は本実施例のようにアンドープでもよいし、またｎ型不純物及び／又はｐ型不純物をドープしても良い。不純物は井戸層、障壁層両方にドープしても良く、いずれか一方にドープしてもよい。さらに積層順としては、井戸層から積層して井戸層で終わっても、井戸層から積層して障壁層で終わっても、あるいは障壁層から積層して井戸層で終わっても良い。
【００４７】
（ｐ側キャップ層２６）
次に、温度を１０５０℃に上げ、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｐ側キャップ層２６を３００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００４８】
（ｐ側光ガイド層２７）
Ｃｐ2Ｍｇ、ＴＭＡを止め、Ｍｇを５×１０16／cm3ドープしたＧａＮよりなるｐ側光ガイド層２７を０．１μｍの膜厚で成長させる。
【００４９】
（ｐ側クラッド層２８）
続いて、アンドープＡｌ0.16Ｇａ0.84Ｎよりなる層を２５オングストロームの膜厚で成長させ、続いてＭｇを１×１０19／cm3ドープしたＧａＮよりなる層を２５オングストロームの膜厚で成長させ、それらを交互に積層し、総膜厚０．６μｍの超格子層よりなるｐ側クラッド層２８を成長させる。
【００５０】
（ｐ側コンタクト層２９）
最後に、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層２９を１５０オングストロームの膜厚で成長させる。
【００５１】
以上のようにして窒化物半導体を成長させたウェーハを反応容器から取り出し、最上層のｐ側コンタクト層２９の表面にＳｉＯ2よりなる保護膜を形成して、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を用いＳｉＣｌ4ガスによりエッチングし、図６に示すように、ｎ電極を形成すべきｎ側コンタクト層２１の表面を露出させる。
【００５２】
次に、最上層のｐ側コンタクト層２９に所定の形状のマスクをかけ、ｐ側コンタクト層２９、およびｐ側クラッド層２８をエッチングして、１μｍの幅を有するリッジストライプを形成後、リッジの側面にＺｒＯ2よりなる絶縁膜３０を形成し、その絶縁膜３０を介して、ｐ側コンタクト層と電気的に接続したｐ電極３１を形成する。一方先ほど露出させたｎ側コンタクト層の表面はｎ電極３２を形成する。
【００５３】
以上のようにして、ｎ電極とｐ電極とを形成したウェーハの窒化物半導体基板を研磨して薄くした後、窒化物半導体基板を劈開してその劈開面にレーザ素子の共振面を形成する。劈開後、チップ状にに分離して、窒化物半導体基板側をヒートシンクに設置し、レーザ素子としたところ、室温でレーザ発振を示し、閾値電流密度１．５ｋＡ／cm2において室温連続発振を示し、２０ｍＷの出力において１０００時間以上の寿命を示した。
【００５４】
なお、本実施例では実施例１で得られた基板を用いてレーザ素子を作製したが、同一面側からｎ、ｐ両方の電極を取り出す構造とする場合でも、実施例２、および実施例３で得られたｎ型不純物に濃度勾配を設けた窒化物半導体基板を用いることができる。この場合、ｎ側コンタクト層２１は不要となり、エッチングにより濃度勾配を設けた第２の窒化物半導体層３、若しくは第３の窒化物半導体層を露出させ、その露出面にｎ電極３２を形成すればよい。
【００５５】
［実施例５］
実施例２で得られた窒化物半導体基板の上（異種基板除去面と反対側の面）に、実施例４と同様にして、クラック防止層２２、ｎ側クラッド層２３、ｎ側光ガイド層２４、活性層２５、ｐ側キャップ層２６、ｐ側光ガイド層２７、ｐ側クラッド層２８、ｐ側コンタクト層２９を積層する。
【００５６】
続いて、実施例４と同様にして、ｐ側コンタクト層２９、ｐ側クラッド層に、１μｍ幅のリッジストライプを作製して、絶縁膜３０を形成する。絶縁膜形成後濃度勾配の設けられた窒化物半導体基板を劈開できる厚さまで研磨した後、実施例４と同様にして劈開し、レーザ素子とした。実施例５では窒化物半導体基板を研磨しても濃度勾配が設けられているため、露出する面は常に窒化物半導体基板の中で高濃度にｎ型不純物がドープされた層となる。そして、図７に示すように基板側にｎ電極、リッジ側にｐ電極を形成してレーザ素子としたところ、実施例４とほぼ同等の特性を有するレーザ素子が得られた。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の方法によると、従来では得られなかった結晶性の非常に良い窒化物半導体基板が得られる。この窒化物半導体基板に上に窒化物半導体を成長させると、完全に格子整合するので、結晶欠陥の非常に少ない素子ができる。そのため、その素子は貫通転位が活性層にまで及ばす、例えば最も過酷な条件で使用されるレーザ素子を実現しても、長寿命で信頼性の高い素子が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の工程を説明する窒化物半導体基板の構造を示す模式断面図。
【図２】 本発明の第２の工程を説明する窒化物半導体基板の構造を示す模式断面図。
【図３】 本発明の第２の工程を説明する窒化物半導体基板の構造を示す模式断面図。
【図４】 本発明の第３の工程を説明する窒化物半導体基板の構造を示す模式断面図。
【図５】 本発明の第４の工程を説明する窒化物半導体基板の構造を示す模式断面図。
【図６】 本発明の一実施例に係る基板を用いたレーザ素子の構造を示す模式断面図。
【図７】 本発明の他の実施例に係る基板を用いたレーザ素子の構造を示す模式断面図。
【符号の説明】
１・・・異種基板
２・・・下地層
３・・・第２の窒化物半導体層
４・・・第３の窒化物半導体層
１０・・・保護膜
２１・・・ｎ側コンタクト層
２２・・・クラック防止層
２３・・・ｎ側クラッド層
２４・・・ｎ側光ガイド層
２５・・・活性層
２６・・・ｐ側キャップ層
２７・・・ｐ側光ガイド層
２８・・・ｐ側クラッド層
２９・・・ｐ側コンタクト層
３０・・・絶縁膜
３１・・・ｐ電極
３２・・・ｎ電極
【産業上の利用分野】
本発明は窒化物半導体よりなる（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）基板の製造方法と、窒化物半導体基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に半導体を基板上に成長させる際、成長させる半導体と格子整合した基板を用いると半導体の結晶欠陥が少なくなって結晶性が向上することが知られている。しかし、窒化物半導体は格子整合する基板が現在世の中に存在しないことから、一般にサファイア、スピネル、炭化ケイ素のような窒化物半導体と格子整合しない異種基板の上に成長されている。
【０００３】
一方、窒化物半導体と格子整合するＧａＮバルク結晶を作製する試みは、様々な研究機関において成されているが、未だに数ミリ程度のものしか得られたという報告しかされておらず、実用化には程遠い状態である。
【０００４】
ＧａＮ基板を作製する技術として、例えば特開平７−２０２２６５号公報、特開平７−１６５４９８号に、サファイア基板の上にＺｎＯよりなるバッファ層を形成して、そのバッファ層の上に窒化物半導体を成長させた後、バッファ層を溶解除去する技術が記載されている。しかしながらサファイア基板の上に成長されるＺｎＯバッファ層の結晶性は悪く、そのバッファ層の上に厚膜で窒化物半導体を成長させても、結晶全体の結晶欠陥が１０8個／cm2以上もあり、良質の窒化物半導体結晶を得ることは難しい。さらに、薄膜のＺｎＯよりなるバッファ層の上に、基板となるような厚膜の窒化物半導体を連続して成長させることも難しい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ＬＥＤ素子、ＬＤ素子、受光素子等の数々の電子デバイスに使用される窒化物半導体素子を作製する際、窒化物半導体よりなる基板を作製することができれば、その基板の上に新たな窒化物半導体を成長させて、格子欠陥が少ない窒化物半導体が成長できるので、それら素子の結晶性が飛躍的に良くなり、従来実現されていなかった素子が実現できるようになる。従って本発明の目的とするところは、結晶性の良い窒化物半導体基板の製造方法と、窒化物半導体基板を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の窒化物半導体基板の製造方法は、窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板上に、まず第１の窒化物半導体よりなる下地層を成長させ、その下地層の上に表面に窒化物半導体が成長しないか、若しくは成長しにくい性質を有する保護膜を部分的に形成する第１の工程と、第１の工程後、有機金属気相成長法（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy:以下、ＭＯＶＰＥという。）により、下地層から前記保護膜上部に至るまで、第２の窒化物半導体を成長させて、前記保護膜のほぼ中央部に空洞を形成する第２の工程と、第２の工程後、ハイドライド気相成長法（Hydride Vapor Phase Epitaxy:以下、ＨＶＰＥという。）により、第２の窒化物半導体層の上に、その第２の窒化物半導体層よりも厚い膜厚で第３の窒化物半導体を成長させる第３の工程とを具備することを特徴とする。
【０００７】
前記第２の窒化物半導体層は、端面が保護膜の水平面に対してほぼ垂直な形状で成長させることを特徴とする。前記第２の窒化物半導体層は、窒素源のガスのモル比（窒素源／３族源）を２０００以下に調整して成長させることを特徴とする。前記第２の工程、または第３の工程の少なくとも一方の工程において、窒化物半導体にｎ型不純物をドープすることを特徴とする。ドープするｎ型不純物としてはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ等のIV族元素を用い、好ましくはＳｉ、Ｓｎをドープする。
【０００８】
また、前記第２の工程、または前記第３の工程の内の少なくとも一方の工程において、窒化物半導体層中のｎ型不純物に濃度勾配を設けることを特徴とする。濃度勾配とはｎ型不純物濃度に傾斜があることであり、連続的に傾斜が設けられていても良いし、またステップ状に傾斜が設けられていても良い。
【０００９】
さらに、前記濃度勾配は異種基板から離れるに従ってｎ型不純物濃度が小さくなるように調整されていることを特徴とする。これは主面に接近するに従ってｎ型不純物濃度が小さくなるようにしてあれば、後にｎ電極を設ける際に、どこの窒化物半導体基板を露出させても、高濃度にｎ型不純物をドープした第２、第３の窒化物半導体層側をコンタクト層とすることできるため、素子のＶｆを低下させ、出力を向上させる上で望ましいからである。また、窒化物半導体基板上に成長させた半導体層側からエッチングして、エッチング面に電極を設けても、ｎ型不純物を高濃度にドープした第２の窒化物半導体層または、第３の窒化物半導体層を電極形成層とすることが同理由において望ましい。
【００１０】
本発明では、前記第３の窒化物半導体成長後、少なくとも異種基板、下地層、および保護膜を除去する第４の工程を具備することを特徴とする。この工程を行うことにより、窒化物半導体基板単体、つまり半導体層を積層するためのウェーハとできる。なお、この基板を用いて半導体を基板の表面に成長させる場合、第３の窒化物半導体層面側を成長面とする方が、結晶欠陥が少ないので、結晶性の良い半導体層が積層成長できる。
【００１１】
また本発明の窒化物半導体基板は、ハイドライド気相成長法により成長され、第１の主面と第２の主面とを有する窒化物半導体基板であって、前記第１の主面、若しくは第２の主面近傍の結晶欠陥が１×１０5個／cm2以下であり、前記窒化物半導体基板にはｎ型不純物が含有されており、該ｎ型不純物は窒化物半導体基板内で濃度勾配を有することを特徴とする。主面上に次に成長させる半導体層の結晶欠陥を少なくするには、望ましくは５×１０4個／cm2以下、さらに望ましくは１×１０4個／cm2以下、最も望ましくは１×１０3個／cm2以下の主面近傍の結晶欠陥を有する窒化物半導体基板を選択する。なお主面近傍は主面表面から５μｍ以内とし、その５μｍ以内の結晶欠陥の数はＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により計測できる。結晶欠陥はＴＥＭにより平面観察（plan-view）を行い、その欠陥密度の平均を指すものとする。
【００１２】
さらに本発明の窒化物半導体基板は、ｎ型不純物がドープされていることを特徴とする。好ましくはそのｎ型不純物は窒化物半導体基板内で濃度勾配を有し、さらに好ましくは窒化物半導体基板の第１の主面若しくは第２の主面のいずれか一方の面に接近するに従って、ｎ型不純物濃度が小さくなるようにされていることが望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１乃至図５は、本発明の製造方法の各工程を順を追って説明するための、窒化物半導体基板の構造を示す模式断面図である。なお、図において窒化物半導体層内部に示す細線は結晶欠陥の方向、および数を模式的に示している。図１に示すように第１の工程では、異種基板１上に、まず第１の窒化物半導体よりなる下地層２を成長させ、その下地層２の上に、表面に窒化物半導体が成長しないか、若しくは成長しにくい性質を有する保護膜を部分的に形成する。
【００１４】
異種基板１は窒化物半導体と異なる材料よりなる基板であればどのようなものでも良く、例えば、サファイアＣ面の他、Ｒ面、Ａ面を主面とするサファイア、スピネル（ＭｇＡ１2Ｏ4）のような絶縁性基板、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、及び窒化物半導体と格子整合する酸化物基板等、従来知られている窒化物半導体と異なる基板材料を用いることができる。さらに前記基板材料の主面をオフアングルさせた基板も用いることもできる。
【００１５】
下地層２の成長方法は特に問うものではなく、ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ、ＨＶＰＥ等、窒化物半導体を成長させるのに知られている従来の方法で成長できる。この下地層２は異種基板１と材料が異なるために、結晶欠陥が非常に多く、通常１０8個／cm2以上あり、窒化物半導体基板とはならない。下地層にはアンドープのＧａＮを成長させることが最も好ましい。
【００１６】
保護膜１０の材料としては その保護膜表面に窒化物半導体が成長しないか、若しくは成長しにくい性質を有する材料を選択し、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯX）、窒化ケイ素（ＳｉXＮY）、酸化チタン（ＴｉＯX）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯX）等の酸化物、窒化物、またこれらの多層膜の他、１２００℃以上の融点を有する金属等を用いることができる。これらの保護膜材料は、窒化物半導体の成長温度６００℃〜１１００℃の温度にも耐え、その表面に窒化物半導体が成長しないか、成長しにくい性質を有している。保護膜を部分的（＝選択的）に形成するためには、例えばフォトリソグラフィー技術を用いて、所定の形状を有するフォトマスクを作製し、そのフォトマスクを介して、前記材料を気相製膜することにより、所定の形状を有する保護膜を形成できる。保護膜１０の形状は特に問うものではなく、例えばドット、ストライプ、碁盤面状の形状で形成でき、好ましくはストライプ状の形状で形成することが望ましい。図１では下地層２の上に例えばストライプ状の保護膜を形成し、そのストライプに対して垂直な方向でウェーハを切断した際の部分的な断面図を示している。特に図１に示すように部分的に形成した保護膜１０の露出部分（窓部）の面積を、保護膜の面積よりも小さくすると、下地層から転位する結晶欠陥の数が少なくなり、さらに結晶欠陥の少ない窒化物半導体基板が成長できるため、特に望ましい。
【００１７】
保護膜１０をストライプ状に形成する場合、窓部の幅は１０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以下、最も好ましくは３μｍ以下に調整する。１０μｍよりも広いと保護膜上部に成長させる結晶欠陥の数が多くなる傾向にある。さらに、結晶欠陥の少ない窒化物半導体基板を得るためには、窓部の幅（Ｗｗ）と保護膜の幅（Ｗｓ）の比Ｗｓ／Ｗｗは、１より大きく〜２０以下とすることが望ましく、好ましくは１０以下とする。
【００１８】
次に、本発明の第２の工程ではＭＯＶＰＥを用い、図２に示すように下地層から前記保護膜上部に至るまで、第２の窒化物半導体３を成長させる。第２の窒化物半導体３は結晶欠陥の少ない窒化物半導体を得る上で、アンドープのＧａＮ若しくはｎ型不純物をドープしたＧａＮを成長させることが最も好ましい。
【００１９】
図２に示すように、保護膜１０を形成した下地層２の上に、第２の窒化物半導体３を成長させると、保護膜１０の上には窒化物半導体が成長せず、窓部の下地層の上に第２の窒化物半導体３が最初に選択成長される。さらに成長を続けると、第２の窒化物半導体が保護膜１０の上で横方向に成長する。横方向に成長する窒化物半導体は、下地層のように縦方向に成長する窒化物半導体と異なり、結晶欠陥が保護膜１０によって覆われているため、結晶欠陥が転位しない。結晶欠陥は保護膜の上部において、横方向に伸びてくるが途中で止まる傾向にある。さらに窓部から転位する結晶欠陥も第２の窒化物半導体層表面に現れてくるものもあるが、途中で止まりやすい傾向にある。なお、この工程をＨＶＰＥで行うと第２の窒化物半導体層の結晶欠陥が多くなる傾向にあるため好ましくなく、本発明ではＭＯＶＰＥで行う。
【００２０】
本発明の方法において、図２に示すように保護膜１０の表面において、保護膜の平面に対してほぼ垂直に第２の窒化物半導体層を横方向に成長させる具体的手段として、例えばＭＯＶＰＥによると、窒化物半導体を成長させる際に、３族源のガスに対する、窒素源のガスのモル比（窒素源／３族源）を２０００以下に調整することが望ましい。好ましいモル比としては１８００以下、さらに望ましくは１５００以下に調整する。下限は化学量論比以上であれば特に限定しないが、望ましくは１０以上、さらに好ましくは３０以上、最も好ましくは５０以上に調整する。このモル比の値が２０００よりも大きいと、窓部から三角形状の窒化物半導体が成長し、それに従って結晶欠陥が伸びていくので、結晶欠陥が途中で止まることが少なく、結晶欠陥の数が多くなる。しかし、このようにガス流量を調整すると、保護膜水平面に対して垂直に窒化物半導体が成長して、その垂直な面が壁のようになって保護膜上で繋がるため、保護膜の上部において、結晶欠陥が成長途中で止まりやすい。また、窓部から伸びる結晶欠陥も途中で止まりやすい。従って、結晶欠陥の少ない第２の窒化物半導体層が成長できる。図３、図４で示すように、保護膜のほぼ中央部に三角形の空洞があるのは、横方向に対して垂直に第２の窒化物半導体層が伸びてきて繋がった形跡である。
【００２１】
ＭＯＶＰＥ法で成長させる際、窒素源のガスには、例えばアンモニア、ヒドラジン等の水素化物ガスを用い、３族源のガスには、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）、ＴＥＧ（トリエチルガリウム）等の有機Ｇａガス、ＴＭＡ、ＴＭＩ等の有機Ａｌ、有機Ｉｎガスを用いる。
【００２２】
またこの第２の窒化物半導体層成長中に前記したＳｉ、Ｓｎ等のｎ型不純物をドープすることもできる。ｎ型不純物濃度は５×１０16／cm3〜５×１０21／cm3の範囲でドープすることが望ましい。５×１０16／cm3よりも少ないと第２の窒化物半導体層のキャリア濃度が不十分となるので、抵抗率が高くなる傾向にある。５×１０21／cm3よりも多いと、不純物濃度が大きいために、結晶性が悪くなり、結晶欠陥が増大する傾向にある。好ましい範囲としては、１×１０17／cm3〜１×１０20／cm3である。
【００２３】
さらに、第２の窒化物半導体にｎ型不純物をドープする場合、ｎ型不純物に濃度勾配を設けることが望ましい。特に、濃度勾配は異種基板から離れるに従ってｎ型不純物濃度が小さくなるように調整されていることが望ましい。これは異種基板、下地層、保護膜を除去し、第２の窒化物半導体層にｎ電極を設ける際に、どのような面が露出していても、その面は他の部分と比較して、ｎ型不純物が高濃度にドープされた層となるので、ｎ＋、ｎの構造となり、窒化物半導体基板上に例えば発光素子構造を積層した場合、発光素子のＶｆを低下させ、出力を向上させる。
【００２４】
次に、図３に示すように、第２の窒化物半導体層３の成長を続けると、保護膜の上で横方向に成長する第２の窒化物半導体層が繋がり、一体となる。この第２の窒化物半導体は結晶欠陥が前述の下地層に比べて、結晶欠陥の数が１桁以上少なく窒化物半導体基板となる。しかし下地層に比べて膜厚が薄いので異種基板をつけた状態では基板となるが、異種基板を除去すると、第２の窒化物半導体がバラバラに割れてしまい基板とはなりにくい傾向にある。
【００２５】
第２の窒化物半導体層の成長膜厚は、保護膜１０の形成幅にもよるが、１μｍ以上、好ましくは５μｍ以上、最も好ましくは１０μｍ以上で成長させる。これは、保護膜の上部を第２の窒化物半導体層で覆うための膜厚の範囲であり、１μｍよりも少ないと、第２の窒化物半導体層が保護膜の上を横方向に成長しにくい傾向にあるので、第２の窒化物半導体層の上に成長させる第３の窒化物半導体層の結晶欠陥が多くなる傾向にある。横方向に成長しないと結晶欠陥を減らすことが難しい。なお上限については特に限定しないが、７０μｍ以下とすることが望ましい。７０μｍより厚く成長させると、成長時間が長時間になって窒化物半導体層の表面が荒れ、また保護膜が分解しやすい傾向にあるため、あまり好ましいとは言えない。
【００２６】
次に、第３の工程では、第２の窒化物半導体層３の上に、その第２の窒化物半導体層よりも厚い膜厚で、ＨＶＰＥにより、第３の窒化物半導体４を成長させる。図４は成長後の状態を示している。ＭＯＶＰＥでＧａＮを厚膜で成長させると、ＧａＮ表面が粗くなる傾向にある。これは長時間成長していることにより、異種基板との歪みにより面が荒れてくるものと思われる。さらに長時間成長していると保護膜（例えばＳｉＯ2）が分解する傾向にあり、保護膜上部に成長する窒化物半導体にピットが現れる傾向にある。一方ＨＶＰＥでは、成長速度がＭＯＶＰＥに比較して数倍以上速いので、例えば３００μｍの成長が数時間でできる。このため異種基板による歪みの影響を受けにくく、また保護膜の分解を押さえることができるので、表面が均一な第３の窒化物半導体を成長できる。なお、本発明の第３の工程は、図３に示す第２の窒化物半導体層３を保護膜上部全てに成長させた後、その第２の窒化物半導体層の上に成長させることが望ましいが、図２に示すように、第２の窒化物半導体層で保護膜の上が一部覆われた状態でも、第３の工程を行うこともでき、本発明の請求項の範囲内である。
【００２７】
ＨＶＰＥでは、ＧａメタルにＨＣｌガスを流し、一方別のガス配管でアンモニアガスを流して、基板上でそれらのガスを混合して、
ＧａＣｌ＋ＮＨ3→ＧａＮ＋ＨＣｌ＋Ｈ2
なる反応が行われる。このように結晶欠陥の少ない第２の窒化物半導体の上に、ＨＶＰＥにより厚膜で第３の窒化物半導体を成長させると、縦方向に伸びる結晶欠陥がほとんどなくなり、全体に結晶欠陥が非常に少ない窒化物半導体が成長できる。その第３の窒化物半導体層の結晶欠陥は、第２の窒化物半導体よりもさらに少なくなり、例えば最終的な表面近傍が１×１０5／cm2以下の結晶欠陥を有する基板が得られる。
【００２８】
この第３の窒化物半導体層成長中に前記したＳｉ、Ｓｎ等のｎ型不純物をドープすることもできる。ｎ型不純物濃度は第２の窒化物半導体層の場合と同様に５×１０16／cm3〜５×１０21／cm3の範囲、好ましくは１×１０17／cm3〜１×１０20／cm3とする。
【００２９】
さらに好ましい態様として、第３の窒化物半導体にｎ型不純物をドープする場合、ｎ型不純物に濃度勾配を設けることが望ましい。特に、濃度勾配は異種基板から離れるに従ってｎ型不純物濃度が小さくなるように調整されていることが望ましい。作用は第２の窒化物半導体層と同じであるので省略する。
【００３０】
第３の窒化物半導体層の膜厚は１０μｍ以上、好ましくは５０μｍ以上、さらに好ましくは１００μｍ以上成長させることが望ましい。１０μｍよりも少ないと、結晶欠陥の数が少なくなりにくい傾向にある。上限は特に限定しないが、１ｍｍ以下とすることが望ましい。１ｍｍより厚く成長させると、窒化物半導体と異種基板との熱膨張係数差により、ウェーハ全体が反ってしまい、均一な膜厚で第３の窒化物半導体層が成長しにくい傾向にあるからである。
【００３１】
次に、本発明の第４の工程では、第３の窒化物半導体３成長後、少なくとも異種基板１、下地層２、保護膜１０を除去する。図５では第２の窒化物半導体層３も除去した後の構造を示しているが、例えば第２の窒化物半導体層２を２０μｍ以上の膜厚で成長させた場合、異種基板、下地層、保護膜を除去して、第２の窒化物半導体３も残すこともできる。このように異種基板側を除去して、窒化物半導体のみよりなる基板の２つの主面を露出させた場合、元あった異種基板側には、若干の縦方向に伸びる結晶欠陥が残る場合があるが、第３の窒化物半導体層側には、縦方向に伸びる結晶欠陥はほとんどなく、全体の結晶欠陥も、例えば１×１０5／cm2以下と非常に少なくなっている。その第３の窒化物半導体層４の上に他の半導体層を積層しても縦方向の結晶欠陥がないため、結晶欠陥の貫通転位がなく、非常に良好な半導体を積層できる。従って窒化物半導体を基板とする場合、異種基板側を除去した面と反対側の面を成長面とすることが望ましい。異種基板等を除去するには研磨、エッチング等の手法があるが、異なる材料を積層しているため、研磨で除去することが最も好ましい。
【００３２】
また本発明の窒化物半導体基板は、ＨＶＰＥにより成長され、第１の主面と第２の主面とを有する窒化物半導体基板であって、第１の主面、若しくは第２の主面近傍の結晶欠陥が１×１０5個／cm2以下であることを特徴とするものであるが、成長方法は特に問うものではなく、前述した方法によって得られた基板であることが望ましい。このように、表面近傍の結晶欠陥が１×１０5個／cm2以下の窒化物半導体基板の上に他の窒化物半導体を積層して素子構造とすると、内部に結晶欠陥がない信頼性に優れた長寿命な素子ができる。特にレーザ素子を作製した場合、窒化物半導体基板は従来のサファイアに比べて熱伝導性が非常に優れているため、基板とヒートシンクとを接すると、放熱性が良くなり、長寿命なレーザが実現できる。
【００３３】
好ましい態様として、前記窒化物半導体基板にｎ型不純物がドープされており、さらに好ましくは、そのｎ型不純物は窒化物半導体基板内で濃度勾配を有しており、最も好ましくはその窒化物半導体基板の第１の主面若しくは第２の主面のいずれか一方の面に接近するに従って、ｎ型不純物濃度が小さくなるようにされていることが望ましい。
【００３４】
【実施例】
［実施例１］
以下、図１〜図５を元に本発明の実施例について説明する。
（第１の工程）
２インチφ、Ｃ面を主面とするサファイアよりなる異種基板１をＭＯＶＰＥ反応容器内にセットし、温度を５００℃にして、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アンモニア（ＮＨ3）を用い、ＧａＮよりなるバッファ層（図示せず。）を２００オングストロームの膜厚で成長させる。バッファ層成長後、温度を１０５０℃にして、同じくＧａＮよりなる下地層２を４μｍの膜厚で成長させる。
【００３５】
下地層２成長後、ウェーハを反応容器から取り出し、この下地層の表面に、ストライプ状のフォトマスクを形成し、ＣＶＤ装置によりストライプ幅１０μｍ、ストライプ間隔（窓部）２μｍのＳｉＯ2よりなる保護膜１０を０．５μｍの膜厚で形成する。保護膜形成後のウェーハの構造を図１に示す。
【００３６】
（第２の工程）
保護膜１０形成後、ウェーハを再度ＭＯＶＰＥの反応容器内にセットし、温度を１０５０℃にして、アンモニアを０．２７mol／min、ＴＭＧを２２５μmol／min（Ｖ／III比＝１２００）でアンドープＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層３を３０μｍの膜厚で成長させる。このようなモル比で成長させると、図２に示すように端面が保護膜水平面に対してほぼ垂直な形状で第２の窒化物半導体３が成長でき、結晶欠陥が非常に少なくなる。成長後の第２の窒化物半導体層は図３のように均一な膜厚で成長できており、表面近傍をＴＥＭで観察すると、窓部から伸びた結晶欠陥は第２の窒化物半導体層の途中で止まっており、表面にまで現れているものはほとんどなかった。
【００３７】
（第３の工程）
第２の窒化物半導体層３成長後、ウェーハをＨＶＰＥ装置に移送し、原料としてＧａメタル、ＨＣｌガス、アンモニアを用い、アンドープＧａＮよりなる第３の窒化物半導体層４を２００μｍの膜厚で成長させる。成長後のウェーハの構造を図４に示す。成長後その第３の窒化物半導体層の表面近傍の結晶欠陥の数をＴＥＭにより観察すると１×１０4個／cm2以下と、非常に良好な基板が得られていることが判明した。さらに極わずかな結晶欠陥でも平面に対しほぼ水平な結晶欠陥しか残っていなかった。
【００３８】
（第４の工程）
次に、ウェーハを研磨装置に移送し、ダイヤモンド研磨剤を用いて、異種基板１、下地層２、保護膜１０、第２の窒化物半導体層３を除去し、図５に示すように第３の窒化物半導体層４の裏面を露出させ、総膜厚１９５μｍの窒化物半導体基板とする。なお裏面側の結晶欠陥も１×１０5個／cm2以下と少なかった。
【００３９】
［実施例２］
実施例１の第３の工程において、ＨＶＰＥの原料ガスにシランガスを加え、最初にＳｉを１×１０19／cm3ドープしながらＧａＮを成長させ、成長させるに従って、シランガスの流量を少なくして、最後にＳｉを５×１０16／cm3ドープしたＧａＮとして、Ｓｉ濃度勾配を設けたＧａＮを２００μｍの膜厚で成長させる。その他は実施例１と同様にして、窒化物半導体基板を得たところ、Ｓｉ量の少ない面は実施例１とほぼ同等の結晶欠陥数を有する窒化物半導体基板が得られた。
【００４０】
［実施例３］
実施例１の第２の工程において、ＭＯＶＰＥの原料ガスにシランガスを加え、最初にＳｉを１×１０19／cm3ドープしながらＧａＮを成長させ、成長させるに従って、シランガスの流量を少なくして、最後にＳｉを１×１０17／cm3ドープしたＧａＮとして、Ｓｉ濃度勾配を設けたＧａＮを２０μｍの膜厚で成長させる。続いて第３の工程において、Ｓｉを１×１０17／cm3ドープしたＧａＮを２００μｍの膜厚で成長させる。その後、第４の工程において、異種基板、下地層、保護膜、および第１の窒化物半導体層を１５μｍ除去する。以上のようにして得られた窒化物半導体基板は、第３の窒化物半導体層の主面は実施例１とほぼ同等であったが、第２の窒化物半導体側の結晶欠陥は、第３の窒化物半導体に比較して１桁ぐらい多かった。
【００４１】
［実施例４］
実施例１の窒化物半導体基板の異種基板を除去していない側の主面を上にし、この面に次のようにして窒化物半導体積層成長させて図６に示すレーザ素子を得る。
【００４２】
実施例１で得られた窒化物半導体基板４の上に
（ｎ側コンタクト層２１）
アンモニアとＴＭＧ、不純物ガスとしてシランガスを用い、１０５０℃でＳｉを３×１０18／cm3ドープしたＧａＮよりなるｎ側コンタクト層５を４μｍの膜厚で成長させる。
【００４３】
（クラック防止層２２）
次に、ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニアを用い、温度を８００℃にしてＩｎ0.06Ｇａ0.94Ｎよりなるクラック防止層２２を０．１５μｍの膜厚で成長させる。なお、このクラック防止層は省略可能である。
【００４４】
（ｎ側クラッド層２３）
続いて、１０５０℃でＴＭＡ、ＴＭＧ、アンモニアを用い、アンドープＡｌ0.16Ｇａ0.84Ｎよりなる層を２５オングストロームの膜厚で成長させ、続いてＴＭＡを止めて、シランガスを流し、Ｓｉを１×１０19／cm3ドープしたｎ型ＧａＮよりなる層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。それらの層を交互に積層して超格子層を構成し、総膜厚１．２μｍの超格子よりなるｎ側クラッド層２３を成長させる。
【００４５】
（ｎ側光ガイド層２４）
続いて、シランガスを止め、１０５０℃でアンドープＧａＮよりなるｎ側光ガイド層８を０．１μｍの膜厚で成長させる。このｎ側光ガイド層２４にはｎ型不純物をドープしても良い。
【００４６】
（活性層２５）
次に、温度を８００℃にして、アンドープＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を１００オングストロームの膜厚で成長させ、続いて同一温度で、アンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層を４０オングストロームの膜厚で成長させる。障壁層と井戸層とを３回交互に積層し、最後に障壁層で終わり、総膜厚５２０オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層を成長させる。活性層は本実施例のようにアンドープでもよいし、またｎ型不純物及び／又はｐ型不純物をドープしても良い。不純物は井戸層、障壁層両方にドープしても良く、いずれか一方にドープしてもよい。さらに積層順としては、井戸層から積層して井戸層で終わっても、井戸層から積層して障壁層で終わっても、あるいは障壁層から積層して井戸層で終わっても良い。
【００４７】
（ｐ側キャップ層２６）
次に、温度を１０５０℃に上げ、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなるｐ側キャップ層２６を３００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００４８】
（ｐ側光ガイド層２７）
Ｃｐ2Ｍｇ、ＴＭＡを止め、Ｍｇを５×１０16／cm3ドープしたＧａＮよりなるｐ側光ガイド層２７を０．１μｍの膜厚で成長させる。
【００４９】
（ｐ側クラッド層２８）
続いて、アンドープＡｌ0.16Ｇａ0.84Ｎよりなる層を２５オングストロームの膜厚で成長させ、続いてＭｇを１×１０19／cm3ドープしたＧａＮよりなる層を２５オングストロームの膜厚で成長させ、それらを交互に積層し、総膜厚０．６μｍの超格子層よりなるｐ側クラッド層２８を成長させる。
【００５０】
（ｐ側コンタクト層２９）
最後に、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層２９を１５０オングストロームの膜厚で成長させる。
【００５１】
以上のようにして窒化物半導体を成長させたウェーハを反応容器から取り出し、最上層のｐ側コンタクト層２９の表面にＳｉＯ2よりなる保護膜を形成して、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を用いＳｉＣｌ4ガスによりエッチングし、図６に示すように、ｎ電極を形成すべきｎ側コンタクト層２１の表面を露出させる。
【００５２】
次に、最上層のｐ側コンタクト層２９に所定の形状のマスクをかけ、ｐ側コンタクト層２９、およびｐ側クラッド層２８をエッチングして、１μｍの幅を有するリッジストライプを形成後、リッジの側面にＺｒＯ2よりなる絶縁膜３０を形成し、その絶縁膜３０を介して、ｐ側コンタクト層と電気的に接続したｐ電極３１を形成する。一方先ほど露出させたｎ側コンタクト層の表面はｎ電極３２を形成する。
【００５３】
以上のようにして、ｎ電極とｐ電極とを形成したウェーハの窒化物半導体基板を研磨して薄くした後、窒化物半導体基板を劈開してその劈開面にレーザ素子の共振面を形成する。劈開後、チップ状にに分離して、窒化物半導体基板側をヒートシンクに設置し、レーザ素子としたところ、室温でレーザ発振を示し、閾値電流密度１．５ｋＡ／cm2において室温連続発振を示し、２０ｍＷの出力において１０００時間以上の寿命を示した。
【００５４】
なお、本実施例では実施例１で得られた基板を用いてレーザ素子を作製したが、同一面側からｎ、ｐ両方の電極を取り出す構造とする場合でも、実施例２、および実施例３で得られたｎ型不純物に濃度勾配を設けた窒化物半導体基板を用いることができる。この場合、ｎ側コンタクト層２１は不要となり、エッチングにより濃度勾配を設けた第２の窒化物半導体層３、若しくは第３の窒化物半導体層を露出させ、その露出面にｎ電極３２を形成すればよい。
【００５５】
［実施例５］
実施例２で得られた窒化物半導体基板の上（異種基板除去面と反対側の面）に、実施例４と同様にして、クラック防止層２２、ｎ側クラッド層２３、ｎ側光ガイド層２４、活性層２５、ｐ側キャップ層２６、ｐ側光ガイド層２７、ｐ側クラッド層２８、ｐ側コンタクト層２９を積層する。
【００５６】
続いて、実施例４と同様にして、ｐ側コンタクト層２９、ｐ側クラッド層に、１μｍ幅のリッジストライプを作製して、絶縁膜３０を形成する。絶縁膜形成後濃度勾配の設けられた窒化物半導体基板を劈開できる厚さまで研磨した後、実施例４と同様にして劈開し、レーザ素子とした。実施例５では窒化物半導体基板を研磨しても濃度勾配が設けられているため、露出する面は常に窒化物半導体基板の中で高濃度にｎ型不純物がドープされた層となる。そして、図７に示すように基板側にｎ電極、リッジ側にｐ電極を形成してレーザ素子としたところ、実施例４とほぼ同等の特性を有するレーザ素子が得られた。
【００５７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の方法によると、従来では得られなかった結晶性の非常に良い窒化物半導体基板が得られる。この窒化物半導体基板に上に窒化物半導体を成長させると、完全に格子整合するので、結晶欠陥の非常に少ない素子ができる。そのため、その素子は貫通転位が活性層にまで及ばす、例えば最も過酷な条件で使用されるレーザ素子を実現しても、長寿命で信頼性の高い素子が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の工程を説明する窒化物半導体基板の構造を示す模式断面図。
【図２】 本発明の第２の工程を説明する窒化物半導体基板の構造を示す模式断面図。
【図３】 本発明の第２の工程を説明する窒化物半導体基板の構造を示す模式断面図。
【図４】 本発明の第３の工程を説明する窒化物半導体基板の構造を示す模式断面図。
【図５】 本発明の第４の工程を説明する窒化物半導体基板の構造を示す模式断面図。
【図６】 本発明の一実施例に係る基板を用いたレーザ素子の構造を示す模式断面図。
【図７】 本発明の他の実施例に係る基板を用いたレーザ素子の構造を示す模式断面図。
【符号の説明】
１・・・異種基板
２・・・下地層
３・・・第２の窒化物半導体層
４・・・第３の窒化物半導体層
１０・・・保護膜
２１・・・ｎ側コンタクト層
２２・・・クラック防止層
２３・・・ｎ側クラッド層
２４・・・ｎ側光ガイド層
２５・・・活性層
２６・・・ｐ側キャップ層
２７・・・ｐ側光ガイド層
２８・・・ｐ側クラッド層
２９・・・ｐ側コンタクト層
３０・・・絶縁膜
３１・・・ｐ電極
３２・・・ｎ電極
Claims (9)
- 窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板上に、まず第１の窒化物半導体よりなる下地層を成長させ、その下地層の上に表面に窒化物半導体が成長しないか、若しくは成長しにくい性質を有する保護膜を部分的に形成する第１の工程と、第１の工程後、有機金属気相成長法により、下地層から前記保護膜上部に至るまで、第２の窒化物半導体を成長させて、前記保護膜のほぼ中央部に空洞を形成する第２の工程と、第２の工程後、ハイドライド気相成長法により、第２の窒化物半導体層の上に、その第２の窒化物半導体層よりも厚い膜厚で第３の窒化物半導体を成長させる第３の工程とを具備することを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記第２の工程、または第３の工程の少なくとも一方の工程において、窒化物半導体にｎ型不純物をドープすることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記第２の窒化物半導体層は、端面が保護膜の水平面に対してほぼ垂直な形状で成長させることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記第２の窒化物半導体層は、窒素源のガスのモル比（窒素源／３族源）を２０００以下に調整して成長させることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記第２の工程、または前記第３の工程の内の少なくとも一方の工程において、窒化物半導体層中のｎ型不純物に濃度勾配を設けることを特徴とする請求項２に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記濃度勾配は異種基板から離れるに従ってｎ型不純物濃度が小さくなるように調整されていることを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- 前記第３の窒化物半導体成長後、少なくとも異種基板、下地層、および保護膜を除去する第４の工程を具備することを特徴とする請求項１乃至６の内のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
- ハイドライド気相成長法により成長され、第１の主面と第２の主面とを有する窒化物半導体基板であって、前記第１の主面、若しくは第２の主面近傍の結晶欠陥が１×１０5個／cm2以下であり、前記窒化物半導体基板にはｎ型不純物が含有されており、該ｎ型不純物は窒化物半導体基板内で濃度勾配を有することを特徴とする窒化物半導体基板。
- 前記窒化物半導体基板の第１の主面若しくは第２の主面のいずれか一方の面に接近するに従って、ｎ型不純物濃度が小さくなるようにされていることを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05257398A JP3876518B2 (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05257398A JP3876518B2 (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251253A JPH11251253A (ja) | 1999-09-17 |
| JP3876518B2 true JP3876518B2 (ja) | 2007-01-31 |
Family
ID=12918563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05257398A Expired - Fee Related JP3876518B2 (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3876518B2 (ja) |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4618836B2 (ja) * | 2000-01-04 | 2011-01-26 | シャープ株式会社 | 窒化物系化合物半導体基板およびその製造方法 |
| JP4556300B2 (ja) | 2000-07-18 | 2010-10-06 | ソニー株式会社 | 結晶成長方法 |
| JP3882539B2 (ja) | 2000-07-18 | 2007-02-21 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法、並びに画像表示装置 |
| JP4595198B2 (ja) | 2000-12-15 | 2010-12-08 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
| JP4649745B2 (ja) | 2001-02-01 | 2011-03-16 | ソニー株式会社 | 発光素子の転写方法 |
| US7052979B2 (en) * | 2001-02-14 | 2006-05-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Production method for semiconductor crystal and semiconductor luminous element |
| JP5283293B2 (ja) | 2001-02-21 | 2013-09-04 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP2002261327A (ja) | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Sony Corp | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
| JP3690340B2 (ja) | 2001-03-06 | 2005-08-31 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2002270516A (ja) | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Nec Corp | Ｉｉｉ族窒化物半導体の成長方法、ｉｉｉ族窒化物半導体膜およびそれを用いた半導体素子 |
| JP4698053B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2011-06-08 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法 |
| WO2002080242A1 (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-10 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing group-iii nitride compound semiconductor, and group-iii nitride compound semiconductor device |
| JP3956637B2 (ja) | 2001-04-12 | 2007-08-08 | ソニー株式会社 | 窒化物半導体の結晶成長方法及び半導体素子の形成方法 |
| JP3714188B2 (ja) | 2001-04-19 | 2005-11-09 | ソニー株式会社 | 窒化物半導体の気相成長方法及び窒化物半導体素子 |
| KR20040029301A (ko) | 2001-08-22 | 2004-04-06 | 소니 가부시끼 가이샤 | 질화물 반도체소자 및 질화물 반도체소자의 제조방법 |
| JP4932121B2 (ja) | 2002-03-26 | 2012-05-16 | 日本電気株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板の製造方法 |
| FR2840452B1 (fr) * | 2002-05-28 | 2005-10-14 | Lumilog | Procede de realisation par epitaxie d'un film de nitrure de gallium separe de son substrat |
| US6835957B2 (en) * | 2002-07-30 | 2004-12-28 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-nitride light emitting device with p-type active layer |
| JP4748924B2 (ja) * | 2002-12-05 | 2011-08-17 | 日本碍子株式会社 | 半導体積層構造 |
| JP2004288799A (ja) | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法 |
| CN100453712C (zh) * | 2003-08-28 | 2009-01-21 | 日立电线株式会社 | Ⅲ-ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法 |
| KR100576850B1 (ko) * | 2003-10-28 | 2006-05-10 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 제조방법 |
| JP4380294B2 (ja) | 2003-10-29 | 2009-12-09 | 日立電線株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板 |
| US7276779B2 (en) | 2003-11-04 | 2007-10-02 | Hitachi Cable, Ltd. | III-V group nitride system semiconductor substrate |
| JP4581490B2 (ja) | 2004-05-31 | 2010-11-17 | 日立電線株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体自立基板の製造方法、及びｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体の製造方法 |
| JP4691911B2 (ja) | 2004-06-11 | 2011-06-01 | 日立電線株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体自立基板の製造方法 |
| WO2006013957A1 (ja) | 2004-08-06 | 2006-02-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Ｇａ含有窒化物半導体単結晶、その製造方法、並びに該結晶を用いた基板およびデバイス |
| JP4720125B2 (ja) | 2004-08-10 | 2011-07-13 | 日立電線株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法並びにｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体 |
| JP4525309B2 (ja) | 2004-11-19 | 2010-08-18 | 日立電線株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板の評価方法 |
| JP4986406B2 (ja) | 2005-03-31 | 2012-07-25 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4862442B2 (ja) | 2006-03-15 | 2012-01-25 | 日立電線株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板の製造方法及びｉｉｉ−ｖ族窒化物系デバイスの製造方法 |
| JP4816277B2 (ja) | 2006-06-14 | 2011-11-16 | 日立電線株式会社 | 窒化物半導体自立基板及び窒化物半導体発光素子 |
| JP4462251B2 (ja) | 2006-08-17 | 2010-05-12 | 日立電線株式会社 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板及びｉｉｉ−ｖ族窒化物系発光素子 |
| JP2010269970A (ja) | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体基板 |
| JP2011042542A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-03-03 | Furukawa Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物基板の製造方法およびｉｉｉ族窒化物基板 |
| WO2014129544A1 (ja) | 2013-02-22 | 2014-08-28 | 三菱化学株式会社 | 周期表第１３族金属窒化物結晶およびその製造方法 |
| US10490475B2 (en) * | 2015-06-03 | 2019-11-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for semiconductor passivation by nitridation after oxide removal |
-
1998
- 1998-03-05 JP JP05257398A patent/JP3876518B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11251253A (ja) | 1999-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3876518B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 | |
| EP0942459B1 (en) | Method of growing nitride semiconductors | |
| JP3791246B2 (ja) | 窒化物半導体の成長方法、及びそれを用いた窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP4304750B2 (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
| JP3659050B2 (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
| JP3456413B2 (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
| JPH11191657A (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
| JP2001267242A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体及びその製造方法 | |
| WO2000048254A1 (fr) | Semi-conducteur au nitrure et procede de fabrication | |
| JP2000277437A5 (ja) | ||
| JPH11191659A (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
| JP3551751B2 (ja) | 窒化物半導体の成長方法 | |
| JP3395631B2 (ja) | 窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法 | |
| JP4165040B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| JP2001039800A (ja) | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 | |
| JP2003124576A (ja) | 窒化物半導体基板及びその成長方法 | |
| JP2008034862A (ja) | 窒化物半導体の成長方法 | |
| JP4784012B2 (ja) | 窒化物半導体基板、及びその製造方法 | |
| JP3906739B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 | |
| JP4442093B2 (ja) | 窒化物半導体積層用基板の製造方法 | |
| JP2001345282A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 | |
| JP3438675B2 (ja) | 窒化物半導体の成長方法 | |
| JP4637503B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP3589185B2 (ja) | 窒化物半導体の成長方法と窒化物半導体基板 | |
| JP3870869B2 (ja) | 窒化物半導体基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050202 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060707 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060711 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060911 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061010 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061023 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111110 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111110 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131110 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |