JP2004288799A - 半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004288799A JP2004288799A JP2003077703A JP2003077703A JP2004288799A JP 2004288799 A JP2004288799 A JP 2004288799A JP 2003077703 A JP2003077703 A JP 2003077703A JP 2003077703 A JP2003077703 A JP 2003077703A JP 2004288799 A JP2004288799 A JP 2004288799A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- conductivity type
- crystal
- light emitting
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/24—Treatment of water, waste water, or sewage by flotation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D21/00—Separation of suspended solid particles from liquids by sedimentation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/40—Devices for separating or removing fatty or oily substances or similar floating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
- C02F1/52—Treatment of water, waste water, or sewage by flocculation or precipitation of suspended impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2201/00—Apparatus for treatment of water, waste water or sewage
- C02F2201/002—Construction details of the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2201/00—Apparatus for treatment of water, waste water or sewage
- C02F2201/46—Apparatus for electrochemical processes
- C02F2201/461—Electrolysis apparatus
- C02F2201/46105—Details relating to the electrolytic devices
- C02F2201/46115—Electrolytic cell with membranes or diaphragms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2209/00—Controlling or monitoring parameters in water treatment
- C02F2209/02—Temperature
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
- C02F2209/00—Controlling or monitoring parameters in water treatment
- C02F2209/40—Liquid flow rate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02647—Lateral overgrowth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
Abstract
【解決手段】サファイア基板11上にn型GaN層12を成長させ、その上にSiN膜などにより成長マスク14を形成する。成長マスク14の開口部13におけるn型GaN層12上に、サファイア基板11の主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する六角錐状の尖塔形状のn型GaN層15を選択成長させる。このn型GaN層15上に活性層16およびp型GaN層17を順次成長させ、発光素子構造を形成する。この後、p側電極18およびn側電極19を形成する。
【選択図】 図4
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法に関し、特に、窒化物系III−V族化合物半導体を用いた発光ダイオードに適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体発光素子として、サファイア基板上にn型GaN層を成長させ、その上に所定の開口部を有する成長マスクを形成し、この成長マスクの開口部におけるn型GaN層上に、基板の主面に対して傾斜した傾斜結晶面、具体的にはS面を有する六角錐形状のn型GaN層を選択成長し、その傾斜結晶面上に活性層やp型GaN層などを成長させた発光ダイオードが、本出願人により提案されている(例えば、特許文献1参照)。この発光ダイオードによれば、素子構造を形成する層への基板側からの貫通転位の伝播を抑制することができ、それらの層の結晶性を良好にすることができることにより、高い発光効率を得ることができる。
【0003】
【特許文献1】
国際公開第02/07231号パンフレット(第47−50頁、第3図〜第9図)
【0004】
図21に特許文献1に開示された半導体発光素子の典型的な例を示す。この半導体発光素子の製造方法は次のとおりである。すなわち、まず、主面がC+面であるサファイア基板101上にn型GaN層102を成長させる。次に、n型GaN層102の全面にSiO2 膜を形成した後、このSiO2 膜をリソグラフィーおよびエッチングによりパターニングして、素子形成位置に所定の開口部103を有する成長マスク104を形成する。この開口部103の形状は、円形またはその一辺が〈11−20〉方向に平行な六角形とする。この開口部103の大きさは10μm程度である。次に、この成長マスク104を用い、その開口部103におけるn型GaN層102上にn型GaN層105を選択成長させる。この選択成長により、六角錐形状のn型GaN層105が得られる。この六角錐形状のn型GaN層105の6面は、サファイア基板101の主面に対して傾斜したS面からなる。次に、このn型GaN層105上に、例えばInGaN系の活性層106およびp型GaN層107を順次成長させる。このようにして、六角錐形状のn型GaN層105とその傾斜結晶面に成長した活性層106およびp型GaN層107とにより、ダブルヘテロ構造の発光ダイオード構造が形成される。詳細は省略するが、この後、p型GaN層107上にp側電極を形成するとともに、n型GaN層102にn側電極を形成する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のように、S面からなる傾斜結晶面を有する六角錐形状のn型GaN層105を選択成長させ、そのS面上に活性層106およびp型GaN層107を成長させることにより発光素子構造を形成した従来の半導体発光素子は、発光効率の点では未だ十分とは言い難く、また、素子1個当たりの占有面積も大きくならざるを得なかった。
【0006】
したがって、この発明が解決しようとする課題は、発光効率が十分に高く、素子1個当たりの占有面積も小さい半導体発光素子およびその製造方法を提供することにある。
この発明が解決しようとする他の課題は、発光効率が十分に高く、素子1個当たりの占有面積も小さい集積型半導体発光装置およびその製造方法ならびに画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、この発明の第1の発明は、
一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも結晶部の傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
結晶部上の第2導電型の半導体層上に設けられ、第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子である。
【0008】
ここで、第1導電型の半導体層、活性層および第2導電型の半導体層の材料としては、基本的には、どのような半導体を用いてもよいが、典型的には、ウルツ鉱型の結晶構造を有するものが用いられる。このようなウルツ鉱型の結晶構造を有する半導体としては、窒化物系III−V族化合物半導体のほか、BeMgZnCdS系化合物半導体やBeMgZnCdO系化合物半導体などのII−VI族化合物半導体などが挙げられる。窒化物系III−V族化合物半導体は、最も一般的にはAlx By Ga1−x−y−z Inz Asu N1−u−v Pv (ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦x+y+z<1、0≦u+v<1)からなり、より具体的にはAlx By Ga1−x−y−z Inz N(ただし、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、0≦x+y+z<1)からなり、典型的にはAlx Ga1−x−z Inz N(ただし、0≦x≦1、0≦z≦1)からなる。窒化物系III−V族化合物半導体の具体例を挙げると、GaN、InN、AlN、AlGaN、InGaN、AlGaInNなどである。
【0009】
第1導電型の半導体層がウルツ鉱型結晶構造を有する場合、その凸形状の結晶部の傾斜結晶面を構成する複数の結晶面は典型的にはS面(実質的にS面とみなすことができる結晶面も含む)である。典型的には、傾斜結晶面を構成する複数の結晶面の傾斜角は、結晶部の底辺から頂点に向かって段階的に小さくなっている。この結晶部は、典型的には、尖塔形状、特に六角錐状の尖塔形状を有する。この場合、この結晶部の最上部の結晶面、言い換えれば、傾斜結晶面を構成する複数の結晶面のうちの結晶部の頂点を含む結晶面の傾斜角は、好適には60度以上65度以下、典型的には62度以上63度以下である。この結晶部の形状は尖塔形状に限られず、例えば、基板の主面に平行な一方向に細長い形状を有することもある。この結晶部の大きさ(第1導電型の半導体層の主面に平行な方向の最大寸法)は、一般的には3μm以上20μm以下、典型的には10μm以上15μm以下である。
【0010】
この発明の第2の発明は、
一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも結晶部の傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
結晶部上の第2導電型の半導体層上に設けられ、第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、
第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、
成長マスクの開口部における第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、
第2の半導体層を覆うように、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層を順次成長させる工程とを有する
ことを特徴とするものである。
ここで、第1導電型の第1の半導体層と第1導電型の第2の半導体層との全体が第1導電型の半導体層に対応する。
【0011】
基板としては、第1導電型の第1の半導体層、第1導電型の第2の半導体層、活性層、第2導電型の半導体層などを良好な結晶性で成長させることが可能である限り、基本的にはどのような材料のものを用いてもよい。具体的には、サファイア(Al2 O3 )(C面、A面、R面を含む)、SiC(6H、4H、3Cを含む)、窒化物系III−V族化合物半導体(GaN、InAlGaN、AlNなど)、Si、ZnS、ZnO、LiMgO、GaAs、MgAl2 O4 などからなる基板を用いることができ、好適には、これらの材料からなる六方晶基板または立方晶基板、特に好適には六方晶基板を用いる。例えば、第1導電型の第1の半導体層、第1導電型の第2の半導体層、活性層および第2導電型の半導体層が窒化物系III−V族化合物半導体からなる場合には、C面を主面としたサファイア基板を用いることができる。ただし、ここで言うC面には、これに対して5〜6°程度まで傾いていて実質的にC面とみなすことができる結晶面も含むものとする。
【0012】
第1導電型の第1の半導体層、第1導電型の第2の半導体層、活性層および第2導電型の半導体層の成長方法としては、例えば、有機金属化学気相成長(MOCVD)、ハイドライド気相エピタキシャル成長またはハライド気相エピタキシャル成長(HVPE)などを用いることができる。これらの層のうち第1導電型の第2の半導体層の選択成長の成長温度は、凸形状の結晶部の傾斜結晶面を傾斜角の異なる複数の結晶面からなる良好な凸面とする観点より、好適には920℃以上960℃以下、より好適には920℃以上950℃以下、特に好適には約940℃とする。また、この選択成長の成長速度は、好適には6μm/h以上、より好適には6μm/h以上18μm/h以下とする。典型的には、活性層および第2導電型の半導体層の成長温度は、第1導電型の第2の半導体層の選択成長の成長温度より、例えば20〜40℃以上低くする。
【0013】
成長マスクは、第2の半導体層の成長時に、この成長マスク上の核生成が第1の半導体層上の核生成に比べて十分に少なく(言い換えれば、この成長マスク上の成長が阻害される)、選択成長が可能である限り、基本的にはどのような材料で形成してもよいが、典型的には、窒化シリコン(SiN(特に、Si3 N4 ))膜、酸化窒化シリコン(SiON)膜、酸化シリコン(SiO2 )膜またはそれらの積層膜からなる。ただし、成長マスクとしては、これらのほかに、酸化アルミニム(Al2 O3 )膜やタングステン(W)膜や上記の膜との積層膜などを用いてもよい。第2の半導体層を良好な尖塔形状、特に六角錐状の尖塔形状とする観点からは、好適には、少なくとも最表面が窒化シリコンからなる成長マスク、具体的には例えば窒化シリコン膜単層からなる成長マスクや、酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜を積層した成長マスクなどが用いられる。
【0014】
成長マスクの開口部は種々の形状とすることができるが、典型的には六角形や円形が用いられる。成長マスクの開口部の形状を六角形とする場合、この成長マスクを用いて成長される半導体層が六角形からずれて成長するのを防止する観点より、好適には、その六角形の一辺は〈1−100〉方向または〈11−20〉方向に垂直になるようにする。
【0015】
成長マスクの開口部の大きさ(基板の主面に平行な方向の最大寸法)は、素子の占有面積の低減を図る観点からは小さい方が好ましいが、小さ過ぎると第2の半導体層の選択成長の際に転位や積層欠陥などの結晶欠陥が発生しやすくなるので、これらを考慮すると一般的には、半導体発光素子の大きさの1/4倍以上1倍以下とし、具体的には、例えば、2μm以上13μm以下、小さめにする場合には典型的には2μm以上5μm以下、好適には2.5μm以上3.5μm以下とし、大きめにする場合には典型的には7μm以上13μm以下、好適には9μm以上11μm以下とする。
【0016】
第2の半導体層は、典型的には、成長マスクの開口部よりも横方向に広がるように選択成長させるが、必ずしもそのようにする必要はなく、開口部に収まるようにしてもよい。
また、第2の半導体層は、典型的には、尖塔形状が形成されるように選択成長させるが、第2の半導体層をその頂部に基板とほぼ平行な結晶面が形成されるように選択成長させた後、この頂部の上にアンドープの半導体層を成長させるようにしてもよい。このようにすれば、第2導電型の半導体層上に第2の電極を形成するとともに、第1の半導体層および第2の半導体層からなる第1導電型の半導体層に第1の電極を形成し、これらの第1の電極および第2の電極間に電流を流す場合、凸形状の結晶部の頂部に成長したこのアンドープの半導体層が電流阻止領域となり、この部分には電流が流れないようにすることができる。結晶部の頂部の結晶性は一般に他の部分に比べて劣るので、このように結晶部の頂部を避けて電流を流すことができることにより、良好な結晶性の部分のみを通って電流が流れ、ひいては発光効率の向上を図ることができる。
【0017】
また、成長マスクは、選択成長終了後もそのまま残しておくのが一般的であるが、選択成長終了後に除去してもよい。この場合、成長マスクの開口部における第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、第2の半導体層を覆うように、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層を順次成長させる工程との間に、成長マスクを除去する工程を有する。
上記のほか、この第2の発明においては、その性質に反しない限り、第1の発明に関連して説明したことが成立する。
【0018】
この発明の第3の発明は、
一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも結晶部の傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
結晶部上の第2導電型の半導体層上に設けられ、第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する複数の半導体発光素子が集積された集積型半導体発光装置である。
【0019】
凸形状の結晶部の傾斜結晶面を互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなる良好な凸面とする観点より、好適には、成長マスクの開口部の大きさは、一般的には半導体発光素子の大きさの1/4倍以上1倍以下とし、具体的には、例えば、2μm以上13μm以下、小さめにする場合には典型的には2μm以上5μm以下、好適には2.5μm以上3.5μm以下とし、大きめにする場合には典型的には7μm以上13μm以下、好適には9μm以上11μm以下とする。成長マスクの開口部の間隔は、一般的には半導体発光素子の大きさの2倍以上、具体的には、例えば10μm以上、好適には13μm以上、典型的には13μm以上30μm以下とする。
【0020】
ここで、集積型半導体発光装置はその用途を問わないが、典型的な用途を挙げると、画像表示装置や照明装置などである。また、この集積型半導体発光装置には、同一基板上に複数の半導体発光素子をモノリシックに形成したもののほか、同一基板上にモノリシックに形成された複数の半導体発光素子を個々に分離し、これらの半導体発光素子を他の基台上にマウントしたものも含まれる。
【0021】
この発明の第4の発明は、
一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも結晶部の傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
結晶部上の第2導電型の半導体層上に設けられ、第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する複数の半導体発光素子が集積された集積型半導体発光装置の製造方法であって、
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、
第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、
成長マスクの開口部における第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、
第2の半導体層を覆うように、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層を順次成長させる工程とを有する
ことを特徴とするものである。
【0022】
この発明の第5の発明は、
一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも結晶部の傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
結晶部上の第2導電型の半導体層上に設けられ、第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する複数の半導体発光素子が集積された画像表示装置である。
【0023】
この発明の第6の発明は、
一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも結晶部の傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
結晶部上の第2導電型の半導体層上に設けられ、第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する複数の半導体発光素子が集積された画像表示装置の製造方法であって、
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、
第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、
成長マスクの開口部における第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、
第2の半導体層を覆うように、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層を順次成長させる工程とを有する
ことを特徴とするものである。
【0024】
この発明の第7の発明は、
一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも結晶部の傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
結晶部上の第2導電型の半導体層上に設けられ、第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する一つの半導体発光素子または集積された複数の半導体発光素子を有する照明装置である。
【0025】
この発明の第8の発明は、
一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも結晶部の傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
結晶部上の第2導電型の半導体層上に設けられ、第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する一つの半導体発光素子または集積された複数の半導体発光素子を有する照明装置の製造方法であって、
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、
第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、
成長マスクの開口部における第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、
第2の半導体層を覆うように、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層を順次成長させる工程とを有する
ことを特徴とするものである。
この発明の第3〜第8の発明においては、その性質に反しない限り、第1および第2の発明に関連して説明したことが成立する。
【0026】
この発明の第9の発明は、
一主面に、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも結晶部の傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
結晶部上の第2導電型の半導体層上に設けられ、第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子である。
【0027】
この発明の第10の発明は、
一主面に、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも結晶部の傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
結晶部上の第2導電型の半導体層上に設けられ、第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、
第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、
成長マスクの開口部における第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、
第2の半導体層を覆うように、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層を順次成長させる工程とを有する
ことを特徴とするものである。
【0028】
この発明の第11の発明は、
一主面に、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも結晶部の傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
結晶部上の第2導電型の半導体層上に設けられ、第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する複数の半導体発光素子が集積された集積型半導体発光装置である。
【0029】
この発明の第12の発明は、
一主面に、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも結晶部の傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
結晶部上の第2導電型の半導体層上に設けられ、第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する複数の半導体発光素子が集積された集積型半導体発光装置の製造方法であって、
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、
第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、
成長マスクの開口部における第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、
第2の半導体層を覆うように、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層を順次成長させる工程とを有する
ことを特徴とするものである。
【0030】
この発明の第13の発明は、
一主面に、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも結晶部の傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
結晶部上の第2導電型の半導体層上に設けられ、第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する複数の半導体発光素子が集積された画像表示装置である。
【0031】
この発明の第14の発明は、
一主面に、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも結晶部の傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
結晶部上の第2導電型の半導体層上に設けられ、第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する複数の半導体発光素子が集積された画像表示装置の製造方法であって、
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、
第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、
成長マスクの開口部における第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、
第2の半導体層を覆うように、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層を順次成長させる工程とを有する
ことを特徴とするものである。
【0032】
この発明の第15の発明は、
一主面に、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも結晶部の傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
結晶部上の第2導電型の半導体層上に設けられ、第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する一つの半導体発光素子または集積された複数の半導体発光素子を有する照明装置である。
【0033】
この発明の第16の発明は、
一主面に、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも結晶部の傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
結晶部上の第2導電型の半導体層上に設けられ、第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する一つの半導体発光素子または集積された複数の半導体発光素子を有する照明装置の製造方法であって、
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、
第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、
成長マスクの開口部における第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、
第2の半導体層を覆うように、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層を順次成長させる工程とを有する
ことを特徴とするものである。
この発明の第9〜第16の発明において、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面には、部分的に平面が含まれることもある。
この発明の第9〜第16の発明においては、その性質に反しない限り、第1および第2の発明に関連して説明したことが成立する。
【0034】
上述のように構成されたこの発明によれば、所定部分に開口部を有する成長マスクを用いて第1導電型の半導体層を選択成長させることにより、互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として良好な凸面をなす傾斜結晶面、あるいは、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を形成することができる。そして、この結晶部を覆うように、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層を順次成長させることにより、発光素子構造を形成することができる。この場合、第2導電型の半導体層も、互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として良好な凸面をなす傾斜結晶面、あるいは、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する。このため、素子の駆動時には、この第2導電型の半導体層の凸面あるいはほぼ凸面をなす傾斜結晶面での反射により、活性層から生じる光を効率よく外部に取り出すことができる。また、S面からなる傾斜結晶面を有する結晶部を形成する場合に比べて結晶部の大きさを小さくすることができ、したがってこの結晶部上に活性層および第2導電型の半導体層を順次成長させることにより形成される発光素子構造も小さくすることができる。さらに、光の取り出し方向を主面に垂直に近づけることができるため、発光部分以外の部分にブラックマスクなどを設けても光が遮られにくくなる。
【0035】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
図1〜図4はこの発明の第1の実施形態によるGaN系発光ダイオードの製造方法を工程順に示し、各図のAは平面図、Bは断面図である。
【0036】
この第1の実施形態においては、図1に示すように、まず、例えば主面がC+面であるサファイア基板11を用意し、サーマルクリーニングなどによりその表面を清浄化した後、このサファイア基板11上に、例えば有機金属化学気相成長(MOCVD)法により、n型不純物として例えばSiがドープされたn型GaN層12を成長させる。このn型GaN層12は、可能な限り結晶欠陥、特に貫通転位が少ないものが望ましく、その厚さは例えば2μm程度以上あれば通常は足りる。低欠陥のn型GaN層12の形成方法としては種々の方法があるが、一般的な方法として、サファイア基板11上に、まず例えば500℃程度の低温でGaNバッファ層やAlNバッファ層(図示せず)を成長させ、その後1000℃程度まで昇温して結晶化してから、その上にn型GaN層12を成長させる方法がある。この場合、GaNバッファ層やAlNバッファ層を成長させた後、まずアンドープGaN層を成長させ、その後にn型GaN層12を成長させるようにしてもよい。
【0037】
次に、n型GaN層12の全面に例えばCVD法、真空蒸着法、スパッタリング法などにより、好適にはプラズマCVD法により、例えば厚さが200nm程度のSiO2 膜および例えば厚さが10nm程度のSiN膜(特に、Si3 N4 膜)を順次形成した後、その上にリソグラフィーにより所定形状のレジストパターン(図示せず)を形成し、このレジストパターンをマスクとして、例えばフッ酸系のエッチング液を用いたウエットエッチング、または、CF4 やCHF3 などのフッ素を含むエッチングガスを用いたRIE法によりSiN膜およびSiO2 膜をエッチングし、パターニングして、素子形成位置に所定の開口部13を有する成長マスク14を形成する。この開口部13の形状は、その一辺が〈1−100〉方向または〈11−20〉方向に垂直な六角形とする。この開口部13の大きさDは必要に応じて決められるが、一般的には2〜13μm、ここでは例えば3μmである。図1においては開口部13は1個だけ図示されているが、実際にはアレイ状に複数個形成されている。開口部13の配列の一例を図5に示す。図5において、Pは開口部13のピッチである。ピッチPは一般的には10μm以上、ここでは例えば14μmである。
【0038】
次に、図2に示すように、この成長マスク14を用い、その開口部13におけるn型GaN層12上にn型不純物として例えばSiがドープされたn型GaN層15を選択成長させる。この時の成長温度は例えば940℃とし、成長速度はプレーナ成長換算で、好適には6〜18μm/h、例えば11.0〜11.3μm/hという非常に速い成長速度にする。この選択成長の際には、n型GaN層12との界面近傍における成長を穏やかにするため、成長温度を940℃よりも低くし、成長速度を低くして成長させるようにしてもよいが、n型GaN層12との界面近傍の部分を除く大部分の成長は成長温度を940℃とし、成長速度をプレーナ成長換算で11.0〜11.3μm/hという非常に速い成長速度に設定して行う。この選択成長により、六角錐状の尖塔形状のn型GaN層15が得られる。この尖塔形状のn型GaN層15の6面は、サファイア基板11の主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の(一般的には、多くの、あるいは無数の)結晶面からなるが、この例では簡単にするため、四つの結晶面F1 、F2 、F3 、F4 からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面となっているものとする。この場合、これらの結晶面F1 、F2 、F3 、F4 の傾斜角はn型GaN層15の底辺から頂点に向かって段階的に小さくなっており、頂点を含む最上部の結晶面F4 の傾斜角は例えば62〜63度、底辺を含む最下部の結晶面F1 の傾斜角は例えば74〜82度である。ここで、全体として凸面をなすこの傾斜結晶面を構成する各結晶面はいずれもS面または実質的にS面とみなすことができるものであり、これに対応して、n型GaN層15は結晶方位が互いに微小角異なる複数の単結晶の集合体となっている。このn型GaN層15の大きさは必要に応じて決められるが、この場合には開口部13の大きさより大きく選ばれ、具体的には開口部13の大きさの3倍程度に選ばれる。
【0039】
上述のようにしてn型GaN層15を成長させた後、引き続いて、図3に示すように、サファイア基板11上に、例えばInGaN系の活性層16およびp型不純物として例えばMgがドープされたp型GaN層17を順次成長させる。このようにして、六角錐状の尖塔形状のn型GaN層15とその傾斜結晶面に成長した活性層16およびp型GaN層17とにより、ダブルヘテロ構造の発光ダイオード構造が形成される。この後、例えば、窒素雰囲気中において850℃程度の温度でアニールすることにより、p型GaN層17中のMgの活性化を行う。活性層16およびp型GaN層17の厚さは必要に応じて決められるが、活性層16の厚さは例えば3nm(成長後の活性層16の厚さは通常、上から下にかけて幾分、分布を持っている)、p型GaN層17の厚さは、動作電圧低減の観点からは発光特性を損ねない限りできるだけ薄くする方が望ましく、例えば0.2μmであるが、例えば0.05μmにすると動作電圧を3V以下にすることができる。これらのGaN系半導体層の成長温度は、例えば、活性層16は650〜800℃、具体的には例えば740℃、p型GaN層17は活性層16の特性を損なわない範囲で高めの温度、例えば880〜940℃、具体的には例えば900℃とする。活性層16は、例えば、単一のInGaN層からなるものであっても、例えばIn組成が互いに異なる二つのInGaN層を交互に積層した多重量子井戸構造であってもよく、それらのIn組成は、発光波長をどの波長に設定するかに応じて決められる。また、p型GaN層17においては、好適には、その最上層のMg濃度を、後述のp側電極と良好なオーミック接触を取ることができるように上昇させる。ただし、p型GaN層17上に、オーミック接触をより取り易い、p型不純物として例えばMgがドープされたp型InGaN層をp型コンタクト層として成長させ、その上にp側電極を形成してもよい。
発光素子構造の大きさWは例えば10μm程度である(図3参照)。
【0040】
上記のGaN系半導体層の成長原料は、例えば、Gaの原料としてはトリメチルガリウム((CH3 )3 Ga、TMG)、Alの原料としてはトリメチルアルミニウム((CH3 )3 Al、TMA)、Inの原料としてはトリメチルインジウム((CH3 )3 In、TMI)を、Nの原料としてはNH3 を用いる。ドーパントについては、n型ドーパントとしては例えばシラン(SiH4 )を、p型ドーパントとしては例えばビス=メチルシクロペンタジエニルマグネシウム((CH3 C5 H4 )2 Mg)あるいはビス=シクロペンタジエニルマグネシウム((C5 H5 )2 Mg)を用いる。
【0041】
また、上記のGaN系半導体層の成長時のキャリアガス雰囲気としては、n型GaN層12およびn型GaN層15はN2 とH2 との混合ガス、活性層16はN2 ガス雰囲気、p型GaN層17はN2 とH2 との混合ガスを用いる。この場合、活性層16の成長ではキャリアガス雰囲気をN2 雰囲気としており、キャリアガス雰囲気にH2 が含まれないので、Inが脱離するのを抑えることができ、活性層16の劣化を防止することができる。また、p型GaN層17の成長時にはキャリアガス雰囲気をN2 とH2 との混合ガス雰囲気としているので、これらのp型層を良好な結晶性で成長させることができる。
【0042】
次に、上述のようにしてGaN系半導体層を成長させたサファイア基板11をMOCVD装置から取り出す。
次に、基板全面に例えば真空蒸着法によりNi膜、Ag膜(またはPt膜)およびAu膜を順次形成した後、その上にリソグラフィーにより所定形状のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてNi膜、Ag膜およびAu膜をエッチングする。これによって、図4に示すように、六角錐状の尖塔形状のn型GaN層15の上に成長した活性層16およびp型GaN層17の頂点を含む領域に、Ni/Ag(またはPt)/Au構造のp側電極18が形成される。このp側電極18の大きさは、後述のように駆動電流がn型GaN層15などの欠陥領域をなるべく流れないように決められ、具体的には例えば4μm程度とする。
【0043】
次に、成長マスク14の所定部分をエッチング除去してこの部分にn型GaN層12を露出させる。次に、基板全面に例えば真空蒸着法によりTi膜、Pt膜およびAu膜を順次形成した後、その上にリソグラフィーにより所定形状のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてTi膜、Pt膜およびAu膜をエッチングする。これによって、n型GaN層12にコンタクトしたTi/Pt/Au構造のn側電極19が形成される。
この後、上述のようにして発光ダイオード構造がアレイ状に形成された基板をRIEによるエッチングやダイサーやエキシマレーザによる剥離などによりチップ化し、目的とするGaN系発光ダイオードを得る。必要に応じて、発光ダイオード構造がアレイ状に形成された基板をチップ化する前に、基板表面を平坦に近く加工するようにしてもよい。
【0044】
このようにして製造されたGaN系発光ダイオードのp側電極18とn側電極19との間に電流を流して駆動したところ、活性層16のIn組成に応じて発光波長380〜620nmの範囲、例えば発光波長450nmで、サファイア基板11を通した発光を確認することができた。また、発光効率が高く、発光出力は例えば駆動電流が200μAの時に40μWであった。
【0045】
ここで、六角錐状の尖塔形状を有するn型GaN層15の凸面をなす傾斜結晶面を構成する複数の結晶面のうちの結晶面F1 の傾斜角と発光効率との関係について説明する。すでに述べたように、結晶面F1 の傾斜角は例えば74〜82度であるが、この傾斜角が大きい方が発光効率が良くなる傾向がある。例えば、この傾斜角が74度の場合には、n型GaN層15の成長厚がプレーナ成長換算で2μmの時、開口部13の大きさD=10μm、ピッチP=29μmに対し、発光効率は100mW/Aであったのに対し、76度の場合には、n型GaN層15の成長厚がプレーナ成長換算で2μmの時、開口部13の大きさD=3μm、ピッチP=17μmに対し、発光効率は200mW/A、82度の場合には、n型GaN層15の成長厚がプレーナ成長換算で4μmの時、開口部13の大きさD=3μm、ピッチP=17μmに対し、発光効率は210mW/Aであった。
【0046】
次に、図5に示す成長マスク14の開口部13の大きさDおよびピッチPと発光効率との関係について説明する。D、P(単位はともにμm)の組み合わせを(D,P)と表し、Dを3〜10μm、Pを11〜28μmの範囲で変えた試料を多数作製し、それぞれに対してn型GaN層15の選択成長を行った。その結果、ピッチPが大きい方が、n型GaN層15が良好な傾斜結晶面を有する尖塔形状となり、発光効率が高くなる傾向があり、大きさDは小さい方が発光効率が高くなる傾向にあった。また、この時の光の取り出しの様子を観察した所、素子の中心部だけでなく側面も含めた全体から多くの発光が生じているように見られた。
【0047】
図6に六角錐状の尖塔形状のn型GaN層15の走査型電子顕微鏡(SEM)写真を示す。ここで、成長マスク14の開口部13の大きさD=3μm、ピッチP=10μmである。比較のために、従来のS面からなる傾斜結晶面を有する六角錐状のn型GaN層のSEM写真を図7に示す。ここで、成長マスク14の開口部13の大きさD=10μm、ピッチP=29μmである。
【0048】
また、図8に成長マスク14の開口部13の大きさD=3μm、ピッチP≒17μmの場合のn型GaN層15のSEM写真を示す。さらに、図9に成長マスク14の開口部13の大きさD=3μm、ピッチP≒28μmの場合のn型GaN層15のSEM写真(倍率は図8の1/2であることに注意)を示す。図8および図9より、ピッチPが約17μmの場合よりも約28μmの場合の方が成長マスク14に近い部分の六角錐状の尖塔形状のn型GaN層15の傾斜角がより大きくなっていることが分かる。
【0049】
この第1の実施形態によれば、次のような多くの利点を得ることができる。
図10に示すように、n型GaN層15の成長時にはその内部に転位20や積層欠陥21が発生し、それらが活性層16を横切る所もあるが、少なくともn型GaN層15の頂点に近い部分では転位20や積層欠陥21が消滅している。そこで、この第1の実施形態においては、p側電極18とn側電極19との間に駆動電流を流した時、駆動電流がn型GaN層15などの欠陥領域を流れないようにp側電極12の大きさを決めている。このため、発光効率が極めて高く、信頼性にも優れたGaN系発光ダイオードを得ることができる。
【0050】
また、この第1の実施形態においては、サファイア基板11の主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面(結晶面F1 、F2 、F3 、F4 )からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する六角錐状の尖塔形状のn型GaN層15を成長させ、その上に活性層16およびp型GaN層17を成長させていることにより、p型GaN層17もn型GaN層15と同様の傾斜結晶面を有する。このため、p側電極18とn側電極19との間に駆動電流を流した時に活性層16から生じる光のうちp型GaN層17側に進む光は、このp型GaN層17の外面で反射されてサファイア基板11側に進む。一方、活性層16から生じる光のうちn型GaN層15の内部に進む光はそのままサファイア基板11側に進む。この結果、活性層16から生じる光をサファイア基板11を通して効率良く外部に取り出すことができ、高い発光効率を得ることができる。
【0051】
さらに、この第1の実施形態によるGaN系発光ダイオードは、図21に示す従来のGaN系発光ダイオードに比べて、素子1個当たりの占有面積を極めて小さくすることができる。例えば、従来のGaN系発光ダイオードの六角錐状の発光素子構造の大きさは20μm程度であるのに対し、この第1の実施形態によるGaN系発光ダイオードの六角錐状の尖塔形状の発光素子構造の大きさは10μm程度と極めて小さい。
【0052】
また、p側電極18として、反射率の高いAg膜を含むNi/Ag/Au構造のものを用いているため、このp側電極18が形成された、六角錐状の尖塔形状のp型GaN層17の上部での反射率を高くすることができ、それによって光の取り出し効率をさらに高くすることができ、発光効率をさらに高くすることができる。
【0053】
さらに、この第1の実施形態によれば、光の取り出し方向を基板面に対して垂直に近くすることができる。すなわち通常、面上の発光素子からの発光の分布はランバーティアン(Lambertian)といい、完全拡散面ともいう。このような時、発光はどの方向から見ても等方的であるが、ブラックマスクなどを設けるとその方向にも光が行くので、前方に光を取り出したい時はレンズを必要とするが、この第1の実施形態によれば、成長のみで光の取り出し方向を調整することができる。
【0054】
次に、この発明の第2の実施形態によるGaN系発光ダイオードについて説明する。
この第2の実施形態においては、第1の実施形態と同様に工程を進めてp型GaN層17まで成長させた後、このp型GaN層17上にp側電極18を形成する。次に、サファイア基板11の裏面側から例えばエキシマーレーザなどによるレーザビームを照射することにより、サファイア基板11から、n型GaN層12から上の部分を剥離する。次に、このようにして剥離されたn型GaN層12の裏面をエッチングなどにより平坦化した後、図12に示すように、n型GaN層12の裏面にn側電極19を形成する。このn側電極19は例えばITOなどからなる透明電極としてもよく、この場合は六角錐状の尖塔形状の部分に対応する部分を含むn型GaN層12の裏面の広い面積にわたってn側電極19を形成することができる。また、このn側電極19をTi/Pt/Au構造の金属積層膜により形成する場合には、n型GaN層12を通して外部に光が放射されるようにするため、図13に示すように、六角錐状の尖塔形状のn型GaN層15に対応する部分におけるn側電極19に開口部19aを設ける。
この第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な利点を得ることができる。
【0055】
次に、この発明の第3の実施形態による画像表示装置について説明する。この画像表示装置を図14に示す。
図14に示すように、この画像表示装置においては、サファイア基板11の面内の互いに直交するx方向およびy方向にGaN系発光ダイオードが規則的に配列され、GaN系発光ダイオードの二次元アレイが形成されている。各GaN系発光ダイオードの構造は、例えば第1の実施形態と同様である。
y方向には、赤色(R)発光用のGaN系発光ダイオード、緑色(G)発光用のGaN系発光ダイオードおよび青色(B)発光用のGaN系発光ダイオードが隣接して配列され、これらの3つのGaN系発光ダイオードにより1画素が形成されている。x方向に配列された赤色発光用のGaN系発光ダイオードのp側電極18同士は配線22により互いに接続され、同様に、x方向に配列された緑色発光用のGaN系発光ダイオードのp側電極18同士は配線23により互いに接続され、x方向に配列された青色発光用のGaN系発光ダイオードのp側電極18同士は配線24により互いに接続されている。一方、n側電極19はy方向に延在しており、y方向に配列されたGaN系発光ダイオードの共通電極となっている。
【0056】
このように構成された単純マトリクス方式の画像表示装置においては、表示すべき画像の信号に応じて配線22〜24とn側電極19とを選択し、選択された画素の選択されたGaN系発光ダイオードに電流を流して駆動し、発光を起こさせることにより、画像を表示することができる。
この第3の実施形態によれば、各GaN系発光ダイオードが第1の実施形態によるGaN系発光ダイオードと同様な構成を有することにより発光効率が高いため、高輝度のフルカラー画像表示装置を実現することができる。
【0057】
次に、この発明の第4の実施形態による照明装置について説明する。この照明装置は図14に示す画像表示装置と同様な構成を有する。
この照明装置においては、照明光の色に応じて配線22〜24とn側電極19とを選択し、選択された画素の選択されたGaN系発光ダイオードに電流を流して駆動し、発光を起こさせることにより、照明光を発生させることができる。
この第4の実施形態によれば、各GaN系発光ダイオードが第1の実施形態によるGaN系発光ダイオードと同様な構成を有することにより発光効率が高いため、高輝度の照明装置を実現することができる。
【0058】
次に、この発明の第5の実施形態によるGaN系発光ダイオードについて説明する。このGaN系発光ダイオードを図15に示す。
この第5の実施形態においては、第1の実施形態と同様にしてGaN系発光ダイオードを製造するが、成長マスク14の開口部13の大きさD=10μm、ピッチP=28μmとすることが第1の実施形態と異なる。この場合、発光素子構造の大きさW=13μmである。
【0059】
この第5の実施形態によれば、成長マスク14の開口部13の大きさDが10μmと比較的大きいことにより、n型GaN層15の選択成長時に転位20や積層欠陥21が発生する領域が小さくなり、これらの結晶欠陥が発光に及ぼす影響を小さくすることができる。これにより、発光効率が高く、信頼性にも優れたGaN系発光ダイオードを得ることができる。発光出力としては、例えば、駆動電流200μAの時に25μWを得ることができる。これに加えて、第1の実施形態と同様な他の利点を得ることもできる。
【0060】
次に、この発明の第6の実施形態によるGaN系発光ダイオードについて説明する。このGaN系発光ダイオードを図16に示す。
この第6の実施形態においては、第1の実施形態と同様にして開口部13を有する成長マスク14を形成するが、第1の実施形態と異なり、開口部13の大きさD=10μm、ピッチP=28μmとする。次に、この成長マスク14を用いてn型GaN層15を選択成長させる。この時の成長温度は例えば1020℃とし、成長速度をプレーナ成長換算で4μm/hにする。この選択成長の際には、n型GaN層12との界面近傍における成長を穏やかにするため、成長温度を1020℃よりも低くし、成長速度を低くして成長させるようにしてもよいが、n型GaN層12との界面近傍の部分を除く大部分の成長は成長温度を1020℃とし、成長速度をプレーナ成長換算で4μm/hに設定して行う。この後、成長速度を0.5μm/h程度に落として成長を行う。これによって、図16に示すように、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する尖塔形状のn型GaN層15が成長する。この場合、この傾斜結晶面は、このn型GaN層15の下部の側面に形成される、M面またはそれより傾斜角が少し小さい結晶面と、このn型GaN層15の上部の側面に形成されるS面とからなる。
この後、第1の実施形態と同様にして工程を進め、図16に示すGaN系発光ダイオードを製造する。この場合、発光素子構造の大きさW=13μmである。
この第6の実施形態によれば、第1の実施形態および第2の実施形態と同様な利点を得ることができる。発光出力としては、例えば、駆動電流200μAの時に25μWを得ることができる。
【0061】
次に、この発明の第7の実施形態によるGaN系発光ダイオードについて説明する。このGaN系発光ダイオードを図17に示す。
この第7の実施形態においては、第1の実施形態と同様にして開口部13を有する成長マスク14を形成するが、開口部13の大きさD=10μm、ピッチP=28μmとする。次に、第1の実施形態と同様にして、この成長マスク14を用いてn型GaN層15を選択成長させ、さらにその上に活性層16およびp型GaN層17を成長させるが、ここではこの活性層16を障壁層16a、井戸層16b、障壁層16c、井戸層16dおよび障壁層16eからなるMQW構造とする。これらの障壁層16a、井戸層16b、障壁層16c、井戸層16dおよび障壁層16eは、例えばInGaN層により構成する。この場合、発光素子構造の大きさW=13μmである。
【0062】
この後、第1の実施形態と同様にして工程を進め、図17に示すGaN系発光ダイオードを製造する。
この第7の実施形態によれば、第1の実施形態および第2の実施形態と同様な利点を得ることができる。発光出力としては、例えば、駆動電流200μAの時に80μWを得ることができる。
【0063】
次に、この発明の第8の実施形態によるGaN系発光ダイオードについて説明する。このGaN系発光ダイオードを図18に示す。
この第8の実施形態においては、第1の実施形態と同様にして開口部13を有する成長マスク14を形成するが、第1の実施形態と異なり、開口部13の大きさD=10μm、ピッチP=28μmとする。次に、この成長マスク14を用いてn型GaN層15を選択成長させる。この時の成長温度は例えば940℃とし、成長速度をプレーナ成長換算で11.0〜11.3μm/hという非常に速い成長速度にする。この選択成長の際には、n型GaN層12との界面近傍における成長を穏やかにするため、成長温度を940℃よりも低くし、成長速度を低くして成長させるようにしてもよいが、n型GaN層12との界面近傍の部分を除く大部分の成長は成長温度を940℃とし、成長速度をプレーナ成長換算で11.0〜11.3μm/hという非常に速い成長速度に設定して行う。この後、成長速度を0.5μm/h程度に落として成長を行う。これによって、図18に示すように、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有し、頂点部分の上面がC面またはC面類似の結晶面からなる六角錐台状の尖塔形状のn型GaN層15が成長する。次に、このn型GaN層15の頂点部分に例えば940℃の成長温度でアンドープGaN層22を例えば11.0〜11.3μm/hの成長速度で六角錐が閉じるように例えば厚さ100nm程度成長させる。このアンドープGaN層22は電流素子領域となる。
【0064】
この後、第1の実施形態と同様にして工程を進め、図18に示すGaN系発光ダイオードを製造する。この場合、発光素子構造の大きさW=13μmである。この第1の実施形態によれば、第1の実施形態および第2の実施形態と同様な利点を得ることができる。この場合特に、アンドープGaN層22が電流素子領域となることにより、駆動電流が結晶性の悪い部分を通るのを避けることができるため、発光効率のより一層の向上を図ることができる。発光出力としては、例えば、駆動電流200μAの時に80μWを得ることができる。
【0065】
次に、この発明の第9の実施形態によるGaN系発光ダイオードについて説明する。このGaN系発光ダイオードを図19に示す。
この第9の実施形態においては、第1の実施形態と同様にして開口部13を有する成長マスク14を形成するが、第1の実施形態と異なり、開口部13の形状を一つの最大寸法方向に延びた細長い六角形とし、その最大寸法を例えば30μm、この最大寸法方向に垂直な方向の最小寸法を例えば10μmとする。開口部13のピッチPは例えば28μmとする。次に、この成長マスク14を用いてn型GaN層15を選択成長させる。この時の成長温度は例えば940℃とし、成長速度をプレーナ成長換算で11.0〜11.3μm/hという非常に速い成長速度にする。この選択成長の際には、n型GaN層12との界面近傍における成長を穏やかにするため、成長温度を940℃よりも低くし、成長速度を低くして成長させるようにしてもよいが、n型GaN層12との界面近傍の部分を除く大部分の成長は成長温度を940℃とし、成長速度をプレーナ成長換算で11.0〜11.3μm/hという非常に速い成長速度に設定して行う。これによって、図19に示すように、成長マスク14の開口部13の最小寸法方向に沿った断面で見たとき、この断面に垂直な方向に広がり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する尖塔形状のn型GaN層15が成長する。
【0066】
この後、第1の実施形態と同様にして工程を進め、図19に示すGaN系発光ダイオードを製造する。この場合、発光素子構造の大きさW=13μmである。この第9の実施形態によれば、第1の実施形態および第2の実施形態と同様な利点を得ることができる。発光出力としては、例えば、駆動電流200μAの時に25μWを得ることができる。
【0067】
次に、この発明の第10の実施形態によるGaN系発光ダイオードについて説明する。このGaN系発光ダイオードを図20に示す。
この第10の実施形態においては、第1の実施形態と同様にして開口部13を有する成長マスク14を形成するが、第1の実施形態と異なり、開口部13の大きさD=10μm、ピッチP=28μmとする。次に、この成長マスク14を用いてn型GaN層15を選択成長させる。この時の成長温度は例えば940℃とし、成長速度をプレーナ成長換算で11.0〜11.3μm/hという非常に速い成長速度にする。この選択成長の際には、n型GaN層12との界面近傍における成長を穏やかにするため、成長温度を940℃よりも低くし、成長速度を低くして成長させるようにしてもよいが、n型GaN層12との界面近傍の部分を除く大部分の成長は成長温度を940℃とし、成長速度をプレーナ成長換算で11.0〜11.3μm/hという非常に速い成長速度に設定して行う。
【0068】
次に、成長マスク14を例えばフッ酸系のエッチング液を用いたウエットエッチング、または、CF4 やCHF3 などのフッ素を含むエッチングガスを用いたRIE法によりエッチング除去する。
次に、n型GaN層15上に例えば960℃の成長温度で例えば1μm程度の厚さにn型GaN層(図示せず)を成長させた後、引き続いてその清浄な表面上に活性層16およびp型GaN層17を成長させる。この場合、発光素子構造の大きさW=13μmである。
次に、第1の実施形態と同様にして工程を進め、p側電極18まで形成する。
【0069】
次に、リソグラフィーにより、n側電極形成領域を除いた領域のp型GaN層17の表面を覆うレジストパターン(図示せず)を形成した後、このレジストパターンをマスクとして例えばRIE法によりp型GaN層17および活性層16をエッチングして開口部を形成し、この開口部にn型GaN層12を露出させる。この後、レジストパターンを除去する。次に、基板全面に例えば真空蒸着法によりTi膜、Pt膜およびAu膜を順次形成した後、その上にリソグラフィーにより所定形状のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてTi膜、Pt膜およびAu膜をエッチングする。これによって、p型GaN層17および活性層16に形成された開口部を通じてn型GaN層12にコンタクトしたTi/Pt/Au構造のn側電極19が形成される。
【0070】
この第10の実施形態によれば、第1の実施形態および第2の実施形態と同様な利点を得ることができる。発光出力としては、例えば、駆動電流200μAの時に25μWを得ることができる。
【0071】
これに加えて、この第10の実施形態によれば、次のような利点を得ることもできる。すなわち、すでに述べた従来のGaN系発光ダイオードでは、酸化シリコン(SiO2 )や窒化シリコン(SiN)からなる成長マスクの開口部におけるn型GaN層上に基板の主面に対して傾斜した傾斜結晶面を有する六角錐形状のn型GaN層を選択成長し、成長マスクを残したままその傾斜結晶面上に活性層やp型GaN層などを成長させるところ、n型GaN層の選択成長やその後のp型GaN層の成長は900℃以上の高温で行われるため、この成長時に成長マスクの表面からシリコン(Si)や酸素(O)が脱離し、これがその付近の成長層に取り込まれるという現象が起こる。この現象が及ぼす影響はp型GaN層の成長時に特に顕著であり、GaNに対してn型不純物として働くSiが、p型GaN層の成長時に成長層に取り込まれると、p型になりにくく、p型になったとしても、正孔濃度、移動度ともに激減することが明らかとなり、これが発光ダイオードの発光効率の向上を阻害する原因であることが判明した。さらに、この成長マスクの開口部を形成する際にはフォトリソグラフィー工程を必要とするが、その際にはレジストをマスク面に密着させて部分的に除去する工程が必要である。ところが、この除去時には、レジストが成長マスクの微小な間隙に残りやすく、その除去は極めて難しい。このため、後の高温成長時に、この残存レジストが不純物源となってp型GaN層などの特性を悪化させることもある。これに対し、この第10の実施形態においては、活性層16およびp型GaN層17の成長前に成長マスク14をエッチング除去しているため、活性層16およびp型GaN層17の成長時に成長マスク14は存在せず、p型GaN層17の成長時に成長マスク14からSiが脱離して成長層に取り込まれる問題が本質的に存在しない。また、レジストによる汚染の問題も本質的に存在しない。このため、十分にMgがドープされた低比抵抗のp型GaN層17を得ることができ、ひいてはGaN系発光ダイオードの発光効率のさらなる向上を図ることができる。
【0072】
以上、この発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の第1〜第10の実施形態において挙げた数値、材料、構造、形状、基板、原料、プロセスなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、材料、構造、形状、基板、原料、プロセスなどを用いてもよい。
【0073】
具体的には、例えば、上述の第1〜第10の実施形態において、活性層16の特性を向上させるために、その近傍に光閉じ込め特性に優れたAlGaN層を設けたり、In組成の小さいInGaN層をなどを設けてもよい。また、必要に応じて、いわゆるボウイング(bowing) によるバンドギャップの縮小効果を得るために、InGaNにAlを加えてAlGaInNとしてもよい。さらに、必要に応じて、活性層16とn型GaN層12との間や活性層16とp型GaN層17との間に光導波層を設けてもよい。
【0074】
また、上述の第1〜第10の実施形態においては、サファイア基板を用いているが、必要に応じて、すでに述べたSiC基板、Si基板などの他の基板を用いてもよい。更に、ELO(Epitaxial Lateral Overgrowth)やペンデオなどの横方向結晶成長技術を利用して得られる低転位密度のGaN基板を用いてもよい。
【0075】
さらに、上述の第1〜第10の実施形態において、p型GaN層17とp側電極18との間に、活性層16で発生した光の侵入長以下の厚さを有し、Ni、Pd、Co、Sbなどからなるコンタクト金属層を形成してもよい。このようにすることにより、コンタクト金属層による反射増強効果で、GaN系発光ダイオードの発光効率のより一層の向上を図ることができる。
【0076】
また、上述の第3および第4の実施形態においては、サファイア基板11上に複数のGaN系発光ダイオードがモノリシックに形成されているが、サファイア基板11上に複数のGaN系発光ダイオードをモノリシックに形成した後、これらのGaN系発光ダイオードを個々に分離し、これらを上述の第3および第4の実施形態と同じ配置で他の基台上にマウントし、さらにこれらの間を上述と同様に配線するようにしてもよい。
【0077】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面、あるいは、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層の少なくともその傾斜結晶面上に少なくとも活性層および第2導電型の半導体層を順次積層して発光素子構造を形成することから、発光効率が極めて高く、素子1個当たりの占有面積も小さい半導体発光素子、集積型半導体発光装置、画像表示装置および照明装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施形態によるGaN系発光ダイオードの製造方法を説明するための平面図および断面図である。
【図2】この発明の第1の実施形態によるGaN系発光ダイオードの製造方法を説明するための平面図および断面図である。
【図3】この発明の第1の実施形態によるGaN系発光ダイオードの製造方法を説明するための平面図および断面図である。
【図4】この発明の第1の実施形態によるGaN系発光ダイオードの製造方法を説明するための平面図および断面図である。
【図5】この発明の第1の実施形態によるGaN系発光ダイオードの製造方法において成長マスクにアレイ状に形成する開口部を示す平面図である。
【図6】この発明の第1の実施形態によるGaN系発光ダイオードの製造方法において発光素子構造を形成した直後のGaN加工基板の表面の状態を示す図面代用写真である。
【図7】この発明の第1の実施形態との比較例によるGaN系発光ダイオードの製造方法において発光素子構造を形成した直後のGaN加工基板の表面の状態を示す図面代用写真である。
【図8】この発明の第1の実施形態によるGaN系発光ダイオードの製造方法において発光素子構造を形成した直後のGaN加工基板の表面の状態を示す図面代用写真である。
【図9】この発明の第1の実施形態によるGaN系発光ダイオードの製造方法において発光素子構造を形成した直後のGaN加工基板の表面の状態を示す図面代用写真である。
【図10】この発明の第1の実施形態によるGaN系発光ダイオードの製造方法において発光素子構造を形成するGaN系半導体層の成長時に導入される結晶欠陥の分布を示す断面図である。
【図11】この発明の第1の実施形態により製造されたGaN系発光ダイオードからの発光の様子を示す断面図である。
【図12】この発明の第2の実施形態によるGaN系発光ダイオードを示す断面図である。
【図13】この発明の第2の実施形態によるGaN系発光ダイオードをn側電極から見た斜視図である。
【図14】この発明の第3の実施形態による画像表示装置を示す斜視図である。
【図15】この発明の第5の実施形態によるGaN系発光ダイオードを示す平面図および断面図である。
【図16】この発明の第6の実施形態によるGaN系発光ダイオードを示す平面図および断面図である。
【図17】この発明の第7の実施形態によるGaN系発光ダイオードを示す平面図および断面図である。
【図18】この発明の第8の実施形態によるGaN系発光ダイオードを示す平面図および断面図である。
【図19】この発明の第9の実施形態によるGaN系発光ダイオードを示す平面図および断面図である。
【図20】この発明の第10の実施形態によるGaN系発光ダイオードを示す平面図および断面図である。
【図21】従来のGaN系発光ダイオードを示す平面図および断面図である。
【符号の説明】
11…サファイア基板、12…n型GaN層、13…開口部、14…成長マスク、15…活性層、15…n型GaN層、16…p型GaN層、17・・・開口部、18・・・p側電極、19・・・n側電極、20…転位、21…積層欠陥、22、23、24・・・配線
Claims (45)
- 一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも上記結晶部の上記傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
上記第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
上記結晶部上の上記第2導電型の半導体層上に設けられ、上記第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子。 - 上記結晶部はウルツ鉱型の結晶構造を有することを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 上記結晶部は窒化物系III−V族化合物半導体からなることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 上記第1導電型の半導体層、上記活性層および上記第2導電型の半導体層は窒化物系III−V族化合物半導体からなることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 上記傾斜結晶面を構成する上記複数の結晶面はS面であることを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。
- 上記傾斜結晶面を構成する上記複数の結晶面の傾斜角は上記結晶部の底辺から頂点に向かって段階的に小さくなっていることを特徴とする請求項2記載の半導体発光素子。
- 上記傾斜結晶面を構成する上記複数の結晶面のうちの上記頂点を含む結晶面の傾斜角は60度以上65度以下であることを特徴とする請求項6記載の半導体発光素子。
- 上記結晶部は尖塔形状を有することを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 上記結晶部は六角錐状の尖塔形状を有することを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 上記結晶部は上記主面に平行な一方向に細長い形状を有することを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも上記結晶部の上記傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
上記第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
上記結晶部上の上記第2導電型の半導体層上に設けられ、上記第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、
上記第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、
上記成長マスクの上記開口部における上記第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、
上記第2の半導体層を覆うように、少なくとも上記活性層および上記第2導電型の半導体層を順次成長させる工程とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 上記成長マスクは窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化シリコンまたはそれらの積層膜からなることを特徴とする請求項11記載の半導体発光素子の製造方法。
- 上記成長マスクは少なくとも最表面が窒化シリコンからなることを特徴とする請求項11記載の半導体発光素子の製造方法。
- 上記成長マスクの上記開口部の大きさを2μm以上13μm以下とすることを特徴とする請求項11記載の半導体発光素子の製造方法。
- 上記結晶部はウルツ鉱型の結晶構造を有することを特徴とする請求項11記載の半導体発光素子の製造方法。
- 上記結晶部は窒化物系III−V族化合物半導体からなることを特徴とする請求項11記載の半導体発光素子の製造方法。
- 上記第1導電型の半導体層、上記第1の半導体層、上記第2の半導体層、上記活性層および上記第2導電型の半導体層は窒化物系III−V族化合物半導体からなることを特徴とする請求項11記載の半導体発光素子の製造方法。
- 上記傾斜結晶面を構成する上記複数の結晶面はS面であることを特徴とする請求項14記載の半導体発光素子の製造方法。
- 上記傾斜結晶面を構成する上記複数の結晶面の傾斜角は上記結晶部の底辺から頂点に向かって段階的に小さくなっていることを特徴とする請求項15記載の半導体発光素子の製造方法。
- 上記結晶部は尖塔形状を有することを特徴とする請求項11記載の半導体発光素子の製造方法。
- 上記結晶部は六角錐状の尖塔形状を有することを特徴とする請求項11記載の半導体発光素子の製造方法。
- 上記結晶部は上記主面に平行な一方向に細長い形状を有することを特徴とする請求項11記載の半導体発光素子の製造方法。
- 上記選択成長の成長温度を920℃以上960℃以下とすることを特徴とする請求項11記載の半導体発光素子の製造方法。
- 上記選択成長の成長速度を6μm/h以上とすることを特徴とする請求項11記載の半導体発光素子の製造方法。
- 上記活性層および上記第2導電型の半導体層の成長温度を上記第2の半導体層の選択成長の成長温度より低くすることを特徴とする請求項11記載の半導体発光素子の製造方法。
- 上記第2の半導体層をその頂部に上記主面とほぼ平行な結晶面が形成されるように選択成長させた後、上記頂部の上にアンドープの半導体層を成長させるようにしたことを特徴とする請求項11記載の半導体発光素子の製造方法。
- 上記成長マスクの上記開口部における上記第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、上記第2の半導体層を覆うように、少なくとも上記活性層および上記第2導電型の半導体層を順次成長させる工程との間に、上記成長マスクを除去する工程を有することを特徴とする請求項11記載の半導体発光素子の製造方法。
- 一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも上記結晶部の上記傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
上記第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
上記結晶部上の上記第2導電型の半導体層上に設けられ、上記第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する複数の半導体発光素子が集積された集積型半導体発光装置。 - 一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも上記結晶部の上記傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
上記第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
上記結晶部上の上記第2導電型の半導体層上に設けられ、上記第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する複数の半導体発光素子が集積された集積型半導体発光装置の製造方法であって、
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、
上記第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、
上記成長マスクの上記開口部における上記第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、
上記第2の半導体層を覆うように、少なくとも上記活性層および上記第2導電型の半導体層を順次成長させる工程とを有する
ことを特徴とする集積型半導体発光装置の製造方法。 - 上記成長マスクの上記開口部の大きさを上記半導体発光素子の大きさの1/4倍以上1倍以下とすることを特徴とする請求項29記載の集積型半導体発光装置の製造方法。
- 上記成長マスクの上記開口部の間隔を上記半導体発光素子の大きさの2倍以上とすることを特徴とする請求項29記載の集積型半導体発光装置の製造方法。
- 上記成長マスクの上記開口部の大きさを2μm以上13μm以下とすることを特徴とする請求項29記載の集積型半導体発光装置の製造方法。
- 上記成長マスクの上記開口部の間隔を10μm以上とすることを特徴とする請求項29記載の集積型半導体発光装置の製造方法。
- 一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも上記結晶部の上記傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
上記第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
上記結晶部上の上記第2導電型の半導体層上に設けられ、上記第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する複数の半導体発光素子が集積された画像表示装置。 - 一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも上記結晶部の上記傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
上記第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
上記結晶部上の上記第2導電型の半導体層上に設けられ、上記第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する複数の半導体発光素子が集積された画像表示装置の製造方法であって、
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、
上記第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、
上記成長マスクの上記開口部における上記第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、
上記第2の半導体層を覆うように、少なくとも上記活性層および上記第2導電型の半導体層を順次成長させる工程とを有する
ことを特徴とする画像表示装置の製造方法。 - 一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも上記結晶部の上記傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
上記第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
上記結晶部上の上記第2導電型の半導体層上に設けられ、上記第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する一つの半導体発光素子または集積された複数の半導体発光素子を有する照明装置。 - 一主面に、この主面に対して傾斜しかつ互いに傾斜角が異なる複数の結晶面からなり、全体として凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも上記結晶部の上記傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
上記第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
上記結晶部上の上記第2導電型の半導体層上に設けられ、上記第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する一つの半導体発光素子または集積された複数の半導体発光素子を有する照明装置の製造方法であって、
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、
上記第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、
上記成長マスクの上記開口部における上記第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、
上記第2の半導体層を覆うように、少なくとも上記活性層および上記第2導電型の半導体層を順次成長させる工程とを有する
ことを特徴とする照明装置の製造方法。 - 一主面に、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも上記結晶部の上記傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
上記第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
上記結晶部上の上記第2導電型の半導体層上に設けられ、上記第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子。 - 一主面に、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも上記結晶部の上記傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
上記第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
上記結晶部上の上記第2導電型の半導体層上に設けられ、上記第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する半導体発光素子の製造方法であって、
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、
上記第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、
上記成長マスクの上記開口部における上記第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、
上記第2の半導体層を覆うように、少なくとも上記活性層および上記第2導電型の半導体層を順次成長させる工程とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 一主面に、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも上記結晶部の上記傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
上記第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
上記結晶部上の上記第2導電型の半導体層上に設けられ、上記第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する複数の半導体発光素子が集積された集積型半導体発光装置。 - 一主面に、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも上記結晶部の上記傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
上記第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
上記結晶部上の上記第2導電型の半導体層上に設けられ、上記第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する複数の半導体発光素子が集積された集積型半導体発光装置の製造方法であって、
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、
上記第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、
上記成長マスクの上記開口部における上記第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、
上記第2の半導体層を覆うように、少なくとも上記活性層および上記第2導電型の半導体層を順次成長させる工程とを有する
ことを特徴とする集積型半導体発光装置の製造方法。 - 一主面に、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも上記結晶部の上記傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
上記第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
上記結晶部上の上記第2導電型の半導体層上に設けられ、上記第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する複数の半導体発光素子が集積された画像表示装置。 - 一主面に、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも上記結晶部の上記傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
上記第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
上記結晶部上の上記第2導電型の半導体層上に設けられ、上記第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する複数の半導体発光素子が集積された画像表示装置の製造方法であって、
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、
上記第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、
上記成長マスクの上記開口部における上記第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、
上記第2の半導体層を覆うように、少なくとも上記活性層および上記第2導電型の半導体層を順次成長させる工程とを有する
ことを特徴とする画像表示装置の製造方法。 - 一主面に、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも上記結晶部の上記傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
上記第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
上記結晶部上の上記第2導電型の半導体層上に設けられ、上記第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する一つの半導体発光素子または集積された複数の半導体発光素子を有する照明装置。 - 一主面に、この主面に対して傾斜し、全体としてほぼ凸面をなす傾斜結晶面を有する凸形状の結晶部を有する第1導電型の半導体層と、
少なくとも上記結晶部の上記傾斜結晶面上に順次積層された、少なくとも活性層および第2導電型の半導体層と、
上記第1導電型の半導体層と電気的に接続された第1の電極と、
上記結晶部上の上記第2導電型の半導体層上に設けられ、上記第2導電型の半導体層と電気的に接続された第2の電極とを有する一つの半導体発光素子または集積された複数の半導体発光素子を有する照明装置の製造方法であって、
基板上に第1導電型の第1の半導体層を成長させる工程と、
上記第1の半導体層上に、所定部分に開口部を有する成長マスクを形成する工程と、
上記成長マスクの上記開口部における上記第1の半導体層上に第1導電型の第2の半導体層を選択成長させる工程と、
上記第2の半導体層を覆うように、少なくとも上記活性層および上記第2導電型の半導体層を順次成長させる工程とを有する
ことを特徴とする照明装置の製造方法。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003077703A JP2004288799A (ja) | 2003-03-20 | 2003-03-20 | 半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法 |
KR1020057019508A KR100991115B1 (ko) | 2003-03-20 | 2003-04-16 | 부유법에 의한 수처리 장치 |
PCT/JP2004/001952 WO2004084318A1 (ja) | 2003-03-20 | 2004-02-19 | 半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法 |
EP04712715A EP1605522A1 (en) | 2003-03-20 | 2004-02-19 | Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing same; integrated semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same; image display and method for manufacturing same; and illuminating device and method for manufacturing same |
KR1020047018168A KR20050106356A (ko) | 2003-03-20 | 2004-02-19 | 반도체 발광소자 및 그 제조 방법, 집적형 반도체 발광장치 및 그 제조 방법, 화상 표시장치 및 그 제조 방법과조명 장치 및 그 제조 방법 |
CNB2004800003589A CN100442550C (zh) | 2003-03-20 | 2004-02-19 | 半导体发光元件及其制法,集成半导体发光元件及其制法,图像显示装置及其制法,照明装置及其制法 |
US10/512,131 US7250320B2 (en) | 2003-03-20 | 2004-02-19 | Semiconductor light emitting element, manufacturing method thereof, integrated semiconductor light emitting device, manufacturing method thereof, image display device, manufacturing method thereof, illuminating device and manufacturing method thereof |
TW093107109A TWI242892B (en) | 2003-03-20 | 2004-03-17 | Semiconductor light-emitting element, integrated semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same; image display and method for manufacturing same; and illuminating device and method for manufacturing same |
US11/691,299 US20070187704A1 (en) | 2003-03-20 | 2007-03-26 | Semiconductor light emitting element, manufacturing method thereof, integrated semiconductor light emitting device, manufacturing method thereof, image display device, manufacturing method thereof, illuminating device and manufacturing method thereof |
US11/691,292 US20070190677A1 (en) | 2003-03-20 | 2007-03-26 | Semiconductor light emitting element, manufacturing method thereof, integrated semiconductor light emitting device, manufacturing method thereof, image display device, manufacturing method thereof, illuminating device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003077703A JP2004288799A (ja) | 2003-03-20 | 2003-03-20 | 半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004288799A true JP2004288799A (ja) | 2004-10-14 |
JP2004288799A5 JP2004288799A5 (ja) | 2006-01-19 |
Family
ID=33027957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003077703A Abandoned JP2004288799A (ja) | 2003-03-20 | 2003-03-20 | 半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7250320B2 (ja) |
EP (1) | EP1605522A1 (ja) |
JP (1) | JP2004288799A (ja) |
KR (2) | KR100991115B1 (ja) |
CN (1) | CN100442550C (ja) |
TW (1) | TWI242892B (ja) |
WO (1) | WO2004084318A1 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006147679A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Sony Corp | 集積型発光ダイオード、集積型発光ダイオードの製造方法、発光ダイオードディスプレイおよび発光ダイオード照明装置 |
JP2006332650A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Lg Electronics Inc | ロッド型発光素子及びその製造方法 |
WO2007094490A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2007288139A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-11-01 | Sumitomo Chemical Co Ltd | モノシリック発光デバイス及びその駆動方法 |
JP2008042176A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体の選択成長方法、窒化物発光素子及びその製造方法 |
JP2009543372A (ja) * | 2006-07-10 | 2009-12-03 | アルカテル−ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド | 発光結晶構造体 |
KR100956456B1 (ko) | 2008-01-31 | 2010-05-06 | 주식회사 에피밸리 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
US11387392B2 (en) | 2018-12-25 | 2022-07-12 | Nichia Corporation | Light-emitting device and display device |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3988429B2 (ja) * | 2001-10-10 | 2007-10-10 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子、画像表示装置及び照明装置とその製造方法 |
JP3900273B2 (ja) * | 2002-09-04 | 2007-04-04 | ソニー株式会社 | 光学式ヘッド装置及び情報処理装置 |
JP2004288799A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法 |
US6986693B2 (en) * | 2003-03-26 | 2006-01-17 | Lucent Technologies Inc. | Group III-nitride layers with patterned surfaces |
US8294166B2 (en) * | 2006-12-11 | 2012-10-23 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
US20080149949A1 (en) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | The Regents Of The University Of California | Lead frame for transparent and mirrorless light emitting diodes |
JP4140606B2 (ja) * | 2005-01-11 | 2008-08-27 | ソニー株式会社 | GaN系半導体発光素子の製造方法 |
KR100649769B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2006-11-27 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
US7982205B2 (en) * | 2006-01-12 | 2011-07-19 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | III-V group compound semiconductor light-emitting diode |
SG140473A1 (en) * | 2006-08-16 | 2008-03-28 | Tinggi Tech Private Ltd | Improvements in external light efficiency of light emitting diodes |
KR100755610B1 (ko) * | 2006-09-12 | 2007-09-06 | 삼성전기주식회사 | 피라미드 구조를 갖는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
WO2008079078A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Qunano Ab | Elevated led and method of producing such |
CN102255018B (zh) | 2006-12-22 | 2013-06-19 | 昆南诺股份有限公司 | 带有直立式纳米线结构的led及其制作方法 |
WO2008085129A1 (en) | 2007-01-12 | 2008-07-17 | Qunano Ab | Nitride nanowires and method of producing such |
KR101524319B1 (ko) * | 2007-01-12 | 2015-06-10 | 큐나노 에이비 | 시준 리플렉터를 갖는 나노구조 led 어레이 |
KR100905859B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2009-07-02 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
KR101491139B1 (ko) * | 2007-12-20 | 2015-02-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JPWO2009118979A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2011-07-21 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体発光装置 |
JP4692581B2 (ja) * | 2008-06-09 | 2011-06-01 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法および表示装置 |
KR20100024231A (ko) * | 2008-08-25 | 2010-03-05 | 삼성전자주식회사 | 광추출 효율이 향상된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법 |
JP2012502482A (ja) * | 2008-09-08 | 2012-01-26 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 電気的に画素化された発光素子 |
JP4692602B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2011-06-01 | 住友電気工業株式会社 | 窒化ガリウム系エピタキシャルウエハ、およびエピタキシャルウエハを作製する方法 |
WO2010056596A2 (en) | 2008-11-13 | 2010-05-20 | 3M Innovative Properties Company | Electrically pixelated luminescent device incorporating optical elements |
KR101047634B1 (ko) | 2008-11-24 | 2011-07-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR20100073757A (ko) * | 2008-12-23 | 2010-07-01 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 로드를 이용한 발광소자 및 그 제조방법 |
CN102185070A (zh) * | 2011-05-06 | 2011-09-14 | 西安神光安瑞光电科技有限公司 | 发光二极管及其制备方法 |
US8809875B2 (en) * | 2011-11-18 | 2014-08-19 | LuxVue Technology Corporation | Micro light emitting diode |
CN102593298B (zh) * | 2012-03-15 | 2015-04-29 | 矽光光电科技(上海)有限公司 | 一种发光器件 |
US8921141B2 (en) * | 2012-09-18 | 2014-12-30 | Glo Ab | Nanopyramid sized opto-electronic structure and method for manufacturing of same |
DE102012223986B4 (de) * | 2012-12-20 | 2015-04-09 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Template für laterales Überwachsen mindestens einer Gruppe-III-Nitrid-basierten Schicht |
KR101554032B1 (ko) * | 2013-01-29 | 2015-09-18 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
KR101581438B1 (ko) * | 2014-04-10 | 2015-12-31 | (재)한국나노기술원 | 나노막대를 이용한 백색 발광소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 나노막대를 이용한 백색 발광소자 |
US10543486B2 (en) | 2014-10-31 | 2020-01-28 | eLux Inc. | Microperturbation assembly system and method |
US9825202B2 (en) | 2014-10-31 | 2017-11-21 | eLux, Inc. | Display with surface mount emissive elements |
US10236279B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-03-19 | eLux, Inc. | Emissive display with light management system |
US10381332B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-08-13 | eLux Inc. | Fabrication method for emissive display with light management system |
US10381335B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-08-13 | ehux, Inc. | Hybrid display using inorganic micro light emitting diodes (uLEDs) and organic LEDs (OLEDs) |
US10418527B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-09-17 | eLux, Inc. | System and method for the fluidic assembly of emissive displays |
US10520769B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-12-31 | eLux, Inc. | Emissive display with printed light modification structures |
US10319878B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-06-11 | eLux, Inc. | Stratified quantum dot phosphor structure |
US10242977B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-03-26 | eLux, Inc. | Fluid-suspended microcomponent harvest, distribution, and reclamation |
US10446728B2 (en) | 2014-10-31 | 2019-10-15 | eLux, Inc. | Pick-and remove system and method for emissive display repair |
US10535640B2 (en) | 2014-10-31 | 2020-01-14 | eLux Inc. | System and method for the fluidic assembly of micro-LEDs utilizing negative pressure |
CN104795324A (zh) * | 2015-02-06 | 2015-07-22 | 中山大学 | 一种三族氮化物肖特基势垒二极管的生长及制备方法 |
DE102015121554B4 (de) | 2015-12-10 | 2022-01-13 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
KR102555005B1 (ko) * | 2016-11-24 | 2023-07-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 및 반도체 발광 소자의 제조 방법 |
KR101866220B1 (ko) * | 2016-11-28 | 2018-06-12 | 주식회사 그렌텍 | 대용량 살균수 생성 시스템 |
CN107316922B (zh) * | 2017-05-24 | 2018-12-25 | 太原理工大学 | 基于GaN六棱锥阵列的LED外延结构及其制备方法 |
US11594859B2 (en) | 2017-07-18 | 2023-02-28 | Sony Corporation | Light emitting element and light emitting element array |
US10593757B2 (en) | 2018-04-25 | 2020-03-17 | Globalfoundries Inc. | Integrated circuits having converted self-aligned epitaxial etch stop |
CN109411583B (zh) * | 2018-11-01 | 2020-12-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光单元及其制造方法、显示装置 |
US20210217884A1 (en) * | 2018-12-07 | 2021-07-15 | Gan Systems Inc. | GaN HEMT DEVICE STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION |
CN111463330B (zh) * | 2019-01-18 | 2022-07-29 | 成都辰显光电有限公司 | 微型发光二极管芯片及其制造方法与转移方法 |
US11610868B2 (en) | 2019-01-29 | 2023-03-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | μ-LED, μ-LED device, display and method for the same |
US11302248B2 (en) | 2019-01-29 | 2022-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | U-led, u-led device, display and method for the same |
US11271143B2 (en) | 2019-01-29 | 2022-03-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | μ-LED, μ-LED device, display and method for the same |
US11156759B2 (en) | 2019-01-29 | 2021-10-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | μ-LED, μ-LED device, display and method for the same |
US11538852B2 (en) | 2019-04-23 | 2022-12-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | μ-LED, μ-LED device, display and method for the same |
CN109994579B (zh) * | 2019-04-30 | 2020-12-25 | 成都辰显光电有限公司 | 微型led显示面板的制备方法和微型led显示面板 |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
US20230387346A1 (en) * | 2020-11-18 | 2023-11-30 | Enkris Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure and manufacturing method therefor, and light-emitting device and manufacturing method therefor |
CN113097366B (zh) * | 2021-03-24 | 2022-04-15 | 广东良友科技有限公司 | 一种倒装双面封装全周发光led支架及制备方法 |
Family Cites Families (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5692577A (en) | 1979-12-26 | 1981-07-27 | Fujitsu Ltd | Lighttemittinggdiode display panel |
JPS5745583A (en) | 1980-09-01 | 1982-03-15 | Tokyo Shibaura Electric Co | Solid state light emitting display unit |
JPS5752072A (en) | 1980-09-16 | 1982-03-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | Display unit |
JPS5752071A (en) | 1980-09-16 | 1982-03-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | Display unit |
JPS5752073A (en) | 1980-09-16 | 1982-03-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of producing display unit |
JPS5850577A (ja) | 1981-09-22 | 1983-03-25 | 株式会社東芝 | デイスプレイ装置 |
JPS61156780A (ja) | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Toshiba Corp | 発光素子整列組立体の製造方法 |
JPS63188938A (ja) | 1987-01-31 | 1988-08-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 |
JP2577089B2 (ja) | 1988-11-10 | 1997-01-29 | 日本板硝子株式会社 | 発光装置およびその駆動方法 |
EP0405757A3 (en) | 1989-06-27 | 1991-01-30 | Hewlett-Packard Company | High efficiency light-emitting diode |
EP0410695B1 (en) * | 1989-07-25 | 2001-10-24 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Light-emitting device |
JPH0645648A (ja) | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Omron Corp | 上面出射型半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。 |
JPH0667044A (ja) | 1992-08-21 | 1994-03-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光回路・電気回路混載基板 |
JPH07199829A (ja) | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Harrison Denki Kk | 発光ユニットおよび表示装置ならびに照明装置 |
US5385866A (en) | 1994-06-22 | 1995-01-31 | International Business Machines Corporation | Polish planarizing using oxidized boron nitride as a polish stop |
US5814839A (en) * | 1995-02-16 | 1998-09-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device having a current adjusting layer and a uneven shape light emitting region, and method for producing same |
JP3571401B2 (ja) | 1995-03-16 | 2004-09-29 | ローム株式会社 | 半導体発光素子の製法 |
JPH08288544A (ja) * | 1995-04-14 | 1996-11-01 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP3599896B2 (ja) * | 1995-05-19 | 2004-12-08 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法 |
JPH09129974A (ja) | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP2830814B2 (ja) | 1996-01-19 | 1998-12-02 | 日本電気株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法、及び半導体レーザの製造方法 |
CA2255964C (en) | 1996-05-23 | 2007-02-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Lighting device for signalling, identification or marking |
JP3809681B2 (ja) | 1996-08-27 | 2006-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | 剥離方法 |
US5828088A (en) * | 1996-09-05 | 1998-10-27 | Astropower, Inc. | Semiconductor device structures incorporating "buried" mirrors and/or "buried" metal electrodes |
JP3139445B2 (ja) | 1997-03-13 | 2001-02-26 | 日本電気株式会社 | GaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体膜 |
JP3863962B2 (ja) | 1997-03-25 | 2006-12-27 | シャープ株式会社 | 窒化物系iii−v族化合物半導体発光素子とその製造方法 |
JPH10265297A (ja) | 1997-03-26 | 1998-10-06 | Shiro Sakai | GaNバルク単結晶の製造方法 |
JPH10321910A (ja) | 1997-05-16 | 1998-12-04 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP3517091B2 (ja) * | 1997-07-04 | 2004-04-05 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | 窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法 |
JPH1175019A (ja) | 1997-09-01 | 1999-03-16 | Nikon Corp | 光源装置及び画像読取装置 |
JPH11177138A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Stanley Electric Co Ltd | 面実装型装置およびこれを用いた発光装置または受光装置 |
US6091085A (en) | 1998-02-19 | 2000-07-18 | Agilent Technologies, Inc. | GaN LEDs with improved output coupling efficiency |
JPH11238687A (ja) | 1998-02-20 | 1999-08-31 | Ricoh Co Ltd | 半導体基板および半導体発光素子 |
JP3876518B2 (ja) | 1998-03-05 | 2007-01-31 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 |
JP4083866B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2008-04-30 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
JP4127426B2 (ja) | 1998-05-29 | 2008-07-30 | シチズン電子株式会社 | チップ型半導体のパッケージ構造および製造方法 |
JP3196833B2 (ja) | 1998-06-23 | 2001-08-06 | 日本電気株式会社 | Iii−v族化合物半導体の成長方法及びこの方法を用いた半導体発光素子の製造方法 |
TW418549B (en) * | 1998-06-26 | 2001-01-11 | Sharp Kk | Crystal growth method for nitride semiconductor, nitride semiconductor light emitting device, and method for producing the same |
JP2000068593A (ja) | 1998-08-25 | 2000-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2000150391A (ja) | 1998-11-11 | 2000-05-30 | Shiro Sakai | 集束イオンビームのマスク加工による結晶の選択成長法 |
JP3796060B2 (ja) | 1998-12-15 | 2006-07-12 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
JP2000223417A (ja) | 1999-01-28 | 2000-08-11 | Sony Corp | 半導体の成長方法、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP4573374B2 (ja) | 1999-05-21 | 2010-11-04 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
JP4449113B2 (ja) | 1999-09-10 | 2010-04-14 | ソニー株式会社 | 2次元表示装置 |
JP2001217503A (ja) | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | GaN系半導体発光素子およびその製造方法 |
JP3882539B2 (ja) | 2000-07-18 | 2007-02-21 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法、並びに画像表示装置 |
JP2002185660A (ja) | 2000-12-11 | 2002-06-28 | Canon Inc | 画像通信装置 |
JP2002261327A (ja) | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Sony Corp | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
JP3899936B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2007-03-28 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2004288799A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Sony Corp | 半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法 |
-
2003
- 2003-03-20 JP JP2003077703A patent/JP2004288799A/ja not_active Abandoned
- 2003-04-16 KR KR1020057019508A patent/KR100991115B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-02-19 EP EP04712715A patent/EP1605522A1/en not_active Withdrawn
- 2004-02-19 KR KR1020047018168A patent/KR20050106356A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-02-19 CN CNB2004800003589A patent/CN100442550C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-19 US US10/512,131 patent/US7250320B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-19 WO PCT/JP2004/001952 patent/WO2004084318A1/ja active Application Filing
- 2004-03-17 TW TW093107109A patent/TWI242892B/zh not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-03-26 US US11/691,292 patent/US20070190677A1/en not_active Abandoned
- 2007-03-26 US US11/691,299 patent/US20070187704A1/en not_active Abandoned
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006147679A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Sony Corp | 集積型発光ダイオード、集積型発光ダイオードの製造方法、発光ダイオードディスプレイおよび発光ダイオード照明装置 |
JP2006332650A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Lg Electronics Inc | ロッド型発光素子及びその製造方法 |
GB2449595B (en) * | 2006-02-16 | 2010-01-27 | Sumitomo Chemical Co | Group III nitride semiconductor light emitting device and method for producing the same |
WO2007094490A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
US8097891B2 (en) | 2006-02-16 | 2012-01-17 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Group III nitride semiconductor light emitting device and method for producing the same |
GB2449595A (en) * | 2006-02-16 | 2008-11-26 | Sumitomo Chemical Co | Group III nitride semiconductor light emitting device and process for producing the same |
JP2007288139A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-11-01 | Sumitomo Chemical Co Ltd | モノシリック発光デバイス及びその駆動方法 |
JP2009543372A (ja) * | 2006-07-10 | 2009-12-03 | アルカテル−ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド | 発光結晶構造体 |
JP4574648B2 (ja) * | 2006-08-09 | 2010-11-04 | 三星電機株式会社 | 窒化物半導体の選択成長方法、窒化物発光素子及びその製造方法 |
JP2008042176A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体の選択成長方法、窒化物発光素子及びその製造方法 |
US8536026B2 (en) | 2006-08-09 | 2013-09-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Selective growth method, nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same |
KR100956456B1 (ko) | 2008-01-31 | 2010-05-06 | 주식회사 에피밸리 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
US11387392B2 (en) | 2018-12-25 | 2022-07-12 | Nichia Corporation | Light-emitting device and display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070187704A1 (en) | 2007-08-16 |
EP1605522A1 (en) | 2005-12-14 |
US7250320B2 (en) | 2007-07-31 |
TWI242892B (en) | 2005-11-01 |
KR100991115B1 (ko) | 2010-11-02 |
KR20050106356A (ko) | 2005-11-09 |
KR20050110712A (ko) | 2005-11-23 |
CN1698213A (zh) | 2005-11-16 |
US20070190677A1 (en) | 2007-08-16 |
US20050145865A1 (en) | 2005-07-07 |
TW200514279A (en) | 2005-04-16 |
WO2004084318A1 (ja) | 2004-09-30 |
CN100442550C (zh) | 2008-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004288799A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法 | |
US7002182B2 (en) | Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit | |
JP4016985B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法 | |
JP5270088B2 (ja) | 垂直型発光素子及びその製造方法 | |
JP3815335B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
KR101173072B1 (ko) | 경사진 기판 상의 고품질 비극성/반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
WO2009102033A1 (ja) | エピタキシャル成長用基板、GaN系半導体膜の製造方法、GaN系半導体膜、GaN系半導体発光素子の製造方法およびGaN系半導体発光素子 | |
KR101118268B1 (ko) | 요철 패턴 기판 상의 고품질 비극성/반극성 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2002100805A (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
JP2001313259A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び半導体素子 | |
JP2007184411A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法 | |
JP2003218389A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP4406999B2 (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子 | |
JP3884969B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP4743989B2 (ja) | 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体基板の製造方法 | |
JP2005142415A (ja) | GaN系III−V族化合物半導体層の選択成長方法、半導体発光素子の製造方法および画像表示装置の製造方法 | |
JP5314257B2 (ja) | 低欠陥の半導体基板、半導体発光素子、およびそれらの製造方法 | |
JP4548117B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法、集積型半導体発光装置の製造方法、画像表示装置の製造方法および照明装置の製造方法 | |
JP2005252086A (ja) | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、集積型半導体発光装置の製造方法、集積型半導体発光装置、画像表示装置の製造方法、画像表示装置、照明装置の製造方法および照明装置 | |
JP2004119964A (ja) | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、集積型半導体発光装置の製造方法、集積型半導体発光装置、画像表示装置の製造方法、画像表示装置、照明装置の製造方法および照明装置 | |
JP2000332293A (ja) | Iii−v族窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2006054381A (ja) | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、集積型半導体発光装置の製造方法、集積型半導体発光装置、画像表示装置の製造方法、画像表示装置、照明装置の製造方法および照明装置 | |
JP2007300146A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20041224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051128 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080929 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20090817 |