JPS61156780A - 発光素子整列組立体の製造方法 - Google Patents
発光素子整列組立体の製造方法Info
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- JPS61156780A JPS61156780A JP59274621A JP27462184A JPS61156780A JP S61156780 A JPS61156780 A JP S61156780A JP 59274621 A JP59274621 A JP 59274621A JP 27462184 A JP27462184 A JP 27462184A JP S61156780 A JPS61156780 A JP S61156780A
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- light
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- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は絶縁基板上に発光素子及びこの発光素子の光度
調整用の抵抗体を各々複数個組合わせて配設してなる発
光素子整列組立体の製造方法に係り、特に配設された発
光素子の発光光度の均一化を図る方法に関する。
調整用の抵抗体を各々複数個組合わせて配設してなる発
光素子整列組立体の製造方法に係り、特に配設された発
光素子の発光光度の均一化を図る方法に関する。
[発明の技術的前Ill
従来、小型化及び半導体化された複写機、ファクシミリ
等に於いては、COD (電荷結合素子)、アモルファ
スシリコン素子等の受光用素子と組合わせて、発光用光
源として第3図に示すような発光素子整列組立体(以下
、LEDアレイと称す。)が使われている。
等に於いては、COD (電荷結合素子)、アモルファ
スシリコン素子等の受光用素子と組合わせて、発光用光
源として第3図に示すような発光素子整列組立体(以下
、LEDアレイと称す。)が使われている。
上記しεDアレイは、駆動回路との関係で、第3図に示
すようなn個の発光素子(以下、LEDと称する)11
と1個の抵抗Rを1単位として「複数単位のしED11
+抵抗R」抵抗−電源により駆動することが多い。また
、同図中の抵抗Rは、駆動電圧、L E D 11の数
と、必要光度等によりその値(抵抗値)が決定され、全
てのLED11+抵抗R単位について同値のものが使用
されることが多い。
すようなn個の発光素子(以下、LEDと称する)11
と1個の抵抗Rを1単位として「複数単位のしED11
+抵抗R」抵抗−電源により駆動することが多い。また
、同図中の抵抗Rは、駆動電圧、L E D 11の数
と、必要光度等によりその値(抵抗値)が決定され、全
てのLED11+抵抗R単位について同値のものが使用
されることが多い。
次に、従来のLEDアレイの具体的な構造について説明
する。第4図は第5図(a)〜(C)に示すしEDアレ
イの抵抗部分を拡大して示すものである。このLEDア
レイ21に於いて、各LED11は第5図に示した絶縁
基板31の配線パターン22上の所定の位置にマウント
剤により接続固定され、次いで金属細線23により他の
配線パターン24上にボンディング接続されている。ま
た、絶縁基板上には、n個例えば4個のLEDll、1
1・・・を単位としてチップ抵抗25が取着されている
。さらに、LEDll、11・・・は第5図に示すよう
に、各しEDllの射出光を分離遮蔽すると共に各LE
D21の射出光を効率良く反射するための枠体32によ
り囲繞され、さらに集光用の棒状レンズ体33により覆
われている。
する。第4図は第5図(a)〜(C)に示すしEDアレ
イの抵抗部分を拡大して示すものである。このLEDア
レイ21に於いて、各LED11は第5図に示した絶縁
基板31の配線パターン22上の所定の位置にマウント
剤により接続固定され、次いで金属細線23により他の
配線パターン24上にボンディング接続されている。ま
た、絶縁基板上には、n個例えば4個のLEDll、1
1・・・を単位としてチップ抵抗25が取着されている
。さらに、LEDll、11・・・は第5図に示すよう
に、各しEDllの射出光を分離遮蔽すると共に各LE
D21の射出光を効率良く反射するための枠体32によ
り囲繞され、さらに集光用の棒状レンズ体33により覆
われている。
[背景技術の問題点]
上記のようなLEDアレイに於いて使用されるチップ抵
抗25の抵抗値は、駆動電圧、必要光度等によってその
値が決定され、一定抵抗値の抵抗が予め、若しくはL
E D 11の接続配線後に絶縁基板31上に主に半田
を使用して取着される。
抗25の抵抗値は、駆動電圧、必要光度等によってその
値が決定され、一定抵抗値の抵抗が予め、若しくはL
E D 11の接続配線後に絶縁基板31上に主に半田
を使用して取着される。
しかしながら、前記一定抵抗値のチップ抵抗25を取着
したLEDアレイ21に於いては、LED11自体の発
光効率のばらつきにより第6図にaで示すように、光軸
上(第5図のx−X方向、すなわらLEDの整列方向)
の光度(相対強度)のばらつきとなり、その結果同−L
EDアレイ21内の光度にむらが発生するという欠点が
あった。
したLEDアレイ21に於いては、LED11自体の発
光効率のばらつきにより第6図にaで示すように、光軸
上(第5図のx−X方向、すなわらLEDの整列方向)
の光度(相対強度)のばらつきとなり、その結果同−L
EDアレイ21内の光度にむらが発生するという欠点が
あった。
[発明の目的]
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的は
、各発光素子の発光強度を均一化できる発光素子整列組
立体の製造方法を提供することにある。
、各発光素子の発光強度を均一化できる発光素子整列組
立体の製造方法を提供することにある。
[発明の概要1
本発明は、絶縁基板上に発光素子及びこの発光素子の光
度調整用の抵抗体を各々複数個組合わせて配設してなる
発光素子整列組立体の製造方法に於いて、前記絶縁基板
上に厚膜印刷により抵抗体を形成し、さらに絶縁基板上
に発光素子をダイマウントし、金属細線により電極配線
した後、前記発光素子を動作させた状態で、電圧一定条
件にて前記発光素子の発光強度が一定となるように前記
抵抗体の抵抗値を調整するものである。
度調整用の抵抗体を各々複数個組合わせて配設してなる
発光素子整列組立体の製造方法に於いて、前記絶縁基板
上に厚膜印刷により抵抗体を形成し、さらに絶縁基板上
に発光素子をダイマウントし、金属細線により電極配線
した後、前記発光素子を動作させた状態で、電圧一定条
件にて前記発光素子の発光強度が一定となるように前記
抵抗体の抵抗値を調整するものである。
〔R朗の実施例]
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第
1図は第2図(a)〜(C)に示すLEDアレイの一部
を拡大して示すものである。同図に於いて、このLED
アレイに於いて、各LED41は第2図に示した絶縁基
板51の配線パターン42上の所定の位置にマウント剤
により接続固定され、次いで金属IBIQ43により他
の配線パターン44上にボンディング接続されている。
1図は第2図(a)〜(C)に示すLEDアレイの一部
を拡大して示すものである。同図に於いて、このLED
アレイに於いて、各LED41は第2図に示した絶縁基
板51の配線パターン42上の所定の位置にマウント剤
により接続固定され、次いで金属IBIQ43により他
の配線パターン44上にボンディング接続されている。
また、絶縁基板上には、nWA例えば4alのL E
D 41.41−・・を単位として調整された抵抗45
が取着されている。さらに、LED41,41・・・は
第2図に示すように、各LED41の射出光を分離遮蔽
すると共に各L E D 41の射出光を効率良く反射
するための枠体52により囲繞され、さらに集光用の棒
状レンズ体53により覆われている。
D 41.41−・・を単位として調整された抵抗45
が取着されている。さらに、LED41,41・・・は
第2図に示すように、各LED41の射出光を分離遮蔽
すると共に各L E D 41の射出光を効率良く反射
するための枠体52により囲繞され、さらに集光用の棒
状レンズ体53により覆われている。
上記LEDアレイは、次のような製造工程により得られ
る。先ず、絶縁基板51上の抵抗配置部分に抵抗用ペー
スト、例えばTU−208(朝日化学研究所製)を印刷
し、焼成することにより抵抗45、45・・・を予備形
成する。次いで、絶縁基板51上の所定配線パターン部
分にLED41,41・・・をそれぞれマウント材料に
より接続固定し、他の配線パターン上に金属11143
をボンディングして回路i形成する。その後、予備形成
した各抵抗45の一部をレーザビーム等により削り取っ
て抵抗値の調整(トリミング)を実施するが、その際に
各LED41、を動作させた状態とし、LED41,4
1・・・全体の発光光度が一定値となるように調整を行
なう。これにより、抵抗値の刺部が可能となり、その結
果第6図にbで示すように、光軸上(第2図のX−X方
向)で光度のばらつきのないしEDアレイが得られる。
る。先ず、絶縁基板51上の抵抗配置部分に抵抗用ペー
スト、例えばTU−208(朝日化学研究所製)を印刷
し、焼成することにより抵抗45、45・・・を予備形
成する。次いで、絶縁基板51上の所定配線パターン部
分にLED41,41・・・をそれぞれマウント材料に
より接続固定し、他の配線パターン上に金属11143
をボンディングして回路i形成する。その後、予備形成
した各抵抗45の一部をレーザビーム等により削り取っ
て抵抗値の調整(トリミング)を実施するが、その際に
各LED41、を動作させた状態とし、LED41,4
1・・・全体の発光光度が一定値となるように調整を行
なう。これにより、抵抗値の刺部が可能となり、その結
果第6図にbで示すように、光軸上(第2図のX−X方
向)で光度のばらつきのないしEDアレイが得られる。
枠体52及びレンズ体53の取着は、前記回路形成後、
L E D 41の光度すなわち抵抗値の調整の前後ど
ちらで実施しても良いが、より実使用上に近い状態とす
るためには、抵抗値調整前に実施することが望ましい。
L E D 41の光度すなわち抵抗値の調整の前後ど
ちらで実施しても良いが、より実使用上に近い状態とす
るためには、抵抗値調整前に実施することが望ましい。
尚、上記実施例に於いては、LEDアレイを用いて説明
したが、これに限定するものではなく、例えばLEDを
縦×横(行X列)に配列させたしEDマトリクスにも適
用できることは勿論である。
したが、これに限定するものではなく、例えばLEDを
縦×横(行X列)に配列させたしEDマトリクスにも適
用できることは勿論である。
[発明の効果]
以上のように本発明によれば、発光素子自体の発光効率
のばらつきがあっても、抵抗体の抵抗値を調整すること
によりその発光強度を均一化でき、信頼性の向上した発
光素子整列組立体を得ることができる。
のばらつきがあっても、抵抗体の抵抗値を調整すること
によりその発光強度を均一化でき、信頼性の向上した発
光素子整列組立体を得ることができる。
第1図は本発明の一実施例に係るLEDアレイの要部を
示す平面図、第2図は同LEDアレイの全体構成を示す
もので、同図(a)は平面図、同図(b)は正面図、同
図(C)は側面図、第3図はLEDアレイの一般的な回
路構成図、第4図は従来のLEDアレイの装部を示す平
面図、第5図は第4図のLEDアレイの全体構成を示す
もので、同図(a)は平面図、同図(b)は正面図、同
図(C)は側面図、第6図はしEDアレイの光度分布状
態を従来例と本発明を比較して示す特性図である。 41・・・LED、42.44・・・配線パターン、4
3・・・金属細線、45・・・抵抗。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1FI 第2図 第4U94
示す平面図、第2図は同LEDアレイの全体構成を示す
もので、同図(a)は平面図、同図(b)は正面図、同
図(C)は側面図、第3図はLEDアレイの一般的な回
路構成図、第4図は従来のLEDアレイの装部を示す平
面図、第5図は第4図のLEDアレイの全体構成を示す
もので、同図(a)は平面図、同図(b)は正面図、同
図(C)は側面図、第6図はしEDアレイの光度分布状
態を従来例と本発明を比較して示す特性図である。 41・・・LED、42.44・・・配線パターン、4
3・・・金属細線、45・・・抵抗。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1FI 第2図 第4U94
Claims (2)
- (1)絶縁基板上に発光素子及びこの発光素子の光度調
整用の抵抗体を各々複数個組合わせて配設してなる発光
素子整列組立体の製造方法に於いて、前記絶縁基板上に
厚膜印刷により抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、前
記絶縁基板上に発光素子をダイマウントし、金属細線に
より電極配線する発光素子配設工程と、前記発光素子を
動作させた状態で、電圧一定条件にて前記発光素子の発
光強度が一定となるように前記抵抗体の抵抗値を調整す
る発光光度調整工程とを具備した発光素子整列組立体の
製造方法。 - (2)前記発光光度調整工程の後、少なくとも発光素子
配設部を光反射性及び光遮蔽性を有する枠体により囲繞
しかつレンズ体により覆ってなる特許請求の範囲第1項
記載の発光素子整列組立体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59274621A JPS61156780A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 発光素子整列組立体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59274621A JPS61156780A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 発光素子整列組立体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61156780A true JPS61156780A (ja) | 1986-07-16 |
Family
ID=17544273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59274621A Pending JPS61156780A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | 発光素子整列組立体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61156780A (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE102008032346A1 (de) * | 2008-07-09 | 2010-01-14 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Leuchtmittel mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtmittels |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP59274621A patent/JPS61156780A/ja active Pending
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