JP2008091448A - 光源装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】予め順方向電圧や光度の選別を必要とせずに発光エリア全体の光量を一定に調整する。
【解決手段】光源装置1は、一対の電極9(アノード電極9a、カソード電極9b)間に半導体発光素子11とトリミング抵抗部10とを配線接続した素子基板3を、一対の電極9とトリミング抵抗部10が窓部8から外部に表出した状態でケース2に収容固設し、半導体発光素子11の実装後に発光エリア6を密閉して発光エリア6の光量をモニタし、このモニタした光量に応じてトリミング抵抗部10をトリミングして抵抗値を可変することにより、発光エリア6全体の光量を一定に調整する。
【選択図】図1
【解決手段】光源装置1は、一対の電極9(アノード電極9a、カソード電極9b)間に半導体発光素子11とトリミング抵抗部10とを配線接続した素子基板3を、一対の電極9とトリミング抵抗部10が窓部8から外部に表出した状態でケース2に収容固設し、半導体発光素子11の実装後に発光エリア6を密閉して発光エリア6の光量をモニタし、このモニタした光量に応じてトリミング抵抗部10をトリミングして抵抗値を可変することにより、発光エリア6全体の光量を一定に調整する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体発光素子を実装し、この半導体発光素子からの光を外部に出射する光源装置に関し、特に半導体発光素子実装後に発光エリア全体の光量を一定に調整することができる光源装置に関するものである。
従来より半導体発光素子(LED)を用いた光源装置は、表示用電球や蛍光灯に比べ、余分な熱を消費せず、寿命も圧倒的に長いという特徴から次世代の照明として注目されており、例えば携帯電話やデジタルビデオカメラ、PDAなどの電子機器のバックライト、大型ディスプレイ、道路表示器などの電子機器の表示用として幅広く普及している。
ところで、この種の光源装置に使用されるチップ状の半導体発光素子は、全てが同じウェハから切り出されたものとは限らず、順方向電圧がそれぞれ異なることの方が一般的である。このため、各半導体発光素子に同一電圧を印加した場合でも発光量が異なる可能性があった。
そこで、上記問題を解決するため、下記特許文献1に開示されるように、複数の半導体発光素子チップ群に対し、固定値の光量調整用抵抗を共通に直列接続し、半導体発光素子チップ群に印加される電圧を調整して各半導体発光素子チップ群の光量を所定量に調整していた。
特開平5−299694号公報
しかしながら、上述した特許文献1に開示される構成では、複数の半導体発光素子チップ群に共通の光量調整用抵抗(固定値)を用いているので、各半導体発光素子チップの順方向電圧(VF)をほぼ一定にする必要があった。このため、均一な特性を有する半導体発光素子チップを予め選別しておかなければならないという問題があった。
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、予め順方向電圧や光度の選別を必要とせずに発光エリア全体の光量を一定に調整することができる光源装置を提供することを目的としている。
本発明の請求項1に係る光源装置は、半導体発光素子を実装し、該半導体発光素子からの光を外部に出射する光源装置において、
前記半導体発光素子が一対の電極間に配線接続された素子実装基板と、
前記一対の電極を外部に表出させるとともに、所定の発光エリアを形成するように前記素子実装基板を収容するケースと、
前記ケースから外部に表出するように前記素子実装基板上に形成され、前記発光エリアから光が漏れないように密閉した状態でモニタされる該発光エリアの光量に応じてトリミングされるトリミング抵抗部と備えたことを特徴とする。
前記半導体発光素子が一対の電極間に配線接続された素子実装基板と、
前記一対の電極を外部に表出させるとともに、所定の発光エリアを形成するように前記素子実装基板を収容するケースと、
前記ケースから外部に表出するように前記素子実装基板上に形成され、前記発光エリアから光が漏れないように密閉した状態でモニタされる該発光エリアの光量に応じてトリミングされるトリミング抵抗部と備えたことを特徴とする。
請求項2に係る光源装置は、請求項1の光源装置において、
前記一対の電極及び前記トリミング抵抗部は、前記発光エリアと分離して前記ケースから外部に表出することを特徴とする
前記一対の電極及び前記トリミング抵抗部は、前記発光エリアと分離して前記ケースから外部に表出することを特徴とする
本発明の光源装置によれば、予め順方向電圧や光度の選別を必要とせず、半導体発光素子の実装後に一対の電極に電圧を印加して発光エリアの光量をモニタし、このモニタした光量に応じてトリミング抵抗部をトリミングすることにより発光エリア全体の光量を一定に調整することができる。
以下、本発明の最良の形態について、添付した図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は本発明に係る光源装置の第1形態の平面図、図2は図1の光源装置の長手方向の側面図、図3は図1の光源装置の短手方向の側面図、図4は図1の光源装置のA−A線断面図、図5は図1の光源装置のB−B線断面図、図6は図1の光源装置の等価回路図、図7は本発明に係る光源装置の第2形態の平面図、図8は図7の光源装置の等価回路図、図9は本発明に係る光源装置の第3形態の平面図、図10は図9の光源装置の等価回路図である。
図1は本発明に係る光源装置の第1形態の平面図、図2は図1の光源装置の長手方向の側面図、図3は図1の光源装置の短手方向の側面図、図4は図1の光源装置のA−A線断面図、図5は図1の光源装置のB−B線断面図、図6は図1の光源装置の等価回路図、図7は本発明に係る光源装置の第2形態の平面図、図8は図7の光源装置の等価回路図、図9は本発明に係る光源装置の第3形態の平面図、図10は図9の光源装置の等価回路図である。
本発明に係る光源装置は、一対の電極(アノード電極、カソード電極)間に半導体発光素子とトリミング抵抗部とを配線接続した素子実装基板を、一対の電極とトリミング抵抗部が外部に表出した状態でケースに固設し、この半導体発光素子の実装後に発光エリアを密閉して発光エリアの光量をモニタし、このモニタした光量に応じてトリミング抵抗部をトリミングして抵抗値を可変することにより、発光エリア全体の光量を一定に調整するものである。
まず、図1〜図6を参照しながら第1形態の光源装置1(1A)の構成について説明する。第1形態の光源装置1Aは、図1〜図5に示すように、本体をなすケース2、素子実装基板3、出射窓板4とを備えて概略構成される。
ケース2は、例えば銅(Cu)、アルミニウム(Al)、ステンレスなどの熱伝導性の良好な金属材料からなる。尚、ケース2の金属材料として、銅(Cu)を選択した場合には、少なくとも後述する開口部5の壁面部分にAgメッキ処理を施して反射率を向上させる。ケース2は、例えばプレス加工、ダイカスト鋳造、拡散接合などの周知の手法を用いて所定形状に形成される。
図4や図5に示すように、ケース2には、底部2aから表面2bに貫通した開口部5が形成される。この開口部5は、底部2a側および表面2b側が矩形状に開口し、これらの間が底部2aから表面2bに向けてテーパを有して開口している。そして、開口部5の表面2b側の矩形部分が発光エリア6を形成している。また、開口部5の底部2a側の矩形部分は、素子実装基板3を収容固定するための基板収容凹部7を形成している。
また、図1や図2に示すように、ケース2の長手方向の端部には、矩形状の窓穴8が開口形成されている。この窓穴8からは、素子実装基板3をケース2の基板収容凹部7に収容固定した状態で後述する一対の電極9(アノード電極9a、カソード電極9b)及びトリミング抵抗部10が表出している。
素子実装基板3は、例えば窒化アルミニウム(AlN)、ガラス成分を多く含むLTCC、アルミナ系セラミックス(Al2 O3 )などの熱伝導性の良好な材料からなる。素子実装基板3の表面3aには、回路構成に応じて所定形状の配線パターン(不図示)が形成されている。この配線パターンは、例えばチタン(Ti)、白金(Pt)、金(Au)の順に蒸着により積層形成される。
また、図1に示すように、素子実装基板3の表面3aの長手方向の手前側両端部には、一対の電極9をなすアノード電極9aとカソード電極9bとが不図示の配線パターンと接続して形成されている。さらに、素子実装基板3の表面3aには、一対の電極9間(図1の例では、カソード電極9b寄り)にトリミング抵抗部10が不図示の配線パターンと接続して形成されている。このトリミング抵抗部10は、例えば窒化タンタル(TaN)や窒化アルミニウム(AlN)などで形成される。
さらに、不図示の配線パターン上には、回路構成に応じた数の半導体発光素子(LED)11が実装される。図1の例では、素子実装基板3の長手方向に12個の半導体発光素子11(11a,11b,11c,11d,11e,11f,11g,11h,11i,11j,11k,11l)が千鳥状に載置固定されている。そして、12個の半導体発光素子11a〜11lは、図6に示す回路を構成するように、不図示の配線パターンを介してアノード電極9aとカソード電極9bとの間に直列に配線接続される。また、カソード電極9b寄りの半導体発光素子11lとカソード電極9bとの間には、トリミング抵抗部10が不図示の配線パターンを介して直列に配線接続される。
尚、本例の光源装置1は、半導体発光素子11の端子と配線パターンとの間をワイヤーボンディングを用いて配線接続するフェイスアップ実装、半導体発光素子11の裏面のアレイ状に並んだバンプ(突起状の端子)によって配線パターンと接続するフリップチップ実装の何れにも対応している。
また、図6の回路図では、アノード電極9aとカソード電極9bとの間の12個の半導体発光素子11a〜11lに対して1つのツェナーダイオードを並列接続しているが、ツェナーダイオードを各半導体発光素子11毎に並列接続しても良い。
素子実装基板3は、開口部5内に全ての半導体発光素子11が臨み、一対の電極9(アノード電極9a、カソード電極9b)及びトリミング抵抗部10が窓穴8から表出した状態で、裏面3bがケース2の底部2aと面一になるように基板収容凹部7に収容して固設される。
出射窓板4は、半導体発光素子11からの光を透過して外部に出射するように、例えば矩形状の透明ガラス等の透光性を有する材料で構成され、ケース2の開口部5の表面を覆い、底部2aから表面3aに向けてテーパを有した空隙部12を素子実装基板3との間の開口部5内に形成し、ケース2の表面2bと面一になるように素子実装基板3と対向して開口部5に固設される。
尚、ケース2と素子実装基板3の固定、ケース2と出射窓板4の固定には、特殊熱伝導性シリコーンゲルが用いられる。この特殊熱伝導性シリコーンゲルは、シリコーンゲルに所定割合でダイヤモンドパウダーを混合したものからなる。
図4や図5に示すように、空隙部12には、半導体発光素子11からの光を色変換する蛍光体13が所定割合で分散混入されたシリコーンゲル14が不図示の貫通穴(ケース2の一側面に設けられる)から封入され、空隙部12内が蛍光体13入りシリコーンゲル14により満たされた状態で不図示の貫通穴が封止される。
シリコーンゲル14に分散混入される蛍光体13は、半導体発光素子11との組み合わせによって所望の色変換光が得られる材料が選定される。例えば色変換光として白色光を得るべく、青色発光する材料(InGaN系化合物)や近紫外発光する材料の半導体発光素子11を使用した場合には、橙色蛍光顔料や橙色蛍光染料が蛍光体13として選定される。
さらに説明すると、蛍光体13は、無機蛍光体が好ましく、半導体発光素子11から入射される光を色変換(波長変換)している。蛍光材13を構成する無機蛍光体として好適な材料としては、例えばA3 B5 O12:M系蛍光体(A:Y,Gd,Lu,Tb,B:Al,Ga,M:Ce3+,Tb3+,Eu3+,Cr3+,Nd3+またはEr3+)、希土類をドープしたバリウム−アルミニウム−マグネシウム系化合物蛍光体(BAM蛍光体)、Y2 O2 S:Eu3+やZnS:Cu,Alなどに代表される硫化物系化合物蛍光体、または(Sr,Ca)S:Eu2+,CaGa2 S4 :Eu2+やSrGa2 S4 :Eu2+などの希土類をドープしたチオガレート系蛍光体、またはTbAlO3 :Ce3+などのアルミン酸塩の少なくとも1つの組成を含有した蛍光体や、(Y,Gd)3 (Al,Ga)5 O12等のYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)系等からなる橙色蛍光顔料や橙色蛍光染料などがある。
また、各無機蛍光体、励起光および波長変換された光の反射を補助するために、例えば硫酸バリウム、酸化マグネシウム、酸化ケイ素などの散乱材を必要に応じて混在させてもよい。さらに、複数の異なる特性を持つ無機蛍光体を混合した混合無機蛍光体を用いても良い。
次に、上記のように構成される光源装置1Aの発光エリア6の光量を調整する場合の動作について説明する。
まず、図6の回路を構成するように、素子実装基板3の表面3aに配線パターン、一対の電極9、トリミング抵抗部10を各々形成して配線パターン上に半導体発光素子11を実装する。そして、半導体発光素子11を実装した素子実装基板3をケース2の基板収容凹部7に収容固定する。この状態で、一対の電極9(アノード電極9a、カソード電極9b)と、トリミング抵抗部10とは、それぞれケース2の窓部8から外部に表出している。また、開口部5には、蛍光体13入りシリコーンゲル14及び出射窓板4が無い状態である。この状態で、発光エリア6から光が漏れないように開口部5の表面を密閉する。その後、アノード電極9aとカソード電極9bとの間に電圧を印加して半導体発光素子11を定電圧駆動する。そして、この半導体発光素子11を定電圧駆動したときの発光エリア6の光量を、例えばフォトダイオードやフォトトランジスタ等の光センサによってモニタする。そして、このモニタした光量に応じてトリミング抵抗部10をレーザによりトリミングして抵抗値を可変する。このトリミング抵抗部10のトリミングによって抵抗値が下がり、発光エリア6の光量が増加して輝度が上がる。そして、このトリミング抵抗部10のトリミングは、発光エリア6の光量をモニタしながら発光エリア6全体から所望の光量が得られるまで繰り返される。
次に、図7〜図10を参照しながら第2形態及び第3形態の光源装置1(1B,1C)の構成について説明する。尚、第1形態の光源装置1Aと同一の構成要素には同一番号を付し、その説明を省略する。
第2形態の光源装置1Bでは、図8に示す回路を構成するように、1つのアノード電極9aを共通として4つのカソード電極9b(9b1,9b2,9b3,9b4)を有し、3個の半導体発光素子11が直列接続されたものを1組の半導体発光素子群21として、4組の半導体発光素子群21A,21B,21C,21Dが各群毎に不図示の配線パターンを介してアノード電極9aとカソード9b(9b1,9b2,9b3,9b4)との間に配線接続される。また、各半導体発光素子群21A〜21Dのカソード電極9b(9b1,9b2,9b3,9b4)寄りの半導体発光素子11(図8の例では、11c,11f,11i,11l)とカソード電極9b(9b1,9b2,9b3,9b4)との間には、各半導体発光素子群21A〜21D毎にトリミング抵抗部10(10a,10b,10c,10d)が不図示の配線パターンを介して直列に配線接続される。そして、上記回路構成により、第2形態の光源装置1Bでは、発光エリア6が4つに発光エリア6a,6b,6c,6dに区分される。
この第2形態の光源装置1Bでは、半導体発光素子11を実装した素子実装基板3をケース2の基板収容凹部7に収容固定する。この状態で、共通のアノード電極9aと、4つのカソード電極9b1,9b2,9b3,9b4と、4つのトリミング抵抗部10a,10b,10c,10dとは、それぞれケース2の窓部8から外部に表出している。この状態で、発光エリア6から光が漏れないように各発光エリア6a,6b,6c,6dを仕切って開口部5の表面を密閉する。その後、1つのアノード電極9aを共通として、このアノード電極9aと4つのカソード電極9b(9b1,9b2,9b3,9b4)との間に電圧を印加して半導体発光素子11を定電圧駆動する。そして、4つに区分された各発光エリア6a,6b,6c,6d毎の光量を光センサによってモニタし、各発光エリア6a,6b,6c,6dの光量が同等の光量になるように各発光エリア6a,6b,6c,6d毎のトリミング抵抗部10をトリミングする。
第3形態の光源装置1Cでは、図10に示す回路を構成するように、3個の半導体発光素子11が直列接続されたものを1組の半導体発光素子群21として、4組の半導体発光素子群21A,21B,21C,21Dが不図示の配線パターンを介して一対の電極(アノード電極9a、カソード電極9b)間に並列に配線接続される。また、各半導体発光素子群21A〜21Dのカソード電極9b寄りの半導体発光素子11(図10の例では、11c,11f,11i,11l)とカソード電極9bとの間には、各々トリミング抵抗部10(10a,10b,10c,10d)が不図示の配線パターンを介して直列に配線接続される。そして、第3形態の光源装置1Bでも第2形態の光源装置1Bと同様に、上記回路構成によって発光エリア6が4つに発光エリア6a,6b,6c,6dに区分される。
この第3形態の光源装置1Cでは、半導体発光素子11を実装した素子実装基板3をケース2の基板収容凹部7に収容固定する。この状態で、一対の電極9(アノード電極9a、カソード電極9b)と、4つのトリミング抵抗部10a,10b,10c,10dとは、それぞれケース2の窓部8から外部に表出している。この状態で、発光エリア6から光が漏れないように各発光エリア6a,6b,6c,6dを仕切って開口部5の表面を密閉する。その後、一対の電極9(アノード電極9aとカソード電極9b)間に電圧を印加して半導体発光素子11を定電圧駆動する。そして、4つに区分された各発光エリア6a,6b,6c,6d毎の光量を光センサによってモニタし、各発光エリア6a,6b,6c,6dの光量が同等の光量になるように各トリミング抵抗部10(10a,10b,10c,10d)をトリミングする。
このように、本例の光源装置1では、半導体発光素子11とトリミング抵抗部10とが素子実装基板3上の一対の電極9間に配線接続され、この素子実装基板3が本体をなすケース2に固設され、半導体発光素子11の実装後に発光エリア6の光量をモニタし、このモニタした光量に応じてトリミング抵抗部10をトリミングして抵抗値を可変することにより、発光エリア6全体の光量を一定に調整している。そして、一対の電極9と、発光エリア6の光量を調整するためのトリミング抵抗部10とは、発光エリア6から分離して外部に表出する構成なので、半導体発光素子11の実装後にトリミング抵抗部10をトリミングして発光エリア6全体の光量を一定に調整することができる。
また、発光エリア6の明るさを一定にしているので、各半導体発光素子11を定電圧駆動でき、一部の半導体発光素子11が切れても過電流とならず、各半導体発光素子11の光量のバラツキが出にくい。
さらに、各半導体発光素子11の順方向電圧(VF)、光度(IV)の選別が不要となり、光源装置1の光度選別も不要になる。
ところで、上述した実施形態では、複数の半導体発光素子11が素子実装基板3上に配線接続された場合を例にとって説明したが、半導体発光素子11が1つのみでも同様の効果を奏する。
また、上述した実施形態では、半導体発光素子11自身の放出光と、半導体発光素子11の放出光を蛍光体13によって色変換した光とを混合した所望色の光を外部に出射する構成として説明したが、シリコーンゲル14に蛍光体13を混入せず、単色による半導体発光素子11自身の放出光を外部に出射する構成としても良い。
さらに、上述した実施形態では、空隙部12に蛍光体13入りシリコーンゲル14を封入する構成として説明したが、空隙部12の形状に合ったシリコーンゴムやシリコーンレジンを空隙部12に設けることもできる。その際、シリコーンゴムやシリコーンレジンに予め蛍光体を混入させておいても良い。
1(1A〜1D) 光源装置
2 ケース
3 素子実装基板
4 出射窓板
5 開口部
6(6a,6b,6c,6d) 発光エリア
7 基板収容凹部
8 窓部
9 一対の電極
9a アノード電極
9b(9b1,9b2,9b3,9b4) カソード電極
10 トリミング抵抗部
11(11a〜11l) 半導体発光素子
12 空隙部
13 蛍光体
14 シリコーンゲル
21(21A〜21D) 半導体発光素子群
2 ケース
3 素子実装基板
4 出射窓板
5 開口部
6(6a,6b,6c,6d) 発光エリア
7 基板収容凹部
8 窓部
9 一対の電極
9a アノード電極
9b(9b1,9b2,9b3,9b4) カソード電極
10 トリミング抵抗部
11(11a〜11l) 半導体発光素子
12 空隙部
13 蛍光体
14 シリコーンゲル
21(21A〜21D) 半導体発光素子群
Claims (2)
- 半導体発光素子を実装し、該半導体発光素子からの光を外部に出射する光源装置において、
前記半導体発光素子が一対の電極間に配線接続された素子実装基板と、
前記一対の電極を外部に表出させるとともに、所定の発光エリアを形成するように前記素子実装基板を収容するケースと、
前記ケースから外部に表出するように前記素子実装基板上に形成され、前記発光エリアから光が漏れないように密閉した状態でモニタされる該発光エリアの光量に応じてトリミングされるトリミング抵抗部と備えたことを特徴とする光源装置。 - 前記一対の電極及び前記トリミング抵抗部は、前記発光エリアと分離して前記ケースから外部に表出することを特徴とする請求項1記載の光源装置。
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