JP2006237409A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 電流制限抵抗による電流の一定制御、あるいは順方向電圧の選別を行っても、最終的な輝度にばらつきが生じるという課題があった。
【解決手段】基板上に発光ダイオードチップを搭載し、前記同一基板上に前記発光ダイオードチップと直列にまたは並列に接続する抵抗器を形成した発光ダイオードにおいて、発光ダイオードチップ101の発光輝度を受光装置111で検出して一定の輝度になるまでレーザー装置112のレーザー照射光113で前記電流制限抵抗102をトリミングする。
【選択図】図1

Description

本発明は発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)に係り、携帯電話あるいはPDA(Personal Digital Assistance)機器の点灯表示用、広くは検出制御用、照明用に適用できる発光ダイオード及びその製造方法に関する。
近年発光ダイオードの利用はめざましく、点灯表示用から情報処理装置、生物育成にまで応用範囲は広がっている。また、最も効率の良い照明用としての発展も期待されている。
発光ダイオードの発光の強さや波長は半導体のPN接合構造、すなわち材質やバンドギャップの大きさにより決まるが、その組み合わせは無限に近い。また、発光ダイオード製造時の条件、すなわちドープする不純物や生成する膜厚の制御は必ずしも一定ということは無く、同時に作製する1枚の発光ダイオード集積回路基板内であってもその電圧特性や輝度には多少のバラツキが生じてしまう。
このため、発光ダイオードを点灯する回路は一般的には発光ダイオード1個毎に個別の電流制御を行うことが多いが、複数個の発光ダイオードを直列あるいは並列接続使用の必要性もあることから、これまでは発光ダイオードの特性を1個毎に測定して分類する方法などが行われていた。
以下、図面を用いて従来技術における発光ダイオードの用法について説明する。なお、ここでは主としてチップ型発光ダイオードに関するものである。
(従来のチップLED)
図6は従来例のチップ型発光ダイオードの断面図であって、600はチップ型発光ダイオード、601は発光ダイオードチップ、622はチップ基板、623、624は電極、625は導電接着層、626は接続ワイヤ、627は樹脂モールド、628、629は半田電極であって、チップ基板622の電極623上に導電接着層625により発光ダイオードチップ601のカソード側を固着導通し、前記チップ基板622の電極624と発光ダイオードチップ601のアノード側を接続ワイヤで導通している。また、電極623と電極624は前記チップ基板622端の半田電極628、629と導通している。
ここで、発光ダイオードチップ601は半導体基板(ウェーハー)上に多数個の発光ダイオードを同時に作製し、1個毎に切り出したチップ状の発光ダイオードであり、また、チップ基板622に発光ダイオードチップ601を搭載し、前記チップ基板622の半田電極628、629と導通接続し、前記発光ダイオードチップ601を透明もしくは半透明の樹脂でモールドしたものがチップ型発光ダイオード600である。
図7aおよび図7bは従来のチップ型発光ダイオードの用法例であって、図7aは結線図、図7bは実装基板への搭載例を示す断面図である。
図7aにおいて、702は電流制限抵抗であって、電流制限抵抗702の一端は電源の正極端子705に、他端はチップ型発光ダイオード600のアノード側703に、前記チップ型発光ダイオード600のカソード側端子704は電源のコモン端子706にそれぞれ接続してあり、正極端子705とコモン端子706間に電圧を印加するとチップ型発光ダイオード600には電流制限抵抗702で規制された電流が流れ、前記チップ型発光ダイオード600が点灯する。
正極端子705とコモン端子706間に印加する電圧をV、電流制限抵抗702の抵抗値をR、チップ型発光ダイオード600の順方向電圧をVFとすると、前記チップ型発光ダイオード600を流れる電流Iは、
I≒(V−VF)÷R
である。
図7bは図7aの結線図に示したチップ型発光ダイオードの実装断面図であって、732はマザーボード、733、734、740はマザーボード配線である。マザーボード732上のマザーボード配線740と734間には電流制限抵抗702を、マザーボード配線734、733間にはチップ型発光ダイオード600を搭載し、リフロー加熱することで電流制限抵抗702の端部の半田738a、738bおよびとチップ型発光ダイオード600の端部の半田738c、738dはマザーボード配線733、734、740と導通接続して図7aに示す結線となる。
図8aおよび図8bは複数のチップ型発光ダイオードを定電圧電源で駆動した場合の従来例の結線図であって、601a、601bはチップ型発光ダイオード、702a、702b、702cは電流制限抵抗、839a、839bは定電圧電源である。
図8aはチップ型発光ダイオード601a、601bを並列接続した場合であり、チップ型発光ダイオード601aと601bには各々個別の電流制御のための電流制限抵抗702a、702bを直列に接続してある。これは、先に説明したように各チップ型発光ダイオードの順方向電圧VFがバラツキで異なると定電圧電源839aから同一電源電圧を印加してもチップ型発光ダイオードを流れる電流が違ってしまい、輝度にもバラツキが生じてしまうからで、各チップ型発光ダイオードに合わせて電流制限抵抗を選択接続する。
実際のマザーボード実装には後述のように、あらかじめ各チップ型発光ダイオードの順方向電圧VFを測定しておいて対応する値の電流制限抵抗を打ち分ける方法などが取られている。
図8bはチップ型発光ダイオード601a、601bを直列接続した場合であり、電流制限抵抗702cとチップ型発光ダイオード601aと601bを直列接続して定電圧電源839bから電源電圧を印加する。従って、前記チップ型発光ダイオード601aと601bを流れる電流は同じであるが、各発光ダイオードの順方向電圧等の差により発光輝度には若干の違いを生ずる。
なお、図8aの並列接続発光ダイオードと図8bの直列接続発光ダイオードでは各々の定電圧電源から電源電圧を印加するが、図8bの発光ダイオード601a、601bを直列接続する図8bの定電圧電源839bの供給電圧は図8aの発光ダイオード601a、601bを並列接続した定電圧電源839aの供給電圧より直列接続した発光ダイオードの段数に相当する順方向電圧分だけ高い。
図8cは複数のチップ型発光ダイオードを並列接続して定電流電源で駆動した場合の従来例の結線図であって、839cは定電流電源である。ただし、並列接続するチップ型発光ダイオード601a、601bの順方向電圧のバラツキによる電流のアンバランスが生じやすく、チップ型発光ダイオードの単体または直列接続以外に定電流電源駆動は一般的には適用されることは少ない。
図9は従来のチップ型発光ダイオードの順方向電圧選別回路であり901は電圧計、939は定電流電源である。すなわち、チップ型発光ダイオード601に定電流電源939より一定電流を供給し、この時の前記チップ型発光ダイオード601の順方向電圧を測定して、類似の順方向電圧毎にランク分けし、適合する抵抗値の電流制限抵抗と組み合せを行う。あるいは、ランク毎に並列接続できるチップ型発光ダイオードをグループ分けするのである。なお、チップ型発光ダイオードのランク分けは発光ダイオードのチップをウェーハーのレベルで行うこともある。
すなわち、従来のチップ型発光ダイオードの駆動電流特性は大きくは順方向電圧に依存し、順方向電圧毎のランク分け、あるいはチップ型発光ダイオードに直列に接続する電流制限抵抗の抵抗値を変えて用途に応じた駆動電流の設定を行っていた。
特開2004−177627 特開2003−187977
しかしながら、従来技術におけるチップ型発光ダイオードの用法では電流制限抵抗による電流の一定制御、あるいは順方向電圧の選別を行っても、最終的な輝度にばらつきが生じるという課題があった。これは、前述のように発光ダイオードを生成する際の材質や生成する膜厚の微妙な違いに起因するものと思われる。
(発明の目的)
本発明の目的は、チップ型発光ダイオードの輝度を前記チップ型発光ダイオード個々の電気的特性である電流や順方向電圧に関わりなく一定な輝度特性を有するチップ型発光ダイオードを製造する方法と、実装上も工数と使用部品点数削減ができるチップ型発光ダイオードを提供することにある。
上記目的を達成するための本発明は基板上に発光ダイオードチップを搭載し、前記同一基板上に前記発光ダイオードチップと直列に接続する抵抗器を形成した発光ダイオードにおいて、前記直列接続した発光ダイオードチップと前記抵抗器に定電圧を印加して前記発光ダイオードチップの輝度を一定の値になるように前記抵抗器をレーザートリミングで調整することを特徴とする。
すなわち、本発明は一定の電圧条件のもとで発光ダイオードと直列接続した抵抗器を前記発光ダイオードの輝度を測定しながら前記輝度が一定の値になるように前記抵抗器をトリミングするので前記発光ダイオードの順方向電圧特性に関わりなく、電圧−輝度特性が均一な電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオードを提供できる。
あるいは、基板上に発光ダイオードチップを搭載し、前記同一基板上に前記発光ダイオードチップと並列に接続する抵抗器を形成した発光ダイオードにおいて、前記並列接続した発光ダイオードチップと前記抵抗器に定電流を印加して前記発光ダイオードチップの輝度を一定の値になるように前記抵抗器をレーザートリミングで調整することを特徴とする。
すなわち、本発明は一定の電流条件のもとで発光ダイオードと並列接続した抵抗器を前記発光ダイオードの輝度を測定しながら前記輝度が一定の値になるように前記抵抗器をトリミングするので前記発光ダイオードの順方向電圧特性に関わりなく、電流−輝度特性が均一な電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオードを提供できる。
また、基板上に発光ダイオードチップを搭載し、前記同一基板上の裏面に前記発光ダイオードチップと直列または並列接続する抵抗器を形成したことを特徴とする。
すなわち、本発明は発光ダイオードチップと直列接続する電流制限抵抗、あるいは、発光ダイオードチップと並列接続する電流調整抵抗を、前記発光ダイオードチップを搭載するチップ基板の裏側に形成するので、マザーボード等に発光ダイオードを搭載するに当たり、改めて抵抗器を実装する必要がなく、省スペースと抵抗器搭載の工数および部品点数の削減ができる。
すなわち、本発明によれば、チップ型発光ダイオードの輝度を前記チップ型発光ダイオード個々の電気的特性である電流や順方向電圧に関わりなく一定な輝度特性を有するチップ型発光ダイオードを製造する方法と、小型で省スペースに加えて実装上も工数と使用部品点数削減ができるチップ型発光ダイオードを提供できる。
以下、本発明の実施形態の説明であるが、はじめに本発明の電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオードの輝度調整装置および前記電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオードの構造について図面に基づいて説明する。
図1は本発明の発光ダイオードの輝度調整装置のシステム図であって、本発明の電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオードに対応している。図2は前記電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオードの断面図、図3は前記電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオードの平面図を示す。
図1において、100は電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオード、101は発光ダイオードチップ、102は電流制限抵抗、110は輝度調整装置111は受光装置、112はレーザー装置、113はレーザー照射光、139は定電圧電源である。
すなわち、電流制限抵抗102と発光ダイオードチップ101を直列接続し、定電圧電源139から順方向電圧を印加して前記発光ダイオードチップ101を点灯する。この発光ダイオードチップ101の発光輝度を受光装置111で検出して一定の輝度になるまでレーザー装置112のレーザー照射光113で前記電流制限抵抗102をトリミングするのである。
なお、電流制限抵抗102の初期抵抗値は低く、トリミングによって高抵抗に調整されるので、初期抵抗値のときは定電圧電源139の出力電圧を低くして発光ダイオードチップ101への過電流を押さえ、トリミングの最終段階で規定の電圧となるように前記定電圧電源139の出力電圧を調節できるようにしても良い。
図2および図3に示す本発明の電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオード100おいて、222はチップ基板、223、224および230はチップ基板222上に形成した電極、225は導電接着層、226は接続ワイヤ、227は樹脂モールド、228、229は半田電極、102aは前記電流制限抵抗102のレーザートリミング部である。
すなわち、チップ基板222上に形成した電極222に接着層で発光ダイオードチップ101のカソード側を導通固定し、電極224と前記発光ダイオードチップ101のアノード側を接続ワイヤ226で接続して前記発光ダイオードチップ101の上を透明もしくは半透明の樹脂でモールドする。また、電極224と電極230の間にはカーボン印刷で電流制限抵抗102を形成する。さらに、電極223導通接続するように前記チップ基板222の端に半田電極228を形成し、電極230と導通接続するように前記チップ基板222のもう一端に半田電極229を形成する。
かくして、前記チップ基板222上の半田電極229と228間に電流制限抵抗102と発光ダイオードチップ101の直列回路が形成されることになり、定電圧電源139より半田電極229に正極電圧、半田電極228に負極電圧を印加することで発光ダイオードチップ101を点灯し、前記発光ダイオードの輝度調整装置110により前記電流制限抵抗102をトリミングして一定の印加電圧条件のもとで前記発光ダイオードチップ101の輝度を一定の値に調整するのである。
すなわち、前記電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオード100は、一定電圧のもとで前記電流制限抵抗102と前記発光ダイオードチップ101の直列回路は、前記チップ基板222に搭載する前記発光ダイオードチップ101の電気的特性が異なっていても前記電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオード100の全体の駆動電圧と前記発光ダイオードチップ101の輝度は不変である。
従って、この電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオード100を複数個並列接続しても前記複数個全ての電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオード100の個々の発光輝度は全て同じレベルとなる。また、同一チップ基板上に電流制限抵抗が形成してあることからマザーボード等に発光ダイオードを搭載するに当たり、改めて抵抗器を実装する必要がなく、省スペースと抵抗器搭載の工数および部品点数の削減ができる。
次に本発明の電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオードの輝度調整装置および前記電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオードの構造について図面に基づいて説明する。
図4は本発明の発光ダイオードの輝度調整装置のシステム図であって、本発明の電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオードに対応している。図5は前記電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオードの断面図を示す。
図4において、400は電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオード、402は電流調整抵抗、439は定電流電源である。
すなわち、電流調整抵抗402と発光ダイオードチップ101を並列接続し、定電流電源439から前記並列接続した電流調整抵抗402と発光ダイオードチップ101に順方向流を印加して前記発光ダイオードチップ101を点灯する。この発光ダイオードチップ101の発光輝度を受光装置111で検出して一定の輝度になるまでレーザー装置112のレーザー照射光113で前記電流調整抵抗402をトリミングするのである。
なお、電流制限抵抗102の初期抵抗値は低く、トリミングによって高抵抗に調整されるので、初期抵抗値のときは定電流電源439の出力電流を小さくして発光ダイオードチップ101への過電流を押さえ、トリミングの最終段階で規定の電流となるように前記定電流電源439の出力電圧を調節できるようにしても良い。
図5に示す本発明の電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオード400おいて、522はチップ基板、523、524はチップ基板522上面に形成した電極、530、531はチップ基板522下面に形成した電極、425は接着層、526は接続ワイヤ、527は樹脂モールド、528、529は半田電極である。
すなわち、チップ基板522上面に形成した電極522に接着層で発光ダイオードチップ101のカソード側を導通固定し、電極524と前記発光ダイオードチップ101のアノード側を接続ワイヤ526で接続して前記発光ダイオードチップ101の上を透明もしくは半透明の樹脂でモールドする。また、チップ基板522下面に形成した電極530と電極531の間にはカーボン印刷で電流調整抵抗402を形成する。さらに、電極523および電極530と導通接続するように前記チップ基板522の端に半田電極528を形成し、電極524および電極531と導通接続するように前記チップ基板522の他端に半田電極529を形成する。
かくして、前記チップ基板522上面の発光ダイオードチップ101と前記チップ基板522の下面に形成した電流調整抵抗402の並列回路が形成されることになり、定電流電源439より半田電極529に正極電圧、半田電極528に負極電圧を印加することで発光ダイオードチップ101を点灯し、前記発光ダイオードの輝度調整装置110により前記電流調整抵抗402をトリミングして一定の印加電流条件のもとで前記発光ダイオードチップ101の輝度を一定の値に調整するのである。
すなわち、前記電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオード400は、一定電流のもとで前記電流調整抵抗402と前記発光ダイオードチップ101に流れる電流を分流しているので、前記チップ基板522に搭載する前記発光ダイオードチップ101の電気的特性が異なっていても前記電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオード400の全体の電流と前記発光ダイオードチップ101の輝度は不変である。
従って、この電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオード400を複数個直列接続しても前記複数個全ての電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオード100の個々の発光輝度は全て同じレベルとなる。また、電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオード400は同一チップ基板下面に電流調整抵抗が形成してあることからマザーボード等に前記電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオード400を搭載するスペースは従来のチップ型発光ダイオードと同じで良い。
以上、本発明の電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオード100の構造と前記電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオード100の輝度を測定して電流制限抵抗をトリミングする輝度調整装置110、および、電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオード400の構造と前記電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオードの輝度を測定して電流調整抵抗をトリミングする輝度調整装置110について詳述したが、前者の輝度調整装置と後者の輝度調整装置は、いずれも本発明のチップ型発光ダイオードの輝度を測定して抵抗をレーザートリミングする機能は全く同じであり、輝度調整の対象とする電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオードあるいは電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオードの両者に共通の輝度調整装置である。
また、図5において本発明の電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオード400の構造、すなわちチップ基板522上面に発光ダイオードチップ101を搭載し、チップ基板522下面にカーボン印刷で電流調整抵抗402を形成したが、同様に、図2および図3にもとづいて説明した本発明の電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオード100においても、電流制限抵抗102をチップ基板222の下面に形成できることは言うまでもない。また、逆に、本発明の電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオード400の電流調整抵抗402をチップ基板522上面に形成できる。
なお、前記本発明の電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオード100および電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオード400は単体のチップ基板222あるいは522にもとづいて説明したが、多量に作製する場合は前記チップ基板222あるいは522をマトリックス状に配列した1枚の基板上に前記電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオード100あるいは電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオード400を形成し、レーザートリミングを行った後に個々の単体チップに分割する手法もある。
以上に詳述したように、本発明は発光ダイオード個々の電気的特性である電流や順方向電圧に関わりなく一定な輝度特性を得られるよう前記発光ダイオードに直列あるいは並列に形成した抵抗器をレーザートリミングするので、発光ダイオード個々のバラツキによる輝度ムラの無い、また、実装上も工数と使用部品点数削減ができるチップ型発光ダイオードを提供できる。
また、発光ダイオード個々の電気的特性である電流や順方向電圧に関わりなく、前記本発明の電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオード100は多数個を並列接続しても各々の点灯輝度にバラツキが無く、電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオード400は多数個を直列接続しても各々の点灯輝度にバラツキが無いという特徴を有している。
本発明の発光ダイオードの輝度調整装置のシステム図である。 本発明の電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオードの断面図である。 図2に示した電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオードの平面図である。 本発明の発光ダイオードの輝度調整装置のシステム図である。 図4に示した電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオードの断面図である。 従来例のチップ型発光ダイオードの断面図である。 従来のチップ型発光ダイオードの結線図である。 従来のチップ型発光ダイオードの断面図である。 従来例の複数のチップ型発光ダイオードを定電圧電源で駆動した場合の結線図である。 従来例の複数のチップ型発光ダイオードを直列接続した場合の結線図である。 従来例の複数のチップ型発光ダイオードを並列接続して定電流電源で駆動した場合の結線図である。 従来のチップ型発光ダイオードの順方向電圧選別回路である。
符号の説明
100 電流制限抵抗付きチップ型発光ダイオード、
101、601 発光ダイオードチップ
102、402、702、702a、702b、702c 電流制限抵抗
110 輝度調整装置
111 受光装置
112 レーザー装置
113 レーザー照射光
139 定電圧電源
222、522、622 チップ基板
400 電流調整抵抗付きチップ型発光ダイオード
439、839a、839b、839c 定電流電源
530、531 チップ基板522下面に形成した電極
600、601a、601b チップ型発光ダイオード
732 マザーボード
733、734、740 マザーボード配線
901 電圧計

Claims (3)

  1. 基板上に発光ダイオードチップを搭載し、前記同一基板上に前記発光ダイオードチップと直列に接続する抵抗器を形成した発光ダイオードにおいて、前記直列接続した発光ダイオードチップと前記抵抗器に定電圧を印加して前記発光ダイオードチップの輝度を一定の値になるように前記抵抗器をレーザートリミングで調整することを特徴とする発光ダイオード及びその製造方法。
  2. 基板上に発光ダイオードチップを搭載し、前記同一基板上に前記発光ダイオードチップと並列に接続する抵抗器を形成した発光ダイオードにおいて、前記並列接続した発光ダイオードチップと前記抵抗器に定電流を印加して前記発光ダイオードチップの輝度を一定の値になるように前記抵抗器をレーザートリミングで調整することを特徴とする発光ダイオード及びその製造方法。
  3. 基板上に発光ダイオードチップを搭載し、前記同一基板上の裏面に前記発光ダイオードチップと直列または並列接続する抵抗器を形成したことを特徴とする請求項1乃至2項のいずれか1項に記載の発光ダイオード。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008091448A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Mimaki Denshi Buhin Kk 光源装置
WO2008105245A1 (ja) * 2007-02-28 2008-09-04 Koa Corporation 発光部品およびその製造法
JP2008211133A (ja) * 2007-02-28 2008-09-11 Koa Corp 発光部品の製造法および発光部品
JP2008211131A (ja) * 2007-02-28 2008-09-11 Koa Corp 発光部品およびその製造法
JP2008211132A (ja) * 2007-02-28 2008-09-11 Koa Corp 発光部品
JP2012033600A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子用実装基板とその実装基板を用いた半導体発光装置
JP2012049385A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置及び半導体発光素子の製造方法
JP2012109493A (ja) * 2010-11-19 2012-06-07 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 半導体発光素子測定装置
CN102540107A (zh) * 2010-12-03 2012-07-04 三星Led株式会社 托架、使用该托架的测试设备和测试方法
JP2013048163A (ja) * 2011-08-29 2013-03-07 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 半導体発光素子、発光装置及び半導体発光素子の製造方法
EP2903038A1 (en) * 2014-02-04 2015-08-05 Excelitas Technologies Philippines, Inc. Light emitting diode output power control
JP2020194731A (ja) * 2019-05-29 2020-12-03 Idec株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5429653A (en) * 1977-08-10 1979-03-05 Tomoegawa Paper Co Ltd Heat sensitive recording medium
JPS58209265A (ja) * 1982-05-31 1983-12-06 Olympus Optical Co Ltd 発光ダイオ−ドアレイ装置
JPS5918454A (ja) * 1982-07-22 1984-01-30 Yuji Takayama オンカラムキヤピラリクロマトグラフ用キヤリヤ−ガス制御装置
JPS60179057A (ja) * 1984-02-28 1985-09-12 雪印乳業株式会社 腹腔鏡用受精卵移植三重針
JPS6413166A (en) * 1987-07-07 1989-01-18 Canon Kk Image forming device
JPH0267665A (ja) * 1988-09-02 1990-03-07 Fujitsu Ltd インタフェイス回路
JP2004029370A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Advanced Display Inc 面状光源装置及びそれを用いた液晶表示装置
JP2004235477A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Ckd Corp Ledランプ及びledランプの製造方法
JP2004340930A (ja) * 2003-04-21 2004-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 経路案内提示装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5429653A (en) * 1977-08-10 1979-03-05 Tomoegawa Paper Co Ltd Heat sensitive recording medium
JPS58209265A (ja) * 1982-05-31 1983-12-06 Olympus Optical Co Ltd 発光ダイオ−ドアレイ装置
JPS5918454A (ja) * 1982-07-22 1984-01-30 Yuji Takayama オンカラムキヤピラリクロマトグラフ用キヤリヤ−ガス制御装置
JPS60179057A (ja) * 1984-02-28 1985-09-12 雪印乳業株式会社 腹腔鏡用受精卵移植三重針
JPS6413166A (en) * 1987-07-07 1989-01-18 Canon Kk Image forming device
JPH0267665A (ja) * 1988-09-02 1990-03-07 Fujitsu Ltd インタフェイス回路
JP2004029370A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Advanced Display Inc 面状光源装置及びそれを用いた液晶表示装置
JP2004235477A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Ckd Corp Ledランプ及びledランプの製造方法
JP2004340930A (ja) * 2003-04-21 2004-12-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 経路案内提示装置

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008091448A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Mimaki Denshi Buhin Kk 光源装置
US8405318B2 (en) 2007-02-28 2013-03-26 Koa Corporation Light-emitting component and its manufacturing method
WO2008105245A1 (ja) * 2007-02-28 2008-09-04 Koa Corporation 発光部品およびその製造法
JP2008211133A (ja) * 2007-02-28 2008-09-11 Koa Corp 発光部品の製造法および発光部品
JP2008211131A (ja) * 2007-02-28 2008-09-11 Koa Corp 発光部品およびその製造法
JP2008211132A (ja) * 2007-02-28 2008-09-11 Koa Corp 発光部品
JP2012033600A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子用実装基板とその実装基板を用いた半導体発光装置
JP2012049385A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 半導体発光素子、発光装置、照明装置、表示装置及び半導体発光素子の製造方法
JP2012109493A (ja) * 2010-11-19 2012-06-07 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 半導体発光素子測定装置
CN102569549A (zh) * 2010-11-19 2012-07-11 星和电机株式会社 半导体发光元件测量装置
CN102540107A (zh) * 2010-12-03 2012-07-04 三星Led株式会社 托架、使用该托架的测试设备和测试方法
JP2013048163A (ja) * 2011-08-29 2013-03-07 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 半導体発光素子、発光装置及び半導体発光素子の製造方法
EP2903038A1 (en) * 2014-02-04 2015-08-05 Excelitas Technologies Philippines, Inc. Light emitting diode output power control
CN104968068A (zh) * 2014-02-04 2015-10-07 埃塞力达技术菲律宾有限公司 发光二极管输出功率控制
US9273995B2 (en) 2014-02-04 2016-03-01 Excelitas Technologies Philippines, Inc. Light emitting diode output power control
CN104968068B (zh) * 2014-02-04 2018-09-21 埃塞力达技术菲律宾有限公司 发光二极管输出功率控制
JP2020194731A (ja) * 2019-05-29 2020-12-03 Idec株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP7341603B2 (ja) 2019-05-29 2023-09-11 Idec株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

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