CN104968068B - 发光二极管输出功率控制 - Google Patents

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Abstract

一种减小一组发光二极管的光功率水平变化的方法，包括对发光二极管中的每个单独的发光二极管进行检验，从而确定每个单独的发光二极管在被连接到电源上时产生的光功率水平。在检验过程中，电源向所述发光二极管中每个单独的发光二极管传递基本等量的电流。从检验中得到的光功率水平全部在第一数值范围内。该方法包括为该组中的发光二极管中的至少一些发光二极管并联连接上电阻以减小这些发光二极管产生的光功率量。在连接电阻之后，所有发光二极管产生的光功率水平全部在较所述第一范围小的第二范围内。

Description

发光二极管输出功率控制
技术领域
本发明公开涉及发光二极管，并且尤其涉及发光二极管的输出功率控制。
背景技术
具有相似设计的发光二极管有时产生截然不同的光功率输出水平。典型地，驱动这些发光二极管的电路通过向发光二极管提供恒定的或者基本恒定的电流(DC或脉冲电流)来实现。
发明内容
在一个方面，公开了减小一组发光二极管中的变化程度的方法。在一个典型实施方式中，该方法包括提供一组分立的发光二极管，并且对该组中的发光二极管中的每个单独的发光二极管进行检验以确定该发光二极管在被连接到电源上时产生的光功率水平。在检验过程中，电源向所述发光二极管中的每个单独的发光二极管传递基本相同的电流量。发光二极管在检验过程中产生的光功率水平全部在第一数值范围内。该方法进一步包括将电阻与该组中的发光二极管中的至少一些发光二极管并联以减小这些发光二极管产生的光功率量。在连接电阻之后，发光二极管产生的全部的光功率水平在较第一范围小的第二范围内。
在某些实施方式中，存在一个或更多以下优点。
例如，在某些实施方式中，本申请中所述的技术以相对简单且具有成本效益的方式减小一组类似或基本类似的发光二极管中的不同发光二极管产生的光功率的变化。这有助于避免设计能够适应光功率水平的大幅变化的光学检测器和/或相关电路、又或者根据每个发光二极管产生的实际光功率将发光二极管划分以对其进行分类所带来的复杂性、低效、耗时以及冗长。而且，实施这些技术可以帮助避免在使用发光二极管输出功率的全部分布的情况下无法有效和/或不可能满足系统设计目标，由此导致该分布的一部分报废的情况。
其它特征和优点将通过说明书和附图以及权利要求而变得明显。
附图说明
图1为减小一组分立发光二极管中的光功率的变化的方法的流程图；
图2A为示出了典型的一组分立发光二极管的前视图；
图2B为示出了用于检验发光二极管产生的光功率的布置的概括图示；
图2C1和图2C2为示出了典型的一组分立发光二极管的前视图，一些分立发光二极管并联有电阻；
图2D为示出了安装在各自的光检测器组件中的图2C1的发光二极管的概括图示；
图3为一电路的概括图示，该电路包括电源、发光二极管和并联电阻器；
图4包括一具有并联电阻的发光二极管的三个轮流透视图；
图5包括另一具有并联电阻的发光二极管的三个轮流透视图；
图6包括再一具有并联电阻的发光二极管的三个轮流透视图；
图7为示出了耦合到基座上的发光二极管和并联电阻的概括图示。
相同的附图标记指的是相同的元件。
具体实施方式
市售的设计相似或者基本相同的发光二极管(例如，用在相同或者基本相同的末端应用的发光二极管)有时能够产生大幅变化的光功率水平。
在某些情况下，具有特定类型的设计的不同发光二极管所产生的光功率的变化能够高达300％。此相对大幅的变化能够导致各种问题，除非采取措施来处理该变化。这些措施中的某些可以包括，例如，设计能够适应光功率水平的大幅变化的光学检测器和/或相关电路系统，或者将发光二极管划分以根据每个发光二极管产生的实际光功率对其进行分类。这些办法不够理想。例如，必须设计光学检测器和/或相关电路系统以适应发光二极管之间的光功率的大幅变化是复杂、低效且非常昂贵的。同样地，根据产生的光功率来将发光二极管划分是冗长、耗时且同样非常昂贵的。
图1为示出了以相对简单且具有成本效益的方式解决具有相似或基本相似设计的不同发光二极管所产生的光功率的大幅变化的制造工艺的流程图。
在很高水平下，所示的方法包括：1)当一组发光二极管中的每个单独的发光二极管被连接到恒定电流电源上时，确定每个单独的发光二极管产生多少光功率，其中全部的光功率水平都在第一范围内；以及2)将电阻与该组中的一个或者更多(某些)发光二极管并联以减小这些发光二极管产生的光功率，这使得在放置电阻之后，全部的发光二极管在被连接到恒定电流电源上时产生的光功率水平在第二范围内，第二范围比第一范围更窄。
根据流程图，该方法包括(在102处)提供一组分立发光二极管。(在步骤102处)提供的发光二极管可以而非必须是完整的发光二极管组件。例如，在某些实施方式中，(在步骤102处)提供的发光二极管可以不具有位于发光元件周围的环氧树脂透镜/外壳。然而，(在步骤102处)提供的发光二极管至少应当起作用(即，发光二极管在被连接到电源上时应当能够发光)。当然，在某些实施方式中，(在步骤102处)提供的发光二极管可以包括通常与发光二极管有关的全部元件，例如包括阳极和阴极引出线、一个或更多内部半导体管芯、内部导线接合、一个或更多光学元件、以及覆盖除一部分阳极和阴极引出线之外的全部元件的透镜/外壳。在各个实施方式中，透镜/外壳可以是环氧树脂、金属和/或其他材料或者以上的组合。
“提供”发光二极管可包括使得发光二极管可供所示方法中表现的后续步骤使用的任何方式。这可以包括，例如，购买或以其他方式获得发光二极管，制造发光二极管，装配或部分装配发光二极管的元件，或以其他方式供给发光二极管。
图2A示出了可以在图1的步骤102处提供的一组200分立发光二极管202a-202h的一个示例。
在所示组中的发光二极管202a-202h是本质上完整的发光二极管结构(即每个发光二极管具有通常与发光二极管有关的全部元件，例如阳极和阴极引出线、一个或更多内部半导体管芯、内部导线接合、一个或更多光学元件、以及覆盖除一部分阳极和阴极引出线之外的全部元件的透镜/外壳)。
所示组200中的发光二极管202a-202h都具有相同或者基本相同的设计。因而，该组200中的全部发光二极管202a-202h被认为供(或能够供)相同类型的末端应用(例如，用于烟雾检测器)使用。
仅出于说明目的，所示的该组200仅具有八个发光二极管202a-202h。然而，在典型的实施方式中，特定组的发光二极管能够包括任何数量的发光二极管，例如，包括多达百万或者更多的发光二极管。
尤其是，所示组中的每个发光二极管202a-202h为分立元件(即还未被连接到任何其他器件、元件等)。这就是发光二极管的典型提供方式(图1中的步骤102处)。然而，在某些实施方式中，当(在步骤102处)提供发光二极管时，发光二极管可以被连接到某些其他器件或元件上。
再次参照图1，所示方法包括(在104处)将发光二极管连接到电源上以及(在106处)检验每个发光二极管以确定当该发光二极管被连接到电源上时该发光二极管产生的光功率水平。电源能够是任何类型的电源。例如，电源能够是恒定电流电源。替代性地，只要能够确定传递到被检验的发光二极管的电流量，电源能够是电压源。发光二极管可以被连接到电源上并且以各种方式进行检验。
图2B示出了用于将发光二极管连接到电源上以检验发光二极管产生的光功率量的布置的一个示例。在所示实施方式中，单个发光二极管202a被电连接到包括电源206和开关208的电路上，开关208是可选的。在所示布置中不包括其他电路元件。然而，在某些实施方式中，电路中还可以包括其他电路元件(例如，电流计或者跨接在发光二极管上的电压计)。
发光二极管202a被物理地定位于光学检测器210附近，这使得发光二极管发射的光211中的至少一些落在光学检测器210上。光学检测器210可以是能够检测并提供发光二极管202a产生的光功率的指示的任何类型的光学检测器。所示的光学检测器210具有检测部分212和显示部分214。从功能上讲，检测部分212检测光功率并且显示部分214提供检测到的光功率的指示。检测部分212能够基于任何类型的光学检测技术，例如包括光电二极管检测器技术。显示部分214能够基于任何类型的显示技术，例如包括模拟或数字显示技术。
电源206可以是任何类型的电源(例如，恒定电流或恒定电压)。在所示示例中，电源206是恒定电流电源。恒定电流电源通常可被操作以产生随时间基本恒定的直流电流。为了将电流维持在恒定或基本恒定的水平，恒定电流电源可被操作以改变其产生的电压量。
在使用中，开关208能够被闭合以将发光二极管202a电连接到电源206上，借此向发光二极管202a提供能量。发光二极管202a产生的光的光功率能够被光学检测器210的检测部分212检测并由光学检测器的显示部分214显示。
在图1中所示的方法的一个典型实施方式中，使用图2B中所示的布置和/或其他相似类型的布置对发光二极管202a-202h中的每一个进行单独检验。每次检验会产生该组200发光二极管202a-202h中的一个单独构件产生的光功率的数值。所以，在检验完成后，全部发光二极管产生的光功率都会被知道。典型地，不同发光二极管的光功率水平存在某种程度的变化，而全部的光功率水平都在某一数值范围内。如上所述，该数值范围能够包括变化高达300％(或者更多)的单个光功率水平——从范围中的低数值(例如，10.0mW)到范围中的高数值(例如，30.0mW)。
再次参照图1，所示方法包括(在110处)选择光功率水平的目标范围，该组200中的发光二极管202a-202h中的每一个产生的光功率水平都应该在该目标范围内。典型地，光功率水平的该目标范围将远小于检验所显示的该组200发光二极管202a-202h的光功率水平的实际范围。例如，如果检验显示的光功率水平的实际范围为300％(例如，从10.0mW的低数值到30.0mW的高数值)，则可以将光功率水平的目标范围选择为大约20％(例如，从10.0mW的低数值到12.0mW的高数值，或者从9.0mW的低数值到10.8mW的高数值)。
典型地，选择光功率水平的目标范围以确保该组200中的全部发光二极管202a-202h在特定类型的末端应用(例如，在烟雾检测器)中都可用并且工作良好。
接下来，所示方法包括对要与该组200中的单个发光二极管202a-202h中的至少某些并联连接的电阻进行选择以使得该组中的每个单个发光二极管在被连接到电源上时产生的光功率水平在选择的目标范围内。
在一个典型实施方式中，为发光二极管202a-202h选择的两个或更多电阻可以具有不同的电阻值。例如，为发光二极管202a选择的电阻可以为5ohms，为发光二极管202b选择的电阻可以为无限大，为发光二极管202c选择的电阻可以为70ohms，为发光二极管202d选择的电阻可以为45ohms，为发光二极管202e选择的电阻可以为40ohms，为发光二极管202f选择的电阻可以为10ohms，为发光二极管202g选择的电阻可以为15ohms，为发光二极管202h选择的电阻可以为25ohms。
在某些实施方式中，被选择用于连接到发光二极管202a-202h的电阻中的至少某些可以具有相同的电阻值。例如，为发光二极管202a-202e选择的电阻可以为20ohms，以及为发光二极管202f-202h选择的电阻可以为无限大。
可以通过各种方式(例如，计算)来选择电阻的实际电阻值。
根据一种示例性技术，无论该组的发光二极管中任何一个在检验过程中产生的最低光功率水平为多少，光功率水平的目标范围都被设定为在该最低光功率水平附近(并且可能稍高)。
首先应当注意的是，通常来讲，发光二极管产生的光功率(Po(I))是流过该发光二极管的电流(I)的函数。更特别地，在固定的结温度下，发光二极管产生的光功率(Po(I))与电流(I)成正比。
Po(I)＝α*I，其中，α为常数。 (等式1)
在一个示例中，因为光功率的目标范围可能是一包括由该组的发光二极管中任何一个在检验过程中产生的最低光功率水平(P(ILow))的范围，所以一个目标可以是使其他发光二极管的任何一个产生的光功率水平(P(I)N)至少近似匹配最低光功率水平(Po(I)Low)。这能够被表达为：
P(I)N＝P(I)Low (等式2)
该目标也可被表达为：
αN*(I)N＝αLow*(I)Low (等式3)
因而：
(I)N＝(αLow/αN)*(I)Low (等式4)，
其中：
(I)N为需要流过所考虑的发光二极管的电流量，以使所考虑的发光二极管产生与该组的最低功率发光二极管所产生的光功率水平至少基本匹配的光功率水平，
(I)Low为流过该组中产生最低光功率量的发光二极管的电流量(此电流量可以是在检验过程中检测到的量或者可以基于检测过程中电源传递的已知电流水平)，
αN表示所考虑的发光二极管中每单位电流产生的光功率(这可以基于光功率测量值以及检验过程中传递的已知的或测量到的电流)，以及
αLow表示该组中的最低功率发光二极管每单位电流产生的光功率(这可以基于光功率测量值以及检验过程中传递的已知的或测量到的电流)。
所考虑的与电阻并联的发光二极管能够由图3中的概括简图来表示。所示简图将二极管模拟为发光元件(“D”)以及串联的(内部)电阻(“RS”)。就这一点而言，370表示发光二极管的简化等效电路。电阻RL并联到二极管上。IT表示施加到二极管及其并联电阻上的电流总量，该电流总量等于(在所示简图中以圆表示的)恒定电流电源产生的电流量。IT在二极管与并联电阻之间被分流。IN表示IT流过二极管的部分，并且IL表示IT流过并联电阻器RL的部分。VJ为二极管的发光部分(即，LED中的半导体结)上的电压降。
二极管上的电压降(VD)被近似表示为：
VD＝VJ+IN*RS (等式5)
并联电阻器RL上的电压降(VR)为：
VR＝IL*RL (等式6)
而且，
IT＝IN+IL (等式7)
以及，
VD＝VR (等式8)
VJ+IN*RS＝IL*RL (等式9)
将电流IN设定为(αLow/αN)*IT，从而得到:
RL＝(VJ+(αLow/αN)*IT*RS)/(IT*(1-αLow/αN)) (等式10)
作为一个示例，如果IT＝0.1A且最低的LED功率为10mW，则αLow＝0.1W/A，对于所考虑的发光二极管，如果LED功率为30mW，则αN＝0.3W/A，如果RS＝2ohms且VJ＝2V，那么RL＝31ohms。
也可以使用其他方式来为发光二极管中的每一个选择(例如，计算或估计)并联电阻。例如，在某些实施方式中，选择技术可以包括将该组200的发光二极管202a-202h分成两个或更多划分箱中(例如，第一划分箱用于该组中产生的光功率在特定阈值处或之上的发光二极管，以及第二划分箱用于该组中产生的光功率在该特定阈值之下的发光二极管)。在两个划分箱的情况下，选择技术可以包括仅指定相同的电阻(例如，31ohms)并将其施加(即，并联连接)到第一划分箱中的每一个发光二极管上，但是不向第二划分箱中的发光二极管施加电阻。
再次参照图1，所示方法包括(在112处)将选择的电阻与其分别对应的发光二极管并联。当然，该组中的某些发光二极管(例如，产生的光功率水平已经在目标范围内的发光二极管)可能不得到并联电阻。电阻可以通过许多方式被附接到发光二极管上。图2C1和2C2示出了两个此类示例，即电阻如何与该组200中的发光二极管202a-202h并联。
在图2C1中，分立电阻器216位于发光二极管202a和202c-202h中每一个的引出线之间。在所示示例中，该组中仅一个发光二极管(即，202b)没有并联电阻。所示示例中的分立电阻器为矩形表面安装电阻器并且被连接到发光二极管的引出线上。然而，电阻器216能够是几乎任何类型的电阻器。而且，分离电阻器能够使用几乎任何连接技术来进行连接，例如包括焊接、使用导电环氧树脂等等。
在图2C2中，分立电阻器216位于发光二极管202a-202e中每一个的引出线之间。在所示示例中，发光二极管202f-202h没有并联电阻。
根据图1的方法，接下来(在114处)，发光二极管202a-202h的每个单独的发光二极管不论是否具有并联电阻都被安装在光学检测器组件中。在某些实施方式中，该步骤(114)可以由执行了步骤102-112中的一个或更多个的同一方来执行。在某些实施方式中，执行了步骤102-112中的一个或更多个的第一方可以将得到的发光二极管202a-202h中的每个单独的发光二极管转给第二方，并且该第二方可以执行114所示的步骤。图2D示出了将发光二极管202a-202h中的每个单独的不论是否具有并联电阻的发光二极管安装到对应的光学检测器组件中的一个示例。
在图2D中，存在彼此基本相同的八个相对简单的示例性光学检测器组件218。每个光学检测器组件具有基座220、来自(图2C1中的)发光二极管202a-202h中的一个对应的发光二极管以及光学检测器222。尽管所示的光学检测器组件非常简单，但是在某些实施方式中，他们可以更加复杂。
在所示示例中，每个发光二极管202a-202h被安装在自己单独的光学检测器组件218中。然而，在某些实施方式中，相同组的两个或更多发光二极管可以被安装在相同的光学检测器组件中。
图4-6提供了电阻如何与发光二极管并联连接的额外示例。
例如，图4示出了发光二极管400的不同视图，发光二极管400具有两个独立的发光元件418a、418b以及三个引出线420a、420b、420c。引出线420a和420b用于发光元件418a，而引出线420b和420c用于发光元件418b。
每个发光元件418a、418b具有自己的并联电阻416a、416b。电阻416a用于发光元件418a且电阻416b用于发光元件418b。
所示实施方式中的电阻416a、416b位于发光二极管400的环氧树脂透镜/外壳内。在某些实施方式中，电阻器416a与电阻器416b的阻值相同。然而，情况并非总是如此。
图5示出了另一发光二极管500的不同视图，发光二极管500具有两个独立的发光元件518a、518b以及三个引出线520a、520b、520c。引出线520a和520b用于发光元件518a，而引出线520b和520c用于发光元件518b。
每个发光元件518a、518b具有自己的并联电阻，该并联电阻表现为针对每个发光元件的两个单独的电阻器。例如，发光元件518a具有两个并联电阻器516a和516b。同样地，发光元件518b具有两个并联电阻器516c、516d。
所示实施方式中的电阻516a、516b位于发光二极管500的环氧树脂透镜/外壳下方(和外部)。
在某些实施方式中，电阻器516a和516b的并联组合与电阻器516c、516d的并联组合提供相同的电阻量。然而，情况并非总是如此。
在某些实施方式中，发光二极管500可以仅包括一个电阻器而不是两个，并且该电阻器在一个相关的发光元件的引出线之间延伸。
图6示出了再一发光二极管600的不同视图，发光二极管600仅具有一个发光元件618和两个引出线620a、620b。
所示发光二极管600具有两个并联电阻，这两个并联电阻表现为两个单独的电阻器，一个电阻器616a在环氧树脂透镜/外壳内且另一个电阻器616b在环氧树脂透镜/外壳外。
电阻器616a和616b可以但不必具有彼此相同的电阻值。
图7表示将并联电阻连接到发光二极管上的另一个方式。
所示布置示出了被物理地耦合到基座750上的发光二极管700、同样被物理地耦合到基座750上的分立电阻器716以及基座750之中或之上的一对导电通路，该对导电通路有利于将分立电阻器716电耦合到发光二极管700上。
已经对本发明的许多实施例进行了说明。然而，应当理解的是，在不背离本发明的精神和范围的前提下可以进行各种修改。
例如，通常情况下，可用的电阻值越多，最终的输出功率分布越紧凑。然而，可能存在许多情况，作为一个示例，存在期望输出功率分布最终小于12％的幅度的情况。如果Plow为最低输出功率的发光二极管的输出功率，则可能会对电阻器进行选择以得到从比Plow低2％至比Plow高10％的最终分布。在某些情况下，这实际上可以使得使用的电阻器的数值数量能够比以最低数值Plow为目标更少。还可能允许使用更多的生产分布。
特别是，例如，假设输出功率分布从10mW至30mW。缩小分布的一个方式可以是以10mW至12mW为目标以产生20％幅度的分布，随后使全部其他发光二极管都以此范围为目标。这允许最终分布的平均值比10mW+/-10％的目标高大约10％。
另一可能的修改涉及对发光二极管(预添加电阻器)进行检验以确定其光功率水平的方法。图2中所示的用于进行这些检验的示例性布置仅具有连接到电源206上的单个发光二极管202。然而，在其他实施方式中，多于一个发光二极管202可以串联、并联或串联和并联的组合的形式在特定时间被连接到电源206上。如果多于一个发光二极管202同时被连接到电源206上，那么可以提供装置以便于分别对每个单独的发光二极管产生的光进行精确测量。此类装置的提供可以包括提供例如一个或更多个开关和/或物理光阀，开关被配置为选择性地一次接通发光二极管中的一个，物理光阀被配置为将单独发光二极管的各个发光二极管产生的光与其他发光二极管产生的光进行光学隔离。在某些实施方式中，在该组中的全部发光二极管同时工作时可以存在用于每个发光二极管的光学检测器。
虽然本说明书包含许多具体的实施细节，但是这些细节不应当被解释为对任何发明的或者所要求的范围进行限制，而是对专用于特定发明的特定实施例的特征进行说明。单独实施例的背景下所述的特定特征还能够在单一实施例中以组合方式实施。与之相反，在单一实施例的背景下所述的各种特征还能够在多个实施例中分别实施或者以任意适用的子组合实施。而且，尽管上述特征在一定的组合中起作用或者被实现以至最初以此进行要求，但是所要求的组合中的一个或更多特征在某些情况下可以从该组合中去除，并且所要求的组合可以指向子组合或者子组合的变型。
类似地，虽然附图中所示的和本申请中所说明的操作以特定顺序发生，但是这不应当被理解为要求此类操作以所示的特定顺序或者以先后顺序执行，或者执行全部的所示操作，以获得期望的结果。在一定的环境下，多任务以及并行执行某些操作可以是有利的。
光功率的概念应当被宽泛地理解为几乎包括任何类型的发光二极管产生的光功率的表示方法或指标。
而且，本申请中所述的概念可以用于激光器甚至是产生的电流与光输入成正比的检测器。
诸如“较低”、“较高”、“水平”、“竖直”、“之上”、“之下”、“上”、“下”、“顶”和“底”之类的相对性术语及其衍生词(例如，“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)在本申请中所用之处应当被解释为仅应用于一定的方向(例如，所述的或者在所述附图中示出的特定方向)。这些相对性术语仅为了方便而使用，而不要求装置以特定方向被构造或操作。
其他实施方式在权利要求书的范围内。

Claims (11)

1.一种减小一组分立的发光二极管的光功率水平的变化的方法，包括：
提供一组分立的发光二极管，其中，每个发光二极管是独立于任何芯片的分立物理元件，具有环氧树脂外壳、一个或多个内部半导体管芯、内部导线接合、一个或多个内部光学元件、阳极引出线和阴极引出线，其中所述阳极引出线和所述阴极引出线从所述环氧树脂外壳延伸出；
对该组分立的发光二极管中每个单独的发光二极管进行检验，以确定每个单独的发光二极管在被连接到电源上时产生的光功率，其中，在所述检验期间，该组中的发光二极管均不并联分立电阻器，
其中，所述检验包括：对于该组中的每个发光二极管，
将该发光二极管单独连接到所述电源上；
通过所述电源向该连接的发光二极管传递一电流量；
测量在电流从所述电源传递到该连接的发光二极管时该连接的发光二极管所产生的光功率；
其中，针对各个被检验的发光二极管，所述电源所传递的电流量基本相同，以及
其中，所有发光二极管在被检验时产生的光功率水平全部都在第一范围内；以及
为该组发光二极管中的至少一些但并非所有被检验的发光二极管并联连接上电阻器以减小这些发光二极管将产生的光功率量，
其中，在所述电阻器被并联连接到所述至少一些但并非所有被检验的发光二极管之后，所有发光二极管在接收到所述电流量时产生的光功率水平全部在较所述第一范围小的第二范围内。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电源为恒定电流电源。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述恒定电流电流源为恒定直流电源，或者为在离散时间段内维持恒定电流水平的脉冲电源。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，连接所述电阻器包括：
将具有至少两个不同电阻值的电阻器连接到所述发光二极管上。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，连接所述电阻器包括：
将该组发光二极管分为第一小组和第二小组；
为所述第一小组中的发光二极管的每一个连接上电阻器；但是
不向所述第二小组中的发光二极管连接所述电阻器中的任何一个。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，连接一个或更多所述电阻器包括：
将分立电阻器物理附接到基座上；以及
将所述发光二极管中的对应发光二极管连接到所述基座上，
其中，所述基座之中或之上的一个或更多导电通路有利于所述分立电阻器与所述发光二极管中的所述对应发光二极管之间的电耦合。
7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
对于所述发光二极管中的一个或更多连接有并联电阻器的发光二极管中的每一个发光二极管，计算所述并联电阻器的电阻值，
其中，所述计算的电阻值导致所述每一个发光二极管在被连接到所述电源上并接收所述电流量时产生的光功率水平在所述第二范围内。
8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
在连接所述电阻器之后，将该组发光二极管中的每一个与光学检测器关联。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述光学检测器全部被配置为检测所述第二范围中的光功率水平。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一范围具有最低数值和最高数值，其中，所述第二范围具有最低数值和最高数值，以及
其中，所述第二范围的所述最低数值低于所述第一范围的所述最低数值。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，连接所述分立物理电阻器之一的分立的发光二极管的数量取决于为该组设置的目标输出功率分布的宽窄。
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