JP2012109493A - 半導体発光素子測定装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体発光素子の特性を変えることが可能な半導体発光素子測定装置を提供する。
【解決手段】可動ステージ３１は、ＬＥＤチップ１０、１１を載置し、位置調整部３８の制御により、水平方向（例えば、ｘ軸方向、ｙ軸方向）に移動する。プローブ針３２は、ＬＥＤチップ１０、１１の表面に形成されたボンディング電極に接触させてＬＥＤチップ１０、１１に所要の電圧を印加する。光検出部３４は、ＬＥＤチップ１０、１１からの光を検出する。光学特性測定部３６は、光検出部３４による検出結果に基づいて、ＬＥＤチップ１０、１１の光学特性を測定する。レーザ光源３３は、レーザ光によりＬＥＤチップ１０、１１の表面の一部を切除する。
【選択図】図１
【解決手段】可動ステージ３１は、ＬＥＤチップ１０、１１を載置し、位置調整部３８の制御により、水平方向（例えば、ｘ軸方向、ｙ軸方向）に移動する。プローブ針３２は、ＬＥＤチップ１０、１１の表面に形成されたボンディング電極に接触させてＬＥＤチップ１０、１１に所要の電圧を印加する。光検出部３４は、ＬＥＤチップ１０、１１からの光を検出する。光学特性測定部３６は、光検出部３４による検出結果に基づいて、ＬＥＤチップ１０、１１の光学特性を測定する。レーザ光源３３は、レーザ光によりＬＥＤチップ１０、１１の表面の一部を切除する。
【選択図】図１
Description
本発明は、半導体発光素子の光学特性を測定する半導体発光素子測定装置に関する。
従来、光源として用いられてきた蛍光灯又は白熱灯などに比べて、省電力かつ長寿命であるという理由で、発光ダイオード（ＬＥＤ）が光源として注目を浴びており、照明用の光源だけでなく、照明スイッチ、バックライト光源、イルミネーション光源、アミューズメント機器の装飾など、広い分野で使用されるようになった。
このような発光ダイオードに用いられるＬＥＤチップ（半導体発光素子）の光学特性又は電気特性は、発光素子測定装置で測定することが可能である。例えば、ステージ上にＬＥＤチップを載置し、プローブ針をＬＥＤチップの電極に接触させ所定の電圧をＬＥＤチップに印加し、ＬＥＤチップの照射光を検出し、その光学特性を測定する検出測定手段を備えた光学特性測定装置が開示されている（特許文献１参照）。
従来の光学特性測定装置は、ＬＥＤのウエハ毎又はＬＥＤチップ毎の光学特性又は電気特性（特性）を測定することができ、例えば、ウエハ面内での特性分布の情報を得ることができるが、ＬＥＤチップを製造した段階でＬＥＤチップの特性は一義的に決定されているので、製造済のＬＥＤチップの特性を単に確認することができるだけである。一方で、ＬＥＤチップの製造工程の様々な要因により、ＬＥＤチップの特性は所望の目標値とは異なる値になる場合もあり、測定した特性が許容値範囲外であれば、製造したＬＥＤチップが無駄となり歩留まりが低下するという問題がある。また、一方で、ＬＥＤチップの特性を用途などに応じて変化させたいという要望もある。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、半導体発光素子の特性を変えることが可能な半導体発光素子測定装置を提供することを目的とする。
第１発明に係る半導体発光素子測定装置は、半導体発光素子からの光を検出して光学特性を測定する測定部を備える半導体発光素子測定装置において、前記半導体発光素子の表面の一部を切除するための切除処理部を備えることを特徴とする。
第２発明に係る半導体発光素子測定装置は、第１発明において、前記測定部で測定した光学特性に基づいて、前記切除処理部で切除する位置を調整する位置調整部を備えることを特徴とする。
第３発明に係る半導体発光素子測定装置は、第２発明において、前記測定部で測定した光学特性と所定の目標値との差分が閾値内にあるか否かを判定する判定部を備え、前記位置調整部は、前記判定部で前記差分が閾値内にないと判定した場合、該差分に応じて切除する位置を調整するようにしてあり、前記切除処理部は、前記位置調整部で調整した位置に応じて、前記半導体発光素子の表面の一部を切除するようにしてあり、前記判定部で前記差分が閾値内にあると判定した場合、切除を終了するように構成してあることを特徴とする。
第４発明に係る半導体発光素子測定装置は、第１発明乃至第３発明のいずれか１つにおいて、前記切除処理部は、前記半導体発光素子の半導体発光層と、該半導体発光層と直列接続をなすように形成された抵抗層とを接続する複数の配線層のいずれかを切除するようにしてあることを特徴とする。
第５発明に係る半導体発光素子測定装置は、第１発明乃至第３発明のいずれか１つにおいて、前記切除処理部は、前記半導体発光素子の半導体発光層と直列接続をなすように形成された抵抗層の一部を切除するようにしてあることを特徴とする。
第６発明に係る半導体発光素子測定装置は、第１発明乃至第５発明のいずれか１つにおいて、前記切除処理部は、レーザ光を照射するレーザ光源であることを特徴とする。
第７発明に係る半導体発光素子測定装置は、第６発明において、前記位置調整部は、レーザ光の照射方向を調整する可動ミラー又は前記半導体発光素子を載置する可動台であることを特徴とする。
第８発明に係る半導体発光素子測定装置は、第１発明乃至第５発明のいずれか１つにおいて、前記切除処理部は、切削針を備えた切削治具であることを特徴とする。
第９発明に係る半導体発光素子測定装置は、第８発明において、前記位置調整部は、前記半導体発光素子を載置する可動台であることを特徴とする。
第１０発明に係る半導体発光素子測定装置は、第１発明乃至第９発明のいずれか１つにおいて、前記測定部で測定した光学特性に基づいて前記半導体発光素子を層別するための層別部を備えることを特徴とする。
第１発明にあっては、半導体発光素子の表面の一部を切除するための切除処理部を備える。半導体発光素子は、例えば、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層を備える半導体層と、ｎ型半導体層などで構成される抵抗層とが直列接続になるように形成し、直列回路の両端にボンディング電極を設ける。切除処理部で抵抗層の一部を切除することにより、抵抗層の抵抗値を変えて半導体層に流れる電流を調整することができ、半導体発光素子から発する光量も調整することができる。これにより、半導体発光素子の光学特性又は電気特性を変えることが可能となる。
第２発明にあっては、測定部で測定した光学特性に基づいて、切除処理部で切除する位置を調整する位置調整部を備える。例えば、半導体発光素子の光量が多い場合、切除処理部で切除する位置を変えることにより、抵抗層の抵抗値を大きくし、半導体層に流れる電流を少なくして光量を下げることができる。これにより、半導体発光素子の特性を測定しつつ特性を変化させることができる。
第３発明にあっては、測定部で測定した光学特性と所定の目標値との差分が閾値内にあるか否かを判定する判定部を備え、位置調整部は、判定部で差分が閾値内にないと判定した場合、当該差分に応じて切除する位置を調整する。切除処理部は、位置調整部で調整した位置に応じて、半導体発光素子の表面の一部を切除し、判定部で差分が閾値内にあると判定した場合、切除を終了する。例えば、切除処理部で抵抗層の一部を切除する前に、半導体発光素子の特性（例えば、光量）を測定し、測定した光量と目標値との差分が閾値を超えている場合、差分に応じて切除する位置を調整する。位置の調整とは、例えば、切除する長さ若しくは面積、または切除する箇所の数などを調整することである。そして、測定した光量と目標値との差分が閾値内となれば、切除を終了する。これにより、半導体発光素子の特性を所望の値に設定することができる。
第４発明にあっては、切除処理部は、半導体発光素子の半導体発光層と、半導体発光層と直列接続をなすように形成された抵抗層とを接続する複数の配線層のいずれかを切除する。これにより、抵抗層に流れる電流路を変えることができ、抵抗層の抵抗値を変えることで光量を調整することができる。
第５発明にあっては、切除処理部は、半導体発光素子の半導体発光層と直列接続をなすように形成された抵抗層の一部を切除する。これにより、抵抗層の抵抗値を変えることで光量を調整することができる。
第６発明にあっては、切除処理部は、レーザ光を照射するレーザ光源である。レーザ光により半導体発光素子の表面（抵抗層）の一部を基板が露出するまで切除することができる。
第７発明にあっては、位置調整部は、レーザ光の照射方向を調整する可動ミラー又は半導体発光素子を載置する可動台である。これにより、半導体発光素子の表面の所望の位置を切除することができる。
第８発明にあっては、切除処理部は、切削針を備えた切削治具である。切削針により半導体発光素子の表面（抵抗層）の一部を基板が露出するまで切除することができる。
第９発明にあっては、位置調整部は、半導体発光素子を載置する可動台である。これにより、半導体発光素子の表面の所望の位置を切除することができる。
第１０発明にあっては、測定部で測定した光学特性に基づいて半導体発光素子を層別するための層別部を備える。これにより、光学特性を測定しつつ光学特性を変えた場合でも、同等の光学特性の半導体発光素子を１つに纏めるとともに、異なる光学特性の半導体発光素子を区別することができる。
本発明によれば、半導体発光素子の表面の一部を切除するための切除処理部を備えることにより、半導体発光素子の光学特性又は電気特性を変えることが可能となる。
（実施の形態１）
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて説明する。図１は実施の形態１の半導体発光素子測定装置１００の構成の一例を示すブロック図である。半導体発光素子測定装置１００は、装置全体の動作を制御するマイクロコンピュータ３０を備える。マイクロコンピュータ３０は、レーザ制御部３５、光学特性測定部３６、電気特性測定部３７、位置調整部３８、層別部３９などの動作を制御する。
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて説明する。図１は実施の形態１の半導体発光素子測定装置１００の構成の一例を示すブロック図である。半導体発光素子測定装置１００は、装置全体の動作を制御するマイクロコンピュータ３０を備える。マイクロコンピュータ３０は、レーザ制御部３５、光学特性測定部３６、電気特性測定部３７、位置調整部３８、層別部３９などの動作を制御する。
可動ステージ３１は、ＬＥＤチップ（半導体発光素子）１０、１１を載置する可動台としての機能を有する。可動ステージ３１は、シート上に装着した複数のＬＥＤチップ（半導体発光素子）１０、１１、あるいはＬＥＤチップ１０、１１を形成したウエハを載置し、位置調整部３８の制御により、水平方向（例えば、ｘ軸方向、ｙ軸方向）に移動することができる。
プローブ針３２は、ＬＥＤチップ１０、１１の表面に形成されたボンディング電極に接触させてＬＥＤチップ１０、１１に所要の電圧（例えば、０Ｖ〜１０Ｖ）を印加する。
電気特性測定部３７は、ＬＥＤチップ１０、１１に所要の電圧を印加した状態で、順方向電圧、順方向電流、抵抗値などの電気特性を測定することができる。電気特性測定部３７は、測定した電気特性をマイクロコンピュータ３０へ出力する。
レーザ光源３３は、ＬＥＤチップ１０、１１の表面（抵抗層）の一部を切除する切除処理部としての機能を有する。レーザ光源３３は、ＹＡＧレーザ、あるいは一般的に加工用に用いられるレーザ光源を使用することができる。
レーザ制御部３５は、マイクロコンピュータ３０の制御のもと、レーザ光源３３のオン／オフ、及びレーザ光の出力を調整する。
光検出部３４は、ＬＥＤチップ１０、１１からの光を検出する。光検出部３４は、可動ステージ上のＬＥＤチップ１０、１１に対向配置される光ファイバ、及び当該光ファイバの端部に設けられた受光部などを備える。光検出部３４は、検出結果を光学特性測定部３６へ出力する。
光学特性測定部３６は、光検出部３４による検出結果に基づいて、ＬＥＤチップ１０、１１の光学特性を測定する。測定される光学特性は、輝度（ｍｃｄ）、パワー（ｍＷ）、スペクトル積分値などの光量特性、及び波長、色度、半値幅などの波長特性などを含む。
層別部３９は、ＬＥＤチップ１０、１１を吸着する吸着部４０を備え、マイクロコンピュータ３０の制御のもと、ＬＥＤチップ１０、１１の光学特性又は電気特性の測定結果に応じて階級（クラス）に分けることにより、ＬＥＤチップ１０、１１を分別してトレー４１に収容する。
位置調整部３８により可動ステージ３１の位置を調整することにより、レーザ光源３３による切除箇所の位置を調整することができる。なお、可動ステージ３１により切除箇所の位置を調整する構成に代えて、レーザ光源３３に可動ミラーを備え、レーザ光の照射方向を微調整することにより、ＬＥＤチップ１０、１１の表面（抵抗層）の切除箇所の位置を調整することもできる。
図２はＬＥＤチップ１０の平面構造の一例を示す模式図である。ＬＥＤチップ１０は、複数のＬＥＤチップが形成されたウエハを所定の寸法で直方体状に切断して分離したものである。なお、本実施の形態の半導体発光素子測定装置１００は、ウエハのままで光学特性及び電気特性の測定と抵抗層の一部の切除処理とを行うこともでき、あるいはシート上に複数装着した各ＬＥＤチップ１０の光学特性及び電気特性の測定と抵抗層の一部の切除処理とを行うこともできる。
図２において、１はサファイア基板である。サファイア基板１（以下、「基板」という。）は平面視が矩形状であって、縦横寸法は、例えば、０．３ｍｍ程度であるが、寸法はこれに限定されるものではない。
ＬＥＤチップ１０は、矩形状の基板１上に発光用のｎ型半導体層２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体層（ＬＥＤ構造）を形成してある。
半導体層（ＬＥＤ構造）のｐ型半導体層３の表面には、電流拡散層４を形成してある。電流拡散層４は、例えば、導電性の透明膜であるＩＴＯ膜（インジウム錫酸化膜）である。電流拡散層４の表面にはボンディング電極６１を形成してあり、ｐ型半導体層３は、電流拡散層４を介してボンディング電極６１に電気的に接続してある。
基板１上には、発光用の半導体層（ＬＥＤ構造）のｎ型半導体層２と分離させて抵抗層としてのｎ型半導体層２を形成してある。抵抗層としてのｎ型半導体層２の表面には、ｎオーミック電極（不図示）を形成してある。ｎオーミック電極の表面には、ボンディング電極６２を形成してある。抵抗層のｎ型半導体層２は、ｎオーミック電極を介してボンディング電極６２に電気的に接続してある。
抵抗層としてのｎ型半導体層２の表面に形成されたオーミック電極（不図示）と、発光用の半導体層（ＬＥＤ構造）のｎ型半導体層２の表面に形成されたオーミック電極（不図示）とは、配線層６３により接続されている。配線層６３は、適長離隔して平行に配置された配線層６３１、６３２、６３３を備える。
すなわち、抵抗層としてのｎ型半導体層２は、適宜の幅を有し、基板１の１辺側に沿って配置してある。そして、ｎ型半導体層２（抵抗層）の一方の端部近傍にボンディング電極６２を形成してある。ｎ型半導体層２（抵抗層）のボンディング電極６２からの離隔寸法が異なる複数の箇所それぞれに、ｎオーミック電極を介してお互いに電気的に分離して配線層６３１、６３２、６３３を接続してある。
ｎ型半導体層２、ｐ型半導体層３、電流拡散層４及び配線層６３などの側面及び上面であって、電気的に接続されていない部分は、保護膜（不図示）を成膜してある。保護膜は、例えば、ＳｉＯ2 膜などである。
図３はＬＥＤチップ１０の回路構成を示す説明図である。図３に示すように、ＬＥＤチップ１０は、半導体層（２、３）のアノード側にボンディング電極６１が接続され、半導体層（２、３）のカソード側には配線層６３を介して配線層６３１、６３２、６３３の一端側が接続され、配線層６３１、６３２、６３３の他端側にはボンディング電極６２が接続された回路構成を有する。なお、図３では、便宜上、配線層６３１、６３２、６３３と配線層６３１、６３２、６３３に接続されるｎ型半導体層２（抵抗層）とを纏めて抵抗素子のように表示している。
次に、本実施の形態の半導体発光素子測定装置１００による切除処理について説明する。図２において、矩形状の領域２０は、レーザ光源３３のレーザ光により切除（切断）したＬＥＤチップ１０の表面の切除箇所を表す。すなわち、図２の例では、配線層６３１、６３２、６３３のうち、配線層６３３だけを残して、他の配線層６３１、６３２をレーザ光で切除する。なお、レーザ光による切除は、基板１が露出するまで行う。
図２に示すように、ボンディング電極６２までの離隔寸法が異なる箇所のいずれかの配線層を残して（図２の例では配線層６３３）、他の配線層（図２の例では、配線層６３１、６３２）を切除することにより、ボンディング電極６２と配線層６３３が接続された箇所との間の抵抗層の寸法を選択して、抵抗層の抵抗値を設定することができる。これにより、抵抗層の抵抗値を所要の値に設定することができ、ＬＥＤチップ１０の光学特性又は電気特性測定の段階でＬＥＤチップ１０内の抵抗値を調整することができ、ＬＥＤチップ１０の光学特性及び電気特性を所望の値にすることができる。
なお、図２の例では、配線層６３３を残して他の配線層６３１、６３２を切除する構成であったが、これに限定されるものではなく、例えば、配線層６３１を残して他の配線層６３２、６３３を切除する構成でもよく、あるいは配線層６３２を残して他の配線層６３１、６３３を切除する構成でもよい。また、切除せずに残す配線層の数は１つに限定されるものではなく、２つでもよい。また、配線層を切除しない構成とすることもできる。また、分離して設けた配線層６３１〜６３３の数は３個に限定されるものではなく、２個又は４個以上であってもよい。このように、いくつかの異なる形態とすることで、ＬＥＤチップ１０の内部抵抗の抵抗値を所望の値に設定することが可能となる。
図４はＬＥＤチップ１１の平面構造の他の例を示す模式図である。図４に示すように、ＬＥＤチップ１１は、矩形状の基板１上に発光用のｎ型半導体層２、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体層（ＬＥＤ構造）を形成してある。
半導体層（ＬＥＤ構造）のｐ型半導体層３の表面には、電流拡散層４を形成してある。電流拡散層４の表面にはボンディング電極６１を形成してあり、ｐ型半導体層３は、電流拡散層４を介してボンディング電極６１に電気的に接続してある。
半導体層（ＬＥＤ構造）のｎ型半導体層２の表面には、配線層６３に接続するためのｎオーミック電極（不図示）を形成してある。
基板１上には、発光用の半導体層（ＬＥＤ構造）のｎ型半導体層２と分離させて抵抗層としてのｎ型半導体層２を形成してある。
抵抗層としてのｎ型半導体層２は、適宜の幅を有し、基板１の１辺側に沿って配置してある。そして、ｎ型半導体層２（抵抗層）の一方の端部近傍にボンディング電極６２を形成してある。ｎ型半導体層２（抵抗層）の他方の端部近傍は、配線層６３を介して発光用の半導体層のｎ型半導体層２に接続してある。
図５はＬＥＤチップ１１の回路構成を示す説明図である。図５に示すように、ＬＥＤチップ１１は、半導体層（２、３）のアノード側にボンディング電極６１が接続され、半導体層（２、３）のカソード側には配線層６３を介して抵抗素子（抵抗層）の一端側が接続され、抵抗素子（抵抗層）の他端側にはボンディング電極６２が接続された回路構成を有する。
次に、本実施の形態の半導体発光素子測定装置１００による切除処理について説明する。図４において、平面視で略Ｌ字状の領域２０は、レーザ光源３３のレーザ光により切除したＬＥＤチップ１０の表面の切除箇所を表す。すなわち、図４の例では、ボンディング電極６２から配線層６３との接続部分の方向に沿って長さ方向とし、長さ方向と垂直な方向を幅方向とした場合、抵抗層としてのｎ型半導体層２の一部を幅方向に沿って切除し、途中で長さ方向に沿って切除する。なお、ｎ型半導体層２（抵抗層）の切除は、基板１が露出するまで行う。これにより、ｎ型半導体層２（抵抗層）の長さ及び断面積を調整して、抵抗層の抵抗値を広範囲に設定することができるとともにさらに所要の値に微調整しつつ設定することができる。抵抗層の抵抗値を所要の値に設定することができ、ＬＥＤチップ１１の光学特性又は電気特性測定の段階でＬＥＤチップ１１内の抵抗値を調整することができ、ＬＥＤチップ１１の光学特性及び電気特性を所望の値にすることができる。
なお、図４の例では、切除する領域２０は、平面視でＬ字状をなすが、切除する領域の形状はＬ字状に限定されるものではない。所望の抵抗値に応じて任意の形状の領域を切除することができる。
半導体発光素子測定装置１００は、ＬＥＤチップ１０、１１の表面の一部を切除するためのレーザ光源３３を備える。レーザ光源３３からのレーザ光でＬＥＤチップ１０の配線層（６３１〜６３３）、あるいはＬＥＤチップ１１の抵抗層の一部を切除することにより、ＬＥＤチップ１０、１１の内部抵抗値を変えて半導体層に流れる電流を調整することができ、ＬＥＤチップ１０、１１から発する光量も調整することができる。これにより、ＬＥＤチップ１０、１１の光学特性又は電気特性を変えることが可能となる。
また、半導体発光素子測定装置１００は、光学特性測定部３６で測定した光学特性（例えば、輝度など）に基づいて、レーザ光源３３からのレーザ光で切除する位置を調整する位置調整部３８を備える。例えば、ＬＥＤチップ１０、１１の光量が多い（輝度が高い）場合、レーザ光で切除する位置を変えることにより、ＬＥＤチップ１０、１１の内部抵抗値を大きくし、半導体層に流れる電流を少なくして光量（輝度）を下げることができる。これにより、ＬＥＤチップ１０、１１の特性を測定しつつ特性を変化させることができる。
位置調整部３８を備えることにより、ＬＥＤチップ１０、１１の表面の所望の位置を切除することができる。なお、可動ミラーを用いた場合も同様に、ＬＥＤチップ１０、１１の表面の所望の位置を切除することができる。
また、半導体発光素子測定装置１００は、光学特性測定部３６で測定した光学特性（例えば、輝度など）と所定の目標値との差分が閾値内にあるか否かを判定するマイクロコンピュータ３０を備える。位置調整部３８は、マイクロコンピュータ３０で差分が閾値内にないと判定した場合、マイクロコンピュータ３０の制御のもと、可動ステージ３１を移動させて、当該差分に応じて切除する位置を調整する。レーザ光源３３は、位置調整部３８で調整した位置に応じて、ＬＥＤチップ１０、１１の表面の一部を切除する。そして、マイクロコンピュータ３０で差分が閾値内にあると判定した場合、切除を終了する。例えば、レーザ光源３３で、いずれかの配線層（６３１〜６３３）、又は抵抗層２の一部を切除する前に、ＬＥＤチップ１０、１１の光学特性（例えば、輝度）を測定し、測定した輝度と目標値（例えば、１００ｍｃｄなど）との差分が閾値を超えている場合、差分に応じて切除する位置を調整する。位置の調整とは、例えば、切除する長さ若しくは面積、または切除する箇所の数などを調整することである。そして、測定した輝度と目標値との差分が閾値内となれば、切除を終了する。これにより、ＬＥＤチップ１０、１１の特性を所望の値に設定することができる。
また、半導体発光素子測定装置１００は、光学特性測定部３６で測定した光学特性に基づいてＬＥＤチップ１０、１１を層別するための層別部３９を備える。これにより、光学特性を測定しつつ光学特性を変えた場合でも、同等の光学特性のＬＥＤチップ１０、１１を１つに纏めるとともに、異なる光学特性のＬＥＤチップ１０、１１を区別することができる。
（実施の形態２）
図６は実施の形態２の半導体発光素子測定装置１００の構成の一例を示すブロック図である。実施の形態１との相違点は、レーザ光源３３及びレーザ制御部３５に代えて、切削治具５０及び切削制御部５１を備える点である。
図６は実施の形態２の半導体発光素子測定装置１００の構成の一例を示すブロック図である。実施の形態１との相違点は、レーザ光源３３及びレーザ制御部３５に代えて、切削治具５０及び切削制御部５１を備える点である。
切削治具５０は、機械的な加工具であり、例えば、超鋼の切削工具を用いることができるが、これに限定されるものではなく、一般的な切削工具を用いてもよい。
切削制御部５１は、切削治具５０のオン／オフなどを制御する。なお、可動ステージ３１を移動させる代わりに、切削治具５０を移動させてＬＥＤチップ１０、１１の切除する箇所の位置を調整させてもよい。
なお、その他の構成は実施の形態１と同様であるので、説明は省略する。また、実施の形態１と同様の作用効果を奏する。
上述のとおり、本実施の形態１、２では、ＬＥＤチップの電極形成後においても、ＬＥＤチップの特性（光学特性及び電気特性）を変えることが可能であり、かつ特性の測定と同時に切除処理（加工）を行うことにより、効率よく所要の特性のＬＥＤチップを製造することができる。
１０、１１ ＬＥＤチップ（半導体発光素子）
３０ マイクロコンピュータ（判定部）
３１ 可動ステージ（可動台）
３２ プローブ針
３３ レーザ光源（切除処理部）
３４ 光検出部
３５ レーザ制御部
３６ 光学特性測定部（測定部）
３７ 電気特性測定部
３８ 位置調整部
３９ 層別部
４０ 吸着部
４１ トレー
５０ 切削治具（切除処理部）
５１ 切削制御部
３０ マイクロコンピュータ（判定部）
３１ 可動ステージ（可動台）
３２ プローブ針
３３ レーザ光源（切除処理部）
３４ 光検出部
３５ レーザ制御部
３６ 光学特性測定部（測定部）
３７ 電気特性測定部
３８ 位置調整部
３９ 層別部
４０ 吸着部
４１ トレー
５０ 切削治具（切除処理部）
５１ 切削制御部
Claims (10)
- 半導体発光素子からの光を検出して光学特性を測定する測定部を備える半導体発光素子測定装置において、
前記半導体発光素子の表面の一部を切除するための切除処理部を備えることを特徴とする半導体発光素子測定装置。 - 前記測定部で測定した光学特性に基づいて、前記切除処理部で切除する位置を調整する位置調整部を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子測定装置。
- 前記測定部で測定した光学特性と所定の目標値との差分が閾値内にあるか否かを判定する判定部を備え、
前記位置調整部は、
前記判定部で前記差分が閾値内にないと判定した場合、該差分に応じて切除する位置を調整するようにしてあり、
前記切除処理部は、
前記位置調整部で調整した位置に応じて、前記半導体発光素子の表面の一部を切除するようにしてあり、
前記判定部で前記差分が閾値内にあると判定した場合、切除を終了するように構成してあることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子測定装置。 - 前記切除処理部は、
前記半導体発光素子の半導体発光層と、該半導体発光層と直列接続をなすように形成された抵抗層とを接続する複数の配線層のいずれかを切除するようにしてあることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体発光素子測定装置。 - 前記切除処理部は、
前記半導体発光素子の半導体発光層と直列接続をなすように形成された抵抗層の一部を切除するようにしてあることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体発光素子測定装置。 - 前記切除処理部は、
レーザ光を照射するレーザ光源であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体発光素子測定装置。 - 前記位置調整部は、
レーザ光の照射方向を調整する可動ミラー又は前記半導体発光素子を載置する可動台であることを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子測定装置。 - 前記切除処理部は、
切削針を備えた切削治具であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体発光素子測定装置。 - 前記位置調整部は、
前記半導体発光素子を載置する可動台であることを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子測定装置。 - 前記測定部で測定した光学特性に基づいて前記半導体発光素子を層別するための層別部を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の半導体発光素子測定装置。
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