JPS58112376A - 発光素子アレイ - Google Patents
発光素子アレイInfo
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- JPS58112376A JPS58112376A JP56212665A JP21266581A JPS58112376A JP S58112376 A JPS58112376 A JP S58112376A JP 56212665 A JP56212665 A JP 56212665A JP 21266581 A JP21266581 A JP 21266581A JP S58112376 A JPS58112376 A JP S58112376A
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- JP
- Japan
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- light emitting
- emitting element
- trimming
- element array
- resistor
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、元プリンタヘッドに用いられる発光素子ア゛
レイに関する。
レイに関する。
＝般に、デジタル自信ｇに応じて生定食方回にライン状
に配列された発ｉ孝子アレイからなるヘッドを１１ＡＩ
Ｉｂシて一足量万同に移動する感尤性記録媒体面に対す
る露光を順次行なわせるようにした電子写真式の元プリ
ンタ（ありては、ＬＥＤ 、レーザダイオードなどから
なる各発光素子の光強度にばらつきがあると露光むらｔ
生じ【記録画像の品質が低丁してしまうためｖｃ、各発
光素子の光強度が均一にすべくその元型ａＡ整を行なわ
せる必要がある。
に配列された発ｉ孝子アレイからなるヘッドを１１ＡＩ
Ｉｂシて一足量万同に移動する感尤性記録媒体面に対す
る露光を順次行なわせるようにした電子写真式の元プリ
ンタ（ありては、ＬＥＤ 、レーザダイオードなどから
なる各発光素子の光強度にばらつきがあると露光むらｔ
生じ【記録画像の品質が低丁してしまうためｖｃ、各発
光素子の光強度が均一にすべくその元型ａＡ整を行なわ
せる必要がある。
そのため、従来では発光素子アレイを半導体ＩＣ技術に
よって製造する際に、ウェハ段階で比較的特性のそろり
た材料’Ｉｇ’Ｚして使用するとともｖｃ、各発元素子
関を絶縁させるＺ、不純物などを均一拡散させること（
よって各発光素子の光強度の均一化を図るようにしてい
るが、このような発光素子アレイの製造技術だけでは各
発光素子の元！ｉｌｌのばらつきを±１５％程度の範囲
に抑えるのが限度で、それ以上の発ｊｔ、Ｉｉ！１度の
均一化を図ることは非常（困確とされ、また発覚素子ア
レイ製造時の歩溜りが低下して量産性が悪（なりてしま
５という問題がある。なお１元プリンタにおいて品質の
良い−１の記録を行なわせるためには、そのヘッドにお
ける発光素子アレイの各発光素子の光強度のばらつき＋
ｌＧ％以下、できれば＋５％ｌ１ｆＫなるようにするこ
とが要求される。
よって製造する際に、ウェハ段階で比較的特性のそろり
た材料’Ｉｇ’Ｚして使用するとともｖｃ、各発元素子
関を絶縁させるＺ、不純物などを均一拡散させること（
よって各発光素子の光強度の均一化を図るようにしてい
るが、このような発光素子アレイの製造技術だけでは各
発光素子の元！ｉｌｌのばらつきを±１５％程度の範囲
に抑えるのが限度で、それ以上の発ｊｔ、Ｉｉ！１度の
均一化を図ることは非常（困確とされ、また発覚素子ア
レイ製造時の歩溜りが低下して量産性が悪（なりてしま
５という問題がある。なお１元プリンタにおいて品質の
良い−１の記録を行なわせるためには、そのヘッドにお
ける発光素子アレイの各発光素子の光強度のばらつき＋
ｌＧ％以下、できれば＋５％ｌ１ｆＫなるようにするこ
とが要求される。
また、従来１発元素子アレイの駆動回路内に各発覚素子
への供給電流を制限する可変抵抗をそれぞれ設けて光量
調整を行なわせるよ５Ｋしているが、駆動回路自体の構
造が大形化されてヘッドへの組込みの際における占積率
が悪くなってしまっている。
への供給電流を制限する可変抵抗をそれぞれ設けて光量
調整を行なわせるよ５Ｋしているが、駆動回路自体の構
造が大形化されてヘッドへの組込みの際における占積率
が悪くなってしまっている。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、特に駆動
回路を含めてＩＣ化された発光素子アレイが大形化され
ることなく、各発光素子の光強度のばらつきの均一化？
容易かつ高稍度に図ることができるよう和した発覚素子
アレイを提供するものである。
回路を含めてＩＣ化された発光素子アレイが大形化され
ることなく、各発光素子の光強度のばらつきの均一化？
容易かつ高稍度に図ることができるよう和した発覚素子
アレイを提供するものである。
本発明による発覚素子アレイにあっては。
ＩＣ技術によりて発光素子アレイが形成される同一基板
上に各発光素子にそれぞれ対応した電流制限用の抵抗体
を一体に形成し。
上に各発光素子にそれぞれ対応した電流制限用の抵抗体
を一体に形成し。
それら各抵抗体をトリミングさせることによって各発光
素子の元量調ａ１に行なわせるが、その際脣に本発明で
は基板を大形化させることなく各抵抗体な占積重要くそ
の基板上に形成させるとともに、 トリミング時に抵
抗材の飛沫が発光素子に付着することがないような構造
をとるよ５Ｋｔ、”Ｃいる。
素子の元量調ａ１に行なわせるが、その際脣に本発明で
は基板を大形化させることなく各抵抗体な占積重要くそ
の基板上に形成させるとともに、 トリミング時に抵
抗材の飛沫が発光素子に付着することがないような構造
をとるよ５Ｋｔ、”Ｃいる。
以下、添付図面を参照して本発明の一実施例について詳
述する。
述する。
本発明による発覚素子アレイは、第１図（り［示ｊよ５
ｔＣ，セラミック基板１の表面ＫＬＥＤ 、レーザダイ
オードなどからなる複数の発光素子２１〜２ｎ ｙ！−
共通電極２上にアレイ状に配して形成するとともに、各
発光素子２１〜２ｎとそれぞれボンディングワイヤ３′
４を介して電気的Ｋｍ続された各導体箔４ｖ形成させ、
かつ同図（ｂ） Ｋ示すようＫ。
ｔＣ，セラミック基板１の表面ＫＬＥＤ 、レーザダイ
オードなどからなる複数の発光素子２１〜２ｎ ｙ！−
共通電極２上にアレイ状に配して形成するとともに、各
発光素子２１〜２ｎとそれぞれボンディングワイヤ３′
４を介して電気的Ｋｍ続された各導体箔４ｖ形成させ、
かつ同図（ｂ） Ｋ示すようＫ。
セラミック基１［１のＩｋ面に各発光素子２１〜２ｎと
対応するトリミング用抵抗体５１〜５ｎｙそれぞれ電極
６とともに形成させ、それら各電極６と表Ｅｌｌｌの各
導体箔４とｔそれぞれスルーホール７ｖ介して電気的に
接続させることによって構成されているｅなお１％発元
素子２１〜２０ｆ）間隔が狭いために。
対応するトリミング用抵抗体５１〜５ｎｙそれぞれ電極
６とともに形成させ、それら各電極６と表Ｅｌｌｌの各
導体箔４とｔそれぞれスルーホール７ｖ介して電気的に
接続させることによって構成されているｅなお１％発元
素子２１〜２０ｆ）間隔が狭いために。
各導体箔４を発光素子２１〜２ｎの奇数ＩＩ＠と偶数番
目とに応じてその発覚素子列の両１１１にふり分けてそ
れぞれ配列させ、またトリミング用抵抗体５１〜５ｆｉ
ｔ’表面側の導体箔４に応じて２列にふり分けて配設さ
せることにより製造時の容易化を因るようにしている。
目とに応じてその発覚素子列の両１１１にふり分けてそ
れぞれ配列させ、またトリミング用抵抗体５１〜５ｆｉ
ｔ’表面側の導体箔４に応じて２列にふり分けて配設さ
せることにより製造時の容易化を因るようにしている。
また、第２図は第１図のよ５［１つの基板上にＩＣ化さ
れて構成された本発明（よる発覚素子アレイＡＫ他の基
板よＫＩＣ化されて構成された駆動回路Ｂ’に＊絖させ
たときの等価電気回路を示すもので、発光素子２ｘ（ｘ
ｍｌｘｎ）とトリミング用抵抗体５ｘと２４画情報に応
じてオン、オフするスイッチング素子Ｑｘとの直列回路
が電源Ｅに対して複数並列接続されている。
れて構成された本発明（よる発覚素子アレイＡＫ他の基
板よＫＩＣ化されて構成された駆動回路Ｂ’に＊絖させ
たときの等価電気回路を示すもので、発光素子２ｘ（ｘ
ｍｌｘｎ）とトリミング用抵抗体５ｘと２４画情報に応
じてオン、オフするスイッチング素子Ｑｘとの直列回路
が電源Ｅに対して複数並列接続されている。
しかして、このよ５に構成された本発明による発光素子
アレイにあ′：）′Ｃは、各発光素子２１〜２ｆｉ Ｋ
それぞれ直列に接続された各抵抗体５１〜５ｎ をト、
リミングさせ【その抵抗値を適宜変化させることにより
谷麹党素子２１〜２ｎの駆動゛鴫流ｔＩｉｌｌＩｌ整す
るようにすれば、駆動時における☆発覚素子２１〜２ｎ
の光強度の均一化を容易かつ高精ｌｌｌＶｃ行なわせる
ことができる。
アレイにあ′：）′Ｃは、各発光素子２１〜２ｆｉ Ｋ
それぞれ直列に接続された各抵抗体５１〜５ｎ をト、
リミングさせ【その抵抗値を適宜変化させることにより
谷麹党素子２１〜２ｎの駆動゛鴫流ｔＩｉｌｌＩｌ整す
るようにすれば、駆動時における☆発覚素子２１〜２ｎ
の光強度の均一化を容易かつ高精ｌｌｌＶｃ行なわせる
ことができる。
第３図は６抵抗体５１〜５ｎをトリミングさせるための
具体的な一構成例を示すもので、発覚素子アレイＡを移
動させて発覚素子２１〜２ｎ ｖ受光器８の元軸位置で
順次点灯させ、各発覚素子２１〜２ｎの光強度Ｙ ６１
１１足させながら、それぞれの測定された光強度にもと
づく増幅、器９の出力レベルＶｒｅｆが予め設定された
基準レベルＶ、と等しくなるまで、比較回路１００出力
に応じて制御回路１１を通してトリミング器１２ｇ駆動
して発ｊｔ、１ｇ子２１〜２ｎに各対応する抵抗体５１
〜５ｎのトリミングを逐次性なわせるようにしている。
具体的な一構成例を示すもので、発覚素子アレイＡを移
動させて発覚素子２１〜２ｎ ｖ受光器８の元軸位置で
順次点灯させ、各発覚素子２１〜２ｎの光強度Ｙ ６１
１１足させながら、それぞれの測定された光強度にもと
づく増幅、器９の出力レベルＶｒｅｆが予め設定された
基準レベルＶ、と等しくなるまで、比較回路１００出力
に応じて制御回路１１を通してトリミング器１２ｇ駆動
して発ｊｔ、１ｇ子２１〜２ｎに各対応する抵抗体５１
〜５ｎのトリミングを逐次性なわせるようにしている。
なお、６抵抗体５１〜５ｆｌとしては例えばＡｕＯ，に
ガラス粉末を混入させたものを用い、またトリミング器
１２としては例えばレーザ式またはアルミナ粉ジェット
噴流式のものｔ用いる。
ガラス粉末を混入させたものを用い、またトリミング器
１２としては例えばレーザ式またはアルミナ粉ジェット
噴流式のものｔ用いる。
６抵抗体５１〜５ｆｉのトリミング中和発生する抵抗俸
飛沫煙は図示しない吸引装置によって吸引除去すること
（なるが、その際％に本発明による発光素子アレイでは
、トリミングおよびその飛沫煙の処理は各発覚素子２１
〜２ｎが形成されている面とは反対側でなされるために
、抵抗体飛沫が発覚素子２１〜２ｎに付着するような支
障ン何らきたすことなくトリミングＶ＊行させることが
できるよ５になる。また、各抵抗体５１〜５ｎのトリミ
ング時に１基準レベルｖ番の安定化、欄元槽匿および回
路レスポンスの一定保持な・図ることによって各発覚素
子２１〜２ｎの光強度のばらりａｔ−＋Ｓ％以内に容易
［ｇｌｌｌＥすることができるよう＃Ｃなる。
飛沫煙は図示しない吸引装置によって吸引除去すること
（なるが、その際％に本発明による発光素子アレイでは
、トリミングおよびその飛沫煙の処理は各発覚素子２１
〜２ｎが形成されている面とは反対側でなされるために
、抵抗体飛沫が発覚素子２１〜２ｎに付着するような支
障ン何らきたすことなくトリミングＶ＊行させることが
できるよ５になる。また、各抵抗体５１〜５ｎのトリミ
ング時に１基準レベルｖ番の安定化、欄元槽匿および回
路レスポンスの一定保持な・図ることによって各発覚素
子２１〜２ｎの光強度のばらりａｔ−＋Ｓ％以内に容易
［ｇｌｌｌＥすることができるよう＃Ｃなる。
また、８８４図（ａ） 、 （ｂ）は本発明による発覚
素子アレイの他の実施？１を示すもので、この場合はセ
ラミック基板ｌの同一面に＠元素子２１〜２ｎおよびト
リミング用抵抗体５１〜Ｓａ Ｖそれぞれ配列させ、ボ
ンディングワイヤ３および電極６を介して各対応する発
覚素子２ｘと抵抗体５ｘとｔそれぞれ電気的に接続させ
るとともに１％発元素子２１〜２ ｉｌと抵抗体５１〜
５ｆｌとの間に絶縁性の仕切、す）ＩＬ１３．１ｇｆＩ
：それぞれ設けるようＫしている。
素子アレイの他の実施？１を示すもので、この場合はセ
ラミック基板ｌの同一面に＠元素子２１〜２ｎおよびト
リミング用抵抗体５１〜Ｓａ Ｖそれぞれ配列させ、ボ
ンディングワイヤ３および電極６を介して各対応する発
覚素子２ｘと抵抗体５ｘとｔそれぞれ電気的に接続させ
るとともに１％発元素子２１〜２ ｉｌと抵抗体５１〜
５ｆｌとの間に絶縁性の仕切、す）ＩＬ１３．１ｇｆＩ
：それぞれ設けるようＫしている。
しかして、このようＶＣ構成された発覚素子アレイでは
、各抵抗体５１〜５ｎ のトリミング時ＩＣ％仕切り板
１Ｂ、１４によって抵抗飛沫が発覚素子２１〜２１１に
付着するようなことが有効に防止されることになる・ま
た。
、各抵抗体５１〜５ｎ のトリミング時ＩＣ％仕切り板
１Ｂ、１４によって抵抗飛沫が発覚素子２１〜２１１に
付着するようなことが有効に防止されることになる・ま
た。
トリミングされた発覚素子アレイをプリンタヘッドに組
込む際に、前記仕切り板１３ 。
込む際に、前記仕切り板１３ 。
１４はスペーサまたは各発覚素子２１〜２６の保−材と
して作用するものとなる。なお。
して作用するものとなる。なお。
スペーサなどｔ’６！Ｐ＊としない場合には、ト＋）
ミンク完了後に各仕切り板１３．１４ｖｉｔ板ｌから取
り外すようＶｃしてもよいことはいうまでもｔい・ 以上１本発＃ＪＡＫよる発覚素子アレイにあっては、複
数の発覚素子がアレイ状に配されて形成される同一基板
よｉｃ、告発元素子とそれぞれ鬼気的ｖｃ接続された複
数のトリミンク用抵抗体を一体に形成し、４！ｒ発光素
子の光強度が均一に７Ｘるよう＆ＣＣ低抵抗体トリミン
グさせることによって構成されたもので、各発光素子の
光強度のばらつきを吸収してその均一化を容易かつ高Ｗ
１度に図ることができ、また各抵抗体のトリミングをそ
の抵抗飛沫が発覚素子に付着することなく行なわせるこ
とができ、また駆動回路を含めて全体をコンパクトに構
成させることができるとい５Ｌｄｋれた利点な有してい
る。
ミンク完了後に各仕切り板１３．１４ｖｉｔ板ｌから取
り外すようＶｃしてもよいことはいうまでもｔい・ 以上１本発＃ＪＡＫよる発覚素子アレイにあっては、複
数の発覚素子がアレイ状に配されて形成される同一基板
よｉｃ、告発元素子とそれぞれ鬼気的ｖｃ接続された複
数のトリミンク用抵抗体を一体に形成し、４！ｒ発光素
子の光強度が均一に７Ｘるよう＆ＣＣ低抵抗体トリミン
グさせることによって構成されたもので、各発光素子の
光強度のばらつきを吸収してその均一化を容易かつ高Ｗ
１度に図ることができ、また各抵抗体のトリミングをそ
の抵抗飛沫が発覚素子に付着することなく行なわせるこ
とができ、また駆動回路を含めて全体をコンパクトに構
成させることができるとい５Ｌｄｋれた利点な有してい
る。
＠１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明による発光素子アレ
イの一実施例を示す表面図および裏面図。 ′ｔ４２図は駆動回路を含む本発明による発覚素子アレ
イの等価軍気回路を示す図、謳３図はトリミングを行な
わせるための具体的な一構成例を示すブロック図、第４
図（ａ）。 （ｂ）は本発明の他の襲施例を示す表面図および儒ＥＩ
図である・ １・・・セラミック基板 ２・・・共通電極２１〜２ｎ
・・・発光素子 ３・・・ボンデインクワイヤ ４・・
・導体箔 ５１〜５ｎ・・・トリミング用抵抗体 ６・
・・電極 ７・・・スルーホール ８・・・受光６９・
・・’ｍ幅器 １０・・・比較回路 １１・・・制御回
路 １２・・・トリミング器 １３ 、１４・・・仕切
り板 出願人代理人 鳥 井 清 第２図 ′襄４図
イの一実施例を示す表面図および裏面図。 ′ｔ４２図は駆動回路を含む本発明による発覚素子アレ
イの等価軍気回路を示す図、謳３図はトリミングを行な
わせるための具体的な一構成例を示すブロック図、第４
図（ａ）。 （ｂ）は本発明の他の襲施例を示す表面図および儒ＥＩ
図である・ １・・・セラミック基板 ２・・・共通電極２１〜２ｎ
・・・発光素子 ３・・・ボンデインクワイヤ ４・・
・導体箔 ５１〜５ｎ・・・トリミング用抵抗体 ６・
・・電極 ７・・・スルーホール ８・・・受光６９・
・・’ｍ幅器 １０・・・比較回路 １１・・・制御回
路 １２・・・トリミング器 １３ 、１４・・・仕切
り板 出願人代理人 鳥 井 清 第２図 ′襄４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 複数の発光素子がアレイ状に配されて形成される
同一基板上に、６発元素子とそれぞれ電気的に接続され
た複数のトリミング用抵抗体を一体に形成し、各発光素
子の元ｇｉ！ＩＩＰＩＬが均一になるように各抵抗体ケ
トリミングさせることによって構成された発光素子アレ
イ。 ２、 ％発光素子が形成される面とは反淘側の面に谷ト
リミング用抵抗体ン形成させ。 基板に形成したスルーホール２通してそれぞれ電気的な
媛Ｗｔｖ行なわせるようにしたことヶ時徴とする前記第
１項記載による発光素子アレイ。 ３、 ％発光素子が形成される面と同一面に各トリミン
グ用抵抗体を形成させ１両者間に仕切り板を設けたこと
を特徴とする前記第１項の記＊による発光素子アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56212665A JPS58112376A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 発光素子アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56212665A JPS58112376A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 発光素子アレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58112376A true JPS58112376A (ja) | 1983-07-04 |
Family
ID=16626370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56212665A Pending JPS58112376A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 発光素子アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58112376A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6092880A (ja) * | 1983-10-27 | 1985-05-24 | Fujitsu Ltd | 発光ダイオ−ドアレイ駆動回路 |
| JPS60263482A (ja) * | 1984-06-12 | 1985-12-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオ−ド整列体 |
| JPS6140069A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 光プリンタヘツド |
| WO1986002045A1 (en) * | 1984-09-27 | 1986-04-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Optical printing head for optical printing apparatus |
| JPS63138787A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-10 | Fuji Electric Co Ltd | 線状発光素子 |
| JPH02111924A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-24 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示素子 |
| US4956684A (en) * | 1987-09-24 | 1990-09-11 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Printer head with light emitting element array |
| JP2008091448A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Mimaki Denshi Buhin Kk | 光源装置 |
| JP2009503866A (ja) * | 2005-07-29 | 2009-01-29 | ワールド・プロパティーズ・インコーポレイテッド | Ｌｅｄアレイ用針状ｉｔｏ |
| US11262600B2 (en) | 2017-04-28 | 2022-03-01 | Lg Chem, Ltd. | Light modulation device |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP56212665A patent/JPS58112376A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS63138787A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-10 | Fuji Electric Co Ltd | 線状発光素子 |
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