JPS60263482A - 発光ダイオ−ド整列体 - Google Patents

発光ダイオ−ド整列体

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JPS60263482A
JPS60263482A JP59121059A JP12105984A JPS60263482A JP S60263482 A JPS60263482 A JP S60263482A JP 59121059 A JP59121059 A JP 59121059A JP 12105984 A JP12105984 A JP 12105984A JP S60263482 A JPS60263482 A JP S60263482A
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Sanyo Electric Co Ltd
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Tokyo Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は発光ダイオードを整列配置して用いる、例えば
発光ダイオードヘッドに好適な、発光ダイオード整列体
に関する。
（口）従来技術 従来プリンタ用の発光ダイオードヘッド等の発光ダイオ
ード整列体は、例えば雑誌日経エレクトロニクス１９８
４年４月９日号第９２頁に記載されているが、第３図に
示す如く絶縁基台０１）上の導電層（１２に複数の発光
ダイオード（１Φ（１枦・・を載置している。ところが
、この場合に発光ダイオードｔｌ４）（１４）・・・を
載置する導電層（１２ｌが長尺になるため、その両端か
ら給電しても中央部の輝度低下が著しくなって不都合で
ある。
この点についてより具体的に説明する。茅２図はこのよ
うな発光ダイオード整列体の駆動時の等価回路図である
。図において１２４＋Ｕ＋・・・はその中ｌこ例えば６
４とか１２８の発光点を有する発光ダイオードで、発光
ダイオードール・・毎に電流源＠（イ）・・・が接続さ
れ、その電流値は例えばＩ（アンペア）であるとする。
＠は導電層で分布定数回路として抵抗（２２−１）・・
・（２２−７）（２２−●）・・・が直列に接続されて
いる。導電１ｍ（支）の両端から充分に低い抵抗値のリ
ード線で給電路（支）（支）が形成ざれているとし、発
光ダイオードの１つ１つに対応する抵抗（２２−１）・
・・（２２−７）（２２−８）・・・の分布抵抗値がＲ
（オーム）とし、さらに全体で１６個の発光ダイオード
（至）（至）・・・が用いられているとすると、中心（
２２ａ）から端までの導電層（（支）の抵抗値は８Ｒ（
オーム）となる。
しかし乍ら、中心付近の発光ダイオード（２）にとって
はこの抵抗値におけるＩ（アンペア）の准圧降ドではな
くもつと大きな値となる。即ちどの発光ダイオードｔ２
４１１２４＋・・・にも■（アンペア）流れると、端部
の発光ダイオード（至）のドの導電層には８■（アンペ
ア）の電流が流れる事になる。従って導電層（至）にお
ける電圧降ドを考えると、最も中央寄の発光ダイオード
部分の抵抗（２２−８）において１１＠Ｒ＋　２１　、
Ｒ＋　３　Ｉ　、Ｒ＋・・＋８１＠Ｒ＝３６ＩＩＬ（ボ
ルト）となる。発光ダイオード当りの電流■＝０．５Ａ
とし、導電層の１分布抵抗値としてＲ−［１０３Ωとす
ると、この電圧降下の値は０．５４　Ｖにもなり、発光
ダイオードの順方向電圧降ド２．Ｏｖ１　±ｏ、ｏｓｖ
に対し無視できなくなって、発光輝度低下として現れる
。
このような不都合に対して導電層０ｚを厚くかつ中広と
したり、あるいは導電層＋１２１の素材を変えて抵抗値
を低下させればよい。ところが、発光点密度をあげたり
装置を小型にするためには導電層の巾を広くできない。
また単純に厚さを厚くすると導電層（１２＋の型くずれ
を生じやすく、低抵抗４電材は高価になったり製造が困
難になったりするので採用困難であった。
ｅ埼　発明の目的 本発明は上記の点を考慮してなされたもので、発光輝度
低下を生じない、廉価な発光ダイオード整列体を提供す
るものである。
に）発明の構成 本発明は前記導体層として印刷による厚さ４０μｍ未満
でかつ単位長さあたりの抵抗値を１．１ｍΩ／ＵｍΩ／
上り好ましくは０．９ｍΩ／−以下で構成するもので、
以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
（ホ）実施例 第１図は本発明実施例の発光ダイオード整列体の断面図
である。図に於て（１）はセラミック等の絶縁基台で、
その表面には載置部用の４重層（２）と配線用の導電層
１３）＋３１が設けである。通常導電層を印刷により形
成すると２乃至１０μｍであり、配線用の導電層１３１
　（３１はこれに相当して２乃至３μｍである。一方装
置部用の導電層（２）は後述するように積１一体からな
る２０乃至４０μｍ、より好ましくは２５乃至ｇｏｐｍ
の厚みをなしている。またこの発光ダイオード整列体が
例えばＡ４版プリンタ用ヘッドである場合には、この載
置部用の導電層（２）は巾１．４　ａｌｌ長さ２２０１
Ｅ１１の長尺をなしている。
（４）は載置部用の導電層（２）の上に導電性接着剤（
５）等で載置固着され、配線用の導電層（３１（３１に
金属細線＋６１１６）で配線が施こされた、ＧａＡｓＰ
等の発光ダイオードである。そしてこの発光ダイオード
（４）は長さ８鴎の中に６４個の発光点を有し長さ方向
に２７個整列しである。
上述の構造に８いて、特に載置部用の導電層（２）につ
いて、製造方法を含め、より具体的に説明する。まず厚
さ１１１１１１のセラミックの絶縁基台上にスクリーン
印刷法によって導電ペーストを印刷する。
導電ペーストは例えば山中マスセイ株の商品名ＰＲ−１
１４Ｇの如く、金（Ａｕ）を導電物質とし低融点ガラス
をバインダとしたものがよい。このスクリーン印刷の後
に乾燥させ焼成するが、これらの工程において、特に印
刷厚みが厚いと型（ずれ（ダレ）が生じやすい。近（に
配線用の導電層（３）＋３）を設けるが、型くずれを考
慮して間隔をもたせると金属細線＋６０６）が長くなり
、接触事故や短絡事故を生じやすくなるので好ましくな
い。従ってスクリーン印刷のメツシュスクリーン制約上
やむを得ない値（例えば２００ｕｍ）以上の型くずれを
生じないよう、−回の印刷厚みを１１ｐｍ以下とし、焼
成後重ね印刷をする。このようにして得られた導電層に
おいて、前述した電圧降下による発光輝度の低下が駆動
電流調整等で略均−な輝度とした時、１層あたり１０μ
ｍの３層印刷からなり、型くずれ盪は１５０７＆ｍ以内
であった。この時単位長さあたりの抵抗値はｉ、ｏｚｍ
Ω／−であり、その時の厚みは２２μｍであった。
発光ダイオードの選択（中央寄に面輝度のものを配置す
る）等により実質的に輝度低下を生じない為には発光ダ
イオードの順方向電圧が物性的にはゾ定まつＣいるので
数値が臨界的に与えられ単位長さあたり１．１ｍΩ／廖
Ｊｕ下であればよい。この時−り記印刷の厚みは２１Ｐ
ｍＪ２ｔ、ｈであればこの条件にあう。低抵抗導電ペー
ストにより厚みを薄くすることは可能であるが高価とな
りやすいので好ましくない。また発光ダイオードや、駆
動素子での調整を特別に行なわないためには、単位長さ
あたりの抵抗値を０．９ｍΩ／＃以下とＴればよく、前
記の導電ペースト（金ペースト）では２５μｍ以」二と
なる。
しかし乍ら印刷において、導電ペーストの粘度を上げた
り一回の印刷厚みをうすくしても、最終的に長尺の導電
層の厚みが厚すぎると焼成によって型くずれも大きくな
るばＤ）りか基台（セラミック）との゛腎着性が著しく
悪くなる。また上記導電１　ペーストの導電物質（金）
の如く展延性に豊んだ材料を選ばないとひび割れや導通
不良を生じやすい。従って全体的な載置部用の導電層の
厚みとして４０μｍ未満にする必要があるが、この時に
は１回の印刷厚みを薄くしておかなくてはならなかった
。従って前述した例の如く１回の印刷厚みを１０μｍ前
後とすると３回印刷まで、即ち３３μｍ以下である必要
がある。
（へ）発明の効果 以上の如く本発明は絶縁基台と、絶縁基台の表面に設け
られた長尺の導電層と、その導電層上に整列され載置さ
れた複数の発光ダイオードとを具備した発光ダイオード
整列体において、前記導電層は厚さ４０μｍ未満でかつ
単位長さあたりの抵抗値力月、１ｍΩ／、以下の印刷層
で形成されているものであるから比較的廉価でかつ導電
層による輝度低ドが生じない。さらにその導電層として
厚さ３３μｍ以下で単位長さあたりの抵抗値を０．９ｍ
Ω／−以下とすれば生産性も著しく良（なる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明実施例の発光ダイオード整列体の断面図
、＠２図は発光ダイオード整列体の駆動時の等価回路図
、第３図は発光ダイオード整列体の斜視図である。 （１）・・・絶縁基台、（２）・・・（載置部用の）導
電層、（３１（３１・・・（配線用の）導電層、（４）
・・・発光ダイオード、（５）・・・導゛庖性接着剤、
（６１（６１・・・金属細線。 出願人　三洋電機株式会社　外１名 代理人　弁理士　佐野静夫

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）絶縁基台と、絶縁基台の表面に設けられた長尺の
    導電層と、その導層層上に整列され載置された複数の発
    光ダイオードとを具備した発光ダイオード整列体におい
    て、前記導電層は厚さ４０ＩＸｎ未満でかつ単位長きあ
    たりの抵抗値が１．１ｍΩ／−ｍΩ／中刷層で形成され
    ている事を特徴とする発光ダイオード整列体。
  2. （２）　前記導電層は展延性に豊んだ導電物質を含み、
    ２１μｍ以上４０／Ａｍ未満の厚みである事を特徴とす
    る特許 ダイオード整列体。
JP59121059A 1984-06-12 1984-06-12 発光ダイオ−ド整列体 Expired - Lifetime JPH0680838B2 (ja)

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JP59121059A JPH0680838B2 (ja) 1984-06-12 1984-06-12 発光ダイオ−ド整列体
US06/742,584 US4733127A (en) 1984-06-12 1985-06-07 Unit of arrayed light emitting diodes

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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5170458U (ja) * 1974-11-29 1976-06-03
JPS54100805A (en) * 1978-01-24 1979-08-08 Mitani Denshi Kagaku Kk Linear element* which is thick and which line width is narrow* and its preparation
JPS5633650U (ja) * 1979-08-21 1981-04-02
JPS58112376A (ja) * 1981-12-25 1983-07-04 Ricoh Co Ltd 発光素子アレイ
JPH0430861A (ja) * 1990-05-28 1992-02-03 Omron Corp 自律訓練装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5170458U (ja) * 1974-11-29 1976-06-03
JPS54100805A (en) * 1978-01-24 1979-08-08 Mitani Denshi Kagaku Kk Linear element* which is thick and which line width is narrow* and its preparation
JPS5633650U (ja) * 1979-08-21 1981-04-02
JPS58112376A (ja) * 1981-12-25 1983-07-04 Ricoh Co Ltd 発光素子アレイ
JPH0430861A (ja) * 1990-05-28 1992-02-03 Omron Corp 自律訓練装置

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