JP2001217503A - ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2001217503A JP2001217503A JP2000025929A JP2000025929A JP2001217503A JP 2001217503 A JP2001217503 A JP 2001217503A JP 2000025929 A JP2000025929 A JP 2000025929A JP 2000025929 A JP2000025929 A JP 2000025929A JP 2001217503 A JP2001217503 A JP 2001217503A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gan
- layer
- ridge
- active layer
- based semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性の高いＧａＮ系半導体レーザを歩留ま
りよく作製する。 【解決手段】 基板上にｎ−ＡｌＧａＮクラッド層まで
堆積した後、該ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層をリッジ状に
加工し、リッジ側面とリセス底部とをＳｉＮxで被覆
し、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層のＣ面を種結晶としてｎ
−光ガイド層、活性層、ｐ−光ガイド層、ｐクラッド
層、ｐ−ＧａＮ層を成長させて、ＧａＮ系半導体レーザ
を作製することで、信頼性の高い単一横モードのレーザ
を歩留まりよく作製できる。
りよく作製する。 【解決手段】 基板上にｎ−ＡｌＧａＮクラッド層まで
堆積した後、該ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層をリッジ状に
加工し、リッジ側面とリセス底部とをＳｉＮxで被覆
し、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層のＣ面を種結晶としてｎ
−光ガイド層、活性層、ｐ−光ガイド層、ｐクラッド
層、ｐ−ＧａＮ層を成長させて、ＧａＮ系半導体レーザ
を作製することで、信頼性の高い単一横モードのレーザ
を歩留まりよく作製できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光情報処理分野など
への応用が期待されているＧａＮ系半導体レーザなどの
ＧａＮ系半導体発光素子および製造方法に関するもので
ある。
への応用が期待されているＧａＮ系半導体レーザなどの
ＧａＮ系半導体発光素子および製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】V族元素に窒素（Ｎ）を有する窒化物半
導体は、そのバンドギャップの大きさから、短波長発光
素子の材料として有望視されている。中でも窒化ガリウ
ム系化合物半導体（ＧａＮ系半導体：ＡｌxＧａyＩｎz
Ｎ（０≦ｘ, ｙ, ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１））は研究が
盛んに行われ、青色発光ダイオード（ＬＥＤ）、緑色Ｌ
ＥＤが実用化されている。また、光ディスク装置の大容
量化のために、４００ｎｍ帯に発振波長を有する半導体
レーザが熱望されており、ＧａＮ系半導体を材料とする
半導体レーザが注目され現在では実用レベルに達しつつ
ある。
導体は、そのバンドギャップの大きさから、短波長発光
素子の材料として有望視されている。中でも窒化ガリウ
ム系化合物半導体（ＧａＮ系半導体：ＡｌxＧａyＩｎz
Ｎ（０≦ｘ, ｙ, ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１））は研究が
盛んに行われ、青色発光ダイオード（ＬＥＤ）、緑色Ｌ
ＥＤが実用化されている。また、光ディスク装置の大容
量化のために、４００ｎｍ帯に発振波長を有する半導体
レーザが熱望されており、ＧａＮ系半導体を材料とする
半導体レーザが注目され現在では実用レベルに達しつつ
ある。
【０００３】図１２はレーザ発振が達成されているＧａ
Ｎ系半導体レーザの構造断面図（概略図）である。サフ
ァイア基板１２０１上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰ
Ｅ法）によりＧａＮバッファー層１２０２、n−ＧａＮ
層１２０３、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１２０４、ｎ−
ＧａＮ光ガイド層１２０５、Ｇａ1-xＩｎxＮ/Ｇａ1-yＩ
ｎyＮ （０＜ｙ＜ｘ＜１）から成る多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ）活性層１２０６、ｐ−ＧａＮ光ガイド層１２０７、
ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１２０８、ｐ−ＧａＮコンタ
クト層１２０９が成長される。そしてｐ−ＧａＮコンタ
クト層１２０９上に３ミクロン程度の幅のリッジストラ
イプが形成され、その両側はＳｉＯ2１２１１などの絶
縁物によって埋め込まれる。その後リッジストライプお
よびＳｉＯ2１２１１上に例えばＮｉ／Ａｕから成るｐ
電極１２１０、また一部をｎ−ＧａＮ層１２０３が露出
するまでエッチングした表面に例えばＴｉ／Ａｌから成
るｎ電極１２１２が形成される。本素子においてｎ電極
１２１２を接地し、ｐ電極１２１０に順方向の電圧を印
可すると、ＭＱＷ活性層１２０６に向かってｐ電極１２
１０側からホールが、またｎ電極１２１２側から電子が
注入され、前記ＭＱＷ活性層１２０６内で光学利得を生
じ、発振波長４００ｎｍ帯のレーザ発振を起こす。ＭＱ
Ｗ活性層１２０６の材料であるＧａ1-xＩｎxＮ/Ｇａ1-y
ＩｎyＮ薄膜の組成や膜厚によって発振波長は変化す
る。現在室温以上での連続発振が実現されている。
Ｎ系半導体レーザの構造断面図（概略図）である。サフ
ァイア基板１２０１上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰ
Ｅ法）によりＧａＮバッファー層１２０２、n−ＧａＮ
層１２０３、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１２０４、ｎ−
ＧａＮ光ガイド層１２０５、Ｇａ1-xＩｎxＮ/Ｇａ1-yＩ
ｎyＮ （０＜ｙ＜ｘ＜１）から成る多重量子井戸（ＭＱ
Ｗ）活性層１２０６、ｐ−ＧａＮ光ガイド層１２０７、
ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１２０８、ｐ−ＧａＮコンタ
クト層１２０９が成長される。そしてｐ−ＧａＮコンタ
クト層１２０９上に３ミクロン程度の幅のリッジストラ
イプが形成され、その両側はＳｉＯ2１２１１などの絶
縁物によって埋め込まれる。その後リッジストライプお
よびＳｉＯ2１２１１上に例えばＮｉ／Ａｕから成るｐ
電極１２１０、また一部をｎ−ＧａＮ層１２０３が露出
するまでエッチングした表面に例えばＴｉ／Ａｌから成
るｎ電極１２１２が形成される。本素子においてｎ電極
１２１２を接地し、ｐ電極１２１０に順方向の電圧を印
可すると、ＭＱＷ活性層１２０６に向かってｐ電極１２
１０側からホールが、またｎ電極１２１２側から電子が
注入され、前記ＭＱＷ活性層１２０６内で光学利得を生
じ、発振波長４００ｎｍ帯のレーザ発振を起こす。ＭＱ
Ｗ活性層１２０６の材料であるＧａ1-xＩｎxＮ/Ｇａ1-y
ＩｎyＮ薄膜の組成や膜厚によって発振波長は変化す
る。現在室温以上での連続発振が実現されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このレーザはリッジス
トライプの幅と高さを制御することによって、水平方向
の横モードにおいて基本モードでレーザ発振するような
工夫が成される。すなわち、基本横モードと高次モード
（１次以上のモード）の光閉じ込め係数に差を設けるこ
とで、基本横モードでの発振を可能としている。
トライプの幅と高さを制御することによって、水平方向
の横モードにおいて基本モードでレーザ発振するような
工夫が成される。すなわち、基本横モードと高次モード
（１次以上のモード）の光閉じ込め係数に差を設けるこ
とで、基本横モードでの発振を可能としている。
【０００５】このリッジ形状の形成には、主にドライエ
ッチングが用いられる。エッチングガスとして、例えば
塩素などが用いられる。前述のように横モード制御のた
めには、リッジの高さ（すなわち、被エッチング膜であ
るｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１２０８の残し厚）を正確
にコントロールする必要がある。そのためにレーザ干渉
を用いたエッチング量のモニターやプラズマ分光による
終点検出器などの工夫が成される場合がある。しかしな
がら、これらは必ずしも精密な制御を可能としているわ
けではなく、これらエッチング・モニターを用いても歩
留まりを向上させることは難しい。
ッチングが用いられる。エッチングガスとして、例えば
塩素などが用いられる。前述のように横モード制御のた
めには、リッジの高さ（すなわち、被エッチング膜であ
るｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１２０８の残し厚）を正確
にコントロールする必要がある。そのためにレーザ干渉
を用いたエッチング量のモニターやプラズマ分光による
終点検出器などの工夫が成される場合がある。しかしな
がら、これらは必ずしも精密な制御を可能としているわ
けではなく、これらエッチング・モニターを用いても歩
留まりを向上させることは難しい。
【０００６】また、ドライエッチング時に活性層近傍に
ダメージを与える場合もあり、レーザ特性を悪化させる
という不具合を生じる場合がある。
ダメージを与える場合もあり、レーザ特性を悪化させる
という不具合を生じる場合がある。
【０００７】本発明は上記の事情を鑑みてなされたもの
であり、量産性に優れたＧａＮ系半導体レーザを提供す
るものである。特に高出力駆動時に安定な単一横モード
発振が要求される光ディスク用レーザへの応用において
効果的である。
であり、量産性に優れたＧａＮ系半導体レーザを提供す
るものである。特に高出力駆動時に安定な単一横モード
発振が要求される光ディスク用レーザへの応用において
効果的である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のＧａＮ系半導体
素子の製造方法は、ＧａＮ系結晶をリッジ状に加工する
工程と、リッジ側面とリセス底部とを非晶質絶縁膜で被
覆する工程と、該ＧａＮ系結晶の表面に露出した部分を
種結晶として活性層構造を積層する工程と、上記種結晶
の上部に電極を形成する工程とを有している。
素子の製造方法は、ＧａＮ系結晶をリッジ状に加工する
工程と、リッジ側面とリセス底部とを非晶質絶縁膜で被
覆する工程と、該ＧａＮ系結晶の表面に露出した部分を
種結晶として活性層構造を積層する工程と、上記種結晶
の上部に電極を形成する工程とを有している。
【０００９】本発明の別のＧａＮ系半導体素子の製造方
法は、基板上に第一のクラッド層まで堆積する工程と、
該第一のクラッド層をリッジ状に加工する工程と、リッ
ジ側面とリセス底部とを非晶質絶縁膜で被覆する工程
と、表面に露出した部分を種結晶として活性層構造、第
二のクラッド層を積層する工程と、リッジ状の第一のク
ラッド層の上部に電極を形成する工程を有している。
法は、基板上に第一のクラッド層まで堆積する工程と、
該第一のクラッド層をリッジ状に加工する工程と、リッ
ジ側面とリセス底部とを非晶質絶縁膜で被覆する工程
と、表面に露出した部分を種結晶として活性層構造、第
二のクラッド層を積層する工程と、リッジ状の第一のク
ラッド層の上部に電極を形成する工程を有している。
【００１０】本発明の更に別のＧａＮ系半導体の製造方
法は、基板上にＧａＮ系結晶を堆積した後、該ＧａＮ系
結晶をリッジ状に加工する工程と、リッジ側面とリセス
底部とを非晶質絶縁膜で被覆する工程と、第二のＧａＮ
系結晶を堆積した後に該第二のＧａＮ系結晶の上記非晶
質絶縁膜の上部に第二のリッジ形成する工程と、該第二
のリッジ側面とリセス底部とを非晶質絶縁膜で被覆する
工程と、上記第二のＧａＮ系結晶の表面に露出した部分
を種結晶として活性層構造を積層する工程とをしてい
る。
法は、基板上にＧａＮ系結晶を堆積した後、該ＧａＮ系
結晶をリッジ状に加工する工程と、リッジ側面とリセス
底部とを非晶質絶縁膜で被覆する工程と、第二のＧａＮ
系結晶を堆積した後に該第二のＧａＮ系結晶の上記非晶
質絶縁膜の上部に第二のリッジ形成する工程と、該第二
のリッジ側面とリセス底部とを非晶質絶縁膜で被覆する
工程と、上記第二のＧａＮ系結晶の表面に露出した部分
を種結晶として活性層構造を積層する工程とをしてい
る。
【００１１】また、本発明のＧａＮ系半導体レーザは、
好ましくは、活性層構造が光ガイド層と量子井戸活性層
から構成されている。
好ましくは、活性層構造が光ガイド層と量子井戸活性層
から構成されている。
【００１２】また、本発明のＧａＮ系半導体の製造方法
は、好ましくは、非晶質絶縁膜としてＳｉＮx、Ｓｉ
Ｏ2、ＳｉＯＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ
2、Ｎｂ 2Ｏ5を用いている。
は、好ましくは、非晶質絶縁膜としてＳｉＮx、Ｓｉ
Ｏ2、ＳｉＯＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ
2、Ｎｂ 2Ｏ5を用いている。
【００１３】これらの堆積方法として電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ、特にＥＣＲスパッタを用い
ることができる。
ン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ、特にＥＣＲスパッタを用い
ることができる。
【００１４】また、本発明の別のＧａＮ系半導体レーザ
は、１ミクロン以上の厚さ、望ましくは３ミクロン以上
の厚さの配線電極が活性層上部に設けられている。
は、１ミクロン以上の厚さ、望ましくは３ミクロン以上
の厚さの配線電極が活性層上部に設けられている。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて詳細に説明する。なお、本発明の製造方
法は、窒化物半導体の成長方法はＭＯＶＰＥ法に限定す
るものではなく、ハイドライド気相成長法（Ｈ−ＶＰＥ
法）など、窒化物半導体層を成長させるためにこれまで
提案されている全ての方法に適用できる。また、本発明
のＧａＮ系半導体とは、ＡｌxＧａyＩｎzＮ（ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１）のことをいう。
て図面を用いて詳細に説明する。なお、本発明の製造方
法は、窒化物半導体の成長方法はＭＯＶＰＥ法に限定す
るものではなく、ハイドライド気相成長法（Ｈ−ＶＰＥ
法）など、窒化物半導体層を成長させるためにこれまで
提案されている全ての方法に適用できる。また、本発明
のＧａＮ系半導体とは、ＡｌxＧａyＩｎzＮ（ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１）のことをいう。
【００１６】（実施の形態１）図１は第１の実施例を示
すＧａＮ系半導体レーザの構造断面図である。このレー
ザの作製方法を工程順に図２から図４に示す。
すＧａＮ系半導体レーザの構造断面図である。このレー
ザの作製方法を工程順に図２から図４に示す。
【００１７】図１に示すレーザの作製方法は以下の通り
である。
である。
【００１８】まず、ＳｉＣやＧａＮなどの基板１０１上
にｎ−Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎ層１０２（厚さ０．２ミクロ
ン）、ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッド層１０３（厚さ
０．７ミクロン）を堆積する（図２）。この時、主面
（表面）はＣ面になっている。次に、フォトリソグラフ
ィー技術、ドライエッチング技術を用いてｎ−Ａｌ0.05
Ｇａ0.95Ｎクラッド層１０３をリセス状（凹状）に加工
し、周期的なリッジストライプを形成する。そしてＥＣ
Ｒスパッタ法などの絶縁膜堆積技術を用いてリッジ形状
の側面とリセス底面に非晶質絶縁膜であるＳｉＮx１０
４を堆積する（図３）。この時、リッジストライプの周
期は１６ミクロン、リッジ部の幅は約３ミクロンであ
る。この３ミクロンという幅はレーザの基本横モード発
振を可能とするものである。また、ストライプの方向は
ＧａＮの＜１−１００＞方向である。
にｎ−Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎ層１０２（厚さ０．２ミクロ
ン）、ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッド層１０３（厚さ
０．７ミクロン）を堆積する（図２）。この時、主面
（表面）はＣ面になっている。次に、フォトリソグラフ
ィー技術、ドライエッチング技術を用いてｎ−Ａｌ0.05
Ｇａ0.95Ｎクラッド層１０３をリセス状（凹状）に加工
し、周期的なリッジストライプを形成する。そしてＥＣ
Ｒスパッタ法などの絶縁膜堆積技術を用いてリッジ形状
の側面とリセス底面に非晶質絶縁膜であるＳｉＮx１０
４を堆積する（図３）。この時、リッジストライプの周
期は１６ミクロン、リッジ部の幅は約３ミクロンであ
る。この３ミクロンという幅はレーザの基本横モード発
振を可能とするものである。また、ストライプの方向は
ＧａＮの＜１−１００＞方向である。
【００１９】リッジの頂上に露出した（０００１）面ｎ
−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッド層１０３を種結晶として
減圧ＭＯＶＰＥ法によってｎ−ＧａＮ光ガイド層１０６
（厚さ０．２ミクロン）、多重量子井戸（ＭＱＷ）活性
層１０７、ｐ−ＧａＮ光ガイド層１０８（厚さ０．１ミ
クロン）、ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層１０９
（厚さ２ミクロン）、ｐ−ＧａＮ層１１０（厚さ０．０
５ミクロン）を順次堆積する（図４）。図４において、
ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層１０９はエアギャッ
プ１０５の中央部付近で合体している。
−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッド層１０３を種結晶として
減圧ＭＯＶＰＥ法によってｎ−ＧａＮ光ガイド層１０６
（厚さ０．２ミクロン）、多重量子井戸（ＭＱＷ）活性
層１０７、ｐ−ＧａＮ光ガイド層１０８（厚さ０．１ミ
クロン）、ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層１０９
（厚さ２ミクロン）、ｐ−ＧａＮ層１１０（厚さ０．０
５ミクロン）を順次堆積する（図４）。図４において、
ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層１０９はエアギャッ
プ１０５の中央部付近で合体している。
【００２０】その後、ｐ−ＧａＮ層１１０上にｐ電極１
１１を堆積し、ｐ電極１１１、ｐ−ＧａＮ層１１０とｐ
−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層１０９を幅５ミクロン
程度のリッジ状に加工する。露出したｐ−Ａｌ0.07Ｇａ
0.93Ｎクラッド層１０９上にはＡｌＮやＳｉＯ2などの
絶縁膜１１２を被覆し、電流狭窄構造を形成する。絶縁
膜１１２の形成方法は、図３の場合と同様にＥＣＲスパ
ッタを用いている。ｐ電極１１１と絶縁膜１１２上には
５ミクロンのＡｕから成る配線電極１１３が形成されて
いる。
１１を堆積し、ｐ電極１１１、ｐ−ＧａＮ層１１０とｐ
−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層１０９を幅５ミクロン
程度のリッジ状に加工する。露出したｐ−Ａｌ0.07Ｇａ
0.93Ｎクラッド層１０９上にはＡｌＮやＳｉＯ2などの
絶縁膜１１２を被覆し、電流狭窄構造を形成する。絶縁
膜１１２の形成方法は、図３の場合と同様にＥＣＲスパ
ッタを用いている。ｐ電極１１１と絶縁膜１１２上には
５ミクロンのＡｕから成る配線電極１１３が形成されて
いる。
【００２１】最後に、導電性基板１０１の裏面にｎ電極
１１４を形成する。
１１４を形成する。
【００２２】このようにして図１に示される本発明のＧ
ａＮ系半導体レーザは作製される。
ａＮ系半導体レーザは作製される。
【００２３】本素子においてｎ電極１１４と配線電極１
１３の間に電圧を印加すると、ＭＱＷ活性層１０７に向
かってｐ電極１１０から正孔がｎ電極１１４から電子が
注入され、活性層で利得を生じ、４０３ｎｍの波長でレ
ーザ発振を起こす。ＭＱＷ活性層１０７は厚さ３ｎｍの
Ｇａ0.8Ｉｎ0.2Ｎ井戸層と厚さ６ｎｍのＧａＮバリア層
から構成されている。
１３の間に電圧を印加すると、ＭＱＷ活性層１０７に向
かってｐ電極１１０から正孔がｎ電極１１４から電子が
注入され、活性層で利得を生じ、４０３ｎｍの波長でレ
ーザ発振を起こす。ＭＱＷ活性層１０７は厚さ３ｎｍの
Ｇａ0.8Ｉｎ0.2Ｎ井戸層と厚さ６ｎｍのＧａＮバリア層
から構成されている。
【００２４】図１の構造の特徴は、光の横モード制御を
ｎ側（活性層の下部、基板側）で行っている点である。
予め、ドライエッチングによって幅３ミクロンのリッジ
を形成されたｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッド層１０３
の上に結晶成長によって活性層構造（ここで言う活性層
構造とは、光ガイド層、活性層から構成される積層構造
を言う）を形成させている。このため従来の課題であっ
た活性層へのエッチングダメージやリッジの高さの制御
性の問題を容易に解決することができる。
ｎ側（活性層の下部、基板側）で行っている点である。
予め、ドライエッチングによって幅３ミクロンのリッジ
を形成されたｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッド層１０３
の上に結晶成長によって活性層構造（ここで言う活性層
構造とは、光ガイド層、活性層から構成される積層構造
を言う）を形成させている。このため従来の課題であっ
た活性層へのエッチングダメージやリッジの高さの制御
性の問題を容易に解決することができる。
【００２５】従来は、横モード制御のために、第一のク
ラッド層１２０４、活性層１２０６、第二のクラッド層
１２０８を積層した後、活性層１２０６のごく近くまで
第二のクラッド層１２０８をリッジストライプ状に加工
していた。このリッジ形状の形成には、主にドライエッ
チングが用いられる。そのために活性層へのダメージが
懸念されていた。
ラッド層１２０４、活性層１２０６、第二のクラッド層
１２０８を積層した後、活性層１２０６のごく近くまで
第二のクラッド層１２０８をリッジストライプ状に加工
していた。このリッジ形状の形成には、主にドライエッ
チングが用いられる。そのために活性層へのダメージが
懸念されていた。
【００２６】また、横モード制御のためには、リッジの
高さ（すなわち、被エッチング膜であるｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層１２０８の残し厚）を正確にコントロールす
る必要がある。従来、エッチングレートから換算した時
間制御が主として用いられ、制御性に問題があった。こ
れを解決するために、レーザ干渉計やプラズマ分光によ
る終点検出器などの工夫が成される場合があるが、これ
らは必ずしも精密な制御を可能としているわけではな
く、生産性の低下などの問題は残されている。
高さ（すなわち、被エッチング膜であるｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層１２０８の残し厚）を正確にコントロールす
る必要がある。従来、エッチングレートから換算した時
間制御が主として用いられ、制御性に問題があった。こ
れを解決するために、レーザ干渉計やプラズマ分光によ
る終点検出器などの工夫が成される場合があるが、これ
らは必ずしも精密な制御を可能としているわけではな
く、生産性の低下などの問題は残されている。
【００２７】本実施例は活性層へのエッチングダメージ
の影響の回避のみならず、結晶成長によってクラッド層
のリッジの高さ（図１においては活性層の下の光ガイド
層１０６）を形成しているため、生産性に優れていると
言える。
の影響の回避のみならず、結晶成長によってクラッド層
のリッジの高さ（図１においては活性層の下の光ガイド
層１０６）を形成しているため、生産性に優れていると
言える。
【００２８】ただし、本実施例においても、電流狭窄構
造とするために活性層を堆積した後にｐ−Ａｌ0.07Ｇａ
0.93Ｎクラッド層１０９をリッジストライプ状に加工し
ている。しかし、このリッジの高さは０．５ミクロン程
度であり、活性層との距離は１ミクロン以上あり、ドラ
イエッチングによるエッチングダメージが活性層に影響
することはない。また、ｐ型のＧａＮ系結晶の比抵抗は
高く、バイアスを印加した際に正孔は垂直に活性層へ注
入され、横方向に広がることはないため、０．５ミクロ
ン程度の比較的小さな段差で電流狭窄の効果は十分と言
える。
造とするために活性層を堆積した後にｐ−Ａｌ0.07Ｇａ
0.93Ｎクラッド層１０９をリッジストライプ状に加工し
ている。しかし、このリッジの高さは０．５ミクロン程
度であり、活性層との距離は１ミクロン以上あり、ドラ
イエッチングによるエッチングダメージが活性層に影響
することはない。また、ｐ型のＧａＮ系結晶の比抵抗は
高く、バイアスを印加した際に正孔は垂直に活性層へ注
入され、横方向に広がることはないため、０．５ミクロ
ン程度の比較的小さな段差で電流狭窄の効果は十分と言
える。
【００２９】（実施の形態２）図６は第２の実施例を示
すＧａＮ系半導体レーザの構造断面図である。このレー
ザの作製方法を工程順に図７から図１１に示す。
すＧａＮ系半導体レーザの構造断面図である。このレー
ザの作製方法を工程順に図７から図１１に示す。
【００３０】図６に示すレーザの作製方法は以下の通り
である。まず、サファイア基板６０１上に５００℃でＴ
ＭＧとＮＨ3とを供給してＧａＮバッファ層を堆積す
る。その後、１０２０℃まで昇温させ、ＴＭＧとＮＨ3
とを供給しＧａＮ層６０２（膜厚１ミクロン）を堆積す
る（図７）。この時、主面（表面）はＣ面になってい
る。
である。まず、サファイア基板６０１上に５００℃でＴ
ＭＧとＮＨ3とを供給してＧａＮバッファ層を堆積す
る。その後、１０２０℃まで昇温させ、ＴＭＧとＮＨ3
とを供給しＧａＮ層６０２（膜厚１ミクロン）を堆積す
る（図７）。この時、主面（表面）はＣ面になってい
る。
【００３１】次に、フォトリソグラフィー技術、ドライ
エッチング技術を用いてＧａＮ層６０２をリセス状（凹
状）に加工し、周期的なリッジストライプを形成する。
そしてＥＣＲスパッタ法などの絶縁膜堆積技術を用いて
リッジ形状の側面とリセス底面に非晶質絶縁膜であるＳ
ｉＮx６０３（厚さ１０ｎｍ）を堆積する（図８）。こ
の時、リッジストライプの周期は１６ミクロン、リッジ
部の幅は約４ミクロンである。また、ストライプの方向
はＧａＮの＜１−１００＞方向である。
エッチング技術を用いてＧａＮ層６０２をリセス状（凹
状）に加工し、周期的なリッジストライプを形成する。
そしてＥＣＲスパッタ法などの絶縁膜堆積技術を用いて
リッジ形状の側面とリセス底面に非晶質絶縁膜であるＳ
ｉＮx６０３（厚さ１０ｎｍ）を堆積する（図８）。こ
の時、リッジストライプの周期は１６ミクロン、リッジ
部の幅は約４ミクロンである。また、ストライプの方向
はＧａＮの＜１−１００＞方向である。
【００３２】リッジの頂上に露出したＧａＮ層６０２の
Ｃ面を種結晶として減圧ＭＯＶＰＥ法によってエアギャ
ップ６０４、ｎ−Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎ層６０５（厚さ２
ミクロン）、ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ/ｎ−ＧａＮ超格子
コンタクト層６０６（厚さ２ミクロン）、ｎ−Ａｌ0.07
Ｇａ0.93Ｎクラッド層６０７（厚さ０．５ミクロン）を
順次堆積する（図９）。ｎ−Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎ層６０
５はエアギャップ６０４の中央部付近で合体し合体部９
０１を形成している。
Ｃ面を種結晶として減圧ＭＯＶＰＥ法によってエアギャ
ップ６０４、ｎ−Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎ層６０５（厚さ２
ミクロン）、ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ/ｎ−ＧａＮ超格子
コンタクト層６０６（厚さ２ミクロン）、ｎ−Ａｌ0.07
Ｇａ0.93Ｎクラッド層６０７（厚さ０．５ミクロン）を
順次堆積する（図９）。ｎ−Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎ層６０
５はエアギャップ６０４の中央部付近で合体し合体部９
０１を形成している。
【００３３】次に、ｎ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層
６０７をリセス状（凹状）に加工し、周期的なリッジス
トライプを形成する。この時、エッチングがｎ−Ａｌ
0.1Ｇａ0.9Ｎ/ｎ−ＧａＮ超格子コンタクト層６０６ま
で至っても構わない。そしてリッジ形状の側面とリセス
底面にＳｉＮx６０８（厚さ１０ｎｍ）を堆積する（図
１０）。この時、リッジストライプの周期は１６ミクロ
ン、リッジ部の幅は約３ミクロンである。また、約３ミ
クロンのリッジ部はエアギャップ６０４上部の貫通転位
の少ない領域に形成されている。
６０７をリセス状（凹状）に加工し、周期的なリッジス
トライプを形成する。この時、エッチングがｎ−Ａｌ
0.1Ｇａ0.9Ｎ/ｎ−ＧａＮ超格子コンタクト層６０６ま
で至っても構わない。そしてリッジ形状の側面とリセス
底面にＳｉＮx６０８（厚さ１０ｎｍ）を堆積する（図
１０）。この時、リッジストライプの周期は１６ミクロ
ン、リッジ部の幅は約３ミクロンである。また、約３ミ
クロンのリッジ部はエアギャップ６０４上部の貫通転位
の少ない領域に形成されている。
【００３４】リッジの頂上に露出したｎ−Ａｌ0.07Ｇａ
0.93Ｎクラッド層６０７のＣ面を種結晶として減圧ＭＯ
ＶＰＥ法によってエアギャップ６０９、ｎ−ＧａＮ光ガ
イド層６１０（厚さ０．２ミクロン）、多重量子井戸
（ＭＱＷ）活性層６１１、ｐ−ＧａＮ光ガイド層６１２
（厚さ０．１ミクロン）、ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラ
ッド層６１３（厚さ２ミクロン）、ｐ−ＧａＮ層６１４
（厚さ０．０５ミクロン）を順次堆積する（図１１）。
ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層６１３はエアギャッ
プ６０９の中央部付近で合体している。
0.93Ｎクラッド層６０７のＣ面を種結晶として減圧ＭＯ
ＶＰＥ法によってエアギャップ６０９、ｎ−ＧａＮ光ガ
イド層６１０（厚さ０．２ミクロン）、多重量子井戸
（ＭＱＷ）活性層６１１、ｐ−ＧａＮ光ガイド層６１２
（厚さ０．１ミクロン）、ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラ
ッド層６１３（厚さ２ミクロン）、ｐ−ＧａＮ層６１４
（厚さ０．０５ミクロン）を順次堆積する（図１１）。
ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層６１３はエアギャッ
プ６０９の中央部付近で合体している。
【００３５】その後、ｐ−ＧａＮ層６１４上にｐ電極６
１５を堆積し、ｐ電極６１５とｐ−ＧａＮ層６１４、ｐ
−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層６１３を幅５ミクロン
程度のリッジ状に加工する。露出したｐ−Ａｌ0.07Ｇａ
0.93Ｎクラッド層６１３上にはＳｉＯ2などの絶縁膜６
１６を被覆し、電流狭窄構造を形成する。絶縁膜６１６
の形成方法は、図８の場合と同様にＥＣＲスパッタを用
いている。ｐ電極６１５と絶縁膜６１６上には５ミクロ
ンのＡｕから成る配線電極６１８が形成されている。
１５を堆積し、ｐ電極６１５とｐ−ＧａＮ層６１４、ｐ
−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層６１３を幅５ミクロン
程度のリッジ状に加工する。露出したｐ−Ａｌ0.07Ｇａ
0.93Ｎクラッド層６１３上にはＳｉＯ2などの絶縁膜６
１６を被覆し、電流狭窄構造を形成する。絶縁膜６１６
の形成方法は、図８の場合と同様にＥＣＲスパッタを用
いている。ｐ電極６１５と絶縁膜６１６上には５ミクロ
ンのＡｕから成る配線電極６１８が形成されている。
【００３６】また、ｎ−ＡｌＧａＮ／ｎ−ＧａＮ超格子
コンタクト層６０６の一部が露出するまでエッチングを
行った表面には、ｎ電極６１７と配線電極６１９が形成
されている。
コンタクト層６０６の一部が露出するまでエッチングを
行った表面には、ｎ電極６１７と配線電極６１９が形成
されている。
【００３７】このようにして図６に示される半導体レー
ザを作製することができる。
ザを作製することができる。
【００３８】本素子においてｎ電極６１７とｐ電極６１
５の間に電圧を印加すると、ＭＱＷ活性層６１１にキャ
リアが注入され、活性層で利得を生じ、４０２ｎｍの波
長でレーザ発振を起こす。ＭＱＷ活性層６１１は厚さ３
ｎｍのＧａ0.8Ｉｎ0.2Ｎ井戸層と厚さ６ｎｍのＧａＮバ
リア層から構成されている。
５の間に電圧を印加すると、ＭＱＷ活性層６１１にキャ
リアが注入され、活性層で利得を生じ、４０２ｎｍの波
長でレーザ発振を起こす。ＭＱＷ活性層６１１は厚さ３
ｎｍのＧａ0.8Ｉｎ0.2Ｎ井戸層と厚さ６ｎｍのＧａＮバ
リア層から構成されている。
【００３９】結晶成長において、少なくともラテラル成
長したｎ−Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎ層６０５やｐ−Ａｌ0.07
Ｇａ0.93Ｎクラッド層６１３が合体するまでは２００Ｔ
ｏｒｒと比較的低い圧力で成長を行っている。これは、
減圧ほどＣ軸方向の成長速度に対しＡ軸方向（ＧａＮの
＜１１−２０＞方向）の成長速度が増大するためで、早
く合体するためである。これに対し活性層は圧力を上げ
て３００Ｔｏｒｒで行っている。これは、圧力を上げた
方が、蒸気圧の高いＩｎの蒸発を抑制でき、良質の活性
層を形成しやすいためである。したがって、レーザ構造
を作製する際には成長圧力を変えることになる。これを
達成するためには圧力可変の機能を有する１つの結晶成
長炉で行ってもよいし、各々の成長圧力を有する２つの
結晶成長炉を用いてもよい。
長したｎ−Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎ層６０５やｐ−Ａｌ0.07
Ｇａ0.93Ｎクラッド層６１３が合体するまでは２００Ｔ
ｏｒｒと比較的低い圧力で成長を行っている。これは、
減圧ほどＣ軸方向の成長速度に対しＡ軸方向（ＧａＮの
＜１１−２０＞方向）の成長速度が増大するためで、早
く合体するためである。これに対し活性層は圧力を上げ
て３００Ｔｏｒｒで行っている。これは、圧力を上げた
方が、蒸気圧の高いＩｎの蒸発を抑制でき、良質の活性
層を形成しやすいためである。したがって、レーザ構造
を作製する際には成長圧力を変えることになる。これを
達成するためには圧力可変の機能を有する１つの結晶成
長炉で行ってもよいし、各々の成長圧力を有する２つの
結晶成長炉を用いてもよい。
【００４０】図６の構造の特徴は図１と同様に、光の横
モード制御をｎ側（活性層の下部、基板側）で行ってい
る点である。予め、ドライエッチングによって幅３ミク
ロンのリッジを形成されたｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラ
ッド層６０７の上に結晶成長によって活性層構造（ここ
で言う活性層構造とは、光ガイド層、活性層から構成さ
れる積層構造を言う）を形成させている。このため従来
の課題であった活性層へのエッチングダメージやリッジ
の高さの制御性の問題を容易に解決することができる。
モード制御をｎ側（活性層の下部、基板側）で行ってい
る点である。予め、ドライエッチングによって幅３ミク
ロンのリッジを形成されたｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラ
ッド層６０７の上に結晶成長によって活性層構造（ここ
で言う活性層構造とは、光ガイド層、活性層から構成さ
れる積層構造を言う）を形成させている。このため従来
の課題であった活性層へのエッチングダメージやリッジ
の高さの制御性の問題を容易に解決することができる。
【００４１】従来は、横モード制御のために、第一のク
ラッド層１２０４、活性層１２０６、第二のクラッド層
１２０８を積層した後、活性層１２０６のごく近くまで
第二のクラッド層１２０８をリッジストライプ状に加工
していた。このリッジ形状の形成には、主にドライエッ
チングが用いられる。そのために活性層へのダメージが
懸念されていた。
ラッド層１２０４、活性層１２０６、第二のクラッド層
１２０８を積層した後、活性層１２０６のごく近くまで
第二のクラッド層１２０８をリッジストライプ状に加工
していた。このリッジ形状の形成には、主にドライエッ
チングが用いられる。そのために活性層へのダメージが
懸念されていた。
【００４２】また、横モード制御のためには、リッジの
高さ（すなわち、被エッチング膜であるｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層１２０８の残し厚）を正確にコントロールす
る必要がある。従来、エッチングレートから換算した時
間制御が主として用いられ、制御性に問題があった。こ
れを解決するために、レーザ干渉計やプラズマ分光によ
る終点検出器などの工夫が成される場合があるが、これ
らは必ずしも精密な制御を可能としているわけではな
く、生産性の低下などの問題は残されている。
高さ（すなわち、被エッチング膜であるｐ−ＡｌＧａＮ
クラッド層１２０８の残し厚）を正確にコントロールす
る必要がある。従来、エッチングレートから換算した時
間制御が主として用いられ、制御性に問題があった。こ
れを解決するために、レーザ干渉計やプラズマ分光によ
る終点検出器などの工夫が成される場合があるが、これ
らは必ずしも精密な制御を可能としているわけではな
く、生産性の低下などの問題は残されている。
【００４３】本実施例は活性層へのエッチングダメージ
の影響の回避のみならず、結晶成長によってクラッド層
のリッジの高さ（図６においては活性層の下の光ガイド
層６１０）を形成しているため、生産性に優れていると
言える。
の影響の回避のみならず、結晶成長によってクラッド層
のリッジの高さ（図６においては活性層の下の光ガイド
層６１０）を形成しているため、生産性に優れていると
言える。
【００４４】ただし、本実施例においても、電流狭窄構
造とするために活性層を堆積した後にｐ−Ａｌ0.07Ｇａ
0.93Ｎクラッド層６１３をリッジストライプ状に加工し
ている。しかし、このリッジの高さは０．５ミクロン程
度であり、活性層との距離は１ミクロン以上あり、ドラ
イエッチングによるエッチングダメージが活性層に影響
することはない。また、ｐ型のＧａＮ系結晶の比抵抗は
高く、バイアスを印加した際に正孔は垂直に活性層へ注
入され、横方向に広がることはないため、０．５ミクロ
ン程度の比較的小さな段差で電流狭窄の効果は十分と言
える。
造とするために活性層を堆積した後にｐ−Ａｌ0.07Ｇａ
0.93Ｎクラッド層６１３をリッジストライプ状に加工し
ている。しかし、このリッジの高さは０．５ミクロン程
度であり、活性層との距離は１ミクロン以上あり、ドラ
イエッチングによるエッチングダメージが活性層に影響
することはない。また、ｐ型のＧａＮ系結晶の比抵抗は
高く、バイアスを印加した際に正孔は垂直に活性層へ注
入され、横方向に広がることはないため、０．５ミクロ
ン程度の比較的小さな段差で電流狭窄の効果は十分と言
える。
【００４５】図６において、リッジ状のｎ−Ａｌ0.07Ｇ
ａ0.93Ｎクラッド層６０７の下部にはＡｌを含有する低
屈折率の層のみが存在し、さらにその下部には、より屈
折率の小さなエアギャップ６０４があるため、クラッド
層と基板との間に寄生的な導波路が形成されず、光の漏
れによる活性層の光閉じ込め係数の減少が生じにくい。
ａ0.93Ｎクラッド層６０７の下部にはＡｌを含有する低
屈折率の層のみが存在し、さらにその下部には、より屈
折率の小さなエアギャップ６０４があるため、クラッド
層と基板との間に寄生的な導波路が形成されず、光の漏
れによる活性層の光閉じ込め係数の減少が生じにくい。
【００４６】なお、この効果はエアギャップ１０４の厚
みに依存する。計算機シミュレーションの結果、エアギ
ャップ６０４の厚さが少なくとも２００Å程度あれば、
ｎ−ＧａＮ層６０２への光の漏れがほとんどないことが
分かった。
みに依存する。計算機シミュレーションの結果、エアギ
ャップ６０４の厚さが少なくとも２００Å程度あれば、
ｎ−ＧａＮ層６０２への光の漏れがほとんどないことが
分かった。
【００４７】また、ｎ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層
６０７の下部のＡｌＧａＮ層のＡｌ組成は、２％以上、
望ましくは４％以上とすることで、光の漏れを抑制でき
ることがわかっている。
６０７の下部のＡｌＧａＮ層のＡｌ組成は、２％以上、
望ましくは４％以上とすることで、光の漏れを抑制でき
ることがわかっている。
【００４８】種結晶であるリッジ状ＧａＮ層６０２上部
は約１ｘ１０9ｃｍ-2と貫通転位が多く存在するが、エ
アギャップ６０４の上部の横方向成長した部分は転位密
度が１ｘ１０7ｃｍ-2以下まで低減できている。本発明
では、このエアギャップ６０４上部の、転位の少ない領
域に活性領域、つまりリッジ状の電流注入領域を形成す
ることで信頼性を向上させることが可能となる。
は約１ｘ１０9ｃｍ-2と貫通転位が多く存在するが、エ
アギャップ６０４の上部の横方向成長した部分は転位密
度が１ｘ１０7ｃｍ-2以下まで低減できている。本発明
では、このエアギャップ６０４上部の、転位の少ない領
域に活性領域、つまりリッジ状の電流注入領域を形成す
ることで信頼性を向上させることが可能となる。
【００４９】本実施例において、ｎ電極はｎ−ＡｌＧａ
Ｎ／ｎ−ＧａＮ超格子コンタクト層６０６上に形成され
ている。先に述べたが、光が基板側に漏れないために
は、エアギャップとｎ光ガイド層との間はＡｌを含有す
る層で構成する必要がある。ところが、ｎ電極を形成す
るためのｎコンタクト層にＡｌ組成の高いバルク層（単
層）、例えば、ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ単層を用いる
と、抵抗率が約２倍に増加したり、コンタクト抵抗が増
大したりして、半導体レーザの駆動電圧の増大を招いて
しまう。実験の結果、例えばｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ／ｎ
−ＧａＮ超格子層の比抵抗はｎ−ＧａＮ層の比抵抗とほ
ぼ同じであることがわかった。これはｎ−ＧａＮ超格子
層に形成された２次元電子ガスの移動度が大きいためで
ある。さらに、超格子を構成する各層の膜厚を十分薄く
する（例えば３ｎｍ程度）ことで、コンタクト抵抗もｎ
−ＧａＮ層と同等であることがわかった。この時のドー
ピング濃度は１ｘ１０18ｃｍ-3程度である。
Ｎ／ｎ−ＧａＮ超格子コンタクト層６０６上に形成され
ている。先に述べたが、光が基板側に漏れないために
は、エアギャップとｎ光ガイド層との間はＡｌを含有す
る層で構成する必要がある。ところが、ｎ電極を形成す
るためのｎコンタクト層にＡｌ組成の高いバルク層（単
層）、例えば、ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ単層を用いる
と、抵抗率が約２倍に増加したり、コンタクト抵抗が増
大したりして、半導体レーザの駆動電圧の増大を招いて
しまう。実験の結果、例えばｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ／ｎ
−ＧａＮ超格子層の比抵抗はｎ−ＧａＮ層の比抵抗とほ
ぼ同じであることがわかった。これはｎ−ＧａＮ超格子
層に形成された２次元電子ガスの移動度が大きいためで
ある。さらに、超格子を構成する各層の膜厚を十分薄く
する（例えば３ｎｍ程度）ことで、コンタクト抵抗もｎ
−ＧａＮ層と同等であることがわかった。この時のドー
ピング濃度は１ｘ１０18ｃｍ-3程度である。
【００５０】すなわち、超格子構造をコンタクト層に用
いることで低電圧化を図ることができることになる。
いることで低電圧化を図ることができることになる。
【００５１】なお、超格子層は、平均Ａｌ組成２％以
上、膜厚λ／（４ｎ）以下であれば効果的である。ここ
で、ｎは層の屈折率である。
上、膜厚λ／（４ｎ）以下であれば効果的である。ここ
で、ｎは層の屈折率である。
【００５２】図１、図５、図６において、少なくとも活
性層上部に位置する配線電極は厚さ５ミクロンの金から
なり、放熱性を高めている。すなわち金属製の放熱体と
なっている。１ミクロン以上、望ましくは３ミクロン以
上の金の放熱体を設けることでレーザ特性の向上、特に
高温や高出力での駆動電流の低減に有効である。本発明
のみではなく、他のＧａＮ系レーザにおいても効果的で
あることは言うまでもない。
性層上部に位置する配線電極は厚さ５ミクロンの金から
なり、放熱性を高めている。すなわち金属製の放熱体と
なっている。１ミクロン以上、望ましくは３ミクロン以
上の金の放熱体を設けることでレーザ特性の向上、特に
高温や高出力での駆動電流の低減に有効である。本発明
のみではなく、他のＧａＮ系レーザにおいても効果的で
あることは言うまでもない。
【００５３】図１において、ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎク
ラッド層１０９が合体し合体部４０１を形成している
が、必ずしも合体する必要はなく、図５に示すような構
造でも構わない。これは、実施の形態２でも同様であ
り、ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ層６０７の上部は分かれて
いても構わない。
ラッド層１０９が合体し合体部４０１を形成している
が、必ずしも合体する必要はなく、図５に示すような構
造でも構わない。これは、実施の形態２でも同様であ
り、ｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ層６０７の上部は分かれて
いても構わない。
【００５４】以上の実施例では非晶質絶縁膜の堆積にＥ
ＣＲスパッタを用いている。ＳｉＮ xの場合、原料とし
て固体Ｓｉ、反応性ガスにＮ2、プラズマガスにＡｒを
用いている。非晶質絶縁膜の堆積にＥＣＲスパッタを用
いることで、低温で良質の膜を得ることができる。
ＣＲスパッタを用いている。ＳｉＮ xの場合、原料とし
て固体Ｓｉ、反応性ガスにＮ2、プラズマガスにＡｒを
用いている。非晶質絶縁膜の堆積にＥＣＲスパッタを用
いることで、低温で良質の膜を得ることができる。
【００５５】また、マスク材料としてＳｉＮxを用いて
いるが、その他の非晶質絶縁膜、例えばＳｉＯ2、Ｓｉ
ＯＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｎｂ2
Ｏ5でも構わない。これらの膜はＥＣＲスパッタを用い
ることで比較的容易に得ることができる。
いるが、その他の非晶質絶縁膜、例えばＳｉＯ2、Ｓｉ
ＯＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｎｂ2
Ｏ5でも構わない。これらの膜はＥＣＲスパッタを用い
ることで比較的容易に得ることができる。
【００５６】さらに、以上の実施例では基板にサファイ
アを用いた場合について説明したが、その他の基板、例
えばＳｉＣ、ＮＧＯ等を用いても本発明の効果は大き
い。
アを用いた場合について説明したが、その他の基板、例
えばＳｉＣ、ＮＧＯ等を用いても本発明の効果は大き
い。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＧａＮ系
半導体素子の製造方法は、ＧａＮ系結晶をリッジ状に加
工する工程と、リッジ側面とリセス底部とを非晶質絶縁
膜で被覆する工程と、該ＧａＮ系結晶の表面に露出した
部分を種結晶として活性層構造を積層する工程と、上記
種結晶の上部に電極を形成する工程とを有しており、信
頼性の高い半導体発光素子を簡便に作製することができ
る。
半導体素子の製造方法は、ＧａＮ系結晶をリッジ状に加
工する工程と、リッジ側面とリセス底部とを非晶質絶縁
膜で被覆する工程と、該ＧａＮ系結晶の表面に露出した
部分を種結晶として活性層構造を積層する工程と、上記
種結晶の上部に電極を形成する工程とを有しており、信
頼性の高い半導体発光素子を簡便に作製することができ
る。
【００５８】また、本発明のＧａＮ系半導体素子の製造
方法は、基板上に第一のクラッド層まで堆積する工程
と、該第一のクラッド層をリッジ状に加工する工程と、
リッジ側面とリセス底部とを非晶質絶縁膜で被覆する工
程と、表面に露出した部分を種結晶として活性層構造、
第二のクラッド層を積層する工程と、リッジ状の第一の
クラッド層の上部に電極を形成する工程を有しており、
横モードの安定性が良く信頼性等の特性に優れた半導体
レーザを歩留まり良く作製することができる。
方法は、基板上に第一のクラッド層まで堆積する工程
と、該第一のクラッド層をリッジ状に加工する工程と、
リッジ側面とリセス底部とを非晶質絶縁膜で被覆する工
程と、表面に露出した部分を種結晶として活性層構造、
第二のクラッド層を積層する工程と、リッジ状の第一の
クラッド層の上部に電極を形成する工程を有しており、
横モードの安定性が良く信頼性等の特性に優れた半導体
レーザを歩留まり良く作製することができる。
【００５９】また、本発明のＧａＮ系半導体の製造方法
は、基板上にＧａＮ系結晶を堆積した後、該ＧａＮ系結
晶をリッジ状に加工する工程と、リッジ側面とリセス底
部とを非晶質絶縁膜で被覆する工程と、第二のＧａＮ系
結晶を堆積した後に該第二のＧａＮ系結晶の上記非晶質
絶縁膜の上部に第二のリッジ形成する工程と、該第二の
リッジ側面とリセス底部とを非晶質絶縁膜で被覆する工
程と、上記第二のＧａＮ系結晶の表面に露出した部分を
種結晶として活性層構造を積層する工程とをしており、
簡便に転位等の欠陥の少ない領域を半導体レーザのキャ
リア注入領域として用いることができ、信頼性等の特性
に優れた素子を歩留まり良く作製することができる。
は、基板上にＧａＮ系結晶を堆積した後、該ＧａＮ系結
晶をリッジ状に加工する工程と、リッジ側面とリセス底
部とを非晶質絶縁膜で被覆する工程と、第二のＧａＮ系
結晶を堆積した後に該第二のＧａＮ系結晶の上記非晶質
絶縁膜の上部に第二のリッジ形成する工程と、該第二の
リッジ側面とリセス底部とを非晶質絶縁膜で被覆する工
程と、上記第二のＧａＮ系結晶の表面に露出した部分を
種結晶として活性層構造を積層する工程とをしており、
簡便に転位等の欠陥の少ない領域を半導体レーザのキャ
リア注入領域として用いることができ、信頼性等の特性
に優れた素子を歩留まり良く作製することができる。
【００６０】また、本発明のＧａＮ系半導体レーザは、
１ミクロン以上の厚さ、望ましくは３ミクロン以上の厚
さの配線電極が活性層上部に設けられており、レーザの
放熱性を高めることで、高温や高出力での駆動電流の低
減、ひいては更に信頼性を向上させることができる。
１ミクロン以上の厚さ、望ましくは３ミクロン以上の厚
さの配線電極が活性層上部に設けられており、レーザの
放熱性を高めることで、高温や高出力での駆動電流の低
減、ひいては更に信頼性を向上させることができる。
【図１】本発明に係る第一の実施の形態を示す半導体レ
ーザの構造断面図
ーザの構造断面図
【図２】本発明に係る第１の実施の形態を示すＧａＮ系
半導体レーザの製造方法を工程順に示した構造断面図
半導体レーザの製造方法を工程順に示した構造断面図
【図３】本発明に係る第１の実施の形態を示すＧａＮ系
半導体レーザの製造方法を工程順に示した構造断面図
半導体レーザの製造方法を工程順に示した構造断面図
【図４】本発明に係る第１の実施の形態を示すＧａＮ系
半導体レーザの製造方法を工程順に示した構造断面図
半導体レーザの製造方法を工程順に示した構造断面図
【図５】本発明の実施の形態を示す半導体レーザの構造
断面図
断面図
【図６】本発明に係る第二の実施の形態を示す半導体レ
ーザの構造断面図
ーザの構造断面図
【図７】本発明に係る第２の実施の形態を示すＧａＮ系
半導体レーザの製造方法を工程順に示した構造断面図
半導体レーザの製造方法を工程順に示した構造断面図
【図８】本発明に係る第２の実施の形態を示すＧａＮ系
半導体レーザの製造方法を工程順に示した構造断面図
半導体レーザの製造方法を工程順に示した構造断面図
【図９】本発明に係る第２の実施の形態を示すＧａＮ系
半導体レーザの製造方法を工程順に示した構造断面図
半導体レーザの製造方法を工程順に示した構造断面図
【図１０】本発明に係る第２の実施の形態を示すＧａＮ
系半導体レーザの製造方法を工程順に示した構造断面図
系半導体レーザの製造方法を工程順に示した構造断面図
【図１１】本発明に係る第２の実施の形態を示すＧａＮ
系半導体レーザの製造方法を工程順に示した構造断面図
系半導体レーザの製造方法を工程順に示した構造断面図
【図１２】従来のＧａＮ系半導体レーザの素子断面図
【図１３】従来のＥＬＯＧ成長を用いたＧａＮ系半導体
レーザの素子断面図
レーザの素子断面図
１０１ 基板（ｎ−ＧａＮまたはｎ−ＳｉＣ） １０２ n−Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎ層 １０３ n−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッド層 １０４ ＳｉＮx １０５ エアギャップ １０６ n−ＧａＮ光ガイド層 １０７ ＭＱＷ活性層 １０８ ｐ−ＧａＮ光ガイド層 １０９ ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層 １１０ ｐ−ＧａＮ層 １１１ ｐ電極 １１２ 絶縁膜（ＳｉＯ2） １１３ 配線電極 １１４ ｎ電極 ４０１ 合体部 ６０１ サファイア基板 ６０２ ＧａＮ層 ６０３ ＳｉＮx ６０４ エアギャップ ６０５ n−Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎ層 ６０７ ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ／ｎ−ＧａＮコンタクト
層 ６０８ ＳｉＮx ６０９ エアギャップ ６１０ n−ＧａＮ光ガイド層 ６１１ ＭＱＷ活性層 ６１２ p−ＧａＮ光ガイド層 ６１３ ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層 ６１４ p−ＧａＮ層 ６１５ ｐ電極 ６１６ 絶縁膜（ＳｉＯ2） ６１７ ｎ電極 ６１８ 配線電極１ ６１９ 配線電極２ ９０１ 合体部１１０１ 合体部 １２０１ サファイア基板 １２０２ バッファー層 １２０３ n−ＧａＮ層 １２０４ n−ＡｌＧａＮクラッド層 １２０５ n−ＧａＮ光ガイド層 １２０６ 活性層 １２０７ p−ＧａＮ光ガイド層 １２０８ p−ＡｌＧａＮクラッド層 １２０９ p−ＧａＮコンタクト層 １２１０ p電極 １２１１ ＳｉＯ2 １２１２ n電極 １３０１ ＧａＮ １３０２ ＳｉＯ2 １３０３ ＧａＮ層
層 ６０８ ＳｉＮx ６０９ エアギャップ ６１０ n−ＧａＮ光ガイド層 ６１１ ＭＱＷ活性層 ６１２ p−ＧａＮ光ガイド層 ６１３ ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎクラッド層 ６１４ p−ＧａＮ層 ６１５ ｐ電極 ６１６ 絶縁膜（ＳｉＯ2） ６１７ ｎ電極 ６１８ 配線電極１ ６１９ 配線電極２ ９０１ 合体部１１０１ 合体部 １２０１ サファイア基板 １２０２ バッファー層 １２０３ n−ＧａＮ層 １２０４ n−ＡｌＧａＮクラッド層 １２０５ n−ＧａＮ光ガイド層 １２０６ 活性層 １２０７ p−ＧａＮ光ガイド層 １２０８ p−ＡｌＧａＮクラッド層 １２０９ p−ＧａＮコンタクト層 １２１０ p電極 １２１１ ＳｉＯ2 １２１２ n電極 １３０１ ＧａＮ １３０２ ＳｉＯ2 １３０３ ＧａＮ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅原 岳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 辻村 歩 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 宮永 良子 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 粂 雅博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 伴 雄三郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA11 CA04 CA34 CA40 CA46 CA64 5F073 AA13 AA42 AA45 AA71 AA74 CA07 CB02 CB04 DA05 DA24
Claims (7)
- 【請求項１】ＧａＮ系結晶をリッジ状に加工する工程
と、リッジ側面とリセス底部とを非晶質絶縁膜で被覆す
る工程と、前記ＧａＮ系結晶の表面に露出した部分を種
結晶として活性層構造を積層する工程と、前記種結晶の
上部に電極を形成する工程を有することを特徴とするＧ
ａＮ系半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項２】基板上に第一のクラッド層まで堆積する工
程と、前記第一のクラッド層をリッジ状に加工する工程
と、リッジ側面とリセス底部とを非晶質絶縁膜で被覆す
る工程と、表面に露出した部分を種結晶として活性層構
造、第二のクラッド層を積層する工程と、リッジ状の第
一のクラッド層の上部に電極を形成する工程を有するこ
とを特徴とするＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項３】基板上にＧａＮ系結晶を堆積した後、前記
ＧａＮ系結晶をリッジ状に加工する工程と、リッジ側面
とリセス底部とを非晶質絶縁膜で被覆する工程と、第二
のＧａＮ系結晶を堆積した後に前記第二のＧａＮ系結晶
の前記非晶質絶縁膜の上部に第二のリッジ形成する工程
と、前記第二のリッジ側面とリセス底部とを非晶質絶縁
膜で被覆する工程と、前記第二のＧａＮ系結晶の表面に
露出した部分を種結晶として活性層構造を積層する工程
とを有するＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項４】活性層構造が光ガイド層と量子井戸活性層
からなることを特徴とする請求項１または２に記載のＧ
ａＮ系半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項５】非晶質絶縁膜がＳｉＮx、ＳｉＯ2、ＳｉＯ
Ｎ、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮＯ、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ5
のいずれかであることを特徴とする請求項１から３のい
ずれかに記載のＧａＮ系半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項６】１ミクロン以上の厚さの配線電極が活性層
上部に設けられていることを特徴とするＧａＮ系半導体
発光素子。 - 【請求項７】３ミクロン以上の厚さの配線電極が活性層
上部に設けられていることを特徴とするＧａＮ系半導体
発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000025929A JP2001217503A (ja) | 2000-02-03 | 2000-02-03 | ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000025929A JP2001217503A (ja) | 2000-02-03 | 2000-02-03 | ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001217503A true JP2001217503A (ja) | 2001-08-10 |
Family
ID=18551718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000025929A Pending JP2001217503A (ja) | 2000-02-03 | 2000-02-03 | ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001217503A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001332815A (ja) * | 2000-05-25 | 2001-11-30 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2002246698A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子とその製法 |
| WO2002103868A1 (fr) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Sony Corporation | Element laser a semi-conducteurs a faisceaux multiples |
| WO2003019678A1 (fr) * | 2001-08-22 | 2003-03-06 | Sony Corporation | Element semiconducteur au nitrure et procede de production de cet element |
| US6734030B2 (en) | 2001-03-06 | 2004-05-11 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device and method of fabricating semiconductor light emitting device |
| WO2004064212A1 (ja) * | 2003-01-14 | 2004-07-29 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | 窒化物半導体素子及びその製造方法、並びに窒化物半導体基板の製造方法 |
| US6806109B2 (en) * | 2001-12-20 | 2004-10-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating nitride based semiconductor substrate and method of fabricating nitride based semiconductor device |
| US6828591B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-12-07 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
| US6830946B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-12-14 | Sony Corporation | Device transfer method and panel |
| US6831300B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-12-14 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device, manufacturing method of a semiconductor light emitting device and connection structure of an electrode layer |
| EP1508922A1 (en) * | 2002-05-15 | 2005-02-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element and production method therefor |
| US6870190B2 (en) | 2001-03-06 | 2005-03-22 | Sony Corporation | Display unit and semiconductor light emitting device |
| US6924500B2 (en) | 2000-07-18 | 2005-08-02 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting device and process for producing the same |
| US7250320B2 (en) | 2003-03-20 | 2007-07-31 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting element, manufacturing method thereof, integrated semiconductor light emitting device, manufacturing method thereof, image display device, manufacturing method thereof, illuminating device and manufacturing method thereof |
| CN100362710C (zh) * | 2003-01-14 | 2008-01-16 | 松下电器产业株式会社 | 氮化物半导体元件及其制造方法和氮化物半导体基板的制造方法 |
| JP2010080481A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Ngk Insulators Ltd | 受光素子および受光素子の作製方法 |
| WO2011108422A1 (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-09 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体発光素子および発光装置 |
| CN103618212A (zh) * | 2013-12-10 | 2014-03-05 | 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 | GaN基脊型激光二极管的制备方法 |
-
2000
- 2000-02-03 JP JP2000025929A patent/JP2001217503A/ja active Pending
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001332815A (ja) * | 2000-05-25 | 2001-11-30 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| US7221001B2 (en) | 2000-07-18 | 2007-05-22 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting device and process for producing the same |
| US6924500B2 (en) | 2000-07-18 | 2005-08-02 | Sony Corporation | Semiconductor light-emitting device and process for producing the same |
| US6828591B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-12-07 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
| US7233030B2 (en) | 2001-02-01 | 2007-06-19 | Sony Corporation | Device transfer method and panel |
| US6830946B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-12-14 | Sony Corporation | Device transfer method and panel |
| US6921675B2 (en) | 2001-02-01 | 2005-07-26 | Sony Corporation | Device transfer method and panel |
| JP2002246698A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子とその製法 |
| JP4703014B2 (ja) * | 2001-02-15 | 2011-06-15 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子、光学装置、および半導体発光装置とその製造方法 |
| US6831300B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-12-14 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device, manufacturing method of a semiconductor light emitting device and connection structure of an electrode layer |
| US6870190B2 (en) | 2001-03-06 | 2005-03-22 | Sony Corporation | Display unit and semiconductor light emitting device |
| US6734030B2 (en) | 2001-03-06 | 2004-05-11 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device and method of fabricating semiconductor light emitting device |
| US6950451B2 (en) | 2001-06-15 | 2005-09-27 | Sony Corporation | Multi-beam semiconductor laser element |
| WO2002103868A1 (fr) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Sony Corporation | Element laser a semi-conducteurs a faisceaux multiples |
| US7149235B2 (en) | 2001-06-15 | 2006-12-12 | Sony Corporation | Multi-beam semiconductor laser device |
| US6818465B2 (en) | 2001-08-22 | 2004-11-16 | Sony Corporation | Nitride semiconductor element and production method for nitride semiconductor element |
| WO2003019678A1 (fr) * | 2001-08-22 | 2003-03-06 | Sony Corporation | Element semiconducteur au nitrure et procede de production de cet element |
| US6806109B2 (en) * | 2001-12-20 | 2004-10-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating nitride based semiconductor substrate and method of fabricating nitride based semiconductor device |
| CN100418236C (zh) * | 2002-05-15 | 2008-09-10 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光元件及其制造方法 |
| EP1508922A4 (en) * | 2002-05-15 | 2006-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| EP1508922A1 (en) * | 2002-05-15 | 2005-02-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element and production method therefor |
| US7470608B2 (en) | 2002-05-15 | 2008-12-30 | Panasonics Corporation | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
| EP1814166A1 (en) * | 2002-05-15 | 2007-08-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element and production method therefor |
| EP1970969A1 (en) * | 2002-05-15 | 2008-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element and production method therefor |
| CN100362710C (zh) * | 2003-01-14 | 2008-01-16 | 松下电器产业株式会社 | 氮化物半导体元件及其制造方法和氮化物半导体基板的制造方法 |
| US6927149B2 (en) | 2003-01-14 | 2005-08-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Nitride semiconductor device and fabrication method thereof, and method for forming nitride semiconductor substrate |
| WO2004064212A1 (ja) * | 2003-01-14 | 2004-07-29 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | 窒化物半導体素子及びその製造方法、並びに窒化物半導体基板の製造方法 |
| US7250320B2 (en) | 2003-03-20 | 2007-07-31 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting element, manufacturing method thereof, integrated semiconductor light emitting device, manufacturing method thereof, image display device, manufacturing method thereof, illuminating device and manufacturing method thereof |
| JP2010080481A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Ngk Insulators Ltd | 受光素子および受光素子の作製方法 |
| WO2011108422A1 (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-09 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体発光素子および発光装置 |
| JP5399552B2 (ja) * | 2010-03-01 | 2014-01-29 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体発光素子および発光装置 |
| US8647904B2 (en) | 2010-03-01 | 2014-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing nitride semiconductor device, nitride semiconductor light-emitting device, and light-emitting apparatus |
| CN103618212A (zh) * | 2013-12-10 | 2014-03-05 | 北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司 | GaN基脊型激光二极管的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3864735B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2000332364A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP2010177651A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2001217503A (ja) | ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2002026456A (ja) | 半導体装置、半導体レーザ及びその製造方法並びにエッチング方法 | |
| JP2008198952A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 | |
| JP2002335053A (ja) | 半導体レーザの製造方法、半導体レーザ、半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JP2001308462A (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
| JP2009158955A (ja) | 窒化物半導体レーザダイオード | |
| JP2009094360A (ja) | 半導体レーザダイオード | |
| US6801559B2 (en) | Group III nitride compound semiconductor laser | |
| JP4622225B2 (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP3804335B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2000164510A (ja) | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4608731B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP5224312B2 (ja) | 半導体レーザダイオード | |
| JP3735638B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP2005191588A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2009239084A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2001007443A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JP4679867B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子、及びその製造方法 | |
| JP3963233B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2009212343A (ja) | 窒化物半導体素子および窒化物半導体素子の製造方法 | |
| JP5341353B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体素子およびｉｉｉ族窒化物半導体素子の製造方法 | |
| JP3644446B2 (ja) | 窒化物半導体素子 |