JP2001007443A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 III-Ｖ族窒化物半導体よりなる半導体発光装
置の電流狭窄構造を容易に且つ確実に実現できるように
する。 【解決手段】 サファイアよりなる基板１１上に、ｎ型
クラッド層１４、ｎ型光ガイド層１５、多重量子井戸活
性層１６及びｐ型光ガイド層１７を順次成長させる。そ
の後、ｐ型光ガイド層１７上に全面にわたって膜厚が約
０．１μｍのＳｉＯ₂ よりなる電流狭窄形成層１８Ａを
堆積する。続いて、電流狭窄形成層１８Ａ上に、開口幅
が約３μｍのストライプ形状で、該ストライプが延びる
方向がＧａＮ結晶のほぼ＜１−１００＞方向となる開口
部を持つマスクパターン１９Ｂを形成し、これを用いて
ウェットエッチングを行なうことにより、電流狭窄形成
層１８Ａから開口部１８ａを持つ電流狭窄層１８Ｂを形
成する。続いて、ｐ型光ガイド層１７上に、ｐ型クラッ
ド層２０を電流狭窄層１８Ｂ上にも大きく広がるように
成長させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、青紫色の短波長光
を発光するＡｌＩｎＧａＮ系のIII-Ｖ族化合物半導体を
用いた半導体発光装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、次世代の高密度光ディスク用光源
として青紫色光を発光する半導体レーザ素子に対する要
望が高まり、特に、青紫色という短波長領域で発振可能
な窒化ガリウム（ＧａＮ）系のIII-Ｖ族化合物半導体レ
ーザ素子の研究及び開発が盛んに行なわれている。しか
しながら、III-Ｖ族化合物レーザ素子は、材料強度が大
きく加工が容易でないため、活性層に注入される電流を
共振器に効率良く注入させる電流狭窄構造を形成するこ
とが困難である。従って、電流狭窄構造を採れないこと
による動作電流の増加をどのようにして抑えるか、ま
た、電流狭窄構造を採れないことによる出射光の水平横
モードの単一化をどのようにして図るかが実用レベルの
青紫色レーザ素子を実現する上で重要な課題となってい
る。

【０００３】以下、従来のＧａＮ系半導体発光素子の電
流狭窄方法について説明する。従来のＧａＮ系半導体発
光素子の電流狭窄方法は、第１の論文「IEEE Journal o
f Selected Topics in Quantum Electronics, Vol. 4
(1998) pp.483-489」に開示されている。第１の論文に
は、ドライエッチング（反応性イオンエッチング）法を
用いて、ｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層及びｐ型Ａｌ
ＧａＮ／ＧａＮが変調ドープされてなる超格子クラッド
層に対してエッチングを行なって幅が４μｍのリッジ構
造を形成することにより電流狭窄構造を実現している。

【０００４】また、ＧａＮ系半導体の結晶内部に電流狭
窄構造を形成する方法が、第２の論文「Extended Abstra
cts of the 1997 International Conference on Solid
State Devices and Materials (Hamamatsu, 1997) pp.2
18-219」に開示されている。第２の論文によると、電流
ブロック層となるｎ型ＧａＮ層をｐ型ＧａＮ層上に成長
させ、電流ブロック層における電流通過領域をドライエ
ッチング（反応性イオンビームエッチング）により除去
した後、再び、電流通過領域を含む電流ブロック層上に
ｐ型ＧａＮ層を再成長させることにより、エピタキシャ
ル層の内部にストライプ部を持つ内部ストライプレーザ
構造を形成している。さらに、第２の論文には、ドライ
エッチングによるＧａＮの格子ダメージは、ドライエッ
チング後のフッ酸とリン酸とを用いたウエット処理を行
なっても除去できないことが示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のＧａＮ系半導体発光装置に対して、前記第１の論文
又は第２の論文は、電流狭窄構造をドライエッチング技
術等のＧａＮ系半導体に対して加工を行なう方法を記載
しているものの、ＧａＮ系半導体に対する加工の制御性
すなわち加工精度や、加工によるダメージの回復方法に
ついては何も示されていない。そのため、発光素子の歩
留まりやコストを含めた生産性や素子の信頼性が不十分
であるという問題がある。

【０００６】本発明は、前記従来の問題を解決し、III-
Ｖ族窒化物半導体よりなる半導体発光装置の電流狭窄構
造を容易に且つ確実に実現できるようにすることを目的
とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、基板上に形成された活性層に注入される
キャリアの流れを規制するキャリアブロック層を、発光
装置を構成する窒化物半導体層を加工することなく形成
する構成とする。

【０００８】具体的に、本発明に係る第１の半導体発光
装置の製造方法は、基板の上に、第１導電型の第１の窒
化物半導体よりなる第１のクラッド層を形成する第１の
クラッド層形成工程と、第１のクラッド層の上に第２の
窒化物半導体よりなる活性層を形成する活性層形成工程
と、活性層の上に薄膜部材を堆積した後、薄膜部材にス
トライプ状の開口部を形成することにより、開口部を持
つ薄膜部材よりなり、活性層に注入されるキャリアの流
れを規制するキャリアブロック層を形成するキャリアブ
ロック層形成工程と、キャリアブロック層の上に第２導
電型の第３の窒化物半導体よりなる第２のクラッド層を
形成する第２のクラッド層形成工程とを備えている。

【０００９】第１の半導体発光装置の製造方法による
と、活性層の上に薄膜部材を堆積し、堆積した薄膜部材
にストライプ状の開口部を形成することにより、ストラ
イプ状の開口部を持ち活性層に注入されるキャリアの流
れを規制するキャリアブロック層を形成するため、該キ
ャリアブロック層は、半導体発光装置を構成する窒化物
半導体層自体を直接に加工しないで形成される。このた
め、キャリアブロック層を設けても、該キャリアブロッ
ク層の上に成長する第２のクラッド層の結晶の品質が劣
化しないので、電流狭窄構造による水平横モードの単一
化を実現できると共に、消費電流の低減及び装置の信頼
性の向上を図ることができる。

【００１０】第１の半導体発光装置の製造方法におい
て、キャリアブロック層形成工程がキャリアブロック層
の開口部をウェットエッチングによって形成する工程を
含むことが好ましい。このようにすると、ウェットエッ
チはドライエッチと比べて深さ方向（基板方向）に対す
る制御性に優れると共にエッチングダメージを与えにく
い。

【００１１】第１の半導体発光装置の製造方法におい
て、キャリアブロック層形成工程がキャリアブロック層
の開口部をエッチングによって形成する工程を含み、さ
らに、活性層形成工程とキャリアブロック層形成工程と
の間に、活性層の上に、第２導電型の窒化物半導体より
なり、キャリアブロック層形成工程のエッチングを停止
させるエッチング停止層を形成するエッチング停止層形
成工程を備えていることが好ましい。このようにする
と、キャリアブロック層の開口部をエッチングにより形
成する場合に、エッチングの深さ方向の制御を考慮しな
くてすむ。

【００１２】この場合に、エッチング停止層がアルミニ
ウムを含むことが好ましい。このようにすると、窒化物
半導体の強度が大きくなるため、例えばドライエッチを
用いてもエッチングが停止する。

【００１３】また、この場合に、エッチング停止層形成
工程とキャリアブロック層形成工程との間に、活性層の
上に、第２導電型の窒化物半導体よりなり、キャリアブ
ロック層形成工程のエッチングによるダメージを緩和す
るダメージ緩和層を形成する工程をさらに備えているこ
とが好ましい。このようにすると、エッチング停止層が
直接エッチングダメージを受けなくなる。

【００１４】さらに、ダメージ緩和層を設けた場合に、
キャリアブロック層形成工程よりも後に、ダメージ緩和
層におけるキャリアブロック層の開口部に露出する領域
を熱処理によって蒸発させることにより、ダメージ緩和
層にキャリアブロック層の開口部と連続する開口部を形
成する工程をさらに備えていることが好ましい。このよ
うにすると、エッチングの影響を受けたダメージ緩和層
を蒸発させて除去するため、開口部に露出するエッチン
グ停止層の表面には清浄表面が得られる。このとき、エ
ッチング停止層はダメージ緩和層を除去する際の蒸発停
止層として機能する。

【００１５】この場合に、ダメージ緩和層がインジウム
を含むことが好ましい。このようにすると、窒化物半導
体が成長する１０００℃付近において、該窒化物半導体
がインジウムを含むと蒸発が活発になるため、ダメージ
緩和層が容易に除去される。

【００１６】第１の半導体発光装置の製造方法におい
て、第２のクラッド層形成工程が、第２のクラッド層
を、キャリアブロック層上における開口部の周縁部にも
広がるように成長させる工程を含むことが好ましい。こ
のようにすると、キャリアブロック層の上に必要な第２
導電型の窒化物半導体層を平坦に成長させることができ
るため、該第２導電型の半導体層と電極との接触抵抗が
大幅に低減する。これにより、装置の消費電力を確実に
低減できる。

【００１７】第１の半導体発光装置の製造方法におい
て、第２のクラッド層形成工程が、第２のクラッド層
を、キャリアブロック層における開口部の上に基板面に
垂直で且つ開口部が延びる方向に垂直な方向の断面形状
が方形状又は台形状となるように成長させる工程を含む
ことが好ましい。このようにすると、第２のクラッド層
が、そのままリッジ部となり、リッジ部は該リッジ部の
外側の大気との屈折率差で形成されるため、電流狭窄構
造と光閉じ込め構造とを同一の構造で実現できるので、
動作特性が向上する。

【００１８】本発明に係る第２の半導体発光装置の製造
方法は、基板の上に薄膜部材を堆積した後、薄膜部材に
ストライプ状の開口部を形成することにより、開口部を
持つ薄膜部材よりなり、活性層に注入されるキャリアの
流れを規制するキャリアブロック層を形成するキャリア
ブロック層形成工程と、キャリアブロック層の上に、第
１導電型の第１の窒化物半導体よりなる第１のクラッド
層を形成する第１のクラッド層形成工程と、第１のクラ
ッド層の上に第２の窒化物半導体よりなる活性層を形成
する活性層形成工程と、活性層の上に第２導電型の第３
の窒化物半導体よりなる第２のクラッド層を形成する第
２のクラッド層形成工程とを備えている。

【００１９】第２の半導体発光装置の製造方法による
と、基板の上に薄膜部材を堆積し、堆積した薄膜部材に
ストライプ状の開口部を形成することにより、ストライ
プ状の開口部を持ち活性層に注入されるキャリアの流れ
を規制するキャリアブロック層を形成するため、該キャ
リアブロック層は、半導体発光装置を構成する窒化物半
導体層自体を直接に加工しないで形成される。このた
め、キャリアブロック層を設けても、該キャリアブロッ
ク層の上に成長する第１のクラッド層及び活性層の結晶
の品質が劣化しないので、電流狭窄構造による水平横モ
ードの単一化を実現しながら、消費電流の低減及び装置
の信頼性の向上を図ることができる。

【００２０】第２の半導体発光装置の製造方法におい
て、キャリアブロック層形成工程が、キャリアブロック
層の開口部をウェットエッチングによって形成する工程
を含むことが好ましい。

【００２１】第２の半導体発光装置の製造方法におい
て、キャリアブロック層形成工程が、キャリアブロック
層の開口部をエッチングによって形成する工程を含み、
キャリアブロック層形成工程よりも前に、基板の上に第
１導電型の窒化物半導体よりなりキャリアブロック層形
成工程のエッチングを停止させるエッチング停止層を形
成するエッチング停止層形成工程をさらに備えているこ
とが好ましい。

【００２２】第２の半導体発光装置の製造方法におい
て、エッチング停止層がアルミニウムを含むことが好ま
しい。

【００２３】第２の半導体発光装置の製造方法におい
て、エッチング停止層形成工程とキャリアブロック層形
成工程との間に、エッチング停止層の上に第１導電型の
窒化物半導体よりなりキャリアブロック層形成工程のエ
ッチングによるダメージを緩和するダメージ緩和層を形
成する工程をさらに備えていることが好ましい。

【００２４】第２の半導体発光装置の製造方法におい
て、キャリアブロック層形成工程よりも後に、キャリア
ブロック層の開口部に露出する領域を熱処理により蒸発
させることにより、ダメージ緩和層にキャリアブロック
層の開口部と連続する開口部を形成する工程をさらに備
えていることが好ましい。

【００２５】第２の半導体発光装置の製造方法におい
て、ダメージ緩和層がインジウムを含むことが好まし
い。

【００２６】第２の半導体発光装置の製造方法におい
て、第１のクラッド層形成工程が、第１のクラッド層
を、キャリアブロック層上における開口部の周縁部に広
がるように成長させる工程を含むことが好ましい。

【００２７】第２の半導体発光装置の製造方法は、活性
層形成工程と第２のクラッド層形成工程との間に、活性
層の上に薄膜部材を堆積し、堆積した薄膜部材に対して
選択的にエッチングを行なうことにより、キャリアブロ
ック層の開口部とほぼ対向する位置に開口部を持ち、活
性層に注入されるキャリアの流れを規制する薄膜部材よ
りなる上部キャリアブロック層を形成する工程をさらに
備えていることが好ましい。このようにすると、活性層
の下側に設けたキャリアブロック層と活性層の上側に設
けた上部キャリアブロック層とによって、キャリアであ
る電子及び正孔の双方に対して活性層への注入が規制さ
れるため、レーザ光の発光効率がさらに向上する。

【００２８】第１又は第２の半導体発光装置の製造方法
において、キャリアブロック層がシリコンを含む絶縁膜
よりなることが好ましい。このようにすると、酸化シリ
コン又は窒化シリコン等の絶縁膜は、ウェットエッチが
容易であり、キャリアブロック層に設けるストライプ状
開口部の開口幅も容易に制御できる。

【００２９】第１又は第２の半導体発光装置の製造方法
において、キャリアブロック層が窒化物半導体よりなる
ことが好ましい。このようにすると、キャリアブロック
層形成時の窒化物半導体に対するウェットエッチは容易
ではなくなるものの、発光装置を形成する窒化物半導体
層と同一の材料であるため、半導体結晶に歪みや欠陥の
導入が抑制されるので、発光装置の信頼性が向上する。

【００３０】第１又は第２の半導体発光装置の製造方法
において、キャリアブロック層が活性層よりも屈折率が
小さいことが好ましい。このようにすると、発光装置か
ら出射される発光光が活性層近傍に閉じ込められ易くな
るため、発光装置の動作電流及び消費電力が低減する。

【００３１】第１又は第２の半導体発光装置の製造方法
において、キャリアブロック層が導電膜よりなることが
好ましい。このようにすると、導電膜よりなるキャリア
ブロック層に電流を流すことによって、キャリアブロッ
ク層におけるキャリアに対する規制の程度を制御できる
ようになる。

【００３２】第１又は第２の半導体発光装置において、
キャリアブロック層形成工程が、薄膜部材に互いに間隔
をおき且つほぼ平行に延びる複数の開口部を形成する工
程を含むことが好ましい。このようにすると、１つの活
性層に電気的及び光学的に分離された複数の内部ストラ
イプ構造を一括して形成できるため、１つのチップにア
レイ状発光部を有する半導体発光装置を実現できる。

【００３３】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の第１
の実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００３４】図１（ａ）〜（ｃ）及び図２（ａ）〜
（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装
置の製造方法の工程順の断面構成を示している。

【００３５】まず、サファイアよりなる基板１１の表面
を有機溶剤を用いて超音波洗浄を行なう。その後、洗浄
した基板１１をＭＯＶＰＥ装置（図示せず）の反応炉内
のサセプタに保持し、反応炉を真空排気する。続いて、
反応炉内を圧力が３００Ｔｏｒｒの水素雰囲気とし、基
板温度を約１１００℃にまで昇温して基板１１を加熱し
て基板表面のサーマルクリーニングを１０分間程度行な
う。

【００３６】次に、図１（ａ）に示すように、基板温度
を約５００℃にまで降温した後、基板１１上に、供給量
が２５μｍｏｌ／ｍｉｎのトリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ）、供給量が７．５Ｌ／ｍｉｎのアンモニア（Ｎ
Ｈ₃ ）ガス、及びキャリアガスとしての水素ガスを供給
することにより、基板１１上に膜厚が約２０ｎｍのＧａ
Ｎよりなり、基板１１を構成するサファイアと該基板１
１上に成長させるIII 族窒化物半導体との格子不整合を
緩和する低温バッファ層（図示せず）を成長させる。こ
のときのＶ族原料とIII 族原料との供給比はほぼ１３０
００とする。続いて、基板温度を約１０００℃にまで昇
温した後、低温バッファ層上に膜厚が約２μｍのＧａＮ
よりなり、基板１１上に成長させるIII 族窒化物半導体
の結晶性を高めるバッファ層１２を成長させる。続い
て、ｎ型ドーパントのＳｉを含むシラン（ＳｉＨ₄ ）ガ
スも供給して、バッファ層１２の上面に、Ｓｉの不純物
濃度が約１×１０¹⁸ｃｍ^-3で膜厚が約２μｍのｎ型Ｇａ
Ｎよりなるｎ型コンタクト層１３を成長させる。その
後、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）をも供給しなが
ら、ｎ型コンタクト層１３上に、Ｓｉの不純物濃度が約
５×１０¹⁷ｃｍ^-3で膜厚が約０．７μｍのｎ型Ａｌ_0.07
Ｇａ_0.93Ｎよりなり、後述する活性層に電子及び再結合
光を閉じ込めるｎ型クラッド層１４を成長させる。続い
て、ｎ型クラッド層１４上に、Ｓｉの不純物濃度が約１
×１０¹⁸ｃｍ^-3で膜厚が約１００ｎｍのｎ型ＧａＮより
なり、再結合光をより閉じ込め易くするｎ型光ガイド層
１５を成長させる。

【００３７】次に、基板温度を約８００℃にまで降温す
ると共にキャリアガスを水素ガスから窒素ガスに変更
し、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）とＴＭＧとを供給
して、ｎ型光ガイド層１５上に、各膜厚が約３ｎｍのＩ
ｎ_0.1 Ｇａ_0.9 Ｎよりなる３層の歪量子井戸層と各膜厚
が約９ｎｍのＧａＮよりなる２層のバリア層とが交互に
積層されてなる多重量子井戸活性層１６を成長させる。
次に、基板温度を約１０００℃にまで昇温すると共に、
キャリアガスを窒素ガスから水素ガスに戻し、ＴＭＧと
ｐ型ドーパントのＭｇを含むＣｐ₂ Ｍｇガスとを供給し
ながら、多重量子井戸活性層１６上に、Ｍｇの不純物濃
度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3で膜厚が約１００ｎｍのｐ型Ｇａ
Ｎよりなり、再結合光をより閉じ込め易くするｐ型光ガ
イド層１７を成長させる。

【００３８】次に、反応炉から基板１１を取り出し、ｐ
型光ガイド層１７の表面に対して有機洗浄を行なうと共
にフッ酸系のウェットエッチングによるクリーニングを
行なう。その後、例えば、プラズマＣＶＤ法を用いて、
ｐ型光ガイド層１７上に全面にわたって膜厚が約０．１
μｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）よりなる電流狭窄形
成層１８Ａを堆積する。続いて、スピナを用いて電流狭
窄形成層１８Ａの上に全面にわたって第１のレジスト膜
１９Ａを塗布する。

【００３９】次に、図１（ｂ）に示すように、フォトリ
ングラフィ法を用いて、第１のレジスト膜１９Ａに対し
て、開口幅が約３μｍ、共振器形成領域をマスクするマ
スク幅が約１５μｍのストライプ形状で、該ストライプ
が延びる方向がバッファ層１２を形成するＧａＮ結晶の
晶帯軸のほぼ＜１−１００＞方向となる開口部を持つよ
うに、第１のレジスト膜１９Ａに対してパターニングを
行なって、第１のレジスト膜１９Ａから第１のマスクパ
ターン１９Ｂを形成する。実際には、１つの基板から複
数の発光装置を形成するため、第１のマスクパターン１
９Ｂの複数の開口部同士は約３００μｍピッチで形成さ
れている。ここで、第１のマスクパターン１９Ｂの開口
部の開口幅を約３μｍとしたが、１μｍ〜２０μｍ程度
であればよい。また、本明細書においては、結晶の晶帯
軸方向の指数に負符号”−”を付すことにより、該負符
号に続く一の指数の反転を表わすこととする。

【００４０】次に、第１のマスクパターン１９Ｂを用い
て、電流狭窄形成層１８Ａに対してフッ酸系の水溶液を
用いたウェットエッチングを行なうことにより、電流狭
窄形成層１８Ａからストライプ状の開口部１８ａを持つ
キャリアブロック層としての電流狭窄層１８Ｂを形成す
る。

【００４１】次に、図１（ｃ）に示すように、有機洗浄
により第１のマスクパターン１９Ｂを除去した後、電流
狭窄層１８Ｂ及びｐ型光ガイド層１７の表面を有機洗浄
し、続いて該表面をフッ酸系のウェットエッチングによ
りクリーニングする。その後、基板１１を再度反応炉に
搬入し、電流狭窄層１８Ｂを含むｐ型光ガイド層１７上
にレーザ共振器を構成する各エピタキシャル層を順次成
長させる。

【００４２】具体的には、Ｖ族源のＮＨ₃ ガスを基板１
１上に供給しながら、基板温度を１１００℃程度とやや
高めに設定し、ｐ型光ガイド層１７上に、Ｍｇの不純物
濃度が５×１０¹⁷ｃｍ^-3で膜厚が約０．７μｍのｐ型Ａ
ｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎよりなり、活性層１６に正孔及び再結
合光を閉じ込めるｐ型クラッド層２０を成長させる。こ
のとき、ｐ型クラッド層２０は、電流狭窄層１８Ｂの開
口部１８ａの長辺方向が晶帯軸のほぼ＜１−１００＞で
あり、且つ、結晶の成長条件として、Ｖ族原料とIII 族
原料との供給比をほぼ１３０００以上とすることによ
り、電流狭窄層１８Ｂ上をその開口部１８ａの周縁部を
超えて横方向（基板面に平行な方向）にも大きく広がる
ように成長するため、成長面の上面はほぼ平坦となる。
なお、このような横方向にも広く成長する成長条件であ
る、成長温度を１１００℃程度とするやや高温の温度条
件と、供給比を１３０００以上とする供給条件とは必ず
しも同時に満たさなくてもよい。続いて、Ｍｇの不純物
濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-3で膜厚が約０．１μｍのｐ型Ｇ
ａＮよりなるｐ型コンタクト層２１を成長させる。その
後、反応炉から基板１１を取り出し、スピナを用いてｐ
型コンタクト層２１の上に全面にわたって第２のレジス
ト膜２２Ａを塗布する。

【００４３】次に、図２（ａ）に示すように、フォトリ
ングラフィ法を用いて、第２のレジスト膜２２Ａが電流
狭窄層１８Ｂの上方、すなわち共振器形成領域を覆うよ
うに、第２のレジスト膜２２Ａに対してパターニングを
行なって第２のマスクパターン２２Ｂを形成する。

【００４４】次に、図２（ｂ）に示すように、第２のマ
スクパターン２２Ｂを用いて、エピタキシャル層に対し
てドライエッチングを行なうことにより、ｎ型コンタク
ト層１３を露出させる。

【００４５】次に、図２（ｃ）に示すように、第２のマ
スクパターン２２Ｂを除去してｐ型コンタクト層２１を
露出させた後、蒸着法等を用いて、露出したｐ型コンタ
クト層２１の上面にＮｉとＡｕとが積層されてなるｐ側
電極２３を形成する。また、露出したｎ型コンタクト層
１３の上面には、ＴｉとＡｌとが積層されてなるｎ側電
極２４を形成する。続いて、基板１１を共振器構造が形
成されるようにへき開し、へき開した共振器における出
射端面には反射率が７０％で、反射端面には反射率が９
０％のＳｉＯ₂ 及びＴｉＯ₂ よりなる高反射コートを施
す。ここでは、共振器長は１ｍｍ程度としている。

【００４６】以下、前記のように形成された半導体レー
ザ装置の動作を説明する。

【００４７】ｎ側電極２４を接地し、ｐ側電極２３に所
定の電圧を印加すると、ｐ型コンタクト層２１及びｐ型
クラッド層２０の多数キャリアである正孔は、電流狭窄
層１８Ｂに設けられた幅が３μｍの開口部１８ａを通過
して多重量子井戸活性層１６に注入される。このため、
エピタキシャル層をリッジ状の共振器構造とすることな
く、正孔をストライプ状に規制しながら活性層１６に注
入できるため、レーザ光の水平横モードの単一化を実現
できると共に動作電流を低減できる。

【００４８】また、内部ストライプ構造を形成する際
に、活性層１６上に成長する窒化物半導体層に対してド
ライエッチングを行なわないため、活性層１６上でエッ
チングを停止させる高度な加工精度が不要となると共
に、活性層１６に対するドライエッチングによるダメー
ジを与えるおそれがない。その結果、電流狭窄層１８Ｂ
により形成される内部ストライプ構造を容易に且つ確実
に形成できる。これにより、活性層１６上に成長する半
導体層の結晶性が優れるため、しきい値電流の大幅な低
減が可能になるので、青紫色光を出射できるIII 族窒化
物半導体レーザ装置としての動作特性が格段に向上す
る。

【００４９】さらに、電流狭窄層１８Ｂをウェットエッ
チングにより形成するため、開口部１８ａの開口幅の制
御が容易となり、所望の電流狭窄構造を実現できる。ま
た、電流狭窄層１８Ｂを構成するＳｉＯ₂ はＡｌＧａＮ
半導体と比べて光の屈折率が小さく、活性層１６への光
閉じ込め効率が向上するため、しきい値電流が低減す
る。従って、ここでは、電流狭窄形成層１８Ａの膜厚を
０．１μｍとしているが、１μｍ〜２μｍ程度にまで厚
くすることにより、光閉じ込め効率をさらに改善でき
る。

【００５０】本実施形態は、電流狭窄層１８ＢにＳｉＯ
₂ を用いているため、ｐ型ＧａＮよりなるｐ型光ガイド
層１７における電流狭窄層１８Ｂの下側の領域が酸素原
子の拡散により結晶性が悪化する。これにより、ｐ型光
ガイド層１７が高抵抗化して電流阻止領域となるため、
多重量子井戸活性層１６における電流狭窄層１８Ｂの下
側の領域が光損失領域となる。このため、電流狭窄層１
８Ｂの開口部１８ａのみが有効な電流パス領域となるの
で、しきい値電流を低減することができる。

【００５１】なお、電流狭窄層１８Ｂの材料として二酸
化シリコンの代わりに、III 族窒化物半導体を用いても
よい。この場合には、電流狭窄形成層１８Ａに対するウ
ェットエッチはやや困難となるものの、共振器構造を形
成する各窒化物半導体層と同一の材料であるため、半導
体結晶に歪みや欠陥の導入が抑制されるので、レーザ装
置の信頼性が向上する。

【００５２】また、電流狭窄層１８Ｂとして、導電性の
シリコン又はタングステン（Ｗ）等の導電膜を用いても
よい。この場合には、導電膜よりなる電流狭窄層１８Ｂ
に電流を流すことによって、該電流狭窄層１８Ｂのキャ
リアに対する規制の程度を外部から積極的に調整できる
ようになる。

【００５３】また、本実施形態に係る窒化物半導体レー
ザ装置は、共振器が電流狭窄層１８Ｂにより構成される
内部ストライプ構造を持つことにより、ｐ型コンタクト
層２１が電流狭窄層１８Ｂの開口部１８ａの両側に大き
く広がるため、前記の第１の論文に示されるような幅が
４μｍ程度のリッジ状コンタクト層よりも接触抵抗を顕
著に低減できる。例えば、ｐ型コンタクト層２１の幅が
２０μｍで接触抵抗率が約１×１０^-3Ωｃｍ² である場
合、本発明による接触抵抗は５Ω程度であるが、４μｍ
のリッジ状では２５ΩＷ程度にもなる。

【００５４】このように、本実施形態によると、短波長
の発光素子に用いられるＧａＮ系半導体レーザ装置を製
造する際に、ドライエッチング等の半導体層への加工を
必要としないで電流狭窄が可能な内部ストライプ構造を
実現できる。

【００５５】また、多重量子井戸活性層１６に対して基
板１１側をｐ型半導体層とし、基板１１と反対側をｎ型
半導体層としてもよい。

【００５６】なお、論文「Applied Physics Letters, V
ol.71 (1997) pp.2259-2261」には、サファイア基板上に
成長したＧａＮ膜上に、開口部を持つＳｉＯ₂ 膜を堆積
させ、該ＳｉＯ₂ 膜の開口部上にＧａＮ膜を基板面に平
行な方向に再成長させることにより、貫通転位が基板面
方向に平行な方向に曲げられて基板上方への貫通転移の
伝搬が抑制されるため、転位密度が著しく低減されるこ
とが開示されている。

【００５７】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００５８】図３（ａ）〜（ｃ）及び図４（ａ）〜
（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装
置の製造方法の工程順の断面構成を示している。ここ
で、図３（ａ）は、第１の実施形態と同様にして形成さ
れたｎ型光ガイド層１５、多重量子井戸活性層１６及び
ｐ型光ガイド層１７を拡大して示している。

【００５９】まず、図３（ａ）に示すように、反応炉内
において、基板上のｐ型光ガイド層１７の上面に、Ｍｇ
の不純物濃度が約１×１０¹⁸ｃｍ^-3で膜厚が約２０ｎｍ
のｐ型Ａｌ_0.20Ｇａ_0.80Ｎよりなるｐ型エッチング停止
層３１と、Ｍｇの不純物濃度が約１×１０¹⁸ｃｍ^-3で膜
厚が約１０ｎｍのｐ型Ｉｎ_0.10Ｇａ_0.90Ｎよりなるｐ型
ダメージ緩和層３２とを順次成長させる。次に、反応炉
から基板を取り出し、ｐ型ダメージ緩和層３２の表面に
対して有機洗浄を行なうと共にフッ酸系のウェットエッ
チングによるクリーニングを行なった後、例えば、プラ
ズマＣＶＤ法を用いて、ｐ型ダメージ緩和層３２の上に
全面にわたって膜厚が約０．１μｍのＳｉＯ₂ よりなる
電流狭窄形成層１８Ａを堆積する。

【００６０】次に、図３（ｂ）に示すように、フォトリ
ソグラフィ法を用いて、電流狭窄形成層１８Ａの上に、
ストライプが延びる方向が基板上のＧａＮ結晶における
晶帯軸のほぼ＜１−１００＞方向で、開口幅が約３μｍ
の開口部３３ａを持つレジストパターン３３を形成す
る。

【００６１】次に、図３（ｃ）に示すように、レジスト
パターン３３をマスクとして電流狭窄形成層１８Ａに対
してフッ酸系の水溶液を用いたウェットエッチングを行
なうことにより、電流狭窄形成層１８Ａから開口幅が３
μｍのストライプ状の開口部１８ａを持つ電流狭窄層１
８Ｂを形成する。

【００６２】次に、図４（ａ）に示すように、有機洗浄
によりレジストパターン３３を除去した後、電流狭窄層
１８Ｂ及びｐ型ダメージ緩和層３２の表面を有機洗浄
し、続いて該表面をフッ酸系のウェットエッチングによ
りクリーニングする。

【００６３】次に、図４（ｂ）に示すように、基板を再
度反応炉に搬入し、電流狭窄層１８Ｂをマスクとして、
ｐ型ダメージ緩和層３２における電流狭窄層１８Ｂの開
口部１８ａに露出する露出領域を除去する。露出領域の
具体的な除去方法は、まず、反応炉に供給するＶ族源の
ＮＨ₃ ガスの供給量を１０分間程度キャリアガスのＨ ₂
ガスの供給量とほぼ同量とする。これにより、蒸気圧が
比較的低いＩｎＧａＮよりなるｐ型ダメージ緩和層３２
は、反応炉内において容易に再蒸発を起こすため、露出
領域のみエッチング除去される。このとき、ｐ型ダメー
ジ緩和層３２の下側に形成されているｐ型エッチング停
止層３１は蒸気圧がＩｎＧａＮよりも高いＡｌＧａＮに
より構成されているため、ｐ型ダメージ緩和層３２の蒸
発条件では再蒸発を起こしにくい。その結果、ｐ型ダメ
ージ緩和層３２の再蒸発はｐ型エッチング停止層３１の
表面で停止する。

【００６４】次に、図４（ｃ）に示すように、成長温度
を１１００℃程度と高めに設定するか、又は反応炉にＶ
族原料とIII 族原料との供給比がほぼ１３０００以上と
なるようにＴＭＧ及びＴＭＡを供給する。このようにす
ると、ｐ型エッチング停止層３１上には、Ｍｇの不純物
濃度が５×１０¹⁷ｃｍ^-3で膜厚が約０．７μｍのｐ型Ａ
ｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎよりなり、電流狭窄層１８Ｂ上を該電
流狭窄層１８Ｂの開口部１８ａの周縁部を超えて基板面
に平行な方向にも大きく広がるようにｐ型クラッド層２
０が成長する。続いて、Ｍｇの不純物濃度が１×１０¹⁸
ｃｍ^-3で膜厚が約０．１μｍのｐ型ＧａＮよりなるｐ型
コンタクト層２１を成長させる。

【００６５】この後、第１の実施形態と同様に、成長し
たエピタキシャル層に対して、共振器形成領域を残して
エッチングを行ない、続いて、共振器形成領域上にはｐ
側電極を形成すると共に、露出したｎ型コンタクト層上
にはｎ側電極を形成する。

【００６６】第２の実施形態によると、図３（ｃ）に示
すように、電流狭窄形成層１８Ａに対してウェットエッ
チングによる開口部１８ａを形成する際に、該電流狭窄
形成層１８Ａの下側にＩｎを含むｐ型窒化物半導体より
なるｐ型ダメージ緩和層３２を設けているため、ｐ型光
ガイド層１７等のレーザ共振器を構成する半導体層にエ
ッチングダメージを与えない。この場合のエッチングダ
メージとは、炭素やシリコン等の不純物によるパイルア
ップや、結晶欠陥の発生等が考えられるが、いずれも結
晶品質を低下させるため、ｐ型コンタクト層２１を高抵
抗化するおそれがある。

【００６７】さらに、開口部１８ａを持つ電流狭窄層１
８Ｂ及びｐ型クラッド層１７の上にｐ型クラッド層２０
を再成長させる際には、図４（ｂ）に示すように、ｐ型
ダメージ緩和層３２を、窒化物半導体がＩｎを含むこと
により蒸気圧が相対的に低くなるという性質を利用し、
電流狭窄層１８Ｂをマスクとして蒸発させることによっ
てエッチング除去を行なう。このように、ｐ型ダメージ
緩和層３２をエッチャントを用いずに蒸発させて除去す
るため、ｐ型エッチング停止層３１における電流狭窄層
１８Ｂの開口部１８ａに露出する領域の表面に清浄面が
得られるので、ｐ型エッチング停止層３１上に再成長す
る窒化物半導体の結晶性が極めて良好となる。

【００６８】また、本実施形態においては、ｐ型ダメー
ジ緩和層３２の下側にＡｌを含むｐ型窒化物半導体より
なるエッチング停止層３１を設け、窒化物半導体がＡｌ
を含むことにより蒸気圧が相対的に高くなるという性質
を利用して、ｐ型ダメージ緩和層３２の蒸発によるエッ
チングを停止させている。このため、ｐ型ダメージ緩和
層３２に対するエッチング（蒸発）工程における加工の
精度がｐ型エッチング停止層３１により自己整合的に決
定されるので、高度な制御を行なわなくても、容易に且
つ確実に所望の内部ストライプ構造を形成できる。その
結果、レーザ装置における電流狭窄構造を容易に且つ確
実に実現できるので、コストや歩留り等の生産性や信頼
性を向上させることがでいる。

【００６９】なお、本実施形態においては、電流狭窄層
１８Ｂの開口部１８ａの形成にウェットエッチングを用
いたが、電流狭窄層１８Ｂの下側にｐ型ダメージ緩和層
３２を設けているため、ドライエッチング法を用いても
よい。この場合にも、ｐ型ダメージ緩和層３２における
電流狭窄層１８Ｂの開口部１８ａに露出する領域を除去
すると、再成長させる半導体結晶の結晶性が格段に向上
する。また、ｐ型ダメージ緩和層３２を設けない場合で
あっても、Ａｌを含むｐ型エッチング停止層３１は、Ａ
ｌを含まない窒化物半導体よりも高度が大きいため、ウ
ェットエッチ又はドライエッチのいずれの方法でも、エ
ッチングを停止させることができる。

【００７０】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００７１】図５（ａ）〜（ｃ）及び図６（ａ）〜
（ｃ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ装
置の製造方法の工程順の断面構成を示している。ここ
で、図５（ａ）において、図１（ａ）に示す構成部材と
同一の構成部材には同一の符号を付している。

【００７２】まず、図５（ａ）に示すように、サファイ
アよりなる基板１１の表面に対して所定の清浄処理を行
なった後、ＭＯＶＰＥ法を用いて、基板１１上に、低温
バッファ層（図示せず）、バッファ層１２、ｎ型コンタ
クト層１３、ｎ型クラッド層１４、ｎ型光ガイド層１
５、多重量子井戸活性層１６及びｐ型光ガイド層１７を
順次成長させる。ここで、各エピタキシャル層のＶ族原
料とIII 族原料との供給比はほぼ１３０００とする。

【００７３】その後、プラズマＣＶＤ法を用いて、ｐ型
光ガイド層１７上に全面にわたって膜厚が約０．１μｍ
のＳｉＯ₂ よりなる電流狭窄形成層１８Ａを堆積する。
続いて、電流狭窄形成層１８Ａの上に、開口幅が約３μ
ｍ、共振器形成領域と対応するマスク幅が約１５μｍの
ストライプ形状で、該ストライプが延びる方向がＧａＮ
よりなるバッファ層１２の晶帯軸のほぼ＜１１−２０＞
方向となる開口部３５ａを持つ第１のレジストパターン
３５を形成する。ここで、第１のレジストパターン３５
の開口部３５ａの開口幅を約３μｍとしたが、１μｍ〜
２０μｍ程度であればよい。

【００７４】次に、図５（ｂ）に示すように、第１のレ
ジストパターン３５をマスクとして電流狭窄形成層１８
Ａに対してフッ酸系の水溶液を用いたウェットエッチン
グを行なうことにより、電流狭窄形成層１８Ａからスト
ライプ状の開口部１８ａを持つ電流狭窄層１８Ｃを形成
する。

【００７５】次に、図５（ｃ）に示すように、ｐ型光ガ
イド層１７上に、Ｍｇの不純物濃度が５×１０¹⁷ｃｍ^-3
で膜厚が約０．７μｍのｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎよりな
るｐ型光ガイド層３６を成長させる。このときの成長条
件は、成長温度を１０００℃以下とやや低めにし、且
つ、Ｖ族原料とIII 族原料との供給比をほぼ１３０００
以下とする。さらに、電流狭窄層１８Ｃの開口部１８ａ
の長辺方向を晶帯軸のほぼ＜１１−２０＞方向としてい
るため、ｐ型光ガイド層３６は電流狭窄層１８Ｃの開口
部１８ａの上方に、基板面に垂直で且つストライプが延
びる方向に垂直な方向の断面形状が方形状又は台形状に
成長する。なお、このような断面方形状等に成長する成
長条件である、成長温度を１０００℃程度以下とする温
度条件と、供給比を１３０００以下とする供給条件とは
必ずしも同時に満たさなくてもよい。続いて、ｐ型光ガ
イド層３６の上に、Ｍｇの不純物濃度が１×１０¹⁸ｃｍ
^-3で膜厚が約０．１μｍのｐ型ＧａＮよりなるｐ型コン
タクト層３７を成長させる。その後、電流狭窄層１８Ｃ
及びｐ型コンタクト層３７の上に全面にわたってレジス
ト膜３８Ａを塗布する。

【００７６】次に、図６（ａ）に示すように、フォトリ
ングラフィ法を用いて、レジスト膜３８Ａに対してパタ
ーニングを行なって、電流狭窄層１８Ｃの上方、すなわ
ち共振器形成領域を覆う第２のレジストパターン３８Ｂ
を形成する。

【００７７】次に、図６（ｂ）に示すように、第２のレ
ジストパターン３８Ｂをマスクとして、エピタキシャル
層に対してドライエッチングを行なうことにより、ｎ型
コンタクト層１３を露出させる。

【００７８】次に、図６（ｃ）に示すように、第２のレ
ジストパターン３８Ｂを除去してｐ型コンタクト層３７
を露出させ、露出したｐ型コンタクト層３７の上面にＮ
ｉとＡｕとが積層されてなるｐ側電極２３を形成する。
また、露出したｎ型コンタクト層１３の上面に、Ｔｉと
Ａｌとが積層されてなるｎ側電極２４を形成する。続い
て、基板１１を共振器長が約１ｍｍ程度の共振器構造が
形成されるようにへき開し、へき開した共振器における
出射端面には反射率が７０％で、反射端面には反射率が
９０％のＳｉＯ₂ 及びＴｉＯ₂ よりなる高反射コートを
施す。

【００７９】第３の実施形態によると、ＳｉＯ₂ よりな
る電流狭窄層１８Ｃの開口部１８ａの開口方向及び特定
の成長条件により、エピタキシャル層に対してエッチン
グを行なわずにリッジ状の共振器構造を実現できる。そ
の結果、活性層１６にドライエッチングによるエッチン
グダメージを与えることなく、キャリアをストライプ状
に規制して活性層１６に注入できるため、レーザ光の水
平横モードの単一化を実現できると共に動作電流を低減
できる。

【００８０】このように、本実施形態の光の閉じ込め方
法は、屈折率が小さいＳｉＯ₂ よりな電流狭窄層１８Ｃ
と、前記の第１の論文と同様のリッジ構造の外側の大気
との屈折率差でなされている。

【００８１】また、第１の実施形態と同様に、電流狭窄
層１８Ｃを構成するＳｉＯ₂ はＡｌＧａＮ半導体と比べ
て光の屈折率が小さく、活性層１６への光閉じ込め効率
が向上するため、しきい値電流が低減する。従って、こ
こでは、電流狭窄形成層１８Ａの膜厚を０．１μｍとし
ているが、１μｍ〜２μｍ程度にまで厚くすることによ
り、光閉じ込め効率はさらに改善される。

【００８２】また、電流狭窄層１８ＣにＳｉＯ₂ を用い
ているため、ｐ型ＧａＮよりなるｐ型光ガイド層１７に
おける電流狭窄層１８Ｃの下側の領域が酸素原子の拡散
により結晶性が悪化する。これにより、ｐ型光ガイド層
１７が高抵抗化して電流阻止領域となるため、多重量子
井戸活性層１６における電流狭窄層１８Ｃの下側の領域
が光損失領域となる。このため、電流狭窄層１８Ｃの開
口部１８ａのみが有効な電流パス領域となるので、しき
い値電流を低減することができる。

【００８３】なお、電流狭窄層１８Ｃの材料として、II
I 族窒化物半導体を用いてもよい。この場合には、電流
狭窄形成層１８Ａに対するウェットエッチはやや困難と
なるものの、共振器構造を形成する各窒化物半導体層と
同一の材料であるため、半導体結晶に歪みや欠陥の導入
が抑制されるので、レーザ装置の信頼性が向上する。

【００８４】また、電流狭窄層１８Ｃとして、導電性の
シリコン又はタングステン等の導電膜を用いてもよい。
この場合には、導電膜よりなる電流狭窄層１８Ｃに電流
を流すことによって、該電流狭窄層１８Ｃのキャリアに
対する規制の程度を積極的に外部から調整できるように
なる。

【００８５】（第４の実施形態）以下、本発明の第４の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００８６】図７（ａ）〜（ｃ）及び図８（ａ）〜
（ｃ）は本発明の第４の実施形態に係る半導体レーザ装
置の製造方法の工程順の断面構成を示している。

【００８７】まず、図７（ａ）に示すようにサファイア
よりなる基板１１の表面に対して所定の有機洗浄を行な
った後、ＭＯＶＰＥ装置の反応炉に基板１１を搬入し、
所定のサーマルクリーニングを行なう。続いて、基板温
度を５００℃として、基板１１の上面に膜厚が２０ｎｍ
程度の低温バッファ層（図示せず）を成長させる。この
ときのＶ族原料とIII 族原料との供給比はほぼ１３００
０とする。その後、基板温度を１０００℃程度にまで昇
温し、低温バッファ層上に膜厚が約２μｍのＧａＮより
なるバッファ層１２を成長させる。続いて、バッファ層
１２の上面に、膜厚が約２μｍのｎ型ＧａＮよりなるｎ
型コンタクト層１３を成長させる。

【００８８】次に、反応炉から基板１１を取り出し、ｎ
型コンタクト層１３の表面に対して有機洗浄を行なうと
共にフッ酸系のウェットエッチングによるクリーニング
を行なう。その後、例えば、プラズマＣＶＤ法を用い
て、ｎ型コンタクト層１３の上に全面にわたって膜厚が
約０．１μｍのＳｉＯ₂ よりなる電流狭窄形成層１８Ａ
を堆積する。続いて、スピナを用いて電流狭窄形成層１
８Ａの上に全面にわたって第１のレジスト膜１９Ａを塗
布する。

【００８９】次に、図７（ｂ）に示すように、フォトリ
ングラフィ法を用いて、第１のレジスト膜１９Ａに対し
て、開口幅が約３μｍ、共振器形成領域をマスクするマ
スク幅が約１５μｍのストライプ形状で、該ストライプ
が延びる方向がＧａＮ結晶の晶帯軸のほぼ＜１−１００
＞方向となる開口部を持つように、第１のレジスト膜１
９Ａに対してパターニングを行なって、第１のレジスト
膜１９Ａから第１のマスクパターン１９Ｂを形成する。
１つの基板から複数の発光装置を形成する際には、例え
ば、第１のマスクパターン１９Ｂの複数の開口部同士は
約３００μｍピッチとする。また、第１のマスクパター
ン１９Ｂの開口部の開口幅を約３μｍとしたが、１μｍ
〜２０μｍ程度であればよい。続いて、第１のマスクパ
ターン１９Ｂを用いて、電流狭窄形成層１８Ａに対して
フッ酸系の水溶液を用いたウェットエッチングを行なう
ことにより、電流狭窄形成層１８Ａからストライプ状の
開口部１８ａを持つキャリアブロック層としての電流狭
窄層１８Ｂを形成する。

【００９０】次に、図７（ｃ）に示すように、第１のマ
スクパターン１９Ｂを除去した後、電流狭窄層１８Ｂ及
びｎ型コンタクト層１３の表面をクリーニングし、クリ
ーニングした基板１１を再度反応炉に搬入し、電流狭窄
層１８Ｂを含むｎ型コンタクト層１３上にレーザ共振器
を構成する各エピタキシャル層を順次成長させる。

【００９１】具体的には、Ｖ族源のＮＨ₃ ガスを基板１
１上に供給しながら、基板１１の温度を１１００℃程度
とやや高めに設定し、ｎ型コンタクト層１３上に、膜厚
が約０．７μｍのｎ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎよりなるｎ型
クラッド層１４を成長させる。このとき、ｎ型クラッド
層１４は、電流狭窄層１８Ｂの開口部１８ａの長辺方向
が晶帯軸のほぼ＜１−１００＞であり、且つ、結晶の成
長条件として、Ｖ族原料とIII 族原料との供給比をほぼ
１３０００以上とすることにより、電流狭窄層１８Ｂ上
をその開口部１８ａの周縁部を超えて基板面に対して平
行な方向にも大きく広がるように成長するため、成長面
の上面はほぼ平坦となる。なお、このような横方向にも
成長する成長条件である、成長温度を１１００℃程度と
する温度条件と、供給比を１３０００以上とする供給条
件とは必ずしも同時に満たさなくてもよい。続いて、ｎ
型クラッド層１４上に、Ｓｉの不純物濃度が約１×１０
¹⁸ｃｍ^-3で膜厚が約１００ｎｍのｎ型ＧａＮよりなるｎ
型光ガイド層１５を成長させる。

【００９２】続いて、基板温度を約８００℃にまで降温
すると共にキャリアガスを水素ガスから窒素ガスに変更
して、ｎ型光ガイド層１５上に、各膜厚が約３ｎｍのＩ
ｎ_{0. 1} Ｇａ_0.9 Ｎよりなる３層の歪量子井戸層と各膜厚
が約９ｎｍのＧａＮよりなる２層のバリア層とが交互に
積層されてなる多重量子井戸活性層１６を成長させる。
次に、再度、基板温度を約１０００℃にまで昇温すると
共に、キャリアガスを窒素ガスから水素ガスに戻して、
多重量子井戸活性層１６上に、膜厚が約１００ｎｍのｐ
型ＧａＮよりなるｐ型光ガイド層１７と、膜厚が約０．
７μｍのｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎよりなるｐ型クラッド
層２０と、膜厚が約０．１μｍのｐ型ＧａＮよりなるｐ
型コンタクト層２１とを順次成長させる。その後、反応
炉から基板１１を取り出し、スピナを用いてｐ型コンタ
クト層２１の上に全面にわたって第２のレジスト膜２２
Ａを塗布する。

【００９３】次に、図８（ａ）に示すように、フォトリ
ングラフィ法を用いて、第２のレジスト膜２２Ａに対し
てパターニングを行なって、電流狭窄層１８Ｂの上方を
覆う第２のマスクパターン２２Ｂを形成する。

【００９４】次に、図８（ｂ）に示すように、第２のマ
スクパターン２２Ｂを用いて、エピタキシャル層に対し
てドライエッチングを行なうことにより、ｎ型コンタク
ト層１３を露出させる。

【００９５】次に、図８（ｃ）に示すように、第２のマ
スクパターン２２Ｂを除去してｐ型コンタクト層２１を
露出させた後、蒸着法等を用いて、露出したｐ型コンタ
クト層２１の上面にＮｉとＡｕとが積層されてなるｐ側
電極２３を形成する。また、露出したｎ型コンタクト層
１３の上面には、ＴｉとＡｌとが積層されてなるｎ側電
極２４を形成する。続いて、基板１１を共振器長が１ｍ
ｍ程度の共振器構造が形成されるようにへき開し、へき
開した共振器における出射端面には反射率が７０％で、
反射端面には反射率が９０％のＳｉＯ₂ 及びＴｉＯ₂ よ
りなる高反射コートを施す。

【００９６】以下、前記のように形成された半導体レー
ザ装置の動作を説明する。

【００９７】ｎ側電極２４を接地し、ｐ側電極２３に所
定の電圧を印加すると、ｎ型コンタクト層１３の多数キ
ャリアである電子は、電流狭窄層１８Ｂの幅が３μｍの
開口部１８ａを通過して多重量子井戸活性層１６に注入
される。このため、エピタキシャル層をリッジ状の共振
器構造とすることなく、電子をストライプ状に規制しな
がら活性層１６に注入できるため、レーザ光の水平横モ
ードの単一化を実現できると共に動作電流を低減でき
る。

【００９８】また、内部ストライプ構造を形成する際
に、ｎ型コンタクト層１３上に成長する窒化物半導体層
に対してドライエッチングを行なわないため、活性層１
６上でエッチングを停止させる高度な加工精度が不要と
なると共に、活性層１６に対するドライエッチングによ
るダメージを与えるおそれがない。その結果、電流狭窄
層１８Ｂにより形成される内部ストライプ構造を容易に
且つ確実に形成できる。これにより、活性層１６上に成
長する半導体層の結晶性が優れるため、しきい値電流の
大幅な低減が可能になるので、青紫色光を出射できるII
I 族窒化物半導体レーザ装置としての動作特性が格段に
向上する。

【００９９】さらに、電流狭窄層１８Ｂをウェットエッ
チングにより形成するため、開口部１８ａの開口幅の幅
制が容易となり、所望の電流狭窄構造を実現できる。ま
た、電流狭窄層１８Ｂを構成するＳｉＯ₂ はＡｌＧａＮ
半導体と比べて光の屈折率が小さく、活性層１６への光
閉じ込め効率が向上するため、しきい値電流が低減す
る。従って、ここでは、電流狭窄形成層１８Ａの膜厚を
０．１μｍとしているが、１μｍ〜２μｍ程度にまで厚
くすることにより、光閉じ込め効率をさらに改善され
る。その結果、動作電流が低減して、消費電力も抑制で
きる。

【０１００】なお、第４の実施形態においては、電流狭
窄形成層１８Ａに窒化シリコン（Ｓｉ₃ Ｎ₄ ）を用いる
ことが好ましい。それは、電流狭窄形成層１８ＡにＳｉ
Ｏ₂を用いる場合の、ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタク
ト層１３における電流狭窄層１８Ｂの下側の領域が酸素
原子の拡散により結晶性が悪化して該ｎ型コンタクト層
１３が高抵抗化してしまうというおそれがなくなり、レ
ーザ装置の直列抵抗の増加を抑制できるからである。

【０１０１】また、電流狭窄形成層１８Ａに、導電性の
シリコン又はタングステン等の導電膜を用いてもよい。
この場合には、導電膜よりなる電流狭窄層１８Ｂに電流
を流すことによって、該電流狭窄層１８Ｂのキャリアに
対する規制の程度を外部から積極的に調整できるように
なる。

【０１０２】さらに、本実施形態において、図８（ｃ）
に示すｐ側電極２３及びｎ側電極２４を形成するよりも
前に、ｐ型コンタクト層２１及びｐ型クラッド層２０に
おける電流狭窄層１８Ｂの開口部１８ａの上方の幅が３
μｍの領域のみを残すようにリッジ状にドライエッチン
グを施すのが好ましい。このようにすると、ｐ側エピタ
キシャル層における正孔の狭窄及び光閉じ込めを図るこ
とができるため、電流狭窄層１８Ｂの電子の狭窄に加
え、電流狭窄機能をより強化することができる。

【０１０３】なお、多重量子井戸活性層１６に対して基
板１１側をｐ型半導体層とし、基板１１と反対側をｎ型
半導体層としてもよい。

【０１０４】（第５の実施形態）以下、本発明の第５の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【０１０５】図９（ａ）〜（ｃ）及び図１０（ａ）〜
（ｃ）は本発明の第５の実施形態に係る半導体レーザ装
置の製造方法の工程順の断面構成を示している。ここ
で、図９（ａ）は、第４の実施形態と同様にして形成さ
れたバッファ層１２及びｎ型コンタクト層１３を拡大し
て示している。

【０１０６】まず、図９（ａ）に示すように、反応炉内
において、基板上のｎ型コンタクト層１３の上面に、Ｓ
ｉの不純物濃度が約１×１０¹⁸ｃｍ^-3で膜厚が約２０ｎ
ｍのｐ型Ａｌ_0.20Ｇａ_0.80Ｎよりなるｎ型エッチング停
止層４１と、Ｓｉの不純物濃度が約１×１０¹⁸ｃｍ^-3で
膜厚が約１０ｎｍのｎ型Ｉｎ_0.10Ｇａ_0.90Ｎよりなるｎ
型ダメージ緩和層４２とを順次成長させる。その後、反
応炉から基板を取り出し、ｎ型ダメージ緩和層４２の表
面に対して有機洗浄を行なうと共にフッ酸系のウェット
エッチングによるクリーニングを行なった後、プラズマ
ＣＶＤ法を用いて、ｎ型ダメージ緩和層４２の上に全面
にわたって膜厚が約０．１μｍのＳｉＯ ₂ よりなる電流
狭窄形成層１８Ａを堆積する。

【０１０７】次に、図９（ｂ）に示すように、フォトリ
ソグラフィ法を用いて、電流狭窄形成層１８Ａの上に、
ストライプの長辺方向が基板上のＧａＮ結晶における晶
帯軸のほぼ＜１−１００＞方向で、開口幅が約３μｍの
開口部３３ａを持つレジストパターン３３を形成する。

【０１０８】次に、図９（ｃ）に示すように、レジスト
パターン３３をマスクとして電流狭窄形成層１８Ａに対
してフッ酸系の水溶液を用いたウェットエッチングを行
なうことにより、電流狭窄形成層１８Ａから開口幅が３
μｍのストライプ状の開口部１８ａを持つ電流狭窄層１
８Ｂを形成する。

【０１０９】次に、図１０（ａ）に示すように、有機洗
浄によりレジストパターン３３を除去した後、電流狭窄
層１８Ｂ及びｎ型ダメージ緩和層４２の表面を有機洗浄
し、続いて該表面をフッ酸系のウェットエッチングによ
りクリーニングする。

【０１１０】次に、図１０（ｂ）に示すように、基板を
再度反応炉に搬入し、電流狭窄層１８Ｂをマスクとし
て、反応炉に供給するＶ族源のＮＨ₃ ガスの供給量を１
０分程度の間キャリアガスのＨ₂ ガスの供給量とほぼ同
量とすることにより、ｎ型ダメージ緩和層４２における
電流狭窄層１８Ｂの開口部１８ａに露出する露出部分を
除去する。これは、蒸気圧が比較的低いＩｎＧａＮより
なるｎ型ダメージ緩和層４２が、反応炉内において容易
に再蒸発を起こす現象を利用している。さらに、ｎ型ダ
メージ緩和層４２の下側に形成されているｎ型エッチン
グ停止層４１は蒸気圧がＩｎＧａＮよりも高いＡｌＧａ
Ｎにより構成されているため、ｎ型ダメージ緩和層４２
の蒸発条件では再蒸発を起こしにくいので、ｎ型ダメー
ジ緩和層４２の再蒸発はｎ型エッチング停止層４１の表
面で停止する。

【０１１１】次に、図１０（ｃ）に示すように、成長温
度を１１００℃程度と高めに設定するか、又は反応炉に
Ｖ族原料とIII 族原料との供給比がほぼ１３０００以上
となるようにＴＭＧ及びＴＭＡを供給する。これによ
り、ｎ型エッチング停止層４１上に、膜厚が約０．７μ
ｍのｎ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎよりなり、電流狭窄層１８
Ｂ上を該電流狭窄層の１８Ｂの開口部１８ａの周縁部を
超えて基板面に平行な方向にも大きく広がるようにｎ型
クラッド層１４を成長させる。続いて、ｎ型クラッド層
１４上にレーザ共振器を構成する各エピタキシャル層を
成長させる。

【０１１２】すなわち、ｎ型クラッド層１４上に、膜厚
が約１００ｎｍのｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層１
５と、各膜厚が約３ｎｍのＩｎ_0.1 Ｇａ_0.9 Ｎよりなる
３層の歪量子井戸層と各膜厚が約９ｎｍのＧａＮよりな
る２層のバリア層とが交互に積層されてなる多重量子井
戸活性層１６と、膜厚が約１００ｎｍのｐ型ＧａＮより
なるｐ型光ガイド層１７と、膜厚が約０．７μｍのｐ型
Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎよりなるｐ型クラッド層２０と、膜
厚が約０．１μｍのｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト
層２１とを順次成長させる。

【０１１３】この後、第４の実施形態と同様に、成長し
たエピタキシャル層に対して、共振器形成領域を残して
エッチングを行ない、続いて、共振器形成領域上にはｐ
側電極を形成すると共に、露出したｎ型コンタクト層上
にはｎ側電極を形成する。

【０１１４】第５の実施形態によると、図９（ｃ）に示
すように、電流狭窄形成層１８Ａに対してウェットエッ
チングによる開口部１８ａを形成する際に、該電流狭窄
形成層１８Ａの下側にＩｎＧａＮよりなるｎ型ダメージ
緩和層３２を設けているため、ｎ型コンタクト層１３に
エッチングダメージを与えることがない。

【０１１５】さらに、開口部１８ａを持つ電流狭窄層１
８Ｂ及びｎ型コンタクト層１３の上にｎ型クラッド層１
４を再成長させる際には、図１０（ｂ）に示すように、
ｎ型ダメージ緩和層４２を、該ｎ型ダメージ緩和層４２
がＩｎを含むことにより蒸気圧が相対的に低くなるとい
う性質を利用し、電流狭窄層１８Ｂをマスクとして蒸発
させることによってエッチング除去を行なう。これによ
り、ｎ型ダメージ緩和層４２をエッチャントを用いずに
蒸発させて除去するため、ｎ型エッチング停止層４１に
おける電流狭窄層１８Ｂの開口部１８ａに露出する領域
の表面に清浄面が得られるので、ｎ型エッチング停止層
４１上に再成長する窒化物半導体の結晶性が極めて良好
となる。

【０１１６】また、ｎ型ダメージ緩和層４２の下側にＡ
ｌを含むｐ型窒化物半導体よりなるエッチング停止層３
１を設け、窒化物半導体がＡｌを含むことにより蒸気圧
が相対的に高くなるという性質を利用して、ｎ型ダメー
ジ緩和層４２の蒸発によるエッチングを停止させてい
る。このため、ｎ型ダメージ緩和層４２のエッチング
（蒸発）工程における加工の精度がｎ型エッチング停止
層４１により決定されるので、高度な制御を行なわなく
ても、容易に且つ確実に所望の内部ストライプ構造を形
成できる。その結果、レーザ装置における電流狭窄構造
を容易に且つ確実に実現できるので、コストや歩留り等
の生産性や信頼性が向上する。

【０１１７】なお、本実施形態においては、電流狭窄層
１８Ｂの開口部１８ａの形成にウェットエッチングを用
いたが、電流狭窄層１８Ｂの下側にｎ型ダメージ緩和層
４２を設けているため、ドライエッチング法を用いても
よい。この場合にも、ｎ型ダメージ緩和層４２における
電流狭窄層１８Ｂの開口部１８ａに露出する部分を除去
すると、再成長させる半導体結晶の結晶性がさらに向上
する。

【０１１８】（第６の実施形態）以下、本発明の第６の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【０１１９】図１１（ａ）〜（ｃ）、図１２（ａ）〜
（ｃ）及び図１３（ａ）〜（ｃ）は本発明の第６の実施
形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の工程順の断面
構成を示している。

【０１２０】まず、図１１（ａ）に示すようにサファイ
アよりなる基板１１の表面に対して所定の有機洗浄を行
なった後、ＭＯＶＰＥ装置の反応炉に基板１１を搬入
し、所定のサーマルクリーニングを行なう。続いて、基
板温度を５００℃として、基板１１の上面に膜厚が２０
ｎｍ程度の低温バッファ層（図示せず）を成長させる。
このときのＶ族原料とIII 族原料との供給比はほぼ１３
０００とする。その後、基板温度を１０００℃程度にま
で昇温し、低温バッファ層上に膜厚が約２μｍのＧａＮ
よりなるバッファ層１２を成長させる。続いて、バッフ
ァ層１２の上面に、膜厚が約２μｍのｎ型ＧａＮよりな
るｎ型コンタクト層１３を成長させる。

【０１２１】次に、反応炉から基板１１を取り出し、ｎ
型コンタクト層１３の表面に対して有機洗浄を行なうと
共にフッ酸系のウェットエッチングによるクリーニング
を行なう。その後、例えば、プラズマＣＶＤ法を用い
て、ｎ型コンタクト層１３の上に全面にわたって膜厚が
約０．１μｍのＳｉＯ₂ よりなる第１の電流狭窄形成層
１８Ａを堆積する。続いて、スピナを用いて第１の電流
狭窄形成層１８Ａの上に全面にわたって第１のレジスト
膜１９Ａを塗布する。

【０１２２】次に、図１１（ｂ）に示すように、フォト
リングラフィ法を用いて、第１のレジスト膜１９Ａに対
して、開口幅が約３μｍ、共振器形成領域をマスクする
マスク幅が約１５μｍのストライプ形状で、該ストライ
プが延びる方向がＧａＮ結晶の晶帯軸のほぼ＜１−１０
０＞方向となる開口部を持つように、第１のレジスト膜
１９Ａに対してパターニングを行なって、第１のレジス
ト膜１９Ａから第１のマスクパターン１９Ｂを形成す
る。１つの基板から複数の発光装置を形成する際には、
例えば、第１のマスクパターン１９Ｂの複数の開口部同
士は約３００μｍピッチとする。また、第１のマスクパ
ターン１９Ｂの開口部の開口幅を約３μｍとしたが、１
μｍ〜２０μｍ程度であればよい。続いて、第１のマス
クパターン１９Ｂを用いて、第１の電流狭窄形成層１８
Ａに対してフッ酸系の水溶液を用いたウェットエッチン
グを行なうことにより、第１の電流狭窄形成層１８Ａか
らストライプ状の開口部１８ａを持つキャリアブロック
層としての第１の電流狭窄層１８Ｂを形成する。

【０１２３】次に、図１１（ｃ）に示すように、第１の
マスクパターン１９Ｂを除去した後、第１の電流狭窄層
１８Ｂ及びｎ型コンタクト層１３の表面をクリーニング
し、クリーニングした基板１１を再度反応炉に搬入し、
第１の電流狭窄層１８Ｂを含むｎ型コンタクト層１３上
にレーザ共振器を構成する各エピタキシャル層を順次成
長させる。

【０１２４】具体的には、Ｖ族源のＮＨ₃ ガスを基板１
１上に供給しながら、基板１１の温度を１１００℃程度
とやや高めに設定し、ｎ型コンタクト層１３上に、膜厚
が約０．７μｍのｎ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎよりなるｎ型
クラッド層１４を成長させる。このとき、ｎ型クラッド
層１４は、第１の電流狭窄層１８Ｂの開口部１８ａの長
辺方向が晶帯軸のほぼ＜１−１００＞であり、且つ、結
晶の成長条件として、Ｖ族原料とIII 族原料との供給比
をほぼ１３０００以上とすることにより、第１の電流狭
窄層１８Ｂ上をその開口部１８ａの周縁部を超えて基板
面に対して平行な方向にも大きく広がるように成長す
る。続いて、ｎ型クラッド層１４上に、膜厚が約１００
ｎｍのｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層１５を成長さ
せる。続いて、基板温度を約８００℃にまで降温すると
共にキャリアガスを水素ガスから窒素ガスに変更して、
ｎ型光ガイド層１５上に、各膜厚が約３ｎｍのＩｎ_0.1
Ｇａ _0.9 Ｎよりなる３層の歪量子井戸層と各膜厚が約９
ｎｍのＧａＮよりなる２層のバリア層とが交互に積層さ
れてなる多重量子井戸活性層１６を成長させる。次に、
再度、基板温度を約１０００℃にまで昇温すると共に、
キャリアガスを窒素ガスから水素ガスに戻して、多重量
子井戸活性層１６上に、膜厚が約１００ｎｍのｐ型Ｇａ
Ｎよりなるｐ型光ガイド層１７を成長させる。

【０１２５】次に、図１２（ａ）に示すように、反応炉
から基板１１を取り出し、ｐ型光ガイド層１７の表面に
対して有機洗浄を行なうと共にフッ酸系のウェットエッ
チングによるクリーニングを行なう。その後、プラズマ
ＣＶＤ法を用いて、ｎ型コンタクト層１３の上に全面に
わたって膜厚が約０．１μｍのＳｉＯ₂ よりなる第２の
電流狭窄形成層２８Ａを堆積する。続いて、スピナを用
いて第２の電流狭窄形成層２８Ａの上に全面にわたって
第２のレジスト膜２９Ａを塗布する。

【０１２６】次に、図１２（ｂ）に示すように、フォト
リングラフィ法を用いて、第２のレジスト膜２９Ａに対
して、開口幅が約３μｍ、共振器形成領域をマスクする
マスク幅が約１５μｍのストライプ形状で、該ストライ
プが延びる方向がＧａＮ結晶の晶帯軸のほぼ＜１−１０
０＞方向となる開口部を持つように、第１のレジスト膜
２９Ａに対してパターニングを行なって、第２のレジス
ト膜２９Ａから第２のマスクパターン２９Ｂを形成す
る。１つの基板から複数の発光装置を形成する際には、
例えば、第２のマスクパターン２９Ｂの複数の開口部同
士は約３００μｍピッチとする。また、第２のマスクパ
ターン２９Ｂの開口部の開口幅を約３μｍとしたが、１
μｍ〜２０μｍ程度であればよい。続いて、第２のマス
クパターン２９Ｂを用いて、第２の電流狭窄形成層２８
Ａに対してフッ酸系の水溶液を用いたウェットエッチン
グを行なうことにより、第２の電流狭窄形成層２８Ａか
らストライプ状の開口部２８ａを持つ上部キャリアブロ
ック層としての第２の電流狭窄層２８Ｂを形成する。

【０１２７】次に、図１２（ｃ）に示すように、第２の
マスクパターン２９Ｂを除去した後、第２の電流狭窄層
２８Ｂ及びｐ型光ガイド層１７の表面をクリーニング
し、クリーニングした基板１１を再度反応炉に搬入す
る。続いて、Ｖ族源のＮＨ₃ ガスを基板１１上に供給し
ながら、基板１１の温度を１１００℃程度とやや高めに
設定し、第２の電流狭窄層２８Ｂを含むｐ型光ガイド層
１７上に、膜厚が約０．７μｍのｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93
Ｎよりなるｐ型クラッド層２０を成長させる。このと
き、ｐ型クラッド層２０は、第２の電流狭窄層２８Ｂの
開口部２８ａの長辺方向が晶帯軸のほぼ＜１−１００＞
であり、且つ、結晶の成長条件として、Ｖ族原料とIII
族原料との供給比をほぼ１３０００以上とすることによ
り、第２の電流狭窄層２８Ｂ上をその開口部２８ａの周
縁部を超えて基板面に対して平行な方向にも大きく広が
るように成長する。なお、第１の電流狭窄層１８Ｂ及び
第２の電流狭窄層２８Ｂの各開口部から横方向に広がっ
て成長する成長条件である、成長温度を１１００℃程度
とする温度条件と、原料の供給比を１３０００以上とす
る供給条件とは必ずしも同時に満たさなくてもよい。続
いて、ｐ型クラッド層２０上に膜厚が約０．１μｍのｐ
型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層２１を成長させる。
その後、反応炉から基板１１を取り出し、スピナを用い
てｐ型コンタクト層２１の上に全面にわたって第３のレ
ジスト膜３０Ａを塗布する。

【０１２８】次に、図１３（ａ）に示すように、フォト
リングラフィ法を用いて、第３のレジスト膜３０Ａに対
してパターニングを行なって、第２の電流狭窄層２８Ｂ
の上方であって、共振器形成領域を覆う第３のマスクパ
ターン３０Ｂを形成する。

【０１２９】次に、図１３（ｂ）に示すように、第３の
マスクパターン３０Ｂを用いて、エピタキシャル層に対
してドライエッチングを行なうことにより、ｎ型コンタ
クト層１３を露出させる。

【０１３０】次に、図１３（ｃ）に示すよう、第３のマ
スクパターン３０Ｂを除去してｐ型コンタクト層２１を
露出させた後、蒸着法等を用いて、露出したｐ型コンタ
クト層２１の上面にＮｉとＡｕとが積層されてなるｐ側
電極２３を形成する。また、露出したｎ型コンタクト層
１３の上面には、ＴｉとＡｌとが積層されてなるｎ側電
極２４を形成する。続いて、基板１１を共振器長が約１
ｍｍの共振器構造が形成されるようにへき開し、へき開
した共振器における出射端面には反射率が７０％で、反
射端面には反射率が９０％のＳｉＯ₂ 及びＴｉＯ₂ より
なる高反射コートを施す。

【０１３１】以下、前記のように形成された半導体レー
ザ装置の動作を説明する。

【０１３２】ｎ側電極２４を接地し、ｐ側電極２３に所
定の電圧を印加すると、ｐ型コンタクト層２１及びｐ型
クラッド層２０の多数キャリアである正孔は、第２の電
流狭窄層２８Ｂの幅が３μｍの開口部２８ａを通過して
多重量子井戸活性層１６に注入される。また、ｎ型コン
タクト層１３の多数キャリアである電子は、第１の電流
狭窄層１８Ｂの幅が３μｍの開口部１８ａを通過して多
重量子井戸活性層１６に注入される。このため、エピタ
キシャル層をリッジ状の共振器構造とすることなく、正
孔及び電子を共にストライプ状に規制しながら活性層１
６に注入できるため、正孔及び電子の再結合効率が向上
するので、生成されるレーザ光の水平横モードの単一化
及び動作電流の低減化をより確実に行なえるようにな
る。

【０１３３】また、内部ストライプ構造を形成する際
に、ｎ型コンタクト層１３上に成長する窒化物半導体層
に対してドライエッチングを行なわないため、活性層１
６上でエッチングを停止させる高度な加工精度が不要と
なると共に、活性層１６に対するドライエッチングによ
るダメージを与えるおそれがない。その結果、第１の電
流狭窄層１８Ｂ及び第２の電流狭窄層２８Ｂにより形成
される複数の内部ストライプ構造を容易に且つ確実に形
成できる。これにより、活性層１６上に成長する半導体
層の結晶性が優れるため、しきい値電流の大幅な低減が
可能になるので、青紫色光を出射できるIII 族窒化物半
導体レーザ装置としての動作特性が格段に向上する。

【０１３４】さらに、第１及び第２の電流狭窄層１８
Ｂ、２８Ｂをそれぞれウェットエッチングにより形成す
るため、各開口部１８ａ、２８ａの開口幅の幅制が容易
となり、所望の電流狭窄構造を実現できる。また、第１
及び第２の電流狭窄層１８Ｂ、２８Ｂを構成するＳｉＯ
₂ はＡｌＧａＮ半導体と比べて光の屈折率が小さく、活
性層１６への光閉じ込め効率が向上するため、しきい値
電流が低減する。従って、ここでは、第１及び第２の電
流狭窄形成層１８Ａ、２８Ａの膜厚をそれぞれ０．１μ
ｍとしているが、少なくとも一方の膜厚を１μｍ〜２μ
ｍ程度にまで厚くすることにより、光閉じ込め効率をさ
らに改善できる。その結果、動作電流が低減して、消費
電力も抑制できる。

【０１３５】本実施形態は、第２の電流狭窄層２８Ｂに
ＳｉＯ₂ を用いているため、ｐ型ＧａＮよりなるｐ型光
ガイド層１７における第２の電流狭窄層２８Ｂの下側の
領域が酸素原子の拡散により結晶性が悪化する。これに
より、ｐ型光ガイド層１７が高抵抗化して電流阻止領域
となるため、多重量子井戸活性層１６における電流狭窄
層１８Ｂの下側の領域が光損失領域となる。その結果、
電流狭窄層１８Ｂの開口部１８ａのみが有効な電流パス
領域となるので、しきい値電流を低減することができ
る。逆に、このことから、ｎ型コンタクト層１３上に形
成する第１の電流狭窄形成層１８Ａには酸素を含まない
窒化シリコンを用いることが好ましい。

【０１３６】なお、第１及び第２の電流狭窄層１８Ｂ、
２８Ｂの材料として二酸化シリコンの代わりに、III 族
窒化物半導体を用いてもよい。この場合には、第１及び
第２の電流狭窄形成層１８Ａ、２８Ａに対するウェット
エッチはやや困難となるものの、共振器構造を形成する
各窒化物半導体層と同一の材料であるため、半導体結晶
に歪みや欠陥の導入が抑制されるので、レーザ装置の信
頼性が向上する。

【０１３７】また、第１及び第２の電流狭窄層１８Ｂ、
２８Ｂの少なくとも一方に、導電性のシリコン又はタン
グステン等の導電膜を用いてもよい。この場合には、導
電膜よりなる電流狭窄層に電流を流すことによって、該
電流狭窄層のキャリアに対する規制の程度を外部から積
極的に調整できるようになる。

【０１３８】また、多重量子井戸活性層１６に対して基
板１１側をｐ型半導体層とし、基板１１と反対側をｎ型
半導体層としてもよい。

【０１３９】（第７の実施形態）以下、本発明の第７の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【０１４０】図１４（ａ）〜（ｃ）及び図１５（ａ）〜
（ｃ）は本発明の第７の実施形態に係る半導体レーザ装
置の製造方法の工程順の断面構成を示している。

【０１４１】まず、図１４（ａ）に示すように、サファ
イアよりなる基板１１の表面に対して所定の清浄処理を
行なった後、ＭＯＶＰＥ法を用いて、基板１１上に、低
温バッファ層（図示せず）、バッファ層１２、ｎ型コン
タクト層１３、ｎ型クラッド層１４、ｎ型光ガイド層１
５、多重量子井戸活性層１６及びｐ型光ガイド層１７を
順次成長させる。ここで、各エピタキシャル層のＶ族原
料とIII 族原料との供給比はほぼ１３０００する。その
後、反応炉からエピタキシャル層が形成された基板１１
を取り出し、プラズマＣＶＤ法を用いて、ｐ型光ガイド
層１７上に全面にわたって膜厚が約０．１μｍのＳｉＯ
₂ よりなる電流狭窄形成層１８Ａを堆積する。続いて、
スピナを用いて電流狭窄形成層１８Ａの上に全面にわた
って第１のレジスト膜１９Ａを塗布する。

【０１４２】次に、図１４（ｂ）に示すように、フォト
リングラフィ法を用いて、第１のレジスト膜１９Ａに対
してパターニングを行なって、互いに隣接する間隔が２
０μｍで、開口幅が３μｍ程度のストライプ状の複数の
開口部を持ち、ストライプが延びる方向がＧａＮよりな
るバッファ層１２の晶帯軸のほぼ＜１−１００＞方向で
ある開口パターンを持つ第１のマスクパターン１９Ｂを
形成する。ここで、第１のマスクパターン１９Ｂの各開
口部の開口幅を約３μｍとしたが、１μｍ〜２０μｍ程
度であればよい。

【０１４３】次に、第１のマスクパターン１９Ｂを用い
て、電流狭窄形成層１８Ａに対してフッ酸系の水溶液を
用いたウェットエッチングを行なうことにより、電流狭
窄形成層１８Ａから複数のストライプ状の開口部１８ａ
を持つアレイ状電流狭窄層１８Ｄを形成する。

【０１４４】次に、図１４（ｃ）に示すように、有機洗
浄により第１のマスクパターン１９Ｂを除去した後、ア
レイ状電流狭窄層１８Ｄ及びｐ型光ガイド層１７の表面
を洗浄する。その後、基板１１を再度反応炉に搬入し、
アレイ状電流狭窄層１８Ｄを含むｐ型光ガイド層１７上
に、レーザ共振器を構成する各エピタキシャル層を順次
成長させる。

【０１４５】すなわち、Ｖ族源のＮＨ₃ ガスを基板１１
上に供給しながら、基板１１の温度を１１００℃程度と
やや高めに設定し、ｐ型光ガイド層１７上に、厚さが約
０．７μｍのｐクラッド層２０を成長させる。このと
き、ｐ型クラッド層２０は、アレイ状電流狭窄層１８Ｄ
の各開口部１８ａの長辺方向が晶帯軸のほぼ＜１−１０
０＞であり、且つ、結晶の成長条件として、Ｖ族原料と
III 族原料との供給比をほぼ１３０００以上とすること
により、アレイ状電流狭窄層１８Ｄ上をその開口部１８
ａの周縁部を超えて基板面に対して平行な方向にも大き
く広がるように成長する。なお、このような横方向にも
成長する成長条件である、成長温度を１１００℃程度と
する温度条件と、供給比を１３０００以上とする供給条
件とは必ずしも同時に満たさなくてもよい。続いて、膜
厚が約０．１μｍのｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト
層２１を成長させる。その後、反応炉から基板１１を取
り出し、スピナを用いてｐ型コンタクト層２１の上に全
面にわたって第２のレジスト膜２２Ａを塗布する。

【０１４６】次に、図１５（ａ）に示すように、フォト
リングラフィ法を用いて、第２のレジスト膜２２Ａに対
してパターニングを行なって、アレイ状電流狭窄層１８
Ｄの上方であって、アレイ状共振器形成領域を覆う第２
のマスクパターン２２Ｂを形成する。

【０１４７】次に、図１５（ｂ）に示すように、第２の
マスクパターン２２Ｂを用いて、エピタキシャル層に対
してドライエッチングを行なうことにより、アレイ状共
振器形成領域の両側部にｎ型コンタクト層１３を露出さ
せる。

【０１４８】次に、図１５（ｃ）に示すように、第２の
マスクパターン２２Ｂを除去してｐ型コンタクト層２１
を露出させた後、蒸着法等を用いて、露出したｐ型コン
タクト層２１の上面にＮｉとＡｕとが積層されてなるｐ
側電極２３を形成する。また、露出したｎ型コンタクト
層１３の上面には、ＴｉとＡｌとが積層されてなるｎ側
電極２４を形成する。続いて、基板１１を各共振器長が
約１ｍｍのアレイ状共振器端面が形成されるようにへき
開し、へき開した各共振器における出射端面には反射率
が７０％で、反射端面には反射率が９０％のＳｉＯ₂ 及
びＴｉＯ₂ よりなる高反射コートを施す。

【０１４９】以下、前記のように形成された半導体レー
ザ装置の動作を説明する。

【０１５０】ｎ側電極２４を接地し、ｐ側電極２３に所
定の電圧を印加すると、ｐ型コンタクト層２１及びｐ型
クラッド層２０の多数キャリアである正孔は、アレイ状
電流狭窄層１８Ｄの各開口部１８ａを通過して多重量子
井戸活性層１６に注入される。

【０１５１】このとき、アレイ状電流狭窄層１８Ｄの開
口部１８ａ同士の間隔が２０μｍ程度であるため、本実
施形態に係るレーザ装置は２０μｍ間隔で青紫光を出射
できることになる。すなわち、アレイ状電流狭窄層１８
Ｄの開口部１８ａの間隔を適当に調整することにより、
レーザ光をアレイ状に出射可能な青紫色半導体レーザ装
置の１チップ化が実現でき、その結果、出射光の大幅な
高出力化が可能となる。

【０１５２】このように、本実施形態によると、内部ス
トライプ構造を形成する際に、活性層１６上に成長する
窒化物半導体層に対してドライエッチングを行なわない
ため、活性層１６上でエッチングを停止させる高度な加
工精度が不要となると共に、活性層１６に対するドライ
エッチングによるダメージを与えるおそれがない。その
結果、アレイ状電流狭窄層１８Ｄにより形成される内部
ストライプ構造を容易に且つ確実に形成できる。

【０１５３】アレイ状の内部ストライプ構造を形成する
際に、活性層１６上に成長する窒化物半導体層に対して
ドライエッチングを行なわないため、活性層１６上でエ
ッチングを停止させる高度な加工精度が不要となると共
に、活性層１６に対するドライエッチングによるダメー
ジを与えるおそれがない。その結果、アレイ状電流狭窄
層１８Ｄにより形成されるアレイ状の内部ストライプ構
造を容易に且つ確実に形成できる。これにより、活性層
１６上に成長する半導体層の結晶性が優れるため、しき
い値電流の大幅な低減が可能になり、半導体レーザ装置
としての動作特性が格段に向上する。

【０１５４】さらに、アレイ状電流狭窄層１８Ｄをウェ
ットエッチングにより形成するため、開口部１８ａの開
口幅の幅制が容易となり、所望の電流狭窄構造を実現で
きる。また、アレイ状電流狭窄層１８Ｄを構成するＳｉ
Ｏ₂ はＡｌＧａＮ半導体と比べて光の屈折率が小さく、
活性層１６への光閉じ込め効率が向上するため、しきい
値電流が低減する。従って、ここでは、電流狭窄形成層
１８Ａの膜厚を０．１μｍとしているが、１μｍ〜２μ
ｍ程度にまで厚くすることにより、光閉じ込め効率をさ
らに改善できる。

【０１５５】また、アレイ状電流狭窄層１８ＤにＳｉＯ
₂ を用いているため、ｐ型ＧａＮよりなるｐ型光ガイド
層１７におけるアレイ状電流狭窄層１８Ｄの下側の領域
が酸素原子の拡散により結晶性が悪化する。これによ
り、ｐ型光ガイド層１７が高抵抗化して電流阻止領域と
なるため、多重量子井戸活性層１６におけるアレイ状電
流狭窄層１８Ｄの下側の領域が光損失領域となる。この
ため、アレイ状電流狭窄層１８Ｄの各開口部１８ａのみ
が有効な電流パス領域となるので、アレイ状の共振器構
造をそれぞれ電気的及び光学的に断絶することが可能と
なる。その結果、アレイ状共振器を１チップ化した半導
体レーザ装置において、電気的及び光学的なクロストー
クがさらに低減すると共にしきい値電流が低減する。

【０１５６】また、アレイ状の共振器がアレイ状電流狭
窄層１８Ｄによって内部ストライプ構造を持つことによ
り、ｐ型コンタクト層２１がアレイ状電流狭窄層１８Ｄ
の上方に広く形成されるため、幅が４μｍ程度の従来の
リッジ状コンタクト層よりも接触抵抗を顕著に低減でき
る。

【０１５７】

【発明の効果】本発明に係る半導体発光装置によると、
半導体発光装置を構成する窒化物半導体と独立し、注入
キャリアの流れを規制する開口部を持つキャリアブロッ
ク層を設けることにより、半導体発光装置を構成する窒
化物半導体に対してエッチングダメージを与えることな
く電流狭窄構造を容易に且つ確実に形成できるため、青
紫色半導体レーザ装置に望まれる動作電流の低減及び出
射光の水平横モードの単一化を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係
る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の構成断面
図である。

【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係
る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の構成断面
図である。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係
る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の構成断面
図である。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係
る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の構成断面
図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３の実施形態に係
る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の構成断面
図である。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３の実施形態に係
る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の構成断面
図である。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第４の実施形態に係
る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の構成断面
図である。

【図８】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第４の実施形態に係
る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の構成断面
図である。

【図９】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第５の実施形態に係
る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の構成断面
図である。

【図１０】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第５の実施形態に
係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の構成断
面図である。

【図１１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第６の実施形態に
係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の構成断
面図である。

【図１２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第６の実施形態に
係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の構成断
面図である。

【図１３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第６の実施形態に
係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の構成断
面図である。

【図１４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第７の実施形態に
係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の構成断
面図である。

【図１５】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第７の実施形態に
係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の構成断
面図である。

【符号の説明】

１１ 基板 １２ バッファ層 １３ ｎ型コンタクト層 １４ ｎ型クラッド層（第１のクラッド層） １５ ｎ型光ガイド層 １６ 多重量子井戸活性層 １７ ｐ型光ガイド層 １８Ａ 電流狭窄形成層（薄膜部材） １８Ａ 第１の電流狭窄形成層 １８Ｂ 電流狭窄層（キャリアブロック層） １８ａ 開口部 １８Ｂ 第１の電流狭窄層（キャリアブロック層） １８Ｃ 電流狭窄層（キャリアブロック層） １８Ｄ アレイ状電流狭窄層（キャリアブロック層） １９Ａ 第１のレジスト膜 １９Ｂ 第１のマスクパターン ２０ ｐ型クラッド層（第２のクラッド層） ２１ ｐ型コンタクト層 ２２Ａ 第２のレジスト膜 ２２Ｂ 第２のマスクパターン ２８Ａ 第２の電流狭窄形成層（薄膜部材） ２８ａ 開口部 ２８Ｂ 第２の電流狭窄層（上部キャリアブロック層） ２９Ａ 第２のレジスト膜 ２９Ｂ 第２のマスクパターン ３０Ａ 第３のレジスト膜 ３０Ｂ 第３のマスクパターン ３１ ｐ型エッチング停止層 ３２ ｐ型ダメージ緩和層 ３３ レジストパターン ３５ 第１のレジストパターン ３５ａ 開口部 ３６ ｐ型光ガイド層 ３７ ｐ型コンタクト層 ３８Ａ レジスト膜 ３８Ｂ 第２のレジストパターン ４１ ｎ型エッチング停止層 ４２ ｎ型ダメージ緩和層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石橋 明彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 木戸口 勲 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 粂 雅博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 伴 雄三郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA03 AA06 CA04 CA05 CA34 CA40 CA46 CA65 CA74 CB04 5F073 AA20 AA45 AA51 AA53 AA74 AA83 AB02 CA07 CB05 DA05 EA18 EA23

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の上に、第１導電型の第１の窒化物
   半導体よりなる第１のクラッド層を形成する第１のクラ
   ッド層形成工程と、 前記第１のクラッド層の上に第２の窒化物半導体よりな
   る活性層を形成する活性層形成工程と、 前記活性層の上に薄膜部材を堆積した後、前記薄膜部材
   にストライプ状の開口部を形成することにより、前記開
   口部を持つ薄膜部材よりなり、前記活性層に注入される
   キャリアの流れを規制するキャリアブロック層を形成す
   るキャリアブロック層形成工程と、 前記キャリアブロック層の上に第２導電型の第３の窒化
   物半導体よりなる第２のクラッド層を形成する第２のク
   ラッド層形成工程とを備えていることを特徴とする半導
   体発光装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記キャリアブロック層形成工程は、前
   記キャリアブロック層の開口部をウェットエッチングに
   よって形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に
   記載の半導体発光装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記キャリアブロック層形成工程は、前
   記キャリアブロック層の開口部をエッチングによって形
   成する工程を含み、 前記活性層形成工程と前記キャリアブロック層形成工程
   との間に、前記活性層の上に第２導電型の窒化物半導体
   よりなり前記キャリアブロック層形成工程のエッチング
   を停止させるエッチング停止層を形成するエッチング停
   止層形成工程をさらに備えていることを特徴とする請求
   項１に記載の半導体発光装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記エッチング停止層はアルミニウムを
   含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体発光装置
   の製造方法。
5. 【請求項５】 前記エッチング停止層形成工程と前記キ
   ャリアブロック層形成工程との間に、前記エッチング停
   止層の上に第２導電型の窒化物半導体よりなり前記キャ
   リアブロック層形成工程のエッチングによるダメージを
   緩和するダメージ緩和層を形成する工程をさらに備えて
   いることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光装置
   の製造方法。
6. 【請求項６】 前記キャリアブロック層形成工程よりも
   後に、前記ダメージ緩和層における前記キャリアブロッ
   ク層の開口部に露出する領域を熱処理によって蒸発させ
   ることにより、前記ダメージ緩和層に前記キャリアブロ
   ック層の開口部と連続する開口部を形成する工程をさら
   に備えていることを特徴とする請求項５に記載の半導体
   発光装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記ダメージ緩和層はインジウムを含む
   ことを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置の製
   造方法。
8. 【請求項８】 前記第２のクラッド層形成工程は、前記
   第２のクラッド層を、前記キャリアブロック層上におけ
   る前記開口部の周縁部にも広がるように成長させる工程
   を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装
   置の製造方法。
9. 【請求項９】 前記第２のクラッド層形成工程は、前記
   第２のクラッド層を、前記キャリアブロック層における
   前記開口部の上に基板面に垂直で且つ前記開口部が延び
   る方向に垂直な方向の断面形状が方形状又は台形状とな
   るように成長させる工程を含むことを特徴とする請求項
   １に記載の半導体発光装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 基板の上に薄膜部材を堆積した後、前
    記薄膜部材にストライプ状の開口部を形成することによ
    り、前記開口部を持つ薄膜部材よりなり、前記活性層に
    注入されるキャリアの流れを規制するキャリアブロック
    層を形成するキャリアブロック層形成工程と、 前記キャリアブロック層の上に、第１導電型の第１の窒
    化物半導体よりなる第１のクラッド層を形成する第１の
    クラッド層形成工程と、 前記第１のクラッド層の上に第２の窒化物半導体よりな
    る活性層を形成する活性層形成工程と、 前記活性層の上に第２導電型の第３の窒化物半導体より
    なる第２のクラッド層を形成する第２のクラッド層形成
    工程とを備えていることを特徴とする半導体発光装置の
    製造方法。
11. 【請求項１１】 前記キャリアブロック層形成工程は、
    前記キャリアブロック層の開口部をウェットエッチング
    によって形成する工程を含むことを特徴とする請求項１
    ０に記載の半導体発光装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記キャリアブロック層形成工程は、
    前記キャリアブロック層の開口部をエッチングによって
    形成する工程を含み、 前記キャリアブロック層形成工程よりも前に、前記基板
    の上に第１導電型の窒化物半導体よりなり前記キャリア
    ブロック層形成工程のエッチングを停止させるエッチン
    グ停止層を形成するエッチング停止層形成工程をさらに
    備えていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体
    発光装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記エッチング停止層はアルミニウム
    を含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体発光
    装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記エッチング停止層形成工程と前記
    キャリアブロック層形成工程との間に、前記エッチング
    停止層の上に第１導電型の窒化物半導体よりなり前記キ
    ャリアブロック層形成工程のエッチングによるダメージ
    を緩和するダメージ緩和層を形成する工程をさらに備え
    ていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体発光
    装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記キャリアブロック層形成工程より
    も後に、前記キャリアブロック層の開口部に露出する領
    域を熱処理により蒸発させることにより、前記ダメージ
    緩和層に前記キャリアブロック層の開口部と連続する開
    口部を形成する工程をさらに備えていることを特徴とす
    る請求項１４に記載の半導体発光装置の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記ダメージ緩和層はインジウムを含
    むことを特徴とする請求項１５に記載の半導体発光装置
    の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記第１のクラッド層形成工程は、前
    記第１のクラッド層を、前記キャリアブロック層上にお
    ける前記開口部の周縁部に広がるように成長させる工程
    を含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体発光
    装置の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記活性層形成工程と前記第２のクラ
    ッド層形成工程との間に、前記活性層の上に薄膜部材を
    堆積し、堆積した薄膜部材に対して選択的にエッチング
    を行なうことにより、前記キャリアブロック層の開口部
    とほぼ対向する位置に開口部を持ち、前記活性層に注入
    されるキャリアの流れを規制する前記薄膜部材よりなる
    上部キャリアブロック層を形成する工程をさらに備えて
    いることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
19. 【請求項１９】 前記キャリアブロック層はシリコンを
    含む絶縁膜よりなることを特徴とする請求項１又は１０
    に記載の半導体発光装置の製造方法。
20. 【請求項２０】 前記キャリアブロック層は窒化物半導
    体よりなることを特徴とする請求項１に又は１０に記載
    の半導体発光装置の製造方法。
21. 【請求項２１】 前記キャリアブロック層は前記活性層
    よりも屈折率が小さいことを特徴とする請求項１又は１
    ０に記載の半導体発光装置の製造方法
22. 【請求項２２】 前記キャリアブロック層は導電膜より
    なることを特徴とする請求項１又は１０に記載の半導体
    発光装置の製造方法。
23. 【請求項２３】 前記キャリアブロック層形成工程は、
    前記薄膜部材に互いに間隔をおき且つほぼ平行に延びる
    複数の開口部を形成する工程を含むことを特徴とする請
    求項１又は１０に記載の半導体発光装置の製造方法。