JP3659050B2 - 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）の成長方法に係り、特に窒化物半導体よりなる基板の成長方法に関する。また、本発明は、前記窒化物半導体よりなる基板を用い発光ダイオード、レーザダイオード等の発光素子、あるいは太陽電池、光センサー等の受光素子に使用される窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなる窒化物半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、サファイア、スピネル、炭化ケイ素のような窒化物半導体と異なる異種基板の上、又は異種基板上に成長された窒化物半導体上に、窒化物半導体が成長しないかあるいは成長しにくい材料からＳｉＯ2等の保護膜を成長させ、この上に窒化物半導体を選択成長させることにより、転位を低減できる窒化物半導体の成長方法が種々検討されている。
【０００３】
例えば、特開平１０−３１２９７１号公報には、異種基板上に成長させた窒化物半導体上にＳｉＯ2等のマスクを部分的に形成し（例えばストライプ形状）、この上に窒化物半導体を成長させることにより、窒化物半導体がマスク上に横方向に成長する過程で、マスク上に向かって転位が横方向に進行することで転位の少ない窒化物半導体を得ることができる方法が記載されている。
また、特開平８−６４７９１号公報には、異種基板上にアモルファス状のＧａＮ膜を成長させた後、このアモルファス状のＧａＮ膜をストライプ状にエッチングしてこの上にさらに窒化物半導体を成長させることにより、ストライプ状のアモルファス部分以外から成長する窒化物半導体の転位をアモルファス分部に集中させることにより、アモルファス状のＧａＮ膜以外の部分に成長する窒化物半導体の転位を低減できる方法が記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平１０−３１２９７１号公報に記載の方法では、ＳｉＯ2等の保護膜が、窒化物半導体の成長時に分解する場合があり、ＳｉＯ2が分解すると、ＳｉＯ2上から異常成長したり、分解したＳｉやＯ等が窒化物半導体に入りＧａＮを汚染したりして、結晶性の低下を招くことがある。一方、ＳｉＯ2の分解を考慮して比較的低温で窒化物半導体を成長させると、窒化物半導体が良好な単結晶となりにくく、窒化物半導体の結晶性の低下を招くこととなる。
また、ＳｉＯ2等の保護膜を用いていると、選択成長させた後に異種基板を除去してＧａＮ基板の除去面にｎ電極を形成してなる素子を形成する場合に、絶縁性のＳｉＯ2が存在すると抵抗が高くなる傾向があり、ＳｉＯ2をも除去する必要があり、除去の際に窒化物半導体にクラックが入らないようにするなど操作がやや煩雑となる場合がある。
また、特開平８−６４７９１号公報に記載の方法では、転位がアモルファスＧａＮ膜に向かって集中するものの、十分に転位をアモルファス膜に集中させることができず、表面まで達する転位が生じてしまう。
【０００５】
また、寿命特性の良好な窒化物半導体素子を作製するには、転位の少ない窒化物半導体の基板を得ることが望ましいが、上記従来の方法では十分な寿命特性を有する程度に転位を低減させることが難しい。
寿命特性をより一層向上させることが、窒化物半導体素子の種々の製品への実用化を達成することとなる。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、転位の低減された、結晶性が良好な窒化物半導体を得ることができる窒化物半導体の成長方法を提供することである。
更に、本発明は、結晶性が良好で且つ転位の少ない窒化物半導体を基板とする窒化物半導体素子を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の目的は、以下（１）〜（８）の構成によって達成することができる。
（１）サファイア基板の上に、第１の窒化物半導体を成長させる第１の工程と、
第１の工程後、前記第１の窒化物半導体に部分的に基板に達する深さで凹凸を形成して凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可能な面を露出させる第２の工程と、
第２の工程後、前記凹部底面からの縦方向成長を抑制するように凹部側面から横方向成長させつつ、凸部上部から成長させて互いに接合させた第２の窒化物半導体を成長させる第３の工程とを有することを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
（２）前記第２の窒化物半導体を成長後に、前記第１の窒化物半導体に形成された凹部上部に凸部が、第１の窒化物半導体に形成された凸部上部に凹部が、それぞれ位置するように第２の窒化物半導体に部分的に第２の窒化物半導体の途中まで、又は第１の窒化物半導体に達する深さで凹凸を形成して、第２の窒化物半導体の凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可能な面を露出させる第４の工程と、
第４の工程後、前記凹凸が形成された第２の窒化物半導体上に、前記第３の工程と同様に第３の窒化物半導体を成長させる第５の工程とを有することを特徴とする前記（１）に記載の窒化物半導体の成長方法。
（３）前記サファイア基板が、サファイアのＣ面がステップ状にオフアングルされていることを特徴とする前記（１）又は（２）に記載の窒化物半導体の成長方法。
（４）前記凹凸の凹部側面が、基板に対して端面がほぼ垂直となる形状に形成されることを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれかに記載の窒化物半導体の成長方法。
（５）前記第２の工程において、前記凹凸がストライプ状に形成されることを特徴とする前記（１）〜（４）のいずれかに記載の窒化物半導体の成長方法。
（６）前記凹凸のストライプ形状が、サファイア基板のＡ面に対して垂直な方向で形成されることを特徴とする前記（１）〜（５）のいずれかに記載の窒化物半導体の成長方法。
（７）前記（１）〜（６）のいずれかに記載の窒化物半導体の成長方法で得られる窒化物半導体を基板とし、この上に素子構造となる少なくともｎ型窒化物半導体、活性層、及びｐ型窒化物半導体が形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
（８）前記（１）〜（６）のいずれかに記載の窒化物半導体の成長方法で得られた窒化物半導体基板上に、素子構造となる少なくともｎ型窒化物半導体、活性層、及びｐ型窒化物半導体が形成され、窒化物半導体基板の第１の窒化物半導体に形成された凹部上部に、窒化物半導体レーザ素子の光を導波するストライプ形状又はリッジ形状を形成してなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【０００８】
つまり、本発明の方法は、異種基板上に成長させた第１の窒化物半導体に凹凸を形成し、この上から第２の窒化物半導体を成長させると、凹部側面に露出している第１の窒化物半導体から第２の窒化物半導体が横方向に成長をはじめ、このとき転位も第２の窒化物半導体の成長に伴って横方向に進行するが一旦横方向に進行した転位は再び縦方向に進行しにくくなり、凹部の開口部分から厚膜に成長する第２の窒化物半導体は転位の低減された結晶性の良好な窒化物半導体となる。
更に、本発明は、保護膜としてＳｉＯ2等の保護膜を用いていないので、窒化物半導体が良好な単結晶として得られる温度、例えば１０００℃以上の温度で第１及び第２の窒化物半導体を成長させても、ＳｉＯ2の分解による汚染や異常成長等が生じない。
更に、本発明は、ＳｉＯ2等の保護膜を用いていないので、異種基板のみを除去しただけで、窒化物半導体基板の除去面にｎ電極が形成された場合、ｎ電極と良好なオーミックが得られ易くなる。
【０００９】
以前、本発明者等は、特願平１０−２７５８２６号明細書に、異種基板上に成長させた窒化物半導体の縦方向の成長を抑え、横方向のみに成長させ、続いて縦方向と横方向に成長させる窒化物半導体の成長方法を提案し、転位を著しく低減させることを可能にしている。この方法は、転位が横方向に進行すると再び縦方向に進行しにくくなることを見出し、窒化物半導体の縦方向の成長を抑制し、横方向の成長を意図的に行うことにより、転位を低減させることを可能としてるものである。この方法において、具体的に縦方向の成長を抑える方法として、異種基板上に成長させた窒化物半導体に凹凸を形成し、この凸部上部及び凹部底部にＳｉＯ2等の保護膜を形成することで、一旦縦方向の成長をする窒化物半導体の成長面を覆い、凹部側面の横方向の成長可能な窒化物半導体面のみを露出させ意図的に窒化物半導体を横方向に成長させている。
この方法は、窒化物半導体の縦方向の成長を実質的に全て抑えているので、転位が縦方向に進行するのを良好に防止することができたと考えられる。
しかし、凹凸を形成した凹部底部と凸部上部に保護膜を形成する工程は、時間がかかり、量産する場合にやや問題となる。また、保護膜としてＳｉＯ2を用いると、前記したようにＳｉＯ2の分解による汚染や異常成長などが起こる可能性もある。
【００１０】
これに対し、本発明は、特願平１０−２７５８２６号明細書に記載の方法を更に検討した結果、第１の窒化物半導体に凹凸を形成するだけで、凹部の開口部分に厚膜に成長する第２の窒化物半導体の表面や表面領域には転位がほとんどなくなることを見出したものである。つまり、窒化物半導体の縦方向の成長を抑えことが、窒化物半導体に凹凸を形成するのみで可能となるものである。
この理由は定かではないが、恐らく、凸部上部の面に対し、凹部側面での窒化物窒化物半導体の成長速度は促進されているからではないかと考えられる。凹部内部では、両側面と底部の３箇所の部分から窒化物半導体が成長可能であるが、凹部開口部分から厚膜に成長する第２の窒化物半導体には転位がほとんど見られないことから、凹部側面から横方向に成長を始めた窒化物半導体が凹部底部から成長を始めた窒化物半導体の成長を阻害していると思われる。
また、一方、凸部上部では縦方向の成長が可能であるが、凸部上部で縦方向の成長から成長を始めた窒化物半導体は、縦方向に成長すると共に、凹部開口部に向かって横方向に成長する傾向があり、凸部上部に成長する窒化物半導体の転位も低減する傾向がある。更に凸部上部の窒化物半導体の成長は、縦方向に成長するより横方向へ成長し易い傾向があり、凸部上部からの成長と、凹部開口部からの成長が自然に接合して、鏡面上の第２の窒化物半導体を得ることができると思われる。
また本発明は、以前本発明者らが提案した技術に比べ、保護膜を形成しないので製造工程が簡素化でき好ましい。
【００１１】
本発明において、凹部側面からの成長と、凸部上部での横方向の成長をより促進させるには、凹凸の形状、具体的には、凸部上部の幅、凹部底部の幅、凹部側面の長さ、凹部側面を階段状にする等の形状を設けるなどを組み合わせて調整することが好ましい。
更に、本発明において、横方向の成長を促進させるため、上記のように凹凸を形成することに加え、反応条件、例えば減圧条件、窒化物半導体の原料となる元素（ＩＩＩ族元素とＶ族元素のモル比）のモル比の調整等、の反応条件を調整することで横方向の成長が縦方向の成長より促進され、転位を低減するのに好ましい。
【００１２】
更に、本発明において、第２の窒化物半導体を厚膜に成長させた後、第２の工程と第３の工程を繰り返すことで転位を更に低減させることができる。但し、この場合は、第１の窒化物半導体に形成された凹部上部に第２の窒化物半導体に形成される凸部が位置し、第１の窒化物半導体に形成された凸部上部に第２の窒化物半導体に形成される凹部が位置するように、繰り返される第２の工程において第２の窒化物半導体に部分的に凹凸が形成される。第２及び第３の工程は、２回以上繰り返してもよい。
このように第１の窒化物半導体に形成される凹凸の位置と、第２の窒化物半導体に形成させる凹凸の位置とが、上記のように交互になっていると、前記したように凹部開口部から成長する窒化物半導体には転位がほとんど見られなくなることから、凹部上部にかかわらず凸部上部の窒化物半導体にも転位がほとんどなくなる。このように全体的に転位の低減された窒化物半導体を基板として素子構造を成長させると、寿命特性の良好な素子を量産する場合に好ましい。
【００１３】
更に本発明の成長方法において、異種基板が、サファイアのＣ面がステップ状にオフアングルされているものであると、得られた窒化物半導体を基板として素子構造を形成する際に、１チップの大きさに値する程度の幅の良好な平面を有する窒化物半導体基板が得られ、寿命特性の良好な素子が選られやすくなり好ましい。更に、ステップ状にオフアングルされていると、レーザ素子ではしきい値が低下し、ＬＥＤでは発光出力が２０〜３０％向上する傾向がある。
更に本発明において、ステップ状にオフアングルされているサファイア基板のオフアングル角が、０．１°〜０．５°であると、上記良好な平面となる部分の表面性が良好となり、この上に素子を形成すると寿命特性をより良好にすることができ好ましい。更にオフ角が上記範囲であると、しきい値がより低下し、発光出力がより向上し好ましい。
更に本発明において、ステップ状にオフアングルされているサファイア基板のステップに沿う方向（段差方向）が、サファイアのＡ面に対して垂直に形成されていると、サファイアのＡ面に対して窒化物半導体のＭ面が平行となるように第２の窒化物半導体が成長し、段差方向に平行に、例えばリッジ形状のストライプを形成すると、Ｍ面で劈開し易くなり良好な共振面が得られるので好ましい。
【００１４】
更に本発明において、第３の工程で、第２の窒化物半導体を成長させる際に、不純物をドープして行うと、窒化物半導体の縦方向の成長に対し、窒化物半導体の横方向の成長をより促進できる傾向があり、転位をより低減でき、更に隣接して成長している窒化物半導体同士の接合部分での空隙の発生の防止を良好にすることができ好ましい。
【００１５】
また本発明は、上記本発明の窒化物半導体の成長方法により得られる窒化物半導体を基板として、この上に素子構造となる少なくともｎ型窒化物半導体、活性層、及びｐ型窒化物半導体を形成することにより、寿命特性の良好な窒化物半導体素子を得ることができる。
更に、本発明において、リッジ形状のストライプを有する窒化物半導体レーザ素子を製造する場合、前記窒化物半導体の成長方法で凹部上部にリッジ形状のストライプが位置するように素子を製造すると、より良好な寿命特性のレーザ素子が得られ好ましい。また上記本発明の方法で第２及び第３の工程を繰り返す場合は、特にリッジ形状のストライプの形成される位置を考慮しなくともよい。
転位の少ない部分に窒化物半導体素子を形成すると、良好な素子特性を有するので好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図を用いて本発明を更に詳細に説明する。
図１〜図４は、本発明の窒化物半導体の成長方法の一実施形態を段階的に示した模式図である。
【００１７】
本発明の窒化物半導体の成長方法の一実施形態として、まず、図１の第１の工程において、異種基板１上に第１の窒化物半導体２を成長させ、図２の第２の工程において、第１の窒化物半導体２に凹凸を形成し、続いて図３の第３の工程において、凹凸の形成された第１の窒化物半導体２上に第２の窒化物半導体３を成長させる。
【００１８】
以下に上記各工程ごとに図を用いて更に詳細に説明する。
図１は異種基板１上に、第１の窒化物半導体２を成長させる第１の工程を行った模式的段面図である。
この第１の工程において、用いることのできる異種基板としては、例えば、Ｃ面、Ｒ面、及びＡ面のいずれかを主面とするサファイア、スピネル（ＭｇＡ１2Ｏ4）のような絶縁性基板、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、及び窒化物半導体と格子整合する酸化物基板等、従来知られている窒化物半導体と異なる基板材料を用いることができる。好ましい異種基板としては、サファイア、スピネルが挙げられる。
異種基板としてサファイアを用いる場合、サファイアの主面をどの面にするかによって、凹凸を形成した時の凸部上部と凹部側面の窒化物半導体の面方位が特定される傾向があり、その面方位によって、窒化物半導体の成長速度がやや異なることから、凹部側面に成長し易い面方位がくるように主面を選択してもよい。
【００１９】
また、第１の工程において、異種基板１上に第１の窒化物半導体２を成長させる前に、異種基板１上にバッファ層（図示されていない）を形成してもよい。バッファ層としては、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ等が用いられる。バッファ層は、９００℃以下３００℃以上の温度で、膜厚０．５μｍ〜１０オングストロームで成長される。このように異種基板１上にバッファ層を９００℃以下の温度で形成すると、異種基板１と第１の窒化物半導体２との格子定数不正を緩和し、第１の窒化物半導体２の結晶欠陥が少なくなる傾向にある。
【００２０】
第１の工程において、異種基板１上に形成される第１の窒化物半導体２としては、アンドープ（不純物をドープしない状態、undope）のＧａＮ、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳ等のｎ型不純物をドープしたＧａＮを用いることができる。
第１の窒化物半導体２は、高温、具体的には約９００℃より高温〜１１００℃、好ましくは１０５０℃で異種基板１上に成長される。このような温度で成長させると、第１の窒化物半導体２は単結晶となる。第１の窒化物半導体２の膜厚は特に限定しないが、凹部内部での縦方向の成長を抑えて、横方向の成長が促進できるように、凹凸の形状を調整することが可能な膜厚であることが好ましく、少なくとも５００オングストローム以上、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上の膜厚で形成する。
【００２１】
次に、図２は異種基板１上に第１の窒化物半導体２を成長させた後、第１の窒化物半導体２に部分的に第１の窒化物半導体２がわずかに残る程度の深さで凹凸を形成して、凹部側面に第１の窒化物半導体２を露出させてなる模式的断面図である。
【００２２】
第２の工程において、部分的に凹凸を形成するとは、少なくとも凹部側面に第１の窒化物半導体２が露出されるように、第１の窒化物半導体２の表面から異種基板１方向に窪みを形成してあればよく、第１の窒化物半導体２にいずれの形状で凹凸を設けてもよく、例えば、ランダムな窪み、ストライプ状、碁盤目状、ドット状に形成できる。
第１の窒化物半導体２に部分的に設けられた凹凸は、第１の窒化物半導体の途中まで、又は異種基板に達する深さで形成される。凹部底部の露出面が第１の窒化物半導体であると、仮に凹部底部からの縦方向の成長が、凹部側面からの成長により遮られずにそのまま表面まで成長し続けた場合でも、異種基板面上に成長したものに比べて、第１の窒化物半導体上に成長したものは転位が少なくなり好ましい。また一方、凹部底部の露出面が異種基板、例えばサファイアであると、異種基板面からの縦方向の成長に比べ、凹部側面の窒化物半導体からの横方向の成長がより優先され、凹部底部からの成長を凹部側面からの成長により遮り易くなり、転位を低減するのに好ましい。
【００２３】
凹凸の形状は、凹部側面の長さや、凸部上部の幅と凹部底部の幅などは、特に限定されないが、少なくとも凹部内での縦方向の成長が抑制され、凹部開口部から厚膜に成長する第２の窒化物半導体が凹部側面から横方向に成長したものとなるように調整されていることが好ましい。
凹凸の形状をストライプ状とする場合、ストライプの形状として、例えばストライプ幅（凸部上部の幅）を３〜２０μｍ、ストライプ間隔（凹部底部の幅）を３〜２０μｍのものを形成することができる。
凹部開口部から成長する第２の窒化物半導体３の部分を多くするには、凹部底部の幅を広くし、凸部上部の幅を狭くすることで可能となり、このようにすると転位の低減された部分を多くすることができる。凹部底部の幅を広くした場合には、凹部の深さを深めにすることが、凹部底部から成長する可能性のある縦方向の成長を防止するのに好ましい。
【００２４】
第２の工程で凹凸を設ける方法としては、第１の窒化物半導体を一部分取り除くことができる方法であればいずれの方法でもよく、例えばエッチング、ダイシング等が挙げられる。
エッチングにより、第１の窒化物半導体２に部分的（選択的）に凹凸を形成する場合は、フォトリソグラフィー技術における種々の形状のマスクパターンを用いて、ストライプ状、碁盤目状等のフォトマスクを作製し、レジストパターンを第１の窒化物半導体２に形成してエッチングすることにより形成できる。フォトマスクは、エッチングして凹凸を形成後に除去される。
また、ダイシングで行う場合は、例えば、ストライプ状や碁盤目状に形成できる。
【００２５】
第２の工程において窒化物半導体をエッチングする方法には、ウエットエッチング、ドライエッチング等の方法があり、平滑な面を形成するには、好ましくはドライエッチングを用いる。ドライエッチングには、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）、電子サイクロトロンエッチング（ＥＣＲ）、イオンビームエッチング等の装置があり、いずれもエッチングガスを適宜選択することにより、窒化物半導体をエッチングしてできる。例えば、本出願人が先に出願した特開平８−１７８０３号公報記載の窒化物半導体の具体的なエッチング手段を用いることができる。
また、エッチングによって段差を形成する場合、エッチング面（凹部側面）が、図２に示すように異種基板に対して端面がほぼ垂直となる形状、又は順メサ形状や逆メサ形状でもよく、あるいは階段状になるように形成された形状等がある。
【００２６】
次に、図３は、エッチングにより凹凸を有する第１の窒化物半導体２上に第２の窒化物半導体３を成長させる第３の工程を行った模式的断面図である。
第２の窒化物半導体３としては、前記第１の窒化物半導体２と同様のものを用いることができる。第２の窒化物半導体３の成長温度は、第１の窒化物半導体２を成長させる場合と同様であり、このような温度で成長させる第２の窒化物半導体は単結晶となる。また第２の窒化物半導体を成長させ際に、窒化物半導体の原料となるＩＩＩ族とＶ族の成分のモル比（ＩＩＩ／Ｖのモル比）を調整して成長させる、または反応条件を減圧にして成長させる等により、横方向の成長を縦方向の成長に比べて促進させる点で好ましい。
【００２７】
また第２の窒化物半導体を成長させる際に、不純物をドープして成長させてもよい。第２の窒化物半導体３を成長させる際にドープする不純物としては、特に限定されず、ｐ型不純物でもｎ型不純物でもよい。
後述の図１０に示されるｐ電極とｎ電極が反対の面に形成されてなる素子の場合は、第２の窒化物半導体３にｎ型不純物をドープすることが好ましく、ｎ型不純物をドープすることでｎ電極と良好なオーミックが得られ好ましい。
また、第２の窒化物半導体を成長させる際に、横方向の成長を促進させて、転位の低減や空隙発生の防止の点では、好ましくはｐ型不純物、又はｐ型不純物及びｎ型不純物をドープし、より好ましくはｐ型不純物及びｎ型不純物をドープする。
【００２８】
本発明において用いられるｐ型不純物としては、特に限定されないが、好ましくは、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｒ、及びＭｇのいずれか１種以上であり、また、ｎ型不純物としては、特に限定されないが、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎのいずれか１種以上である。上記のような不純物をドープすると、結晶欠陥及び空隙の点で好ましい。また、ｎ電極とのオーミック接触を有する点でも好ましい。
また、本発明において、ｐ型及びｎ型不純物をドープする場合、ｐ型不純物とｎ型不純物の組み合わせは特に限定されず、上記の不純物を適宜１種以上づつドープすることができる。特に好ましい組み合わせとしては、ｐ型不純物がＭｇであり、ｎ型不純物がＳｉであると、結晶欠陥の伝播を抑制し、空隙の発生を防止するのに好ましい。
【００２９】
本発明において、不純物のドープ量は、好ましくは１×１０17／ｃｍ3〜１×１０20／ｃｍ3、より好ましくは１×１０17／ｃｍ3〜１×１０19／ｃｍ3、更に好ましくは５×１０17／ｃｍ3〜５×１０19／ｃｍ3である。不純物の濃度が上記範囲であると窒化物半導体の横方向の成長を縦方向の成長に比べ良好に促進でき、結晶欠陥の伝播の抑制及び空隙の発生の防止の点で好ましい。不純物のドープ量が多すぎると異常成長等が発生し結晶性が低下する傾向がある。また不純物のドープ量が少なすぎると本発明の効果が得られ難くなる。更に、ｎ型不純物のみをドープしてｎ電極とのオーミック接触を有する場合にも好ましい。更に、ｎ型不純物のみをドープする場合でも、ｎ電極とのオーミック接触を有する以外に、窒化物半導体の横方向の成長を促進できる傾向もある。
また、ｐ型不純物とｎ型不純物とをドープする場合は、両者の濃度の和が上記範囲のドープ量となるように適宜調整してドープされる。この場合ｐ型不純物とｎ型不純物の濃度の比は、用いる不純物の種類により、空隙や結晶欠陥の防止が良好となるように適宜調整される。
【００３０】
第３の工程において、不純物をドープする時期としては、特に限定されず、第２の窒化物半導体３の成長と同時にドープされる、又は成長の途中に１回以上ドープされる。
成長の途中で１回以上ドープするとは、不純物をドープすることで窒化物半導体の横方向の成長が促進されること等を考慮して、転位が低減され、空隙の発生を防止できるように、第２の窒化物半導体の成長の最中に、一定の間隔毎または進行程度毎に、不純物を１回以上、成長の進行状況に応じた時間でドープすることである。この場合、成長の進行状況（程度）に応じてとは、少なくとも転位の進行方向を横方向に伝播させる際には不純物をドープし、転位を横方向に伝播できた後には、アンドープでも不純物濃度を減少させる等の調整をするなど、窒化物半導体の成長の進行状態と不純物を添加することによる横方向の成長の促進などを適宜組み合わせて行うことを示す。
本発明において、不純物をドープする場合、第１の窒化物半導体の成長の進行状況を確認する方法としては、ウエハの大きさ、凹部の開口部の幅や凹部側面の幅、凸部上部の幅、及び原料ガスの流量などから成長の速度を計算により導き出すことができる。そして、計算により導き出された値に従って、成長の途中等から不純物をドープする場合の目安にする。
【００３１】
本発明の第３の工程において、凹部内部では凹部の側面から横方向に成長するものと、凹部底部から縦方向に成長するものとがあると思われるが、成長し続ける過程で、凹部側面から成長した第２の窒化物半導体同士が接合し、凹部底部からの成長を抑制する。その結果、凹部開口部から成長した第２の窒化物半導体には転位がほとんど見られない。凹部底部からの縦方向の成長は、凹部側面からの横方向の成長に比べ、成長速度が遅いと思われる。
一方、凸部上部から成長した第２の窒化物半導体部分には、凹部開口部から成長するものに比べてやや多めの転位が見られるが、凸部上部に縦方向に成長を始める窒化物半導体も、縦方向に成長する速度よりも、凹部開口部に向かって横方向に成長する傾向があり、凹凸を形成しないで縦方向に成長させた場合に比べれば転位が低減する。また、本発明の第２及び第３の工程を繰り返すことで、凸部上部の転位をなくすことができる。また、凸部上部と凹部内部から成長した第２の窒化物半導体は、成長の過程で接合し、図４のようになる。
【００３２】
本発明において、第２及び第３の工程を繰り返す場合、図５に示すように、第１の窒化物半導体に形成した凹部上部に凸部が、第１の窒化物半導体に形成した凸部上部に凹部が、それぞれ位置するように第２の窒化物半導体に部分的に凹凸を形成する。そして凹凸を形成された第２の窒化物半導体上に第３の窒化物半導体４を成長させる。第３の窒化物半導体４は、全体的に転位の少ない窒化物半導体となる。第３の窒化物半導体としては第２の窒化物半導体と同様のものを成長させる。
【００３３】
また第２の窒化物半導体５は、この上に素子構造となる窒化物半導体を成長させるための基板となるが、素子構造を形成するには異種基板を予め除去してから行う場合と、異種基板等を残して行う場合がある。また、素子構造を形成した後で異種基板を除去する場合もある。
異種基板等を除去する場合の第２の窒化物半導体５の膜厚は、５０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以上、好ましくは５００μｍ以下である。この範囲であると異種基板及び保護膜等を研磨除去しても、第２の窒化物半導体３が割れにくくハンドリングが容易となり好ましい。
【００３４】
また異種基板等を残して行う場合の第２の窒化物半導体３の膜厚は、特に限定されないが、１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。この範囲であると異種基板と窒化物半導体の熱膨張係数差によるウエハの反りが防止でき、更に素子基板となる第２の窒化物半導体５の上に素子構造となる窒化物半導体を良好に成長させることができる。
【００３５】
本発明の窒化物半導体の成長方法において、第１の窒化物半導体２、及び第２の窒化物半導体３を成長させる方法としては、特に限定されないが、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）等、窒化物半導体を成長させるのに知られている全ての方法を適用できる。好ましい成長方法としては、膜厚が１００μｍ以下ではＭＯＣＶＤ法を用いると成長速度をコントロールし易い。また膜厚が１００μｍ以下ではＨＶＰＥでは成長速度が速くてコントロールが難しい。
【００３６】
また本発明において、第２の窒化物半導体３上には、素子構造となる窒化物半導体を形成することができるので、明細書内において第２の窒化物半導体を素子基板又は窒化物半導体基板と言う場合がある。
【００３７】
また第１の工程における前記異種基板となる材料の主面をオフアングルさせた基板、さらにステップ状にオフアングルさせた基板を用いたほうが好ましい。オフアングルさせた基板を用いると、表面に３次元成長が見られず、ステップ成長があらわれ表面が平坦になり易い。更にステップ状にオフアングルされているサファイア基板のステップに沿う方向（段差方向）が、サファイアのＡ面に対して垂直に形成されていると、窒化物半導体のステップ面がレーザの共振器方向と一致し、レーザ光が表面粗さにより乱反射されることが少なくなり好ましい。
【００３８】
更に好ましい異種基板としては、（０００１）面[Ｃ面]を主面とするサファイア、（１１２−０）面[Ａ面]を主面とするサファイア、又は（１１１）面を主面とするスピネルである。ここで異種基板が、（０００１）面[Ｃ面]を主面とするサファイアであるとき、前記第１の窒化物半導体等に形成される凹凸のストライプ形状が、そのサファイアの（１１２−０）面[Ａ面]に対して垂直なストライプ形状を有していること［窒化物半導体の（１０１−０）[Ｍ面]に平行方向にストライプを形成すること］が好ましく、また、オフアングルのオフ角θ（図１１に示すθ）は０．１°〜０．５°、好ましくは０．１°〜０．２°が好ましい。また（１１２−０）面[Ａ面]を主面とするサファイアであるとき、前記凹凸のストライプ形状はそのサファイアの（１１−０２）面[Ｒ面]に対して垂直なストライプ形状を有していることが好ましく、また（１１１）面を主面とするスピネルであるとき、前記凹凸のストライプ形状はそのスピネルの（１１０）面に対して垂直なストライプ形状を有していることが好ましい。
ここでは、凹凸がストライプ形状の場合について記載したが、本発明においてサファイアのＡ面及びＲ面、スピネルの（１１０）面に窒化物半導体が横方向に成長し易いので、これらの面に第１の窒化物半導体の端面が形成されるように第１の窒化物半導体２に段差を形成するために保護膜の形成を考慮することが好ましい。
【００３９】
本発明に用いられる異種基板について図を用いて更に詳細に説明する。図６はサファイアの結晶構造を示すユニットセル図である。
まず本発明の方法において、Ｃ面を主面とするサファイアを用い、凹凸はサファイアＡ面に対して垂直なストライプ形状とする場合について説明する。例えば、図７は主面側のサファイア基板の平面図である。この図はサファイアＣ面を主面とし、オリエンテーションフラット（オリフラ）面をＡ面としている。この図に示すように凹凸のストライプをＡ面に対して垂直方向で、互いに平行なストライプを形成する。図７に示すように、サファイアＣ面上に窒化物半導体を選択成長させた場合、窒化物半導体は面内ではＡ面に対して平行な方向で成長しやすく、垂直な方向では成長しにくい傾向にある。従ってＡ面に対して垂直な方向でストライプを設けると、ストライプとストライプの間の窒化物半導体がつながって成長しやすくなり、図１〜図４に示したような結晶成長が容易に可能となると考えられるが詳細は定かではない。
【００４０】
次に、Ａ面を主面とするサファイア基板を用いた場合、上記Ｃ面を主面とする場合と同様に、例えばオリフラ面をＲ面とすると、Ｒ面に対して垂直方向に、互いに平行なストライプを形成することにより、ストライプ幅方向に対して窒化物半導体が成長しやすい傾向にあるため、結晶欠陥の少ない窒化物半導体層を成長させることができる。
【００４１】
また次に、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）に対しても、窒化物半導体の成長は異方性があり、窒化物半導体の成長面を（１１１）面とし、オリフラ面を（１１０）面とすると、窒化物半導体は（１１０）面に対して平行方向に成長しやすい傾向がある。従って、（１１０）面に対して垂直方向にストライプを形成すると窒化物半導体層と隣接する窒化物半導体同士が保護膜の上部でつながって、結晶欠陥の少ない結晶を成長できる。なおスピネルは四方晶であるため特に図示していない。
【００４２】
また、以下に、オフアングルされたサファイア基板のステップに沿う方向が、サファイア基板のＡ面に対して垂直に形成されてなる場合について図１１を用いて説明する。
ステップ状にオフアングルしたサファイアなどの異種基板は、図１１に示すようにほぼ水平なテラス部分Ａと、段差部分Ｂとを有している。テラス部分Ａの表面凹凸は少なく、ほぼ規則正しく形成されている。このようなオフ角θを有するステップ状部分は、基板全体にわたって連続して形成されていることが望ましいが、特に部分的に形成されていてもよい。なおオフ角θとは、図１１に示すように、複数の段差の底部を結んだ直線と、最上層のステップの水平面との角度を示すものとする。
また異種基板は、オフ角が０．１°〜０．５°、好ましくは０．１°〜０．２°である。オフ角を上記範囲とすると、第１の窒化物半導体２表面は細かな筋状のモフォロジーとなり、エピタキシャル成長表面（第２の窒化物半導体３表面）は波状のモフォロジーとなり、この基板を用いて得られる窒化物半導体素子は平滑で、特性も長寿命、高効率、高出力、歩留まりの向上したものが得られる。
【００４３】
本発明の窒化物半導体素子（以下本発明の素子と言う場合がある。）について以下に説明する。
本発明の窒化物半導体素子は、前記した本発明の窒化物半導体の成長法により得られる第２の窒化物半導体３（窒化物半導体基板）上に、素子構造となる少なくともｎ型及びｐ型の窒化物半導体等が形成されてなるものである。本発明において、前記本発明の成長方法により得られる窒化物半導体上に素子構造を形成する場合、凹部上部に発光領域など（例えばレーザ素子においてはリッジ形状のストライプなど）が位置するように素子構造を形成することが、寿命特性等の素子特性が良好な素子を得るのに好ましい。
本発明の窒化物半導体素子を構成する窒化物半導体としては、特に限定されず、少なくともｎ型窒化物半導体、活性層、及びｐ型の窒化物半導体が積層されていればよい。例えば、ｎ型窒化物半導体層として、超格子構造を有するｎ型窒化物半導体層を有し、この超格子構造のｎ型層にｎ電極を形成することのできるｎ型窒化物半導体が形成されているもの等が挙げられる。活性層としては、例えばＩｎＧａＮを含んでなる多重量子井戸構造の活性層が挙げられる。
また、窒化物半導体素子構造を形成するその他の構成は、例えば電極、素子の形状等、いずれのものを適用させてもよい。本発明の窒化物半導体素子の一実施の形態を実施例に示したが、本発明はこれに限定されない。
【００４４】
本発明の窒化物半導体素子構造となる窒化物半導体を成長させる方法は、特に限定されないがＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）等、窒化物半導体を成長させるのに知られている全ての方法を適用できる。好ましい成長方法は、ＭＯＣＶＤ法であり、結晶をきれいに成長させることができる。しかし、ＭＯＣＶＤ法は時間がかかるため、膜厚が厚い場合には時間の短い方法で行うことが好ましい。また使用目的によって種々の窒化物半導体の成長方法を適宜選択し、窒化物半導体の成長を行うことが好ましい。
【００４５】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示すが本発明はこれに限定されない。
［実施例１］
実施例１における各工程を図１〜図４を用いて示す。また実施例１はＭＯＣＶＤ法を用いて行った。
【００４６】
異種基板１として、２インチφ、Ｃ面を主面とし、オリフラ面をＡ面とするサファイア基板１を反応容器内にセットし、温度を５１０℃にして、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、サファイア基板１上にＧａＮよりなるバッファ層（図示されていない）を約２００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００４７】
バッファ層を成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０５０℃まで上昇させる。１０５０℃になったら、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、シランガスを用い、Ｓｉを１×１０18／cm3ドープしたＧａＮよりなる第１の窒化物半導体層２を２μｍの膜厚で成長させる。（図１）
【００４８】
第１の窒化物半導体層２を成長後、ストライプ状のフォトマスクを形成し、スパッタ装置によりストライプ幅（凸部の上部になる部）５μｍ、ストライプ間隔（凹部底部となる部分）１０μｍにパターニングされたＳｉＯ2膜を形成し、続いて、ＲＩＥ装置によりＳｉＯ2膜の形成されていない部分の第１の窒化物半導体層２を第１の窒化物半導体２が残る程度に途中までエッチングして凹凸を形成することにより、凹部側面に第１の窒化物半導体２を露出させる（図２）。図２のように凹凸を形成した後、凸部上部のＳｉＯ2を除去する。なお、ストライプ方向は、図６に示すように、オリフラ面に対して垂直な方向で形成する。
【００４９】
次に、反応容器内にセットし、温度を１０５０℃で、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、シランガスを用い、アンドープのＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層３を１５μｍの膜厚で成長させる（図３及び図４）。
【００５０】
第２の窒化物半導体層３を成長後、ウェーハを反応容器から取り出し、アンドープのＧａＮよりなる窒化物半導体基板を得る。
【００５１】
得られた第２の窒化物半導体層３（本発明の窒化物半導体基板）をＣＬ（カソードルミネセンス）方法により観測すると、凸部上部は転位密度がやや多めであったが、凹部開口部の上部にはほとんど転位がが見られず良好な結晶性を有している。
【００５２】
［実施例２］
実施例１において、ストライプ幅（凸部の上部になる部）を３μｍ、ストライプ間隔（凹部底部となる部分）６μｍとする他は同様にして第２の窒化物半導体３を成長させた。
得られた第２の窒化物半導体３をＣＬ方法により観察すると、実施例１と同様に凹部開口部の上部には転位がほとんど見られない。
【００５３】
［実施例３］
実施例１で得られた第２の窒化物半導体３に、図５に示すように、第１の窒化物半導体に形成された凹部上部に凸部が、第１の窒化物半導体に形成された凸部上部に凹部がそれぞれ形成されるように、ストライプ状のフォトマスクを形成し、スパッタ装置によりストライプ幅（凸部の上部になる部）５μｍ、ストライプ間隔（凹部底部となる部分）１０μｍにパターニングされたＳｉＯ2膜を形成し、続いて、ＲＩＥ装置によりＳｉＯ2膜の形成されていない部分の第２の窒化物半導体３を第２の窒化物半導体３が残る程度に途中までエッチングして凹凸を形成する。その後、凹凸を形成された第２の窒化物半導体３上に、第３の窒化物半導体４を成長させる。
得られた第３の窒化物半導体４をＣＬ方法により観察すると、全体的に転位の低減された窒化物半導体を得ることができる。
【００５４】
［実施例４］
実施例１において、第２の窒化物半導体３を成長させる際に、ＳｉとＭｇの不純物を５×１０17／ｃｍ3ドープする他は同様にして第２の窒化物半導体３を成長させる。
得られた第２の窒化物半導体を実施例１と同様に観測すると、実施例１とほぼ同様に良好であったが、実施例１よりさらに転位が低減され、また空隙などの発生の防止も良好である。
【００５５】
［実施例５］
実施例４において、不純物として、以下の表１のＮｏ．１〜Ｎｏ．１０に示すように不純物を変更する他は同様にして第２の窒化物半導体３を成長させる。
【００５６】
【表１】
【００５７】
上記Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１０の不純物をそれぞれドープして得られる各第２の窒化物半導体３を実施例４と同様に観測すると、不純物の種類及び組み合わせによって転位の数等にやや差が見られるものの、実施例４とほぼ同様に良好である。
【００５８】
［実施例６］
以下に、図８を用いて実施例６を説明する。図８は本発明の実施例１で得られた第２の窒化物半導体を基板として素子構造を形成してなる本発明の一実施の形態であるレーザ素子の構造を示す模式的断面図である。
実施例１で得られた第２の窒化物半導体３を窒化物半導体基板として以下の素子構造を積層成長させる。
【００５９】
（アンドープｎ型コンタクト層）［図８には図示されていない］
窒化物半導体基板１上に、１０５０℃で原料ガスにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧ、アンモニアガスを用いアンドープのＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｎ型コンタクト層を１μｍの膜厚で成長させる。
【００６０】
（ｎ型コンタクト層３２）
次に、同様の温度で、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアガスを用い、不純物ガスにシランガス（ＳｉＨ4）を用い、Ｓｉを３×１０18／ｃｍ3ドープしたＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｎ型コンタクト層２を３μｍの膜厚で成長させる。
【００６１】
（クラック防止層３３）
次に、温度を８００℃にして、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）及びアンモニアを用い、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉを５×１０18／ｃｍ3ドープしたＩｎ0.08Ｇａ0.92Ｎよりなるクラック防止層３３を０．１５μｍの膜厚で成長させる。
【００６２】
（ｎ型クラッド層３４）
次に、温度を１０５０℃にして、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＡｌ0.14Ｇａ0.86ＮよりなるＡ層を２５オングストロームの膜厚で成長させ、続いて、ＴＭＡを止め、不純物ガスとしてシランガスを用い、Ｓｉを５×１０18／ｃｍ3ドープしたＧａＮよりなるＢ層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。そして、この操作をそれぞれ１６０回繰り返してＡ層とＢ層の積層し、総膜厚８０００オングストロームの多層膜（超格子構造）よりなるｎ型クラッド層３４を成長させる。
【００６３】
（ｎ型ガイド層３５）
次に、同様の温度で、原料ガスにＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＧａＮよりなるｎ型ガイド層３５を０．０７５μｍの膜厚で成長させる。
【００６４】
（活性層３６）
次に、温度を８００℃にして、原料ガスにＴＭＩ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてシランガスを用い、Ｓｉを５×１０18／ｃｍ3ドープしたＩｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる障壁層を１００オングストロームの膜厚で成長させる。続いて、シランガスを止め、アンドープのＩｎ0.11Ｇａ0.89Ｎよりなる井戸層を５０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を３回繰り返し、最後に障壁層を積層した総膜厚５５０オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層３６を成長させる。
【００６５】
（ｐ型電子閉じ込め層３７）
次に、同様の温度で、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇを１×１０19／ｃｍ3ドープしたＡｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｐ型電子閉じ込め層３７を１００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００６６】
（ｐ型ガイド層３８）
次に、温度を１０５０℃にして、原料ガスにＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＧａＮよりなるｐ型ガイド層８を０．０７５μｍの膜厚で成長させる。
このｐ型ガイド層８は、アンドープとして成長させるが、ｐ型電子閉じ込め層３７からのＭｇの拡散により、Ｍｇ濃度が５×１０16／ｃｍ3となりｐ型を示す。
【００６７】
（ｐ型クラッド層３９）
次に、同様の温度で、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＡｌ0.1Ｇａ0.9ＮよりなるＡ層を２５オングストロームの膜厚で成長させ、続いて、ＴＭＡを止め、不純物ガスとしてＣｐ2Ｍｇを用い、Ｍｇを５×１０18／ｃｍ3ドープしたＧａＮよりなるＢ層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。そして、この操作をそれぞれ１００回繰り返してＡ層とＢ層の積層し、総膜厚５０００オングストロームの多層膜（超格子構造）よりなるｐ型クラッド層３９を成長させる。
【００６８】
（ｐ型コンタクト層４０）
次に、同様の温度で、原料ガスにＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてＣｐ2Ｍｇを用い、Ｍｇを１×１０20／ｃｍ3ドープしたＧａＮよりなるｐ型コンタクト層４０を１５０オングストロームの膜厚で成長させる。
【００６９】
反応終了後、反応容器内において、ウエハを窒素雰囲気中、７００℃でアニーリングを行い、ｐ型層を更に低抵抗化する。
アニーリング後、ウエハを反応容器から取り出し、最上層のｐ側コンタクト層の表面にＳｉＯ2よりなる保護膜を形成して、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を用いＳｉＣｌ4ガスによりエッチングし、図９に示すように、ｎ電極を形成すべきｎ側コンタクト層３２の表面を露出させる。
次に図９（ａ）に示すように、最上層のｐ側コンタクト層４０のほぼ全面に、ＰＶＤ装置により、Ｓｉ酸化物（主として、ＳｉＯ2）よりなる第１の保護膜６１を０．５μｍの膜厚で形成した後、第１の保護膜６１の上に所定の形状のマスクをかけ、フォトレジストよりなる第３の保護膜６３を、ストライプ幅１．８μｍ、厚さ１μｍで形成する。
次に、図９（ｂ）に示すように第３の保護膜６３形成後、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置により、ＣＦ4ガスを用い、第３の保護膜６３をマスクとして、前記第１の保護膜をエッチングして、ストライプ状とする。その後エッチング液で処理してフォトレジストのみを除去することにより、図９（ｃ）に示すようにｐ側コンタクト層４０の上にストライプ幅１．８μｍの第１の保護膜６１が形成できる。
【００７０】
さらに、図９（ｄ）に示すように、ストライプ状の第１の保護膜６１形成後、再度ＲＩＥによりＳｉＣｌ4ガスを用いて、ｐ側コンタクト層４０、およびｐ側クラッド層３９をエッチングして、ストライプ幅１．８μｍのリッジ形状のストライプを形成する。但し、リッジ形状のストライプは、図８に示すように、第１の窒化物半導体に形成した凹部上部にくるように形成される。
リッジストライプ形成後、ウェーハをＰＶＤ装置に移送し、図９（ｅ）に示すように、Ｚｒ酸化物（主としてＺｒＯ2）よりなる第２の保護膜６２を、第１の保護膜６１の上と、エッチングにより露出されたｐ側クラッド層３９の上に０．５μｍの膜厚で連続して形成する。このようにＺｒ酸化物を形成すると、ｐ−ｎ面の絶縁をとるためと、横モードの安定を図ることができ好ましい。
次に、ウェーハをフッ酸に浸漬し、図９（ｆ）に示すように、第１の保護膜６１をリフトオフ法により除去する。
【００７１】
次に図９（ｇ）に示すように、ｐ側コンタクト層４０の上の第１の保護膜６１が除去されて露出したそのｐ側コンタクト層の表面にＮｉ／Ａｕよりなるｐ電極２０を形成する。但しｐ電極２０は１００μｍのストライプ幅として、この図に示すように、第２の保護膜６２の上に渡って形成する。
第２の保護膜６２形成後、図８に示されるように露出させたｎ側コンタクト層２の表面にはＴｉ／Ａｌよりなるｎ電極２１をストライプと平行な方向で形成する。
【００７２】
以上のようにして、ｎ電極とｐ電極とを形成したウェーハのサファイア基板を研磨して７０μｍとした後、ストライプ状の電極に垂直な方向で、基板側からバー状に劈開し、劈開面（１１−００面、六角柱状の結晶の側面に相当する面＝Ｍ面）に共振器を作製する。共振器面にＳｉＯ2とＴｉＯ2よりなる誘電体多層膜を形成し、最後にｐ電極に平行な方向で、バーを切断して図８に示すようなレーザ素子とする。なお共振器長は３００〜５００μｍとすることが望ましい。
得られたレーザ素子をヒートシンクに設置し、それぞれの電極をワイヤーボンディングして、室温でレーザ発振を試みた。
その結果、室温においてしきい値２．５ｋＡ／ｃｍ2、しきい値電圧５Ｖで、発振波長４００ｎｍの連続発振が確認され、室温で１万時間以上の寿命を示す。
【００７３】
［実施例７］
以下、図１０を元に実施例７について説明する。図１０は本発明の成長方法により得られた窒化物半導体層を基板とする一実施の形態のレーザ素子の構造を示す模式断面図である。
【００７４】
実施例１において、第２の窒化物半導体３を成長させる際に、Ｓｉを１×１０18／ｃｍ3ドープして、膜厚を１５０μｍとする他は同様にして、Ｓｉドープの第２の窒化物半導体３を得る。得られたウエハのサファイア基板等を研磨、除去し、第２の窒化物半導体３のみとする。
【００７５】
次に、サファイア基板を除去した面とは反対の面の第２の窒化物半導体層３（ＳｉドープＧａＮ）を主面とするウェーハをＭＯＶＰＥ装置の反応容器内にセットし、この第２の窒化物半導体層３の上に下記各層を形成する。
【００７６】
（ｎ側クラッド層４３）
次に、Ｓｉを１×１０19／cm3ドープしたｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第１の層、２０オングストロームと、アンドープ（undope）のＧａＮよりなる第２の層、２０オングストロームとを交互に１００層積層してなる総膜厚０．４μｍの超格子構造とする。
【００７７】
（ｎ側光ガイド層４４）
続いて、Ｓｉを１×１０17／cm3ドープしたｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層４４を０．１μｍの膜厚で成長させる。
【００７８】
（活性層４５）
次に、Ｓｉを１×１０17／cm3ドープのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層、２５オングストロームと、Ｓｉを１×１０17／cm3ドープのＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層、５０オングストロームを交互に積層してなる総膜厚１７５オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層４５を成長させる。
【００７９】
（ｐ側キャップ層４６）
次に、バンドギャップエネルギーがｐ側光ガイド層４７よりも大きく、かつ活性層４５よりも大きい、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.9Ｎよりなるｐ側キャップ層４６を３００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００８０】
（ｐ側光ガイド層４７）
次に、バンドギャップエネルギーがｐ側キャップ層４６より小さい、Ｍｇを１×１０18／cm3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側光ガイド層４７を０．１μｍの膜厚で成長させる。
【００８１】
（ｐ側クラッド層４８）
次に、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第１の層、２０オングストロームと、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型ＧａＮよりなる第２の層、２０オングストロームとを交互に積層してなる総膜厚０．４μｍの超格子層よりなるｐ側クラッド層４８を形成する。
【００８２】
（ｐ側コンタクト層４９）
最後に、Ｍｇを２×１０20／cm3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層４９を１５０オングストロームの膜厚で成長させる。
【００８３】
反応終了後、反応容器内において、ウェーハを窒素雰囲気中、７００℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化する。アニーリング後、ウェーハを反応容器から取り出し、図１０に示すように、ＲＩＥ装置により最上層のｐ型コンタクト層４９と、ｐ型クラッド層４８とをエッチングして、４μｍのストライプ幅を有するリッジ形状とし、リッジ表面の全面にＮｉ／Ａｕよりなるｐ電極５１を形成する。
【００８４】
次に、図１０に示すようにｐ電極５１を除くｐ側クラッド層４８、コンタクト層４９の表面にＳｉＯ2よりなる絶縁膜５０を形成し、この絶縁膜５０を介してｐ電極５１と電気的に接続したｐパッド電極５２を形成する。
【００８５】
ｐ側電極形成後、第２の窒化物半導体層３の素子構造が形成されていない表面全面に、Ｔｉ／Ａｌよりなるｎ電極５３を０．５μｍの膜厚で形成し、その上にヒートシンクとのメタライゼーション用にＡｕ／Ｓｎよりなる薄膜を形成する。
【００８６】
その後、ｎ電極側５３からスクライブし、第２の窒化物半導体層３のＭ面（１１−００、図６の六角柱の側面に相当する面）で第２の窒化物半導体層５を劈開し、共振面を作製する。共振面の両方あるいはどちらか一方にＳｉＯ2とＴｉＯ2よりなる誘電体多層膜を形成し、最後にｐ電極に平行な方向で、バーを切断してレーザチップとした。次にチップをフェースアップ（基板とヒートシンクとが対向した状態）でヒートシンクに設置し、ｐパッド電極５２をワイヤーボンディングして、室温でレーザ発振を試みたところ、室温において、閾値電流密度２．５ｋＡ／cm2、閾値電圧４．５Ｖで、発振波長４０５ｎｍの連続発振が確認され、１万時間以上の寿命を示した。
【００８７】
［実施例８］
実施例３で得られた第３の窒化物半導体４を基板として、実施例６と同様の素子構造を形成してレーザ素子を作製した。
得られたレーザ素子は実施例６と同様に良好な寿命特性を有している。また、リッジ形状のストライプを形成する位置を凹部上部に関係なく凸部上部に形成しても良好な特性を示す。
【００８８】
［実施例９］
実施例１において、サファイア基板１として、２インチφ、オフアングル角θ＝０．２°、ステップ段差（高さ）約１原子層、テラス幅Ｗが約４０オングストロームのステップを有し、Ｃ面を主面とし、オリフラ面をＡ面として、ステップに沿う方向、すなわち段差の方向がこのＡ面に対して垂直な方向に設けてあるサファイア基板を用いる他は同様にして第２の窒化物半導体３を成長させる。
得られた第２の窒化物半導体３を基板として、実施例６と同様の素子構造を形成してレーザ素子を製造する。
得られたレーザ素子は、実施例６よりしきい値が低下し、より良好な寿命特性を有する。
【００８９】
［実施例１０］
実施例６において、第２の窒化物半導体として実施例４で得られた第２の窒化物半導体３を用いる他は同様にして、レーザ素子を製造する。
得られた素子は、実施例６と同様に良好な結果が得られた。
【００９０】
【発明の効果】
本発明は、転位の低減された、結晶性が良好な窒化物半導体を得ることができる窒化物半導体の成長方法を提供することができる。
更に、本発明は、結晶性が良好で且つ転位の少ない窒化物半導体を基板とする窒化物半導体素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法の各工程において得られる窒化物半導体ウェーハの構造を示す模式的断面図である。
【図２】本発明の方法の各工程において得られる窒化物半導体ウェーハの構造を示す模式的断面図である。
【図３】本発明の方法の各工程において得られる窒化物半導体ウェーハの構造を示す模式的断面図である。
【図４】本発明の方法の各工程において得られる窒化物半導体ウェーハの構造を示す模式的断面図である。
【図５】本発明の方法の各工程において得られる窒化物半導体ウェーハの構造を示す模式的断面図である。
【図６】サファイアの面方位を示すユニットセル図である。
【図７】保護膜のストライプ方向を説明するための基板主面側の平面図である。
【図８】本発明の方法による基板を用いた窒化物半導体ＬＤ素子の一構造を示す模式断面図である。
【図９】図９は、リッジ形状のストライプを形成する一実施の形態である方法の各工程におけるウエハの部分的な構造を示す模式的断面図である。
【図１０】本発明の方法による基板を用いた窒化物半導体ＬＤ素子の一構造を示す模式断面図である。
【図１１】本発明の方法による基板の一部を拡大して示した模式的断面図である。
【符号の説明】
１・・・・異種基板
２・・・・第１の窒化物半導体
３・・・・第２の窒化物半導体
４・・・・第３の窒化物半導体
【発明の属する技術分野】
本発明は窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）の成長方法に係り、特に窒化物半導体よりなる基板の成長方法に関する。また、本発明は、前記窒化物半導体よりなる基板を用い発光ダイオード、レーザダイオード等の発光素子、あるいは太陽電池、光センサー等の受光素子に使用される窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなる窒化物半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、サファイア、スピネル、炭化ケイ素のような窒化物半導体と異なる異種基板の上、又は異種基板上に成長された窒化物半導体上に、窒化物半導体が成長しないかあるいは成長しにくい材料からＳｉＯ2等の保護膜を成長させ、この上に窒化物半導体を選択成長させることにより、転位を低減できる窒化物半導体の成長方法が種々検討されている。
【０００３】
例えば、特開平１０−３１２９７１号公報には、異種基板上に成長させた窒化物半導体上にＳｉＯ2等のマスクを部分的に形成し（例えばストライプ形状）、この上に窒化物半導体を成長させることにより、窒化物半導体がマスク上に横方向に成長する過程で、マスク上に向かって転位が横方向に進行することで転位の少ない窒化物半導体を得ることができる方法が記載されている。
また、特開平８−６４７９１号公報には、異種基板上にアモルファス状のＧａＮ膜を成長させた後、このアモルファス状のＧａＮ膜をストライプ状にエッチングしてこの上にさらに窒化物半導体を成長させることにより、ストライプ状のアモルファス部分以外から成長する窒化物半導体の転位をアモルファス分部に集中させることにより、アモルファス状のＧａＮ膜以外の部分に成長する窒化物半導体の転位を低減できる方法が記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平１０−３１２９７１号公報に記載の方法では、ＳｉＯ2等の保護膜が、窒化物半導体の成長時に分解する場合があり、ＳｉＯ2が分解すると、ＳｉＯ2上から異常成長したり、分解したＳｉやＯ等が窒化物半導体に入りＧａＮを汚染したりして、結晶性の低下を招くことがある。一方、ＳｉＯ2の分解を考慮して比較的低温で窒化物半導体を成長させると、窒化物半導体が良好な単結晶となりにくく、窒化物半導体の結晶性の低下を招くこととなる。
また、ＳｉＯ2等の保護膜を用いていると、選択成長させた後に異種基板を除去してＧａＮ基板の除去面にｎ電極を形成してなる素子を形成する場合に、絶縁性のＳｉＯ2が存在すると抵抗が高くなる傾向があり、ＳｉＯ2をも除去する必要があり、除去の際に窒化物半導体にクラックが入らないようにするなど操作がやや煩雑となる場合がある。
また、特開平８−６４７９１号公報に記載の方法では、転位がアモルファスＧａＮ膜に向かって集中するものの、十分に転位をアモルファス膜に集中させることができず、表面まで達する転位が生じてしまう。
【０００５】
また、寿命特性の良好な窒化物半導体素子を作製するには、転位の少ない窒化物半導体の基板を得ることが望ましいが、上記従来の方法では十分な寿命特性を有する程度に転位を低減させることが難しい。
寿命特性をより一層向上させることが、窒化物半導体素子の種々の製品への実用化を達成することとなる。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、転位の低減された、結晶性が良好な窒化物半導体を得ることができる窒化物半導体の成長方法を提供することである。
更に、本発明は、結晶性が良好で且つ転位の少ない窒化物半導体を基板とする窒化物半導体素子を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の目的は、以下（１）〜（８）の構成によって達成することができる。
（１）サファイア基板の上に、第１の窒化物半導体を成長させる第１の工程と、
第１の工程後、前記第１の窒化物半導体に部分的に基板に達する深さで凹凸を形成して凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可能な面を露出させる第２の工程と、
第２の工程後、前記凹部底面からの縦方向成長を抑制するように凹部側面から横方向成長させつつ、凸部上部から成長させて互いに接合させた第２の窒化物半導体を成長させる第３の工程とを有することを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
（２）前記第２の窒化物半導体を成長後に、前記第１の窒化物半導体に形成された凹部上部に凸部が、第１の窒化物半導体に形成された凸部上部に凹部が、それぞれ位置するように第２の窒化物半導体に部分的に第２の窒化物半導体の途中まで、又は第１の窒化物半導体に達する深さで凹凸を形成して、第２の窒化物半導体の凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可能な面を露出させる第４の工程と、
第４の工程後、前記凹凸が形成された第２の窒化物半導体上に、前記第３の工程と同様に第３の窒化物半導体を成長させる第５の工程とを有することを特徴とする前記（１）に記載の窒化物半導体の成長方法。
（３）前記サファイア基板が、サファイアのＣ面がステップ状にオフアングルされていることを特徴とする前記（１）又は（２）に記載の窒化物半導体の成長方法。
（４）前記凹凸の凹部側面が、基板に対して端面がほぼ垂直となる形状に形成されることを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれかに記載の窒化物半導体の成長方法。
（５）前記第２の工程において、前記凹凸がストライプ状に形成されることを特徴とする前記（１）〜（４）のいずれかに記載の窒化物半導体の成長方法。
（６）前記凹凸のストライプ形状が、サファイア基板のＡ面に対して垂直な方向で形成されることを特徴とする前記（１）〜（５）のいずれかに記載の窒化物半導体の成長方法。
（７）前記（１）〜（６）のいずれかに記載の窒化物半導体の成長方法で得られる窒化物半導体を基板とし、この上に素子構造となる少なくともｎ型窒化物半導体、活性層、及びｐ型窒化物半導体が形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
（８）前記（１）〜（６）のいずれかに記載の窒化物半導体の成長方法で得られた窒化物半導体基板上に、素子構造となる少なくともｎ型窒化物半導体、活性層、及びｐ型窒化物半導体が形成され、窒化物半導体基板の第１の窒化物半導体に形成された凹部上部に、窒化物半導体レーザ素子の光を導波するストライプ形状又はリッジ形状を形成してなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【０００８】
つまり、本発明の方法は、異種基板上に成長させた第１の窒化物半導体に凹凸を形成し、この上から第２の窒化物半導体を成長させると、凹部側面に露出している第１の窒化物半導体から第２の窒化物半導体が横方向に成長をはじめ、このとき転位も第２の窒化物半導体の成長に伴って横方向に進行するが一旦横方向に進行した転位は再び縦方向に進行しにくくなり、凹部の開口部分から厚膜に成長する第２の窒化物半導体は転位の低減された結晶性の良好な窒化物半導体となる。
更に、本発明は、保護膜としてＳｉＯ2等の保護膜を用いていないので、窒化物半導体が良好な単結晶として得られる温度、例えば１０００℃以上の温度で第１及び第２の窒化物半導体を成長させても、ＳｉＯ2の分解による汚染や異常成長等が生じない。
更に、本発明は、ＳｉＯ2等の保護膜を用いていないので、異種基板のみを除去しただけで、窒化物半導体基板の除去面にｎ電極が形成された場合、ｎ電極と良好なオーミックが得られ易くなる。
【０００９】
以前、本発明者等は、特願平１０−２７５８２６号明細書に、異種基板上に成長させた窒化物半導体の縦方向の成長を抑え、横方向のみに成長させ、続いて縦方向と横方向に成長させる窒化物半導体の成長方法を提案し、転位を著しく低減させることを可能にしている。この方法は、転位が横方向に進行すると再び縦方向に進行しにくくなることを見出し、窒化物半導体の縦方向の成長を抑制し、横方向の成長を意図的に行うことにより、転位を低減させることを可能としてるものである。この方法において、具体的に縦方向の成長を抑える方法として、異種基板上に成長させた窒化物半導体に凹凸を形成し、この凸部上部及び凹部底部にＳｉＯ2等の保護膜を形成することで、一旦縦方向の成長をする窒化物半導体の成長面を覆い、凹部側面の横方向の成長可能な窒化物半導体面のみを露出させ意図的に窒化物半導体を横方向に成長させている。
この方法は、窒化物半導体の縦方向の成長を実質的に全て抑えているので、転位が縦方向に進行するのを良好に防止することができたと考えられる。
しかし、凹凸を形成した凹部底部と凸部上部に保護膜を形成する工程は、時間がかかり、量産する場合にやや問題となる。また、保護膜としてＳｉＯ2を用いると、前記したようにＳｉＯ2の分解による汚染や異常成長などが起こる可能性もある。
【００１０】
これに対し、本発明は、特願平１０−２７５８２６号明細書に記載の方法を更に検討した結果、第１の窒化物半導体に凹凸を形成するだけで、凹部の開口部分に厚膜に成長する第２の窒化物半導体の表面や表面領域には転位がほとんどなくなることを見出したものである。つまり、窒化物半導体の縦方向の成長を抑えことが、窒化物半導体に凹凸を形成するのみで可能となるものである。
この理由は定かではないが、恐らく、凸部上部の面に対し、凹部側面での窒化物窒化物半導体の成長速度は促進されているからではないかと考えられる。凹部内部では、両側面と底部の３箇所の部分から窒化物半導体が成長可能であるが、凹部開口部分から厚膜に成長する第２の窒化物半導体には転位がほとんど見られないことから、凹部側面から横方向に成長を始めた窒化物半導体が凹部底部から成長を始めた窒化物半導体の成長を阻害していると思われる。
また、一方、凸部上部では縦方向の成長が可能であるが、凸部上部で縦方向の成長から成長を始めた窒化物半導体は、縦方向に成長すると共に、凹部開口部に向かって横方向に成長する傾向があり、凸部上部に成長する窒化物半導体の転位も低減する傾向がある。更に凸部上部の窒化物半導体の成長は、縦方向に成長するより横方向へ成長し易い傾向があり、凸部上部からの成長と、凹部開口部からの成長が自然に接合して、鏡面上の第２の窒化物半導体を得ることができると思われる。
また本発明は、以前本発明者らが提案した技術に比べ、保護膜を形成しないので製造工程が簡素化でき好ましい。
【００１１】
本発明において、凹部側面からの成長と、凸部上部での横方向の成長をより促進させるには、凹凸の形状、具体的には、凸部上部の幅、凹部底部の幅、凹部側面の長さ、凹部側面を階段状にする等の形状を設けるなどを組み合わせて調整することが好ましい。
更に、本発明において、横方向の成長を促進させるため、上記のように凹凸を形成することに加え、反応条件、例えば減圧条件、窒化物半導体の原料となる元素（ＩＩＩ族元素とＶ族元素のモル比）のモル比の調整等、の反応条件を調整することで横方向の成長が縦方向の成長より促進され、転位を低減するのに好ましい。
【００１２】
更に、本発明において、第２の窒化物半導体を厚膜に成長させた後、第２の工程と第３の工程を繰り返すことで転位を更に低減させることができる。但し、この場合は、第１の窒化物半導体に形成された凹部上部に第２の窒化物半導体に形成される凸部が位置し、第１の窒化物半導体に形成された凸部上部に第２の窒化物半導体に形成される凹部が位置するように、繰り返される第２の工程において第２の窒化物半導体に部分的に凹凸が形成される。第２及び第３の工程は、２回以上繰り返してもよい。
このように第１の窒化物半導体に形成される凹凸の位置と、第２の窒化物半導体に形成させる凹凸の位置とが、上記のように交互になっていると、前記したように凹部開口部から成長する窒化物半導体には転位がほとんど見られなくなることから、凹部上部にかかわらず凸部上部の窒化物半導体にも転位がほとんどなくなる。このように全体的に転位の低減された窒化物半導体を基板として素子構造を成長させると、寿命特性の良好な素子を量産する場合に好ましい。
【００１３】
更に本発明の成長方法において、異種基板が、サファイアのＣ面がステップ状にオフアングルされているものであると、得られた窒化物半導体を基板として素子構造を形成する際に、１チップの大きさに値する程度の幅の良好な平面を有する窒化物半導体基板が得られ、寿命特性の良好な素子が選られやすくなり好ましい。更に、ステップ状にオフアングルされていると、レーザ素子ではしきい値が低下し、ＬＥＤでは発光出力が２０〜３０％向上する傾向がある。
更に本発明において、ステップ状にオフアングルされているサファイア基板のオフアングル角が、０．１°〜０．５°であると、上記良好な平面となる部分の表面性が良好となり、この上に素子を形成すると寿命特性をより良好にすることができ好ましい。更にオフ角が上記範囲であると、しきい値がより低下し、発光出力がより向上し好ましい。
更に本発明において、ステップ状にオフアングルされているサファイア基板のステップに沿う方向（段差方向）が、サファイアのＡ面に対して垂直に形成されていると、サファイアのＡ面に対して窒化物半導体のＭ面が平行となるように第２の窒化物半導体が成長し、段差方向に平行に、例えばリッジ形状のストライプを形成すると、Ｍ面で劈開し易くなり良好な共振面が得られるので好ましい。
【００１４】
更に本発明において、第３の工程で、第２の窒化物半導体を成長させる際に、不純物をドープして行うと、窒化物半導体の縦方向の成長に対し、窒化物半導体の横方向の成長をより促進できる傾向があり、転位をより低減でき、更に隣接して成長している窒化物半導体同士の接合部分での空隙の発生の防止を良好にすることができ好ましい。
【００１５】
また本発明は、上記本発明の窒化物半導体の成長方法により得られる窒化物半導体を基板として、この上に素子構造となる少なくともｎ型窒化物半導体、活性層、及びｐ型窒化物半導体を形成することにより、寿命特性の良好な窒化物半導体素子を得ることができる。
更に、本発明において、リッジ形状のストライプを有する窒化物半導体レーザ素子を製造する場合、前記窒化物半導体の成長方法で凹部上部にリッジ形状のストライプが位置するように素子を製造すると、より良好な寿命特性のレーザ素子が得られ好ましい。また上記本発明の方法で第２及び第３の工程を繰り返す場合は、特にリッジ形状のストライプの形成される位置を考慮しなくともよい。
転位の少ない部分に窒化物半導体素子を形成すると、良好な素子特性を有するので好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図を用いて本発明を更に詳細に説明する。
図１〜図４は、本発明の窒化物半導体の成長方法の一実施形態を段階的に示した模式図である。
【００１７】
本発明の窒化物半導体の成長方法の一実施形態として、まず、図１の第１の工程において、異種基板１上に第１の窒化物半導体２を成長させ、図２の第２の工程において、第１の窒化物半導体２に凹凸を形成し、続いて図３の第３の工程において、凹凸の形成された第１の窒化物半導体２上に第２の窒化物半導体３を成長させる。
【００１８】
以下に上記各工程ごとに図を用いて更に詳細に説明する。
図１は異種基板１上に、第１の窒化物半導体２を成長させる第１の工程を行った模式的段面図である。
この第１の工程において、用いることのできる異種基板としては、例えば、Ｃ面、Ｒ面、及びＡ面のいずれかを主面とするサファイア、スピネル（ＭｇＡ１2Ｏ4）のような絶縁性基板、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、及び窒化物半導体と格子整合する酸化物基板等、従来知られている窒化物半導体と異なる基板材料を用いることができる。好ましい異種基板としては、サファイア、スピネルが挙げられる。
異種基板としてサファイアを用いる場合、サファイアの主面をどの面にするかによって、凹凸を形成した時の凸部上部と凹部側面の窒化物半導体の面方位が特定される傾向があり、その面方位によって、窒化物半導体の成長速度がやや異なることから、凹部側面に成長し易い面方位がくるように主面を選択してもよい。
【００１９】
また、第１の工程において、異種基板１上に第１の窒化物半導体２を成長させる前に、異種基板１上にバッファ層（図示されていない）を形成してもよい。バッファ層としては、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ等が用いられる。バッファ層は、９００℃以下３００℃以上の温度で、膜厚０．５μｍ〜１０オングストロームで成長される。このように異種基板１上にバッファ層を９００℃以下の温度で形成すると、異種基板１と第１の窒化物半導体２との格子定数不正を緩和し、第１の窒化物半導体２の結晶欠陥が少なくなる傾向にある。
【００２０】
第１の工程において、異種基板１上に形成される第１の窒化物半導体２としては、アンドープ（不純物をドープしない状態、undope）のＧａＮ、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳ等のｎ型不純物をドープしたＧａＮを用いることができる。
第１の窒化物半導体２は、高温、具体的には約９００℃より高温〜１１００℃、好ましくは１０５０℃で異種基板１上に成長される。このような温度で成長させると、第１の窒化物半導体２は単結晶となる。第１の窒化物半導体２の膜厚は特に限定しないが、凹部内部での縦方向の成長を抑えて、横方向の成長が促進できるように、凹凸の形状を調整することが可能な膜厚であることが好ましく、少なくとも５００オングストローム以上、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上の膜厚で形成する。
【００２１】
次に、図２は異種基板１上に第１の窒化物半導体２を成長させた後、第１の窒化物半導体２に部分的に第１の窒化物半導体２がわずかに残る程度の深さで凹凸を形成して、凹部側面に第１の窒化物半導体２を露出させてなる模式的断面図である。
【００２２】
第２の工程において、部分的に凹凸を形成するとは、少なくとも凹部側面に第１の窒化物半導体２が露出されるように、第１の窒化物半導体２の表面から異種基板１方向に窪みを形成してあればよく、第１の窒化物半導体２にいずれの形状で凹凸を設けてもよく、例えば、ランダムな窪み、ストライプ状、碁盤目状、ドット状に形成できる。
第１の窒化物半導体２に部分的に設けられた凹凸は、第１の窒化物半導体の途中まで、又は異種基板に達する深さで形成される。凹部底部の露出面が第１の窒化物半導体であると、仮に凹部底部からの縦方向の成長が、凹部側面からの成長により遮られずにそのまま表面まで成長し続けた場合でも、異種基板面上に成長したものに比べて、第１の窒化物半導体上に成長したものは転位が少なくなり好ましい。また一方、凹部底部の露出面が異種基板、例えばサファイアであると、異種基板面からの縦方向の成長に比べ、凹部側面の窒化物半導体からの横方向の成長がより優先され、凹部底部からの成長を凹部側面からの成長により遮り易くなり、転位を低減するのに好ましい。
【００２３】
凹凸の形状は、凹部側面の長さや、凸部上部の幅と凹部底部の幅などは、特に限定されないが、少なくとも凹部内での縦方向の成長が抑制され、凹部開口部から厚膜に成長する第２の窒化物半導体が凹部側面から横方向に成長したものとなるように調整されていることが好ましい。
凹凸の形状をストライプ状とする場合、ストライプの形状として、例えばストライプ幅（凸部上部の幅）を３〜２０μｍ、ストライプ間隔（凹部底部の幅）を３〜２０μｍのものを形成することができる。
凹部開口部から成長する第２の窒化物半導体３の部分を多くするには、凹部底部の幅を広くし、凸部上部の幅を狭くすることで可能となり、このようにすると転位の低減された部分を多くすることができる。凹部底部の幅を広くした場合には、凹部の深さを深めにすることが、凹部底部から成長する可能性のある縦方向の成長を防止するのに好ましい。
【００２４】
第２の工程で凹凸を設ける方法としては、第１の窒化物半導体を一部分取り除くことができる方法であればいずれの方法でもよく、例えばエッチング、ダイシング等が挙げられる。
エッチングにより、第１の窒化物半導体２に部分的（選択的）に凹凸を形成する場合は、フォトリソグラフィー技術における種々の形状のマスクパターンを用いて、ストライプ状、碁盤目状等のフォトマスクを作製し、レジストパターンを第１の窒化物半導体２に形成してエッチングすることにより形成できる。フォトマスクは、エッチングして凹凸を形成後に除去される。
また、ダイシングで行う場合は、例えば、ストライプ状や碁盤目状に形成できる。
【００２５】
第２の工程において窒化物半導体をエッチングする方法には、ウエットエッチング、ドライエッチング等の方法があり、平滑な面を形成するには、好ましくはドライエッチングを用いる。ドライエッチングには、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）、電子サイクロトロンエッチング（ＥＣＲ）、イオンビームエッチング等の装置があり、いずれもエッチングガスを適宜選択することにより、窒化物半導体をエッチングしてできる。例えば、本出願人が先に出願した特開平８−１７８０３号公報記載の窒化物半導体の具体的なエッチング手段を用いることができる。
また、エッチングによって段差を形成する場合、エッチング面（凹部側面）が、図２に示すように異種基板に対して端面がほぼ垂直となる形状、又は順メサ形状や逆メサ形状でもよく、あるいは階段状になるように形成された形状等がある。
【００２６】
次に、図３は、エッチングにより凹凸を有する第１の窒化物半導体２上に第２の窒化物半導体３を成長させる第３の工程を行った模式的断面図である。
第２の窒化物半導体３としては、前記第１の窒化物半導体２と同様のものを用いることができる。第２の窒化物半導体３の成長温度は、第１の窒化物半導体２を成長させる場合と同様であり、このような温度で成長させる第２の窒化物半導体は単結晶となる。また第２の窒化物半導体を成長させ際に、窒化物半導体の原料となるＩＩＩ族とＶ族の成分のモル比（ＩＩＩ／Ｖのモル比）を調整して成長させる、または反応条件を減圧にして成長させる等により、横方向の成長を縦方向の成長に比べて促進させる点で好ましい。
【００２７】
また第２の窒化物半導体を成長させる際に、不純物をドープして成長させてもよい。第２の窒化物半導体３を成長させる際にドープする不純物としては、特に限定されず、ｐ型不純物でもｎ型不純物でもよい。
後述の図１０に示されるｐ電極とｎ電極が反対の面に形成されてなる素子の場合は、第２の窒化物半導体３にｎ型不純物をドープすることが好ましく、ｎ型不純物をドープすることでｎ電極と良好なオーミックが得られ好ましい。
また、第２の窒化物半導体を成長させる際に、横方向の成長を促進させて、転位の低減や空隙発生の防止の点では、好ましくはｐ型不純物、又はｐ型不純物及びｎ型不純物をドープし、より好ましくはｐ型不純物及びｎ型不純物をドープする。
【００２８】
本発明において用いられるｐ型不純物としては、特に限定されないが、好ましくは、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｒ、及びＭｇのいずれか１種以上であり、また、ｎ型不純物としては、特に限定されないが、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎのいずれか１種以上である。上記のような不純物をドープすると、結晶欠陥及び空隙の点で好ましい。また、ｎ電極とのオーミック接触を有する点でも好ましい。
また、本発明において、ｐ型及びｎ型不純物をドープする場合、ｐ型不純物とｎ型不純物の組み合わせは特に限定されず、上記の不純物を適宜１種以上づつドープすることができる。特に好ましい組み合わせとしては、ｐ型不純物がＭｇであり、ｎ型不純物がＳｉであると、結晶欠陥の伝播を抑制し、空隙の発生を防止するのに好ましい。
【００２９】
本発明において、不純物のドープ量は、好ましくは１×１０17／ｃｍ3〜１×１０20／ｃｍ3、より好ましくは１×１０17／ｃｍ3〜１×１０19／ｃｍ3、更に好ましくは５×１０17／ｃｍ3〜５×１０19／ｃｍ3である。不純物の濃度が上記範囲であると窒化物半導体の横方向の成長を縦方向の成長に比べ良好に促進でき、結晶欠陥の伝播の抑制及び空隙の発生の防止の点で好ましい。不純物のドープ量が多すぎると異常成長等が発生し結晶性が低下する傾向がある。また不純物のドープ量が少なすぎると本発明の効果が得られ難くなる。更に、ｎ型不純物のみをドープしてｎ電極とのオーミック接触を有する場合にも好ましい。更に、ｎ型不純物のみをドープする場合でも、ｎ電極とのオーミック接触を有する以外に、窒化物半導体の横方向の成長を促進できる傾向もある。
また、ｐ型不純物とｎ型不純物とをドープする場合は、両者の濃度の和が上記範囲のドープ量となるように適宜調整してドープされる。この場合ｐ型不純物とｎ型不純物の濃度の比は、用いる不純物の種類により、空隙や結晶欠陥の防止が良好となるように適宜調整される。
【００３０】
第３の工程において、不純物をドープする時期としては、特に限定されず、第２の窒化物半導体３の成長と同時にドープされる、又は成長の途中に１回以上ドープされる。
成長の途中で１回以上ドープするとは、不純物をドープすることで窒化物半導体の横方向の成長が促進されること等を考慮して、転位が低減され、空隙の発生を防止できるように、第２の窒化物半導体の成長の最中に、一定の間隔毎または進行程度毎に、不純物を１回以上、成長の進行状況に応じた時間でドープすることである。この場合、成長の進行状況（程度）に応じてとは、少なくとも転位の進行方向を横方向に伝播させる際には不純物をドープし、転位を横方向に伝播できた後には、アンドープでも不純物濃度を減少させる等の調整をするなど、窒化物半導体の成長の進行状態と不純物を添加することによる横方向の成長の促進などを適宜組み合わせて行うことを示す。
本発明において、不純物をドープする場合、第１の窒化物半導体の成長の進行状況を確認する方法としては、ウエハの大きさ、凹部の開口部の幅や凹部側面の幅、凸部上部の幅、及び原料ガスの流量などから成長の速度を計算により導き出すことができる。そして、計算により導き出された値に従って、成長の途中等から不純物をドープする場合の目安にする。
【００３１】
本発明の第３の工程において、凹部内部では凹部の側面から横方向に成長するものと、凹部底部から縦方向に成長するものとがあると思われるが、成長し続ける過程で、凹部側面から成長した第２の窒化物半導体同士が接合し、凹部底部からの成長を抑制する。その結果、凹部開口部から成長した第２の窒化物半導体には転位がほとんど見られない。凹部底部からの縦方向の成長は、凹部側面からの横方向の成長に比べ、成長速度が遅いと思われる。
一方、凸部上部から成長した第２の窒化物半導体部分には、凹部開口部から成長するものに比べてやや多めの転位が見られるが、凸部上部に縦方向に成長を始める窒化物半導体も、縦方向に成長する速度よりも、凹部開口部に向かって横方向に成長する傾向があり、凹凸を形成しないで縦方向に成長させた場合に比べれば転位が低減する。また、本発明の第２及び第３の工程を繰り返すことで、凸部上部の転位をなくすことができる。また、凸部上部と凹部内部から成長した第２の窒化物半導体は、成長の過程で接合し、図４のようになる。
【００３２】
本発明において、第２及び第３の工程を繰り返す場合、図５に示すように、第１の窒化物半導体に形成した凹部上部に凸部が、第１の窒化物半導体に形成した凸部上部に凹部が、それぞれ位置するように第２の窒化物半導体に部分的に凹凸を形成する。そして凹凸を形成された第２の窒化物半導体上に第３の窒化物半導体４を成長させる。第３の窒化物半導体４は、全体的に転位の少ない窒化物半導体となる。第３の窒化物半導体としては第２の窒化物半導体と同様のものを成長させる。
【００３３】
また第２の窒化物半導体５は、この上に素子構造となる窒化物半導体を成長させるための基板となるが、素子構造を形成するには異種基板を予め除去してから行う場合と、異種基板等を残して行う場合がある。また、素子構造を形成した後で異種基板を除去する場合もある。
異種基板等を除去する場合の第２の窒化物半導体５の膜厚は、５０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以上、好ましくは５００μｍ以下である。この範囲であると異種基板及び保護膜等を研磨除去しても、第２の窒化物半導体３が割れにくくハンドリングが容易となり好ましい。
【００３４】
また異種基板等を残して行う場合の第２の窒化物半導体３の膜厚は、特に限定されないが、１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。この範囲であると異種基板と窒化物半導体の熱膨張係数差によるウエハの反りが防止でき、更に素子基板となる第２の窒化物半導体５の上に素子構造となる窒化物半導体を良好に成長させることができる。
【００３５】
本発明の窒化物半導体の成長方法において、第１の窒化物半導体２、及び第２の窒化物半導体３を成長させる方法としては、特に限定されないが、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）等、窒化物半導体を成長させるのに知られている全ての方法を適用できる。好ましい成長方法としては、膜厚が１００μｍ以下ではＭＯＣＶＤ法を用いると成長速度をコントロールし易い。また膜厚が１００μｍ以下ではＨＶＰＥでは成長速度が速くてコントロールが難しい。
【００３６】
また本発明において、第２の窒化物半導体３上には、素子構造となる窒化物半導体を形成することができるので、明細書内において第２の窒化物半導体を素子基板又は窒化物半導体基板と言う場合がある。
【００３７】
また第１の工程における前記異種基板となる材料の主面をオフアングルさせた基板、さらにステップ状にオフアングルさせた基板を用いたほうが好ましい。オフアングルさせた基板を用いると、表面に３次元成長が見られず、ステップ成長があらわれ表面が平坦になり易い。更にステップ状にオフアングルされているサファイア基板のステップに沿う方向（段差方向）が、サファイアのＡ面に対して垂直に形成されていると、窒化物半導体のステップ面がレーザの共振器方向と一致し、レーザ光が表面粗さにより乱反射されることが少なくなり好ましい。
【００３８】
更に好ましい異種基板としては、（０００１）面[Ｃ面]を主面とするサファイア、（１１２−０）面[Ａ面]を主面とするサファイア、又は（１１１）面を主面とするスピネルである。ここで異種基板が、（０００１）面[Ｃ面]を主面とするサファイアであるとき、前記第１の窒化物半導体等に形成される凹凸のストライプ形状が、そのサファイアの（１１２−０）面[Ａ面]に対して垂直なストライプ形状を有していること［窒化物半導体の（１０１−０）[Ｍ面]に平行方向にストライプを形成すること］が好ましく、また、オフアングルのオフ角θ（図１１に示すθ）は０．１°〜０．５°、好ましくは０．１°〜０．２°が好ましい。また（１１２−０）面[Ａ面]を主面とするサファイアであるとき、前記凹凸のストライプ形状はそのサファイアの（１１−０２）面[Ｒ面]に対して垂直なストライプ形状を有していることが好ましく、また（１１１）面を主面とするスピネルであるとき、前記凹凸のストライプ形状はそのスピネルの（１１０）面に対して垂直なストライプ形状を有していることが好ましい。
ここでは、凹凸がストライプ形状の場合について記載したが、本発明においてサファイアのＡ面及びＲ面、スピネルの（１１０）面に窒化物半導体が横方向に成長し易いので、これらの面に第１の窒化物半導体の端面が形成されるように第１の窒化物半導体２に段差を形成するために保護膜の形成を考慮することが好ましい。
【００３９】
本発明に用いられる異種基板について図を用いて更に詳細に説明する。図６はサファイアの結晶構造を示すユニットセル図である。
まず本発明の方法において、Ｃ面を主面とするサファイアを用い、凹凸はサファイアＡ面に対して垂直なストライプ形状とする場合について説明する。例えば、図７は主面側のサファイア基板の平面図である。この図はサファイアＣ面を主面とし、オリエンテーションフラット（オリフラ）面をＡ面としている。この図に示すように凹凸のストライプをＡ面に対して垂直方向で、互いに平行なストライプを形成する。図７に示すように、サファイアＣ面上に窒化物半導体を選択成長させた場合、窒化物半導体は面内ではＡ面に対して平行な方向で成長しやすく、垂直な方向では成長しにくい傾向にある。従ってＡ面に対して垂直な方向でストライプを設けると、ストライプとストライプの間の窒化物半導体がつながって成長しやすくなり、図１〜図４に示したような結晶成長が容易に可能となると考えられるが詳細は定かではない。
【００４０】
次に、Ａ面を主面とするサファイア基板を用いた場合、上記Ｃ面を主面とする場合と同様に、例えばオリフラ面をＲ面とすると、Ｒ面に対して垂直方向に、互いに平行なストライプを形成することにより、ストライプ幅方向に対して窒化物半導体が成長しやすい傾向にあるため、結晶欠陥の少ない窒化物半導体層を成長させることができる。
【００４１】
また次に、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）に対しても、窒化物半導体の成長は異方性があり、窒化物半導体の成長面を（１１１）面とし、オリフラ面を（１１０）面とすると、窒化物半導体は（１１０）面に対して平行方向に成長しやすい傾向がある。従って、（１１０）面に対して垂直方向にストライプを形成すると窒化物半導体層と隣接する窒化物半導体同士が保護膜の上部でつながって、結晶欠陥の少ない結晶を成長できる。なおスピネルは四方晶であるため特に図示していない。
【００４２】
また、以下に、オフアングルされたサファイア基板のステップに沿う方向が、サファイア基板のＡ面に対して垂直に形成されてなる場合について図１１を用いて説明する。
ステップ状にオフアングルしたサファイアなどの異種基板は、図１１に示すようにほぼ水平なテラス部分Ａと、段差部分Ｂとを有している。テラス部分Ａの表面凹凸は少なく、ほぼ規則正しく形成されている。このようなオフ角θを有するステップ状部分は、基板全体にわたって連続して形成されていることが望ましいが、特に部分的に形成されていてもよい。なおオフ角θとは、図１１に示すように、複数の段差の底部を結んだ直線と、最上層のステップの水平面との角度を示すものとする。
また異種基板は、オフ角が０．１°〜０．５°、好ましくは０．１°〜０．２°である。オフ角を上記範囲とすると、第１の窒化物半導体２表面は細かな筋状のモフォロジーとなり、エピタキシャル成長表面（第２の窒化物半導体３表面）は波状のモフォロジーとなり、この基板を用いて得られる窒化物半導体素子は平滑で、特性も長寿命、高効率、高出力、歩留まりの向上したものが得られる。
【００４３】
本発明の窒化物半導体素子（以下本発明の素子と言う場合がある。）について以下に説明する。
本発明の窒化物半導体素子は、前記した本発明の窒化物半導体の成長法により得られる第２の窒化物半導体３（窒化物半導体基板）上に、素子構造となる少なくともｎ型及びｐ型の窒化物半導体等が形成されてなるものである。本発明において、前記本発明の成長方法により得られる窒化物半導体上に素子構造を形成する場合、凹部上部に発光領域など（例えばレーザ素子においてはリッジ形状のストライプなど）が位置するように素子構造を形成することが、寿命特性等の素子特性が良好な素子を得るのに好ましい。
本発明の窒化物半導体素子を構成する窒化物半導体としては、特に限定されず、少なくともｎ型窒化物半導体、活性層、及びｐ型の窒化物半導体が積層されていればよい。例えば、ｎ型窒化物半導体層として、超格子構造を有するｎ型窒化物半導体層を有し、この超格子構造のｎ型層にｎ電極を形成することのできるｎ型窒化物半導体が形成されているもの等が挙げられる。活性層としては、例えばＩｎＧａＮを含んでなる多重量子井戸構造の活性層が挙げられる。
また、窒化物半導体素子構造を形成するその他の構成は、例えば電極、素子の形状等、いずれのものを適用させてもよい。本発明の窒化物半導体素子の一実施の形態を実施例に示したが、本発明はこれに限定されない。
【００４４】
本発明の窒化物半導体素子構造となる窒化物半導体を成長させる方法は、特に限定されないがＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）等、窒化物半導体を成長させるのに知られている全ての方法を適用できる。好ましい成長方法は、ＭＯＣＶＤ法であり、結晶をきれいに成長させることができる。しかし、ＭＯＣＶＤ法は時間がかかるため、膜厚が厚い場合には時間の短い方法で行うことが好ましい。また使用目的によって種々の窒化物半導体の成長方法を適宜選択し、窒化物半導体の成長を行うことが好ましい。
【００４５】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示すが本発明はこれに限定されない。
［実施例１］
実施例１における各工程を図１〜図４を用いて示す。また実施例１はＭＯＣＶＤ法を用いて行った。
【００４６】
異種基板１として、２インチφ、Ｃ面を主面とし、オリフラ面をＡ面とするサファイア基板１を反応容器内にセットし、温度を５１０℃にして、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、サファイア基板１上にＧａＮよりなるバッファ層（図示されていない）を約２００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００４７】
バッファ層を成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０５０℃まで上昇させる。１０５０℃になったら、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、シランガスを用い、Ｓｉを１×１０18／cm3ドープしたＧａＮよりなる第１の窒化物半導体層２を２μｍの膜厚で成長させる。（図１）
【００４８】
第１の窒化物半導体層２を成長後、ストライプ状のフォトマスクを形成し、スパッタ装置によりストライプ幅（凸部の上部になる部）５μｍ、ストライプ間隔（凹部底部となる部分）１０μｍにパターニングされたＳｉＯ2膜を形成し、続いて、ＲＩＥ装置によりＳｉＯ2膜の形成されていない部分の第１の窒化物半導体層２を第１の窒化物半導体２が残る程度に途中までエッチングして凹凸を形成することにより、凹部側面に第１の窒化物半導体２を露出させる（図２）。図２のように凹凸を形成した後、凸部上部のＳｉＯ2を除去する。なお、ストライプ方向は、図６に示すように、オリフラ面に対して垂直な方向で形成する。
【００４９】
次に、反応容器内にセットし、温度を１０５０℃で、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、シランガスを用い、アンドープのＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層３を１５μｍの膜厚で成長させる（図３及び図４）。
【００５０】
第２の窒化物半導体層３を成長後、ウェーハを反応容器から取り出し、アンドープのＧａＮよりなる窒化物半導体基板を得る。
【００５１】
得られた第２の窒化物半導体層３（本発明の窒化物半導体基板）をＣＬ（カソードルミネセンス）方法により観測すると、凸部上部は転位密度がやや多めであったが、凹部開口部の上部にはほとんど転位がが見られず良好な結晶性を有している。
【００５２】
［実施例２］
実施例１において、ストライプ幅（凸部の上部になる部）を３μｍ、ストライプ間隔（凹部底部となる部分）６μｍとする他は同様にして第２の窒化物半導体３を成長させた。
得られた第２の窒化物半導体３をＣＬ方法により観察すると、実施例１と同様に凹部開口部の上部には転位がほとんど見られない。
【００５３】
［実施例３］
実施例１で得られた第２の窒化物半導体３に、図５に示すように、第１の窒化物半導体に形成された凹部上部に凸部が、第１の窒化物半導体に形成された凸部上部に凹部がそれぞれ形成されるように、ストライプ状のフォトマスクを形成し、スパッタ装置によりストライプ幅（凸部の上部になる部）５μｍ、ストライプ間隔（凹部底部となる部分）１０μｍにパターニングされたＳｉＯ2膜を形成し、続いて、ＲＩＥ装置によりＳｉＯ2膜の形成されていない部分の第２の窒化物半導体３を第２の窒化物半導体３が残る程度に途中までエッチングして凹凸を形成する。その後、凹凸を形成された第２の窒化物半導体３上に、第３の窒化物半導体４を成長させる。
得られた第３の窒化物半導体４をＣＬ方法により観察すると、全体的に転位の低減された窒化物半導体を得ることができる。
【００５４】
［実施例４］
実施例１において、第２の窒化物半導体３を成長させる際に、ＳｉとＭｇの不純物を５×１０17／ｃｍ3ドープする他は同様にして第２の窒化物半導体３を成長させる。
得られた第２の窒化物半導体を実施例１と同様に観測すると、実施例１とほぼ同様に良好であったが、実施例１よりさらに転位が低減され、また空隙などの発生の防止も良好である。
【００５５】
［実施例５］
実施例４において、不純物として、以下の表１のＮｏ．１〜Ｎｏ．１０に示すように不純物を変更する他は同様にして第２の窒化物半導体３を成長させる。
【００５６】
【表１】
上記Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１０の不純物をそれぞれドープして得られる各第２の窒化物半導体３を実施例４と同様に観測すると、不純物の種類及び組み合わせによって転位の数等にやや差が見られるものの、実施例４とほぼ同様に良好である。
【００５８】
［実施例６］
以下に、図８を用いて実施例６を説明する。図８は本発明の実施例１で得られた第２の窒化物半導体を基板として素子構造を形成してなる本発明の一実施の形態であるレーザ素子の構造を示す模式的断面図である。
実施例１で得られた第２の窒化物半導体３を窒化物半導体基板として以下の素子構造を積層成長させる。
【００５９】
（アンドープｎ型コンタクト層）［図８には図示されていない］
窒化物半導体基板１上に、１０５０℃で原料ガスにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧ、アンモニアガスを用いアンドープのＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｎ型コンタクト層を１μｍの膜厚で成長させる。
【００６０】
（ｎ型コンタクト層３２）
次に、同様の温度で、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアガスを用い、不純物ガスにシランガス（ＳｉＨ4）を用い、Ｓｉを３×１０18／ｃｍ3ドープしたＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｎ型コンタクト層２を３μｍの膜厚で成長させる。
【００６１】
（クラック防止層３３）
次に、温度を８００℃にして、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）及びアンモニアを用い、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉを５×１０18／ｃｍ3ドープしたＩｎ0.08Ｇａ0.92Ｎよりなるクラック防止層３３を０．１５μｍの膜厚で成長させる。
【００６２】
（ｎ型クラッド層３４）
次に、温度を１０５０℃にして、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＡｌ0.14Ｇａ0.86ＮよりなるＡ層を２５オングストロームの膜厚で成長させ、続いて、ＴＭＡを止め、不純物ガスとしてシランガスを用い、Ｓｉを５×１０18／ｃｍ3ドープしたＧａＮよりなるＢ層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。そして、この操作をそれぞれ１６０回繰り返してＡ層とＢ層の積層し、総膜厚８０００オングストロームの多層膜（超格子構造）よりなるｎ型クラッド層３４を成長させる。
【００６３】
（ｎ型ガイド層３５）
次に、同様の温度で、原料ガスにＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＧａＮよりなるｎ型ガイド層３５を０．０７５μｍの膜厚で成長させる。
【００６４】
（活性層３６）
次に、温度を８００℃にして、原料ガスにＴＭＩ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてシランガスを用い、Ｓｉを５×１０18／ｃｍ3ドープしたＩｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる障壁層を１００オングストロームの膜厚で成長させる。続いて、シランガスを止め、アンドープのＩｎ0.11Ｇａ0.89Ｎよりなる井戸層を５０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を３回繰り返し、最後に障壁層を積層した総膜厚５５０オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層３６を成長させる。
【００６５】
（ｐ型電子閉じ込め層３７）
次に、同様の温度で、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇを１×１０19／ｃｍ3ドープしたＡｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｐ型電子閉じ込め層３７を１００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００６６】
（ｐ型ガイド層３８）
次に、温度を１０５０℃にして、原料ガスにＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＧａＮよりなるｐ型ガイド層８を０．０７５μｍの膜厚で成長させる。
このｐ型ガイド層８は、アンドープとして成長させるが、ｐ型電子閉じ込め層３７からのＭｇの拡散により、Ｍｇ濃度が５×１０16／ｃｍ3となりｐ型を示す。
【００６７】
（ｐ型クラッド層３９）
次に、同様の温度で、原料ガスにＴＭＡ、ＴＭＧ及びアンモニアを用い、アンドープのＡｌ0.1Ｇａ0.9ＮよりなるＡ層を２５オングストロームの膜厚で成長させ、続いて、ＴＭＡを止め、不純物ガスとしてＣｐ2Ｍｇを用い、Ｍｇを５×１０18／ｃｍ3ドープしたＧａＮよりなるＢ層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。そして、この操作をそれぞれ１００回繰り返してＡ層とＢ層の積層し、総膜厚５０００オングストロームの多層膜（超格子構造）よりなるｐ型クラッド層３９を成長させる。
【００６８】
（ｐ型コンタクト層４０）
次に、同様の温度で、原料ガスにＴＭＧ及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてＣｐ2Ｍｇを用い、Ｍｇを１×１０20／ｃｍ3ドープしたＧａＮよりなるｐ型コンタクト層４０を１５０オングストロームの膜厚で成長させる。
【００６９】
反応終了後、反応容器内において、ウエハを窒素雰囲気中、７００℃でアニーリングを行い、ｐ型層を更に低抵抗化する。
アニーリング後、ウエハを反応容器から取り出し、最上層のｐ側コンタクト層の表面にＳｉＯ2よりなる保護膜を形成して、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を用いＳｉＣｌ4ガスによりエッチングし、図９に示すように、ｎ電極を形成すべきｎ側コンタクト層３２の表面を露出させる。
次に図９（ａ）に示すように、最上層のｐ側コンタクト層４０のほぼ全面に、ＰＶＤ装置により、Ｓｉ酸化物（主として、ＳｉＯ2）よりなる第１の保護膜６１を０．５μｍの膜厚で形成した後、第１の保護膜６１の上に所定の形状のマスクをかけ、フォトレジストよりなる第３の保護膜６３を、ストライプ幅１．８μｍ、厚さ１μｍで形成する。
次に、図９（ｂ）に示すように第３の保護膜６３形成後、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置により、ＣＦ4ガスを用い、第３の保護膜６３をマスクとして、前記第１の保護膜をエッチングして、ストライプ状とする。その後エッチング液で処理してフォトレジストのみを除去することにより、図９（ｃ）に示すようにｐ側コンタクト層４０の上にストライプ幅１．８μｍの第１の保護膜６１が形成できる。
【００７０】
さらに、図９（ｄ）に示すように、ストライプ状の第１の保護膜６１形成後、再度ＲＩＥによりＳｉＣｌ4ガスを用いて、ｐ側コンタクト層４０、およびｐ側クラッド層３９をエッチングして、ストライプ幅１．８μｍのリッジ形状のストライプを形成する。但し、リッジ形状のストライプは、図８に示すように、第１の窒化物半導体に形成した凹部上部にくるように形成される。
リッジストライプ形成後、ウェーハをＰＶＤ装置に移送し、図９（ｅ）に示すように、Ｚｒ酸化物（主としてＺｒＯ2）よりなる第２の保護膜６２を、第１の保護膜６１の上と、エッチングにより露出されたｐ側クラッド層３９の上に０．５μｍの膜厚で連続して形成する。このようにＺｒ酸化物を形成すると、ｐ−ｎ面の絶縁をとるためと、横モードの安定を図ることができ好ましい。
次に、ウェーハをフッ酸に浸漬し、図９（ｆ）に示すように、第１の保護膜６１をリフトオフ法により除去する。
【００７１】
次に図９（ｇ）に示すように、ｐ側コンタクト層４０の上の第１の保護膜６１が除去されて露出したそのｐ側コンタクト層の表面にＮｉ／Ａｕよりなるｐ電極２０を形成する。但しｐ電極２０は１００μｍのストライプ幅として、この図に示すように、第２の保護膜６２の上に渡って形成する。
第２の保護膜６２形成後、図８に示されるように露出させたｎ側コンタクト層２の表面にはＴｉ／Ａｌよりなるｎ電極２１をストライプと平行な方向で形成する。
【００７２】
以上のようにして、ｎ電極とｐ電極とを形成したウェーハのサファイア基板を研磨して７０μｍとした後、ストライプ状の電極に垂直な方向で、基板側からバー状に劈開し、劈開面（１１−００面、六角柱状の結晶の側面に相当する面＝Ｍ面）に共振器を作製する。共振器面にＳｉＯ2とＴｉＯ2よりなる誘電体多層膜を形成し、最後にｐ電極に平行な方向で、バーを切断して図８に示すようなレーザ素子とする。なお共振器長は３００〜５００μｍとすることが望ましい。
得られたレーザ素子をヒートシンクに設置し、それぞれの電極をワイヤーボンディングして、室温でレーザ発振を試みた。
その結果、室温においてしきい値２．５ｋＡ／ｃｍ2、しきい値電圧５Ｖで、発振波長４００ｎｍの連続発振が確認され、室温で１万時間以上の寿命を示す。
【００７３】
［実施例７］
以下、図１０を元に実施例７について説明する。図１０は本発明の成長方法により得られた窒化物半導体層を基板とする一実施の形態のレーザ素子の構造を示す模式断面図である。
【００７４】
実施例１において、第２の窒化物半導体３を成長させる際に、Ｓｉを１×１０18／ｃｍ3ドープして、膜厚を１５０μｍとする他は同様にして、Ｓｉドープの第２の窒化物半導体３を得る。得られたウエハのサファイア基板等を研磨、除去し、第２の窒化物半導体３のみとする。
【００７５】
次に、サファイア基板を除去した面とは反対の面の第２の窒化物半導体層３（ＳｉドープＧａＮ）を主面とするウェーハをＭＯＶＰＥ装置の反応容器内にセットし、この第２の窒化物半導体層３の上に下記各層を形成する。
【００７６】
（ｎ側クラッド層４３）
次に、Ｓｉを１×１０19／cm3ドープしたｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第１の層、２０オングストロームと、アンドープ（undope）のＧａＮよりなる第２の層、２０オングストロームとを交互に１００層積層してなる総膜厚０．４μｍの超格子構造とする。
【００７７】
（ｎ側光ガイド層４４）
続いて、Ｓｉを１×１０17／cm3ドープしたｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層４４を０．１μｍの膜厚で成長させる。
【００７８】
（活性層４５）
次に、Ｓｉを１×１０17／cm3ドープのＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層、２５オングストロームと、Ｓｉを１×１０17／cm3ドープのＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層、５０オングストロームを交互に積層してなる総膜厚１７５オングストロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層４５を成長させる。
【００７９】
（ｐ側キャップ層４６）
次に、バンドギャップエネルギーがｐ側光ガイド層４７よりも大きく、かつ活性層４５よりも大きい、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.9Ｎよりなるｐ側キャップ層４６を３００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００８０】
（ｐ側光ガイド層４７）
次に、バンドギャップエネルギーがｐ側キャップ層４６より小さい、Ｍｇを１×１０18／cm3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側光ガイド層４７を０．１μｍの膜厚で成長させる。
【００８１】
（ｐ側クラッド層４８）
次に、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第１の層、２０オングストロームと、Ｍｇを１×１０20／cm3ドープしたｐ型ＧａＮよりなる第２の層、２０オングストロームとを交互に積層してなる総膜厚０．４μｍの超格子層よりなるｐ側クラッド層４８を形成する。
【００８２】
（ｐ側コンタクト層４９）
最後に、Ｍｇを２×１０20／cm3ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層４９を１５０オングストロームの膜厚で成長させる。
【００８３】
反応終了後、反応容器内において、ウェーハを窒素雰囲気中、７００℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化する。アニーリング後、ウェーハを反応容器から取り出し、図１０に示すように、ＲＩＥ装置により最上層のｐ型コンタクト層４９と、ｐ型クラッド層４８とをエッチングして、４μｍのストライプ幅を有するリッジ形状とし、リッジ表面の全面にＮｉ／Ａｕよりなるｐ電極５１を形成する。
【００８４】
次に、図１０に示すようにｐ電極５１を除くｐ側クラッド層４８、コンタクト層４９の表面にＳｉＯ2よりなる絶縁膜５０を形成し、この絶縁膜５０を介してｐ電極５１と電気的に接続したｐパッド電極５２を形成する。
【００８５】
ｐ側電極形成後、第２の窒化物半導体層３の素子構造が形成されていない表面全面に、Ｔｉ／Ａｌよりなるｎ電極５３を０．５μｍの膜厚で形成し、その上にヒートシンクとのメタライゼーション用にＡｕ／Ｓｎよりなる薄膜を形成する。
【００８６】
その後、ｎ電極側５３からスクライブし、第２の窒化物半導体層３のＭ面（１１−００、図６の六角柱の側面に相当する面）で第２の窒化物半導体層５を劈開し、共振面を作製する。共振面の両方あるいはどちらか一方にＳｉＯ2とＴｉＯ2よりなる誘電体多層膜を形成し、最後にｐ電極に平行な方向で、バーを切断してレーザチップとした。次にチップをフェースアップ（基板とヒートシンクとが対向した状態）でヒートシンクに設置し、ｐパッド電極５２をワイヤーボンディングして、室温でレーザ発振を試みたところ、室温において、閾値電流密度２．５ｋＡ／cm2、閾値電圧４．５Ｖで、発振波長４０５ｎｍの連続発振が確認され、１万時間以上の寿命を示した。
【００８７】
［実施例８］
実施例３で得られた第３の窒化物半導体４を基板として、実施例６と同様の素子構造を形成してレーザ素子を作製した。
得られたレーザ素子は実施例６と同様に良好な寿命特性を有している。また、リッジ形状のストライプを形成する位置を凹部上部に関係なく凸部上部に形成しても良好な特性を示す。
【００８８】
［実施例９］
実施例１において、サファイア基板１として、２インチφ、オフアングル角θ＝０．２°、ステップ段差（高さ）約１原子層、テラス幅Ｗが約４０オングストロームのステップを有し、Ｃ面を主面とし、オリフラ面をＡ面として、ステップに沿う方向、すなわち段差の方向がこのＡ面に対して垂直な方向に設けてあるサファイア基板を用いる他は同様にして第２の窒化物半導体３を成長させる。
得られた第２の窒化物半導体３を基板として、実施例６と同様の素子構造を形成してレーザ素子を製造する。
得られたレーザ素子は、実施例６よりしきい値が低下し、より良好な寿命特性を有する。
【００８９】
［実施例１０］
実施例６において、第２の窒化物半導体として実施例４で得られた第２の窒化物半導体３を用いる他は同様にして、レーザ素子を製造する。
得られた素子は、実施例６と同様に良好な結果が得られた。
【００９０】
【発明の効果】
本発明は、転位の低減された、結晶性が良好な窒化物半導体を得ることができる窒化物半導体の成長方法を提供することができる。
更に、本発明は、結晶性が良好で且つ転位の少ない窒化物半導体を基板とする窒化物半導体素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法の各工程において得られる窒化物半導体ウェーハの構造を示す模式的断面図である。
【図２】本発明の方法の各工程において得られる窒化物半導体ウェーハの構造を示す模式的断面図である。
【図３】本発明の方法の各工程において得られる窒化物半導体ウェーハの構造を示す模式的断面図である。
【図４】本発明の方法の各工程において得られる窒化物半導体ウェーハの構造を示す模式的断面図である。
【図５】本発明の方法の各工程において得られる窒化物半導体ウェーハの構造を示す模式的断面図である。
【図６】サファイアの面方位を示すユニットセル図である。
【図７】保護膜のストライプ方向を説明するための基板主面側の平面図である。
【図８】本発明の方法による基板を用いた窒化物半導体ＬＤ素子の一構造を示す模式断面図である。
【図９】図９は、リッジ形状のストライプを形成する一実施の形態である方法の各工程におけるウエハの部分的な構造を示す模式的断面図である。
【図１０】本発明の方法による基板を用いた窒化物半導体ＬＤ素子の一構造を示す模式断面図である。
【図１１】本発明の方法による基板の一部を拡大して示した模式的断面図である。
【符号の説明】
１・・・・異種基板
２・・・・第１の窒化物半導体
３・・・・第２の窒化物半導体
４・・・・第３の窒化物半導体
Claims (8)
- サファイア基板の上に、第１の窒化物半導体を成長させる第１の工程と、
第１の工程後、前記第１の窒化物半導体に部分的に基板に達する深さで凹凸を形成して凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可能な面を露出させる第２の工程と、
第２の工程後、前記凹部底面からの縦方向成長を抑制するように凹部側面から横方向成長させつつ、凸部上部から成長させて互いに接合させた第２の窒化物半導体を成長させる第３の工程とを有することを特徴とする窒化物半導体の成長方法。 - 前記第２の窒化物半導体を成長後に、前記第１の窒化物半導体に形成された凹部上部に凸部が、第１の窒化物半導体に形成された凸部上部に凹部が、それぞれ位置するように第２の窒化物半導体に部分的に第２の窒化物半導体の途中まで、又は第１の窒化物半導体に達する深さで凹凸を形成して、第２の窒化物半導体の凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可能な面を露出させる第４の工程と、
第４の工程後、前記凹凸が形成された第２の窒化物半導体上に、前記第３の工程と同様に第３の窒化物半導体を成長させる第５の工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体の成長方法。 - 前記サファイア基板が、サファイアのＣ面がステップ状にオフアングルされていることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体の成長方法。
- 前記凹凸の凹部側面が、基板に対して端面がほぼ垂直となる形状に形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物半導体の成長方法。
- 前記第２の工程において、前記凹凸がストライプ状に形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体の成長方法。
- 前記凹凸のストライプ形状が、サファイア基板のＡ面に対して垂直な方向で形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の窒化物半導体の成長方法。
- 前記請求項１〜６のいずれかに記載の窒化物半導体の成長方法で得られる窒化物半導体を基板とし、この上に素子構造となる少なくともｎ型窒化物半導体、活性層、及びｐ型窒化物半導体が形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
- 前記請求項１〜６のいずれかに記載の窒化物半導体の成長方法で得られた窒化物半導体基板上に、素子構造となる少なくともｎ型窒化物半導体、活性層、及びｐ型窒化物半導体が形成され、窒化物半導体基板の第１の窒化物半導体に形成された凹部上部に、窒化物半導体レーザ素子の光を導波するストライプ形状又はリッジ形状を形成してなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03782799A JP3659050B2 (ja) | 1998-12-21 | 1999-02-16 | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36352098 | 1998-12-21 | ||
| JP10-363520 | 1998-12-21 | ||
| JP03782799A JP3659050B2 (ja) | 1998-12-21 | 1999-02-16 | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004302800A Division JP4046114B2 (ja) | 1998-12-21 | 2004-10-18 | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000244061A JP2000244061A (ja) | 2000-09-08 |
| JP3659050B2 true JP3659050B2 (ja) | 2005-06-15 |
Family
ID=26376975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03782799A Expired - Lifetime JP3659050B2 (ja) | 1998-12-21 | 1999-02-16 | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3659050B2 (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3587081B2 (ja) | 1999-05-10 | 2004-11-10 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| JP3555500B2 (ja) | 1999-05-21 | 2004-08-18 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体及びその製造方法 |
| US6580098B1 (en) | 1999-07-27 | 2003-06-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
| JP3427047B2 (ja) * | 1999-09-24 | 2003-07-14 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体素子、窒化物系半導体の形成方法および窒化物系半導体素子の製造方法 |
| US6821805B1 (en) * | 1999-10-06 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device, semiconductor substrate, and manufacture method |
| JP2001185493A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 |
| JP4432180B2 (ja) | 1999-12-24 | 2010-03-17 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法、ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体 |
| JP2001267242A (ja) | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体及びその製造方法 |
| EP1265273A4 (en) | 2000-03-14 | 2009-05-06 | Toyoda Gosei Kk | METHOD OF MANUFACTURING A III-NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND III-NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT |
| TW518767B (en) | 2000-03-31 | 2003-01-21 | Toyoda Gosei Kk | Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element |
| JP2001313259A (ja) | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法及び半導体素子 |
| US7619261B2 (en) | 2000-08-07 | 2009-11-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
| JP3556916B2 (ja) * | 2000-09-18 | 2004-08-25 | 三菱電線工業株式会社 | 半導体基材の製造方法 |
| EP1367150B1 (en) | 2001-02-14 | 2009-08-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Production method for semiconductor crystal and semiconductor luminous element |
| JP4703014B2 (ja) * | 2001-02-15 | 2011-06-15 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子、光学装置、および半導体発光装置とその製造方法 |
| JP3679720B2 (ja) | 2001-02-27 | 2005-08-03 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法 |
| JP2002280314A (ja) | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法、及びそれに基づくｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子 |
| JP5095051B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2012-12-12 | 泰彦 荒川 | 電子デバイス作製用サファイア単結晶基板及び電子デバイス作製用窒化ガリウム化合物半導体膜の作製方法 |
| JP2003037287A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-07 | Sanken Electric Co Ltd | 発光素子 |
| CN100356592C (zh) * | 2004-01-06 | 2007-12-19 | 元砷光电科技股份有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| JP4744245B2 (ja) * | 2004-11-05 | 2011-08-10 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| JP4925977B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-05-09 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ装置およびその光学装置 |
| JP2009167053A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ族窒化物結晶の成長方法 |
| DE102011077542B4 (de) * | 2011-06-15 | 2020-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterkörpers |
| CN111599904A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-08-28 | 宜兴曲荣光电科技有限公司 | 一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 |
| CN111599905A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-08-28 | 宜兴曲荣光电科技有限公司 | 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 |
| CN111599901A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-08-28 | 宜兴曲荣光电科技有限公司 | 一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片及其制备方法 |
| CN114420537B (zh) * | 2021-12-29 | 2025-10-03 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 用于降低功率器件内应力的外延片制作方法及外延片 |
-
1999
- 1999-02-16 JP JP03782799A patent/JP3659050B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000244061A (ja) | 2000-09-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040415 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040817 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050222 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050307 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080325 Year of fee payment: 3 |
|
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|
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|
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|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120325 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120325 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130325 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130325 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140325 Year of fee payment: 9 |
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