CN111599901A - 一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片及其制备方法，包括生长在Si衬底上的AlN缓冲层、GaN缓冲层、AlGaN缓冲层、非掺杂AlGaN层、n型掺杂AlGaN层、AlGaN多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂GaN薄膜；GaN缓冲层上形成有阵列排布的第一沟槽；AlGaN缓冲层的下部沉积在第一沟槽内，AlGaN缓冲层上形成有阵列排布的第二沟槽；第一沟槽和第二沟槽在垂直方向上不重叠；非掺杂AlGaN层的下部沉积在第二沟槽内。本发明生长在Si衬底上的紫外LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，通过多次刻蚀，增加AlGaN的横向外延，有效抑制位错往上延伸，有生长高晶体质量紫外LED外延片的优点。

Description

一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片及其制备方法
技术领域
本发明涉及LED外延片技术领域，尤其涉及一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片及其制备方法。
背景技术
GaN基紫外LED外延材料与器件作为第三代半导体材料与器件的关键，可应用于杀菌消毒、医疗器械等领域，近年来发展异常迅速。
目前高质量的GaN材料一般都是通过异质外延方法制作，由于不同的衬底会直接影响所生长外延层的晶格质量，所以对衬底的选择显得非常重要。一般选择衬底需要遵循以下几个原则，如晶格常数匹配、热膨胀系数匹配、价格适宜等；另外不同衬底的选择会造成从外延到后续LED芯片制程的工艺有差别。目前，大多数GaN基紫外LED都是基于蓝宝石、SiC和Si衬底上进行外延生长。虽然已经取得一定的研究进展，但是面临以下难题：(1)由于蓝宝石衬底导热性差(仅为25W/m·K)，导致紫外LED器件工作时产生的热量难以传导出来，影响LED器件寿命及性能；(2)大尺寸的蓝宝石和SiC衬底价格昂贵，导致LED制造成本高。Si衬底不仅价格低且生产工艺已经非常成熟，是实现大面积且低成本的LED光电器件商业化的首选材料之一，因此，以Si为衬底的LED引起了国内外许多科研机构的广泛研究兴趣。但由于Si材料与所外延生长的氮化物材料之间存在较大的晶格失配及热失配，要实现在Si衬底上生长出高质量的氮化物材料，仍需要克服晶格失配、热失配、晶体位错、层错等重大缺陷，严重限制了紫外LED商业化生产的大规模应用。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片，缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。
本发明的目的之二在于提供一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片的制备方法，通过多次刻蚀，增加AlGaN的横向外延，有效抑制位错往上延伸，具有生长高晶体质量紫外LED外延片的优点。
本发明的目的之一采用如下技术方案实现：
一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片，包括生长在Si衬底上的AlN缓冲层，生长在所述AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在所述GaN缓冲层上的AlGaN缓冲层，生长在所述AlGaN缓冲层上的非掺杂AlGaN层，生长在所述非掺杂AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层，生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层，生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层，生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂GaN薄膜；
所述GaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第一沟槽；
所述AlGaN缓冲层的下部沉积在所述第一沟槽内，所述AlGaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第二沟槽；所述第一沟槽和所述第二沟槽在垂直方向上不重叠；
所述非掺杂AlGaN层的下部沉积在所述第二沟槽内。
优选地，所述第一沟槽为顶部宽度大于底部宽度的第一梯形条纹沟槽，所述第一梯形条纹沟槽的深度为50～80nm，顶部宽度为100～200nm，底部宽度为50～100nm，间隔为100～200nm；所述第二沟槽为顶部宽度大于底部宽度的第二梯形条纹沟槽，所述第二梯形条纹沟槽的深度为100～150nm，顶部宽度为100～200nm，底部宽度为50～100nm，间隔为100～200nm。
优选地，所述Si衬底为Si(111)晶向衬底；所述AlN缓冲层厚度为5～50nm；所述GaN缓冲层的厚度为100～300nm；所述AlGaN缓冲层的厚度为300～500nm；所述非掺杂AlGaN层的厚度为500～800nm；所述n型掺杂AlGaN层掺杂有Si，Si掺杂浓度为1×1017～1×1020cm-3，所述n型掺杂AlGaN层的厚度为3～5μm；所述AlGaN多量子阱层为7～10个周期的Al0.1Ga0.9N阱层和Al0.25Ga0.75N垒层，其中Al0.1Ga0.9N阱层的厚度为2～3nm，Al0.25Ga0.75N垒层的厚度为10～13nm；所述电子阻挡层为Al0.15Ga0.85N电子阻挡层，所述电子阻挡层的厚度为20～50nm；所述p型掺杂GaN薄膜的厚度为300～350nm。
本发明的目的之二采用如下技术方案实现：
一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
衬底选取步骤：选取Si衬底；
AlN缓冲层生长步骤：在所述Si衬底上生长AlN缓冲层；
GaN缓冲层外延生长步骤：在所述AlN缓冲层上外延生长GaN缓冲层；
AlGaN缓冲层外延生长步骤：对所述GaN缓冲层进行刻蚀，在所述GaN缓冲层的上部刻蚀出阵列排布的第一沟槽；接着，在所述GaN缓冲层上生长AlGaN缓冲层，所述AlGaN缓冲层的下部沉积在所述第一沟槽内；
非掺杂AlGaN层外延生长步骤：对所述AlGaN缓冲层进行刻蚀，在所述AlGaN缓冲层的上部刻蚀出阵列排布的第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽在垂直方向上不重叠；接着，在所述AlGaN缓冲层上生长非掺杂AlGaN层，所述非掺杂AlGaN层的下部沉积在所述第二沟槽内；
n型掺杂AlGaN层外延生长步骤：在所述非掺杂AlGaN层上外延生长n型掺杂AlGaN层；
AlGaN多量子阱层外延生长步骤：在所述n型掺杂AlGaN层上外延生长AlGaN多量子阱层；
电子阻挡层外延生长步骤：在所述AlGaN多量子阱层上外延生长电子阻挡层；
p型掺杂GaN薄膜外延生长步骤：在所述电子阻挡层上外延生长p型掺杂GaN薄膜。
优选地，在所述AlN缓冲层生长步骤中，采用磁控溅射法生长AlN缓冲层，生长温度为400～500℃，所述AlN缓冲层的厚度为5～50nm。
优选地，在所述GaN缓冲层外延生长步骤中，采用分子束外延生长法在所述AlN缓冲层上生长GaN缓冲层，衬底温度为500～600℃，反应室的压力为4.0～5.0×10-5Pa，束流比V/III值为30～40，生长速度为0.6～0.8ML/s。
优选地，在所述AlGaN缓冲层外延生长步骤中，采用ICP对所述GaN缓冲层进行刻蚀，刻蚀出顶部宽度大于底部宽度的第一梯形条纹沟槽，所述第一梯形条纹沟槽的深度为50～80nm，顶部宽度为100～200nm，底部宽度为50～100nm，间隔为100～200nm；接着，采用金属有机化学气相沉积法在所述GaN缓冲层上生长AlGaN缓冲层，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h。
优选地，在所述非掺杂AlGaN层外延生长步骤中，采用ICP对所述AlGaN缓冲层进行刻蚀，刻蚀出顶部宽度大于底部宽度的第二梯形条纹沟槽，所述第二梯形条纹沟槽的深度为100～150nm，顶部宽度为100～200nm，底部宽度为50～100nm，间隔为100～200nm，所述第二梯形条纹沟槽与所述第一梯形条纹沟槽在垂直方向上不重叠；接着，采用金属有机化学气相沉积法在所述AlGaN缓冲层上生长非掺杂AlGaN层，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h。
优选地，在所述n型掺杂AlGaN层外延生长步骤中，采用金属有机化学气相沉积法在所述非掺杂AlGaN层上生长n型掺杂AlGaN层，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h；所述n型掺杂AlGaN层掺杂有Si，Si掺杂浓度为1×1017～1×1020cm-3。
优选地，在所述AlGaN多量子阱层外延生长步骤中，采用金属有机化学气相沉积法在所述n型掺杂AlGaN层上生长7～10个周期的Al0.1Ga0.9N阱层/Al0.25Ga0.75N垒层，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h。
优选地，在所述电子阻挡层外延生长步骤中，采用金属有机化学气相沉积法在所述AlGaN多量子阱层上生长Al0.15Ga0.85N电子阻挡层，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h。
优选地，在所述p型掺杂GaN薄膜外延生长步骤中，采用金属有机化学气相沉积法在所述电子阻挡层上生长p型掺杂GaN薄膜，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h。
相比现有技术，本发明的有益效果在于：
(1)本发明所提供的生长在Si衬底上的紫外LED外延片，通过在GaN缓冲层和AlGaN缓冲层设计沟槽图案，在外延生长过程中，首先在沟槽的侧壁形核、生长，随着外延生长的进行，横向生长逐渐明显，位错线横向延伸并合并，随着外延生长的进一步进行，失配位错没有进一步向上延伸。这种人为增加横向过生长的生长模式，降低位错向上延伸，能够进一步降低外延层的缺陷密度，获得高晶体质量的材料，实现高性能外延片的生长，因此有利于提高载流子的辐射复合效率，提高发光二极管的性能。
(2)本发明所提供的生长在Si衬底上的紫外LED外延片，制备出高质量AlGaN层，有利提高了载流子的辐射复合效率，降低非辐射复合效率，可大幅度提高发光二极管的性能，有望制备出高效紫外LED的器件。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的紫外LED外延片截面结构的第一示意图；
图2为本发明实施例1制备的紫外LED外延片截面结构的第二示意图；
图3为本发明实施例1制备的紫外LED外延片的电致发光(EL)图谱。
图中：10、Si衬底；11、AlN缓冲层；12、GaN缓冲层；13、AlGaN缓冲层；14、非掺杂AlGaN层；15、n型掺杂AlGaN层；16、AlGaN多量子阱层；17、电子阻挡层；18、p型掺杂GaN薄膜。
具体实施方式
下面，结合附图以及具体实施方式，对本发明做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
如图1-2所示，一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片，包括生长在Si衬底10的AlN缓冲层11，生长在AlN缓冲层11上的GaN缓冲层12，生长在GaN缓冲层12上的AlGaN缓冲层13，生长在AlGaN缓冲层13上的非掺杂AlGaN层14，生长在非掺杂AlGaN层14上的n型掺杂AlGaN层15，生长在n型掺杂AlGaN层15上的AlGaN多量子阱层16，生长在AlGaN多量子阱层16上的电子阻挡层17，生长在电子阻挡层17上的p型掺杂GaN薄膜18；GaN缓冲层12的上部形成有阵列排布的第一沟槽；AlGaN缓冲层13的下部沉积在第一沟槽内，AlGaN缓冲层13的上部形成有阵列排布的第二沟槽；第一沟槽和第二沟槽在垂直方向上不重叠；非掺杂AlGaN层14的下部沉积在第二沟槽内。
本发明实施例通过第一沟槽和第二沟槽设计，在外延生长过程中，人为增加横向过生长的生长模式，降低位错向上延伸，能够进一步降低外延层的缺陷密度，获得高晶体质量的材料，实现高性能外延片的生长。
本发明实施例公开的紫外LED外延片，从下到上依次包括Si衬底、AlN缓冲层11、GaN缓冲层12、AlGaN缓冲层13、非掺杂AlGaN层14、n型掺杂AlGaN层15、AlGaN多量子阱层16、电子阻挡层17和p型掺杂GaN薄膜18，在这多个层次结构中，是Si衬底上紫外LED的基本结构，其中前4层缓冲层结构(AlN缓冲层11、GaN缓冲层12、AlGaN缓冲层13、非掺杂AlGaN层14)是为了获得高晶体质量的AlGaN薄膜(n型掺杂AlGaN层15)，为生长深紫外有源层(n层、多量子阱、p层构成)打下基础；本发明采用这种组合方式，包括沟槽结构，实现了采用简单缓冲层结构的情况下能够获得高晶体质量的AlGaN薄膜，而现有技术中不少做法是采用非常复杂的缓冲层结构来降低AlGaN和Si衬底之间的失配位错的。
作为进一步的实施方式，第一沟槽为顶部宽度大于底部宽度的第一梯形条纹沟槽，第一梯形条纹沟槽的深度为50～80nm，顶部宽度为100～200nm，底部宽度为50～100nm，间隔为100～200nm；第二沟槽为顶部宽度大于底部宽度的第二梯形条纹沟槽，第二梯形条纹沟槽的深度为100～150nm，顶部宽度为100～200nm，底部宽度为50～100nm，间隔为100～200nm。
本发明实施例在GaN缓冲层12上设置第一梯形条纹沟槽，在AlGaN缓冲层13上设置第二梯形条纹沟槽，有助于在侧壁形核，并在外延生长过程中进一步横向延伸、合并，避免直接向上外延生长，降低失配位错往上延伸。当然，第一沟槽和第二沟槽不限于设置为梯形条纹沟槽，还可以设置为岛状沟槽(类似田字)，将第一沟槽和第二沟槽设置为岛状沟槽同样可以降低外延层的缺陷密度，获得高晶体质量的材料，实现高性能外延片的生长。
本发明实施例的第一梯形条纹沟槽和第二梯形条纹沟槽在垂直方向上不重叠，虽然在进行第二次刻蚀前，产品在外延生长一定厚度后，会获得较高晶体质量的薄膜，但是在沟槽生长部位，缺陷密度一般都比较高。而在其他区域，也就是非沟槽区域，由于横向外延生长的作用，位错线密度会逐渐降低，晶体质量相比沟槽区域高。因此在第二次制作沟槽的时避开缺陷密度高的地方，选择缺陷密度低的区域，即第一沟槽和第二沟槽的位置在垂直方向上不重叠。
作为进一步的实施方式，Si衬底10为Si(111)晶向衬底，本发明使用Si作为衬底，衬底容易获得，价格便宜，有利于降低生产成本。
作为进一步的实施方式，AlN缓冲层11厚度为5～50nm；GaN缓冲层12的厚度为100～300nm；AlGaN缓冲层13的厚度为300～500nm；非掺杂AlGaN层14的厚度为500～800nm；n型掺杂AlGaN层15掺杂有Si，Si掺杂浓度为1×1017～1×1020cm-3，n型掺杂AlGaN层15的厚度为3～5μm。
作为进一步的实施方式，AlGaN多量子阱层16为7～10个周期的Al0.1Ga0.9N阱层和Al0.25Ga0.75N垒层，其中Al0.1Ga0.9N阱层的厚度为2～3nm，Al0.25Ga0.75N垒层的厚度为10～13nm。LED的发光波长跟材料的带隙有关，Al组分决定了紫外LED的发光波长，在实际应用中，可以根据实际需要的发光波长进行组分的调节，或者更换成其他量子阱材料(阱层和垒层)。
作为进一步的实施方式，电子阻挡层17为Al0.15Ga0.85N电子阻挡层，电子阻挡层17的厚度为20～50nm；p型掺杂GaN薄膜18的厚度为300～350nm。电子阻挡层17是为了防止电流注入时电子溢出，电子不能完全被限制在量子阱里进行辐射复合；需要材料的带隙略高于阱层，但是为了避免采用其他材料带来额外的晶格失配，所以本发明实施例采用与AlGaN多量子阱层16同类型材料作为电子阻挡层17。
本发明实施例所提供的生长在Si衬底上的紫外LED外延片，通过在GaN缓冲层12和AlGaN缓冲层13设计沟槽图案，在外延生长过程中，首先在沟槽的侧壁形核、生长，随着外延生长的进行，横向生长逐渐明显，位错线横向延伸并合并，随着外延生长的进一步进行，失配位错没有进一步向上延伸。这种人为增加横向过生长的生长模式，降低位错向上延伸，能够进一步降低外延层的缺陷密度，获得高晶体质量的材料，实现高性能外延片的生长，因此有利于提高载流子的辐射复合效率，提高发光二极管的性能。
此外，本发明实施例所提供的生长在Si衬底上的紫外LED外延片，制备出高质量AlGaN层，有利提高了载流子的辐射复合效率，降低非辐射复合效率，可大幅度提高发光二极管的性能，有望制备出高效紫外LED的器件。
一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
衬底选取步骤：选取Si衬底；
AlN缓冲层11生长步骤：在Si衬底10生长AlN缓冲层11；
GaN缓冲层12外延生长步骤：在AlN缓冲层11上外延生长GaN缓冲层12；
AlGaN缓冲层13外延生长步骤：对GaN缓冲层12进行刻蚀，在GaN缓冲层12的上部刻蚀出阵列排布的第一沟槽；接着，在GaN缓冲层12上生长AlGaN缓冲层13，AlGaN缓冲层13的下部沉积在第一沟槽内；
非掺杂AlGaN层14外延生长步骤：对AlGaN缓冲层13进行刻蚀，在AlGaN缓冲层13的上部刻蚀出阵列排布的第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽在垂直方向上不重叠；接着，在AlGaN缓冲层13上生长非掺杂AlGaN层14，非掺杂AlGaN层14的下部沉积在第二沟槽内；
n型掺杂AlGaN层15外延生长步骤：在非掺杂AlGaN层14上外延生长n型掺杂AlGaN层15；
AlGaN多量子阱层16外延生长步骤：在n型掺杂AlGaN层15上外延生长AlGaN多量子阱层16；
电子阻挡层17外延生长步骤：在AlGaN多量子阱层16上外延生长电子阻挡层17；
p型掺杂GaN薄膜18外延生长步骤：在电子阻挡层17上外延生长p型掺杂GaN薄膜18。
作为进一步的实施方式，在AlN缓冲层11生长步骤中，采用磁控溅射法生长AlN缓冲层11，生长温度为400～500℃，AlN缓冲层11的厚度为5～50nm。
作为进一步的实施方式，在GaN缓冲层12外延生长步骤中，采用分子束外延生长法在AlN缓冲层11上生长GaN缓冲层12，衬底温度为500～600℃，反应室的压力为4.0～5.0×10-5Pa，束流比V/III值为30～40，生长速度为0.6～0.8ML/s。
作为进一步的实施方式，在AlGaN缓冲层13外延生长步骤中，采用ICP对GaN缓冲层12进行刻蚀，刻蚀出顶部宽度大于底部宽度的第一梯形条纹沟槽，第一梯形条纹沟槽的深度为50～80nm，顶部宽度为100～200nm，底部宽度为50～100nm，间隔为100～200nm；接着，采用金属有机化学气相沉积法在GaN缓冲层12上生长AlGaN缓冲层13，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h。
作为进一步的实施方式，在非掺杂AlGaN层14外延生长步骤中，采用ICP对AlGaN缓冲层13进行刻蚀，刻蚀出顶部宽度大于底部宽度的第二梯形条纹沟槽，第二梯形条纹沟槽的深度为100～150nm，顶部宽度为100～200nm，底部宽度为50～100nm，间隔为100～200nm，第二梯形条纹沟槽与第一梯形条纹沟槽在垂直方向上不重叠；接着，采用金属有机化学气相沉积法在AlGaN缓冲层13上生长非掺杂AlGaN层14，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h。
作为进一步的实施方式，在n型掺杂AlGaN层15外延生长步骤中，采用金属有机化学气相沉积法在非掺杂AlGaN层14上生长n型掺杂AlGaN层15，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h；n型掺杂AlGaN层15掺杂有Si，Si掺杂浓度为1×1017～1×1020cm-3。
作为进一步的实施方式，在AlGaN多量子阱层16外延生长步骤中，采用金属有机化学气相沉积法在n型掺杂AlGaN层15上生长7～10个周期的Al0.1Ga0.9N阱层/Al0.25Ga0.75N垒层，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h。
作为进一步的实施方式，在电子阻挡层17外延生长步骤中，采用金属有机化学气相沉积法在AlGaN多量子阱层16上生长Al0.15Ga0.85N电子阻挡层17，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h。
作为进一步的实施方式，在p型掺杂GaN薄膜18外延生长步骤中，采用金属有机化学气相沉积法在电子阻挡层17上生长p型掺杂GaN薄膜18，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h。
本发明实施例所提供的生长在Si衬底上的紫外LED外延片以及制备方法，多个层的厚度以及制作的工艺参数，尤其是在沟槽工艺的部分，是配合沟槽图案，在外延生长初期有助于在图案的侧壁形核、在外延生长中期有助于横向生长和合并，来获得高晶体质量的薄膜(层)。
本发明实施例所提供的生长在Si衬底上的紫外LED外延片的制备方法，采用分子束外延工艺、ICP刻蚀工艺以及金属有机化学气相沉积工艺相结合，先采用分子束外延工艺生长AlGaN缓冲层13，然后采用ICP刻蚀工艺刻蚀出规则沟槽，然后采用金属化学气相沉积工艺有利于AlGaN在沟槽里成核，并横向生长、合并，使得位错线横向扩展，抑制位错线往上延伸，生长出高晶体质量的AlGaN薄膜，并制备出高质量AlGaN多量子阱层16，有利提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高紫外LED的发光效率。
另外，本发明采用分子束外延工艺、ICP刻蚀工艺以及金属有机化学气相沉积工艺相结合，制备出了高质量非掺杂AlGaN层14厚度为500～800nm；当非掺杂AlGaN层14达到500～800nm，AlGaN处于完全弛豫状态，有利于后期高质量的n型掺杂AlGaN薄膜的外延生长，有望制备出高效紫外LED的器件。
同时，本发明实施例的生长工艺独特而简单易行，具有可重复性。
实施例1
如图1-2所示，本实施例的生长在Si衬底上的紫外LED外延片，包括生长在Si衬底10的AlN缓冲层11，生长在AlN缓冲层11上的GaN缓冲层12，生长在GaN缓冲层12上的AlGaN缓冲层13，生长在AlGaN缓冲层13上的非掺杂AlGaN层14，生长在非掺杂AlGaN层14上的n型掺杂AlGaN层15，生长在n型掺杂AlGaN层15上的AlGaN多量子阱层16，生长在AlGaN多量子阱层16上的电子阻挡层17，生长在电子阻挡层17上的p型掺杂GaN薄膜18。
本实施例的生长在Si衬底上的紫外LED外延片的制备方法，包括以下步骤：
(1)衬底的选取：采用Si(111)晶向衬底；
(2)AlN缓冲层11的生长：采用磁控溅射法(MS)生长AlN缓冲层11，生长温度为400℃，薄膜厚度为5nm，获得AlN缓冲层11；
(3)GaN缓冲层12外延生长：采用分子束外延生长工艺，衬底温度为500℃，在反应室的压力为4.0×10-5Pa、束流比V/III值为30、生长速度为0.6ML/s条件下，在AlN缓冲层11上生长厚度为100nm的GaN缓冲层12；
(4)AlGaN缓冲层13外延生长：采用ICP对GaN缓冲层12进行刻蚀，刻蚀出顶部宽度大于底部宽度的梯形条纹沟槽，深度为50nm，顶部宽度为100nm，底部宽度为50nm，间隔为100nm；接着，采用金属有机化学气相沉积工艺，其工艺条件为：反应室压力为50torr，Si衬底温度为1000℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000，生长速率为2μm/h，在GaN缓冲层12上生长厚度为300nm的AlGaN缓冲层13；
(5)非掺杂AlGaN层14的外延生长：采用ICP对AlGaN缓冲层13进行刻蚀，刻蚀出顶部宽度大于底部宽度的梯形条纹沟槽，深度为100nm，顶部宽度为100nm，底部宽度为50nm，间隔为100nm，此时刻蚀的梯形沟槽与步骤(4)刻蚀的沟槽在垂直方向上不重叠；接着，采用金属有机化学气相沉积工艺，其工艺条件为：反应室压力为50torr，Si衬底温度为1000℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000，生长速率为2μm/h，在得到的AlGaN缓冲层13上生长厚度为500nm的非掺杂AlGaN层14；
(6)n型掺杂AlGaN层15的外延生长：采用金属有机化学气相沉积工艺，其工艺条件为：反应室压力为50torr，Si衬底温度为1000℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000，生长速率为2μm/h条件下，在步骤(5)得到的非掺杂AlGaN层14上生长厚度为3μm的n型掺杂AlGaN层15；
(7)AlGaN多量子阱层16的外延生长：采用金属有机化学气相沉积工艺，其工艺条件为：反应室压力为50torr，Si衬底温度为1000℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000，生长速率为2μm/h条件下，在步骤(6)得到的n型掺杂AlGaN层15上生长AlGaN多量子阱；AlGaN多量子阱层16为7个周期的Al0.1Ga0.9N阱层/Al0.25Ga0.75N垒层，其中Al0.1Ga0.9N阱层的厚度为2nm，Al0.25Ga0.75N垒层的厚度为10nm；
(8)电子阻挡层17的外延生长：采用金属有机化学气相沉积工艺，其工艺条件为：反应室压力为50torr，Si衬底温度为1000℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000，生长速率为2μm/h，在步骤(7)得到的AlGaN多量子阱层16上生长厚度为20nm的Al0.15Ga0.85N电子阻挡层17；
(10)p型掺杂GaN薄膜18的外延生长：采用金属有机化学气相沉积工艺，工艺条件为：反应室压力为50torr，Si衬底温度为1000℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000，生长速率为2μm/h条件下，在步骤(8)得到的电子阻挡层17上生长的厚度为300nm的p型掺杂GaN薄膜18。
经测定，本实施例制备的p型掺杂GaN薄膜18的粗糙度RMS值低于1.6nm；表明获得表明光滑的高质量的p型掺杂GaN薄膜18。
图3是本发明制备出的紫外LED外延片的EL图谱，其电致发光峰约为352nm，半峰宽为22.2nm，达到目前紫外LED使用要求水平，显示出了实施例1制备的紫外LED器件具有优异的电学性能。
实施例2
如图1-2所示，本实施例的生长在Si衬底上的紫外LED外延片，包括生长在Si衬底10的AlN缓冲层11，生长在AlN缓冲层11上的GaN缓冲层12，生长在GaN缓冲层12上的AlGaN缓冲层13，生长在AlGaN缓冲层13上的非掺杂AlGaN层14，生长在非掺杂AlGaN层14上的n型掺杂AlGaN层15，生长在n型掺杂AlGaN层15上的AlGaN多量子阱层16，生长在AlGaN多量子阱层16上的电子阻挡层17，生长在电子阻挡层17上的p型掺杂GaN薄膜18。
本实施例的生长在Si衬底上的紫外LED外延片的制备方法，包括以下步骤：
(1)衬底的选取：采用Si(111)晶向衬底；
(2)AlN缓冲层11的生长：采用磁控溅射法(MS)生长AlN缓冲层11，生长温度为500℃，薄膜厚度为50nm，获得AlN缓冲层11；
(3)GaN缓冲层12外延生长：采用分子束外延生长工艺，衬底温度为600℃，在反应室的压力为5.0×10-5Pa、束流比V/III值为40、生长速度为0.8ML/s条件下，在AlN缓冲层11生长厚度为50nm的GaN缓冲层12；
(4)AlGaN缓冲层13外延生长：采用ICP对GaN缓冲层12进行刻蚀，刻蚀出顶部宽度大于底部宽度的梯形条纹沟槽，深度为80nm，顶部宽度为200nm，底部宽度为100nm，间隔为200nm；接着，采用金属有机化学气相沉积工艺，其工艺条件为：反应室压力为300torr，Si衬底温度为1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为5000，生长速率为4μm/h，在GaN缓冲层12上生长厚度为500nm的AlGaN缓冲层13；
(5)非掺杂AlGaN层14的外延生长：采用ICP对GaN缓冲层12进行刻蚀，刻蚀出顶部宽度大于底部宽度的梯形条纹沟槽，深度为150nm，顶部宽度为200nm，底部宽度为100nm，间隔为200nm，此时刻蚀的梯形沟槽与步骤(4)刻蚀的沟槽在垂直方向上不重叠；接着，采用金属有机化学气相沉积工艺，其工艺条件为：反应室压力为300torr，Si衬底温度为1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为5000，生长速率为4μm/h，在得到的GaN缓冲层12上生长厚度为800nm的非掺杂AlGaN层14；
(6)n型掺杂AlGaN层15的外延生长：采用金属有机化学气相沉积工艺，其工艺条件为：反应室压力为300torr，Si衬底温度为1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000，生长速率为4μm/h条件下，在步骤(5)得到的非掺杂AlGaN层14上生长厚度为5μm的n型掺杂AlGaN层15；
(7)AlGaN多量子阱层16的外延生长：采用金属有机化学气相沉积工艺，其工艺条件为：反应室压力为300torr，Si衬底温度为1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为5000，生长速率为4μm/h条件下，在步骤(6)得到的n型掺杂AlGaN层15上生长AlGaN多量子阱层16；AlGaN多量子阱层16为10个周期的Al0.1Ga0.9N阱层/Al0.25Ga0.75N垒层，其中Al0.1Ga0.9N阱层的厚度为3nm，Al0.25Ga0.75N垒层的厚度为13nm；
(8)电子阻挡层17的外延生长：采用金属有机化学气相沉积工艺，其工艺条件为：反应室压力为300torr，Si衬底温度为1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为5000，生长速率为4μm/h，在步骤(7)得到的AlGaN多量子阱层16上生长厚度为50nm的Al0.15Ga0.85N电子阻挡层17；
(10)p型掺杂GaN薄膜18的外延生长：采用金属有机化学气相沉积工艺，其工艺条件为：反应室压力为300torr，Si衬底温度为1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为5000，生长速率为4μm/h条件下，在步骤(8)得到的电子阻挡层17上生长的厚度为350nm的p型掺杂GaN薄膜18。
经测定，本实施例制备的p型掺杂GaN薄膜18的粗糙度RMS值低于1.6nm；表明获得表明光滑的高质量的p型掺杂GaN薄膜18。
本实施例制备的生长在Si衬底上的紫外LED外延片测试结果与实施例1相似，在此不再赘述。
上述实施方式仅为本发明的优选实施方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。

Claims (10)

1.一种生长在Si衬底上的紫外LED外延片，其特征在于，包括生长在Si衬底上的AlN缓冲层，生长在所述AlN缓冲层上的GaN缓冲层，生长在所述GaN缓冲层上的AlGaN缓冲层，生长在所述AlGaN缓冲层上的非掺杂AlGaN层，生长在所述非掺杂AlGaN层上的n型掺杂AlGaN层，生长在所述n型掺杂AlGaN层上的AlGaN多量子阱层，生长在所述AlGaN多量子阱层上的电子阻挡层，生长在所述电子阻挡层上的p型掺杂GaN薄膜；
所述GaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第一沟槽；
所述AlGaN缓冲层的下部沉积在所述第一沟槽内，所述AlGaN缓冲层的上部形成有阵列排布的第二沟槽；所述第一沟槽和所述第二沟槽在垂直方向上不重叠；
所述非掺杂AlGaN层的下部沉积在所述第二沟槽内。
2.如权利要求1所述的生长在Si衬底上的紫外LED外延片，其特征在于，所述第一沟槽为顶部宽度大于底部宽度的第一梯形条纹沟槽，所述第一梯形条纹沟槽的深度为50～80nm，顶部宽度为100～200nm，底部宽度为50～100nm，间隔为100～200nm；所述第二沟槽为顶部宽度大于底部宽度的第二梯形条纹沟槽，所述第二梯形条纹沟槽的深度为100～150nm，顶部宽度为100～200nm，底部宽度为50～100nm，间隔为100～200nm。
3.如权利要求1所述的生长在Si衬底上的紫外LED外延片，其特征在于，所述Si衬底为Si(111)晶向衬底；所述AlN缓冲层厚度为5～50nm；所述GaN缓冲层的厚度为100～300nm；所述AlGaN缓冲层的厚度为300～500nm；所述非掺杂AlGaN层的厚度为500～800nm；所述n型掺杂AlGaN层掺杂有Si，Si掺杂浓度为1×1017～1×1020cm-3，所述n型掺杂AlGaN层的厚度为3～5μm；所述AlGaN多量子阱层为7～10个周期的Al0.1Ga0.9N阱层和Al0.25Ga0.75N垒层，其中Al0.1Ga0.9N阱层的厚度为2～3nm，Al0.25Ga0.75N垒层的厚度为10～13nm；所述电子阻挡层为Al0.15Ga0.85N电子阻挡层，所述电子阻挡层的厚度为20～50nm；所述p型掺杂GaN薄膜的厚度为300～350nm。
4.一种如权利要1-3任一项所述的生长在Si衬底上的紫外LED外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
衬底选取步骤：选取Si衬底；
AlN缓冲层生长步骤：在所述Si衬底上生长AlN缓冲层；
GaN缓冲层外延生长步骤：在所述AlN缓冲层上外延生长GaN缓冲层；
AlGaN缓冲层外延生长步骤：对所述GaN缓冲层进行刻蚀，在所述GaN缓冲层的上部刻蚀出阵列排布的第一沟槽；接着，在所述GaN缓冲层上生长AlGaN缓冲层，所述AlGaN缓冲层的下部沉积在所述第一沟槽内；
非掺杂AlGaN层外延生长步骤：对所述AlGaN缓冲层进行刻蚀，在所述AlGaN缓冲层的上部刻蚀出阵列排布的第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽在垂直方向上不重叠；接着，在所述AlGaN缓冲层上生长非掺杂AlGaN层，所述非掺杂AlGaN层的下部沉积在所述第二沟槽内；
n型掺杂AlGaN层外延生长步骤：在所述非掺杂AlGaN层上外延生长n型掺杂AlGaN层；
AlGaN多量子阱层外延生长步骤：在所述n型掺杂AlGaN层上外延生长AlGaN多量子阱层；
电子阻挡层外延生长步骤：在所述AlGaN多量子阱层上外延生长电子阻挡层；
p型掺杂GaN薄膜外延生长步骤：在所述电子阻挡层上外延生长p型掺杂GaN薄膜。
5.如权利要求4所述的生长在Si衬底上的紫外LED外延片的制备方法，其特征在于，在所述AlN缓冲层生长步骤中，采用磁控溅射法生长AlN缓冲层，生长温度为400～500℃，所述AlN缓冲层的厚度为5～50nm；
在所述GaN缓冲层外延生长步骤中，采用分子束外延生长法在所述AlN缓冲层上生长GaN缓冲层，衬底温度为500～600℃，反应室的压力为4.0～5.0×10-5Pa，束流比V/III值为30～40，生长速度为0.6～0.8ML/s。
6.如权利要求4所述的生长在Si衬底上的紫外LED外延片的制备方法，其特征在于，在所述AlGaN缓冲层外延生长步骤中，采用ICP对所述GaN缓冲层进行刻蚀，刻蚀出顶部宽度大于底部宽度的第一梯形条纹沟槽，所述第一梯形条纹沟槽的深度为50～80nm，顶部宽度为100～200nm，底部宽度为50～100nm，间隔为100～200nm；接着，采用金属有机化学气相沉积法在所述GaN缓冲层上生长AlGaN缓冲层，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h；
在所述非掺杂AlGaN层外延生长步骤中，采用ICP对所述AlGaN缓冲层进行刻蚀，刻蚀出顶部宽度大于底部宽度的第二梯形条纹沟槽，所述第二梯形条纹沟槽的深度为100～150nm，顶部宽度为100～200nm，底部宽度为50～100nm，间隔为100～200nm，所述第二梯形条纹沟槽与所述第一梯形条纹沟槽在垂直方向上不重叠；接着，采用金属有机化学气相沉积法在所述AlGaN缓冲层上生长非掺杂AlGaN层，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h。
7.如权利要求4所述的生长在Si衬底上的紫外LED外延片的制备方法，其特征在于，在所述n型掺杂AlGaN层外延生长步骤中，采用金属有机化学气相沉积法在所述非掺杂AlGaN层上生长n型掺杂AlGaN层，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h；所述n型掺杂AlGaN层掺杂有Si，Si掺杂浓度为1×1017～1×1020cm-3。
8.如权利要求4所述的生长在Si衬底上的紫外LED外延片的制备方法，其特征在于，在所述AlGaN多量子阱层外延生长步骤中，采用金属有机化学气相沉积法在所述n型掺杂AlGaN层上生长7～10个周期的Al0.1Ga0.9N阱层/Al0.25Ga0.75N垒层，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h。
9.如权利要求4所述的生长在Si衬底上的紫外LED外延片的制备方法，其特征在于，在所述电子阻挡层外延生长步骤中，采用金属有机化学气相沉积法在所述AlGaN多量子阱层上生长Al0.15Ga0.85N电子阻挡层，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h。
10.如权利要求4所述的生长在Si衬底上的紫外LED外延片的制备方法，其特征在于，在所述p型掺杂GaN薄膜外延生长步骤中，采用金属有机化学气相沉积法在所述电子阻挡层上生长p型掺杂GaN薄膜，工艺条件为：反应室压力为50～300torr，Si衬底温度为1000～1060℃，束流比Ⅴ/Ⅲ为3000～5000，生长速率为2～4μm/h。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115602724A (zh) * 2022-11-30 2023-01-13 江苏能华微电子科技发展有限公司（Cn） 一种异质结场效应晶体管的外延结构及其制备方法
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023087543A1 (zh) * 2021-11-19 2023-05-25 华南理工大学 N极性GaN/AlGaN异质结外延结构及其制备方法
CN115602724A (zh) * 2022-11-30 2023-01-13 江苏能华微电子科技发展有限公司（Cn） 一种异质结场效应晶体管的外延结构及其制备方法
CN115602724B (zh) * 2022-11-30 2023-03-28 江苏能华微电子科技发展有限公司 一种异质结场效应晶体管的外延结构及其制备方法
CN117393670A (zh) * 2023-12-08 2024-01-12 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、led

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