JP2003037287A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JP2003037287A JP2003037287A JP2001225326A JP2001225326A JP2003037287A JP 2003037287 A JP2003037287 A JP 2003037287A JP 2001225326 A JP2001225326 A JP 2001225326A JP 2001225326 A JP2001225326 A JP 2001225326A JP 2003037287 A JP2003037287 A JP 2003037287A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板にシリコン基板を用い、高い発光強度を
得ることができる発光素子を提供する。 【解決手段】 発光素子１は、シリコン基板５と、シリ
コン基板５上に形成され、ガリウムとインジウムとを含
む窒化アルミニウム層６と、窒化アルミニウム層６上に
形成され、ガリウムとインジウムとを含む反応源供給層
７と、反応源供給層７上に形成された発光機能層８とを
備えている。シリコン基板５は、その上面が（１１１）
結晶面のジャスト基板が用いられている。
得ることができる発光素子を提供する。 【解決手段】 発光素子１は、シリコン基板５と、シリ
コン基板５上に形成され、ガリウムとインジウムとを含
む窒化アルミニウム層６と、窒化アルミニウム層６上に
形成され、ガリウムとインジウムとを含む反応源供給層
７と、反応源供給層７上に形成された発光機能層８とを
備えている。シリコン基板５は、その上面が（１１１）
結晶面のジャスト基板が用いられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子に関し、
詳しくは、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素
子に関する。
詳しくは、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】発光素子の発光機能層に、ＩｎｘＡｌｙ
Ｇａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋
ｙ≦１）等の窒化ガリウム系化合物半導体を用いると、
紫外から緑色までの波長帯の光を発光できることから、
窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子が近年注
目されている。このような発光素子は、一般に、サファ
イアまたはシリコンカーバイドから形成された基板上
に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光機能層を
積層し、基板をダイシング、スクライビング、または劈
開することにより形成されている。
Ｇａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋
ｙ≦１）等の窒化ガリウム系化合物半導体を用いると、
紫外から緑色までの波長帯の光を発光できることから、
窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子が近年注
目されている。このような発光素子は、一般に、サファ
イアまたはシリコンカーバイドから形成された基板上
に、窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光機能層を
積層し、基板をダイシング、スクライビング、または劈
開することにより形成されている。
【０００３】しかし、サファイアやシリコンカーバイド
から形成された基板は硬質であるため、ダイシング等を
容易に行うことができず、発光素子の生産性が悪くなっ
てしまうという問題があった。また、サファイアやシリ
コンカーバイドから形成された基板は高価であり、材料
コスト面からも問題があった。
から形成された基板は硬質であるため、ダイシング等を
容易に行うことができず、発光素子の生産性が悪くなっ
てしまうという問題があった。また、サファイアやシリ
コンカーバイドから形成された基板は高価であり、材料
コスト面からも問題があった。
【０００４】このため、発光素子の基板をサファイアや
シリコンカーバイドではなく、シリコンによって構成
し、シリコン基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から
なる発光機能層を積層して、発光素子を製造する試みが
なされている。
シリコンカーバイドではなく、シリコンによって構成
し、シリコン基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から
なる発光機能層を積層して、発光素子を製造する試みが
なされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、発光素子の
基板にシリコン基板を用い、このシリコン基板上に、ガ
リウム砒素（ＧａＡｓ）、インジウムリン（ＩｎＰ）、
アルミニウム砒素（ＡｌＡｓ）のような有極性半導体を
ヘテロエピタキシャル成長させると、シリコン基板上に
ゲルマニウム（Ｇｅ）等の無極性半導体をヘテロエピタ
キシャル成長させる場合と異なり、アンチフェイズドメ
イン（ＡＰＤ）が発生するおそれがある。アンチフェイ
ズドメインが発生すると、半導体の諸特性が劣化してし
まうことから、アンチフェイズドメインを抑制する様々
な方法が検討されている。
基板にシリコン基板を用い、このシリコン基板上に、ガ
リウム砒素（ＧａＡｓ）、インジウムリン（ＩｎＰ）、
アルミニウム砒素（ＡｌＡｓ）のような有極性半導体を
ヘテロエピタキシャル成長させると、シリコン基板上に
ゲルマニウム（Ｇｅ）等の無極性半導体をヘテロエピタ
キシャル成長させる場合と異なり、アンチフェイズドメ
イン（ＡＰＤ）が発生するおそれがある。アンチフェイ
ズドメインが発生すると、半導体の諸特性が劣化してし
まうことから、アンチフェイズドメインを抑制する様々
な方法が検討されている。
【０００６】アンチフェイズドメインを抑制するため、
例えば、特開平５−２７５２９７号公報には、シリコン
基板をジャスト面から２方向以上に３度〜５度傾斜させ
て、ＧａＡｓをエピタキシャル成長させる技術が開示さ
れている。また、特開平５−３２６４０１号公報には、
微傾斜させた基板上にＧａＡｓを成長させるように、オ
フしたシリコン基板上にＧａＡｓをエピタキシャル成長
させることにより、無極性基板上に有極性の半導体を成
長させる技術が開示されている。ここで、オフしたシリ
コン基板とは、結晶の特定の結晶面をある方向に傾斜さ
せた傾斜面を有するステップ構造とし、この傾斜面を半
導体層の成長面としたシリコン基板をいう。このため、
ＧａＡｓ等と同様のIII−Ｖ族化合物半導体である窒化
ガリウム系化合物半導体層を形成するにあたっても同様
にオフしたシリコン基板を使用することが試みられてい
る。
例えば、特開平５−２７５２９７号公報には、シリコン
基板をジャスト面から２方向以上に３度〜５度傾斜させ
て、ＧａＡｓをエピタキシャル成長させる技術が開示さ
れている。また、特開平５−３２６４０１号公報には、
微傾斜させた基板上にＧａＡｓを成長させるように、オ
フしたシリコン基板上にＧａＡｓをエピタキシャル成長
させることにより、無極性基板上に有極性の半導体を成
長させる技術が開示されている。ここで、オフしたシリ
コン基板とは、結晶の特定の結晶面をある方向に傾斜さ
せた傾斜面を有するステップ構造とし、この傾斜面を半
導体層の成長面としたシリコン基板をいう。このため、
ＧａＡｓ等と同様のIII−Ｖ族化合物半導体である窒化
ガリウム系化合物半導体層を形成するにあたっても同様
にオフしたシリコン基板を使用することが試みられてい
る。
【０００７】しかし、このようなオフしたシリコン基板
上に窒化ガリウム系化合物半導体層を積層して形成され
た発光素子は、サファイアやシリコンカーバイドの基板
上に窒化ガリウム系化合物半導体層を積層して形成され
た発光素子に比較して、発光強度が１／１０００程度に
なり、発光効率が格段に低くなってしまうという問題が
あった。
上に窒化ガリウム系化合物半導体層を積層して形成され
た発光素子は、サファイアやシリコンカーバイドの基板
上に窒化ガリウム系化合物半導体層を積層して形成され
た発光素子に比較して、発光強度が１／１０００程度に
なり、発光効率が格段に低くなってしまうという問題が
あった。
【０００８】また、発光素子の基板にシリコン基板を用
いる場合には、シリコン基板上に結晶性の良好な窒化ガ
リウム系化合物半導体からなる発光機能層を形成するた
めに、シリコン基板上に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）か
らなるバッファ層を介して発光機能層を形成している。
しかし、窒化アルミニウムのバンドギャップが広いた
め、バッファ層がシリコン基板と発光機能層との間に電
位障壁を形成し、発光素子の駆動電圧が高くなってしま
うという問題がある。
いる場合には、シリコン基板上に結晶性の良好な窒化ガ
リウム系化合物半導体からなる発光機能層を形成するた
めに、シリコン基板上に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）か
らなるバッファ層を介して発光機能層を形成している。
しかし、窒化アルミニウムのバンドギャップが広いた
め、バッファ層がシリコン基板と発光機能層との間に電
位障壁を形成し、発光素子の駆動電圧が高くなってしま
うという問題がある。
【０００９】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
であり、基板にシリコン基板を用い、高い発光強度を得
ることができる発光素子を提供することを目的とする。
また、本発明は、シリコン基板上に結晶性の良好な発光
機能層を形成でき、駆動電圧を低減することができると
ともに、高い発光強度を得ることができる発光素子を提
供することを目的とする。
であり、基板にシリコン基板を用い、高い発光強度を得
ることができる発光素子を提供することを目的とする。
また、本発明は、シリコン基板上に結晶性の良好な発光
機能層を形成でき、駆動電圧を低減することができると
ともに、高い発光強度を得ることができる発光素子を提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の観点にかかる発光素子は、上面が
（１１１）結晶面のジャスト基板であるシリコン基板
と、前記シリコン基板上に形成された窒化物系化合物半
導体層と、を備える、ことを特徴とする。
め、本発明の第１の観点にかかる発光素子は、上面が
（１１１）結晶面のジャスト基板であるシリコン基板
と、前記シリコン基板上に形成された窒化物系化合物半
導体層と、を備える、ことを特徴とする。
【００１１】この構成によれば、シリコン基板は、その
上面が（１１１）結晶面のジャスト基板である。このた
め、シリコン基板の上面は平坦で面方位が傾斜しておら
ず、シリコン基板の上面に段差が生じなくなる。
上面が（１１１）結晶面のジャスト基板である。このた
め、シリコン基板の上面は平坦で面方位が傾斜しておら
ず、シリコン基板の上面に段差が生じなくなる。
【００１２】本発明の第２の観点にかかる発光素子は、
上面が（１１１）結晶面に対して±２度の範囲内で傾斜
させた傾斜面を有するシリコン基板と、前記シリコン基
板の傾斜面上に形成された窒化物系化合物半導体層と、
を備える、ことを特徴とする。
上面が（１１１）結晶面に対して±２度の範囲内で傾斜
させた傾斜面を有するシリコン基板と、前記シリコン基
板の傾斜面上に形成された窒化物系化合物半導体層と、
を備える、ことを特徴とする。
【００１３】この構成によれば、シリコン基板は、その
上面に（１１１）結晶面に対して±２度の範囲内で傾斜
させた傾斜面を有する。このため、シリコン基板の上面
に発光素子形成に悪影響を及ぼすような大きな段差が生
じなくなる。
上面に（１１１）結晶面に対して±２度の範囲内で傾斜
させた傾斜面を有する。このため、シリコン基板の上面
に発光素子形成に悪影響を及ぼすような大きな段差が生
じなくなる。
【００１４】前記シリコン基板と前記窒化物系化合物半
導体層との間に、ガリウムとインジウムとを含む窒化ア
ルミニウム層が形成され、前記窒化物系化合物半導体層
は、ガリウムとインジウムとを含む第１窒化物系化合物
半導体層と、発光機能を有する第２窒化物系化合物半導
体層とを備え、前記窒化アルミニウム層上に前記第１窒
化物系化合物半導体層が形成され、該第１窒化物系化合
物半導体層上に前記第２窒化物系化合物半導体層が形成
されていることが好ましい。窒化アルミニウム層にガリ
ウムとインジウムとが含まれているので、発光素子の駆
動電圧が低減される。また、シリコン基板と第１窒化物
系化合物半導体層との間に窒化アルミニウム層が形成さ
れているので、シリコン基板上の第１窒化物系化合物半
導体層及び第２窒化物系化合物半導体層の結晶性が良好
になる。
導体層との間に、ガリウムとインジウムとを含む窒化ア
ルミニウム層が形成され、前記窒化物系化合物半導体層
は、ガリウムとインジウムとを含む第１窒化物系化合物
半導体層と、発光機能を有する第２窒化物系化合物半導
体層とを備え、前記窒化アルミニウム層上に前記第１窒
化物系化合物半導体層が形成され、該第１窒化物系化合
物半導体層上に前記第２窒化物系化合物半導体層が形成
されていることが好ましい。窒化アルミニウム層にガリ
ウムとインジウムとが含まれているので、発光素子の駆
動電圧が低減される。また、シリコン基板と第１窒化物
系化合物半導体層との間に窒化アルミニウム層が形成さ
れているので、シリコン基板上の第１窒化物系化合物半
導体層及び第２窒化物系化合物半導体層の結晶性が良好
になる。
【００１５】前記シリコン基板の上面を含む領域に、ガ
リウムとインジウムとシリコンとを主成分とする金属化
合物領域が形成され、前記金属化合物領域上に窒化アル
ミニウム層が形成され、前記窒化物系化合物半導体層
は、ガリウムとインジウムとを含む第１窒化物系化合物
半導体層と、発光機能を有する第２窒化物系化合物半導
体層とを備え、前記窒化アルミニウム層上に前記第１窒
化物系化合物半導体層が形成され、該第１窒化物系化合
物半導体層上に前記第２窒化物系化合物半導体層が形成
されていることが好ましい。シリコン基板の上面を含む
領域に、ガリウムとインジウムとシリコンとを主成分と
する金属化合物領域が形成されているので、発光素子の
駆動電圧が低減される。また、シリコン基板と第１窒化
物系化合物半導体層との間に窒化アルミニウム層が形成
されているので、シリコン基板上の第１窒化物系化合物
半導体層及び第２窒化物系化合物半導体層の結晶性が良
好になる。
リウムとインジウムとシリコンとを主成分とする金属化
合物領域が形成され、前記金属化合物領域上に窒化アル
ミニウム層が形成され、前記窒化物系化合物半導体層
は、ガリウムとインジウムとを含む第１窒化物系化合物
半導体層と、発光機能を有する第２窒化物系化合物半導
体層とを備え、前記窒化アルミニウム層上に前記第１窒
化物系化合物半導体層が形成され、該第１窒化物系化合
物半導体層上に前記第２窒化物系化合物半導体層が形成
されていることが好ましい。シリコン基板の上面を含む
領域に、ガリウムとインジウムとシリコンとを主成分と
する金属化合物領域が形成されているので、発光素子の
駆動電圧が低減される。また、シリコン基板と第１窒化
物系化合物半導体層との間に窒化アルミニウム層が形成
されているので、シリコン基板上の第１窒化物系化合物
半導体層及び第２窒化物系化合物半導体層の結晶性が良
好になる。
【００１６】前記窒化アルミニウム層は、前記第１窒化
物系化合物半導体層から拡散されるガリウム及びインジ
ウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成されている
ことが好ましい。この場合、さらにシリコン基板上の第
１窒化物系化合物半導体層及び第２窒化物系化合物半導
体層の結晶性が良好になる。
物系化合物半導体層から拡散されるガリウム及びインジ
ウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成されている
ことが好ましい。この場合、さらにシリコン基板上の第
１窒化物系化合物半導体層及び第２窒化物系化合物半導
体層の結晶性が良好になる。
【００１７】前記第１窒化物系化合物半導体層は、所定
量のガリウム及びインジウムを拡散可能な厚さに形成さ
れていることが好ましい。
量のガリウム及びインジウムを拡散可能な厚さに形成さ
れていることが好ましい。
【００１８】前記第１窒化物系化合物半導体層は、前記
第２窒化物系化合物半導体層の一部を構成することが好
ましい。この場合、発光素子が簡易な構造になる。
第２窒化物系化合物半導体層の一部を構成することが好
ましい。この場合、発光素子が簡易な構造になる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の発光
素子について説明する。図１に本実施の形態の発光素子
の構造を示す。図１に示すように、発光素子１は、半導
体基体２と、半導体基体２の上面に電気的に接続された
アノード電極３と、半導体基体２の下面に電気的に接続
されたカソード電極４とを備えている。
素子について説明する。図１に本実施の形態の発光素子
の構造を示す。図１に示すように、発光素子１は、半導
体基体２と、半導体基体２の上面に電気的に接続された
アノード電極３と、半導体基体２の下面に電気的に接続
されたカソード電極４とを備えている。
【００２０】半導体基体２は、シリコン基板５と、シリ
コン基板５上に形成され、ガリウムとインジウムとを含
む窒化アルミニウム層６と、窒化アルミニウム層６上に
形成され、ガリウムとインジウムとを含む第１窒化物系
化合物半導体層としての反応源供給層７と、反応源供給
層７上に形成された第２窒化物系化合物半導体層として
の発光機能層８とを備えている。
コン基板５上に形成され、ガリウムとインジウムとを含
む窒化アルミニウム層６と、窒化アルミニウム層６上に
形成され、ガリウムとインジウムとを含む第１窒化物系
化合物半導体層としての反応源供給層７と、反応源供給
層７上に形成された第２窒化物系化合物半導体層として
の発光機能層８とを備えている。
【００２１】シリコン基板５は、ｎ形導電形の不純物、
例えば、砒素（Ａｓ）が５×１０１ ８ｃｍ−３〜５×１
０１９ｃｍ−３程度の比較的高濃度にドープされたｎ＋
形のシリコン単結晶基板から構成されている。そして、
その抵抗率は０．００１Ω・ｃｍ〜０．０１Ω・ｃｍ程
度に形成されている。このため、シリコン基板５は、実
質的に導電体であり、カソード電極４とともに電極とし
て機能する。また、シリコン基板５は、発光機能層８等
の支持部材として機能し、発光機能層８等を良好に支持
できるように、例えば、３５０μｍ程度の厚みに形成さ
れている。
例えば、砒素（Ａｓ）が５×１０１ ８ｃｍ−３〜５×１
０１９ｃｍ−３程度の比較的高濃度にドープされたｎ＋
形のシリコン単結晶基板から構成されている。そして、
その抵抗率は０．００１Ω・ｃｍ〜０．０１Ω・ｃｍ程
度に形成されている。このため、シリコン基板５は、実
質的に導電体であり、カソード電極４とともに電極とし
て機能する。また、シリコン基板５は、発光機能層８等
の支持部材として機能し、発光機能層８等を良好に支持
できるように、例えば、３５０μｍ程度の厚みに形成さ
れている。
【００２２】また、本実施の形態のシリコン基板５は、
その上面が（１１１）結晶面のジャスト基板が用いられ
ている。ここで、ジャスト基板とは、面方位が傾斜され
ていない基板、すなわち、基板上面が半導体の一結晶面
で形成された半導体基板をいう。また、（１１１）結晶
面はシリコン面方位の中では最密面であり、（１１１）
結晶面の原子ステップがなく、平坦な面である。
その上面が（１１１）結晶面のジャスト基板が用いられ
ている。ここで、ジャスト基板とは、面方位が傾斜され
ていない基板、すなわち、基板上面が半導体の一結晶面
で形成された半導体基板をいう。また、（１１１）結晶
面はシリコン面方位の中では最密面であり、（１１１）
結晶面の原子ステップがなく、平坦な面である。
【００２３】窒化アルミニウム層６は、このシリコン基
板５の（１１１）結晶面上に形成されている。窒化アル
ミニウム層６は、窒化アルミニウムに、後述する反応源
供給層７から拡散されたガリウム（Ｇａ）とインジウム
（Ｉｎ）とが含まれている。この窒化アルミニウム層６
は、シリコン基板５上に窒化物系化合物半導体（反応源
供給層７、発光機能層８）を膜成長させるためのバッフ
ァ層として機能する。本実施の形態では、シリコン基板
５が（１１１）結晶面のジャスト基板であるが、シリコ
ン基板５の表面に、窒化物系化合物半導体、例えば、Ｇ
ａＮ、ＧａＩｎＮからなる発光機能層８を直接、良好に
膜成長させることは困難である。しかし、バッファ層と
して機能する窒化アルミニウム層６を介して形成させる
ことにより、シリコン基板５上に窒化物系化合物半導体
を膜成長させることができる。これは、窒化アルミニウ
ム層６はシリコン基板５の面方位を受け継ぐことがで
き、窒化アルミニウム層６を介することで、シリコン基
板５上に結晶性の良好な窒化ガリウム系化合物半導体層
を形成することができるためである。
板５の（１１１）結晶面上に形成されている。窒化アル
ミニウム層６は、窒化アルミニウムに、後述する反応源
供給層７から拡散されたガリウム（Ｇａ）とインジウム
（Ｉｎ）とが含まれている。この窒化アルミニウム層６
は、シリコン基板５上に窒化物系化合物半導体（反応源
供給層７、発光機能層８）を膜成長させるためのバッフ
ァ層として機能する。本実施の形態では、シリコン基板
５が（１１１）結晶面のジャスト基板であるが、シリコ
ン基板５の表面に、窒化物系化合物半導体、例えば、Ｇ
ａＮ、ＧａＩｎＮからなる発光機能層８を直接、良好に
膜成長させることは困難である。しかし、バッファ層と
して機能する窒化アルミニウム層６を介して形成させる
ことにより、シリコン基板５上に窒化物系化合物半導体
を膜成長させることができる。これは、窒化アルミニウ
ム層６はシリコン基板５の面方位を受け継ぐことがで
き、窒化アルミニウム層６を介することで、シリコン基
板５上に結晶性の良好な窒化ガリウム系化合物半導体層
を形成することができるためである。
【００２４】窒化アルミニウム層６は、反応源供給層７
から拡散されるガリウム及びインジウムの拡散開始時期
を遅延可能な厚さに形成されている。ここで、拡散開始
時期を遅延可能な厚さとは、反応源供給層７を形成する
初期段階において、反応源供給層７から供給されるガリ
ウム及びインジウムが窒化アルミニウム層６に拡散する
ことを抑制可能な厚さをいい、窒化アルミニウム層６
は、例えば、１ｎｍ〜６ｎｍの厚さに形成されているこ
とが好ましい。
から拡散されるガリウム及びインジウムの拡散開始時期
を遅延可能な厚さに形成されている。ここで、拡散開始
時期を遅延可能な厚さとは、反応源供給層７を形成する
初期段階において、反応源供給層７から供給されるガリ
ウム及びインジウムが窒化アルミニウム層６に拡散する
ことを抑制可能な厚さをいい、窒化アルミニウム層６
は、例えば、１ｎｍ〜６ｎｍの厚さに形成されているこ
とが好ましい。
【００２５】反応源供給層７は、窒化アルミニウム層６
上に形成されている。反応源供給層７は、ＩｎｘＡｌ
１−ｘ−ｙＧａｙＮ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１、０＜ｘ
＋ｙ≦１）から構成されている。すなわち、反応源供給
層７は、インジウム（Ｉｎ）とガリウム（Ｇａ）とを必
須の構成元素とする窒化物系化合物半導体であり、本実
施の形態ではｎ形Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｎから構成され
ている。
上に形成されている。反応源供給層７は、ＩｎｘＡｌ
１−ｘ−ｙＧａｙＮ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１、０＜ｘ
＋ｙ≦１）から構成されている。すなわち、反応源供給
層７は、インジウム（Ｉｎ）とガリウム（Ｇａ）とを必
須の構成元素とする窒化物系化合物半導体であり、本実
施の形態ではｎ形Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｎから構成され
ている。
【００２６】この反応源供給層７は、膜中に含まれてい
るガリウム及びインジウムを窒化アルミニウム層６に拡
散するためのガリウム及びインジウムの供給源として機
能する。このため、反応源供給層７の厚さは、窒化アル
ミニウム層６に必要な量のガリウム及びインジウムが拡
散できる所定厚、例えば、１ｎｍ以上にすることが好ま
しい。ただし、反応源供給層７をあまり厚くしすぎる
と、反応源供給層７とシリコン基板５との線膨張係数差
に起因するクラックが反応源供給層７に生じるおそれが
ある。反応源供給層７にクラックが発生すると、反応源
供給層７上に形成される発光機能層８の結晶性を損なう
原因となるため、反応源供給層７の厚さは、１００ｎｍ
以下に設定することが好ましい。本実施の形態では、反
応源供給層７の厚さを３０ｎｍに形成している。
るガリウム及びインジウムを窒化アルミニウム層６に拡
散するためのガリウム及びインジウムの供給源として機
能する。このため、反応源供給層７の厚さは、窒化アル
ミニウム層６に必要な量のガリウム及びインジウムが拡
散できる所定厚、例えば、１ｎｍ以上にすることが好ま
しい。ただし、反応源供給層７をあまり厚くしすぎる
と、反応源供給層７とシリコン基板５との線膨張係数差
に起因するクラックが反応源供給層７に生じるおそれが
ある。反応源供給層７にクラックが発生すると、反応源
供給層７上に形成される発光機能層８の結晶性を損なう
原因となるため、反応源供給層７の厚さは、１００ｎｍ
以下に設定することが好ましい。本実施の形態では、反
応源供給層７の厚さを３０ｎｍに形成している。
【００２７】発光機能層８は、反応源供給層７上に形成
されている。発光機能層８は、ｎ形クラッド層９と、活
性層１０と、ｐ形クラッド層１１とが順次積層された構
成に形成されている。
されている。発光機能層８は、ｎ形クラッド層９と、活
性層１０と、ｐ形クラッド層１１とが順次積層された構
成に形成されている。
【００２８】ｎ形クラッド層９は反応源供給層７上に形
成され、その厚さが５００ｎｍのｎ形ＧａＮからなるｎ
形半導体領域である。活性層１０はｎ形クラッド層９上
に形成され、その厚さが３ｎｍのＧａＩｎＮから構成さ
れている。ｐ形クラッド層１１は活性層１０上に形成さ
れ、その厚さが５００ｎｍのｐ形ＧａＮからなるｐ形半
導体領域である。
成され、その厚さが５００ｎｍのｎ形ＧａＮからなるｎ
形半導体領域である。活性層１０はｎ形クラッド層９上
に形成され、その厚さが３ｎｍのＧａＩｎＮから構成さ
れている。ｐ形クラッド層１１は活性層１０上に形成さ
れ、その厚さが５００ｎｍのｐ形ＧａＮからなるｐ形半
導体領域である。
【００２９】アノード電極３は、ｐ形クラッド層１１の
上面に、例えば、低抵抗性接触して形成されている。ア
ノード電極３は、例えば、ニッケルと金を真空蒸着して
形成されている。また、カソード電極４は、シリコン基
板５の下面に、例えば、低抵抗性接触して形成されてい
る。カソード電極４は、例えば、チタンとアルミニウム
とを真空蒸着して形成されている。アノード電極３及び
カソード電極４は、他の金属材料により形成することも
可能であり、例えば、カソード電極４は、チタンと金ゲ
ルマニウムニッケル合金と金とが順次積層されてなる電
極を用いてもよい。
上面に、例えば、低抵抗性接触して形成されている。ア
ノード電極３は、例えば、ニッケルと金を真空蒸着して
形成されている。また、カソード電極４は、シリコン基
板５の下面に、例えば、低抵抗性接触して形成されてい
る。カソード電極４は、例えば、チタンとアルミニウム
とを真空蒸着して形成されている。アノード電極３及び
カソード電極４は、他の金属材料により形成することも
可能であり、例えば、カソード電極４は、チタンと金ゲ
ルマニウムニッケル合金と金とが順次積層されてなる電
極を用いてもよい。
【００３０】次に、以上のように構成された発光素子１
の製造方法について、図２に示すタイムシーケンスを参
照して説明する。
の製造方法について、図２に示すタイムシーケンスを参
照して説明する。
【００３１】まず、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemic
al Vapor Deposition）装置の反応室内に、洗浄等の前
処理を施したシリコン基板５を配置する。シリコン基板
５は、前述したように、その上面が（１１１）結晶面の
ジャスト基板である。このため、シリコン基板５の上面
は平坦で傾斜されておらず、上面に段差が生じていな
い。そして、シリコン基板５に１１２０℃で１０分程度
の熱処理を施し、その表面をサーマルクリーニングして
表面の酸化膜を完全に除去する（サーマルクリーニング
工程）。
al Vapor Deposition）装置の反応室内に、洗浄等の前
処理を施したシリコン基板５を配置する。シリコン基板
５は、前述したように、その上面が（１１１）結晶面の
ジャスト基板である。このため、シリコン基板５の上面
は平坦で傾斜されておらず、上面に段差が生じていな
い。そして、シリコン基板５に１１２０℃で１０分程度
の熱処理を施し、その表面をサーマルクリーニングして
表面の酸化膜を完全に除去する（サーマルクリーニング
工程）。
【００３２】次に、シリコン基板５の表面に水素終端処
理を施す（水素終端処理工程）。水素終端処理とは、シ
リコン基板５の表面のダングリングボンド、すなわちシ
リコンの４つの結合手のうちで、結合に使用されていな
い結合手（ボンド）に水素を結合させる処理である。
理を施す（水素終端処理工程）。水素終端処理とは、シ
リコン基板５の表面のダングリングボンド、すなわちシ
リコンの４つの結合手のうちで、結合に使用されていな
い結合手（ボンド）に水素を結合させる処理である。
【００３３】続いて、ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、ト
リメチルアルミニウムガス（ＴＭＡガス）を所定量、例
えば、６３μｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニアガス（Ｎ
Ｈ３）を所定量、例えば、０．１４ｍｏｌ／ｍｉｎ供給
して、シリコン基板５の上面に所定厚の窒化アルミニウ
ムからなる窒化アルミニウム層６を形成する（窒化アル
ミニウム層形成工程）。
リメチルアルミニウムガス（ＴＭＡガス）を所定量、例
えば、６３μｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニアガス（Ｎ
Ｈ３）を所定量、例えば、０．１４ｍｏｌ／ｍｉｎ供給
して、シリコン基板５の上面に所定厚の窒化アルミニウ
ムからなる窒化アルミニウム層６を形成する（窒化アル
ミニウム層形成工程）。
【００３４】ここで、窒化アルミニウム層６はシリコン
基板５の面方位を受け継ぐことができるので、窒化アル
ミニウム層６の上面は平坦で傾斜されておらず、上面に
段差が生じていない。
基板５の面方位を受け継ぐことができるので、窒化アル
ミニウム層６の上面は平坦で傾斜されておらず、上面に
段差が生じていない。
【００３５】また、窒化アルミニウム層６を、反応源供
給層７から供給されるガリウム及びインジウムの拡散開
始時期を遅延可能な厚さ、例えば、１ｎｍ〜６ｎｍに形
成することが好ましい。窒化アルミニウム層６が１ｎｍ
より薄い場合には、窒化アルミニウム層６の上面に窒化
ガリウム系化合物半導体（反応源供給層７）を堆積形成
する間（反応源供給層７を形成する初期段階）に、堆積
された反応源供給層７からガリウム及びインジウムが窒
化アルミニウム層６に拡散する。このため、成長直後の
反応源供給層７の結晶性が劣化し、これを核として成長
する発光機能層８等の結晶性が全体的に低下してしまう
おそれが生じる。また、窒化アルミニウム層６がバッフ
ァ層としての本来の機能を果たさなくなってしまうおそ
れが生じる。一方、窒化アルミニウム層６が６ｎｍより
厚い場合には、反応源供給層７を形成する初期段階以降
に、反応源供給層７から窒化アルミニウム層６の下部に
までガリウム及びインジウムが拡散されないおそれが生
じる。本実施の形態では、窒化アルミニウム層６の厚さ
を３ｎｍに形成している。
給層７から供給されるガリウム及びインジウムの拡散開
始時期を遅延可能な厚さ、例えば、１ｎｍ〜６ｎｍに形
成することが好ましい。窒化アルミニウム層６が１ｎｍ
より薄い場合には、窒化アルミニウム層６の上面に窒化
ガリウム系化合物半導体（反応源供給層７）を堆積形成
する間（反応源供給層７を形成する初期段階）に、堆積
された反応源供給層７からガリウム及びインジウムが窒
化アルミニウム層６に拡散する。このため、成長直後の
反応源供給層７の結晶性が劣化し、これを核として成長
する発光機能層８等の結晶性が全体的に低下してしまう
おそれが生じる。また、窒化アルミニウム層６がバッフ
ァ層としての本来の機能を果たさなくなってしまうおそ
れが生じる。一方、窒化アルミニウム層６が６ｎｍより
厚い場合には、反応源供給層７を形成する初期段階以降
に、反応源供給層７から窒化アルミニウム層６の下部に
までガリウム及びインジウムが拡散されないおそれが生
じる。本実施の形態では、窒化アルミニウム層６の厚さ
を３ｎｍに形成している。
【００３６】次に、トリメチルアルミニウムガスの供給
を停止し、シリコン基板５の温度を７００℃まで下げ
る。シリコン基板５の温度が７００℃にまで下がると、
ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、トリメチルインジウムガ
ス（ＴＭＩガス）を所定量、例えば、５９μｍｏｌ／ｍ
ｉｎ、トリメチルガリウムガス（ＴＭＧガス）を所定
量、例えば、６．２μｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニアガス
を所定量、例えば、０．２３ｍｏｌ／ｍｉｎ、及びシラ
ンガスを所定量、例えば、２１ｎｍｏｌ／ｍｉｎ供給
し、窒化アルミニウム層６の上面に厚さ約３０ｎｍのｎ
形Ｇａ０．５Ｉｎ０． ５Ｎからなる反応源供給層７を形
成する（反応源供給層形成工程）。なお、シランガスを
供給したのは、反応源供給層７中にｎ形不純物としての
シリコンを導入するためである。
を停止し、シリコン基板５の温度を７００℃まで下げ
る。シリコン基板５の温度が７００℃にまで下がると、
ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、トリメチルインジウムガ
ス（ＴＭＩガス）を所定量、例えば、５９μｍｏｌ／ｍ
ｉｎ、トリメチルガリウムガス（ＴＭＧガス）を所定
量、例えば、６．２μｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニアガス
を所定量、例えば、０．２３ｍｏｌ／ｍｉｎ、及びシラ
ンガスを所定量、例えば、２１ｎｍｏｌ／ｍｉｎ供給
し、窒化アルミニウム層６の上面に厚さ約３０ｎｍのｎ
形Ｇａ０．５Ｉｎ０． ５Ｎからなる反応源供給層７を形
成する（反応源供給層形成工程）。なお、シランガスを
供給したのは、反応源供給層７中にｎ形不純物としての
シリコンを導入するためである。
【００３７】ここで、窒化アルミニウム層６が、反応源
供給層７から供給されるガリウム及びインジウムの拡散
開始時期を遅延可能な厚さに形成されているので、反応
源供給層７を形成する初期段階では、反応源供給層７か
ら供給されるガリウム及びインジウムが窒化アルミニウ
ム層６に拡散しにくくなる。従って、形成される反応源
供給層７の結晶性が劣化することがなくなる。
供給層７から供給されるガリウム及びインジウムの拡散
開始時期を遅延可能な厚さに形成されているので、反応
源供給層７を形成する初期段階では、反応源供給層７か
ら供給されるガリウム及びインジウムが窒化アルミニウ
ム層６に拡散しにくくなる。従って、形成される反応源
供給層７の結晶性が劣化することがなくなる。
【００３８】また、反応源供給層７を形成する初期段階
以降では、図３（ａ）に示すように、既に形成された反
応源供給層７から窒化アルミニウム層６にガリウム及び
インジウムが拡散される。そして、図３（ｂ）に示すよ
うに、窒化アルミニウム層６にはガリウム及びインジウ
ムが拡散される。従って、反応源供給層７を形成しなが
ら、窒化アルミニウム層６にガリウム及びインジウムが
拡散される。
以降では、図３（ａ）に示すように、既に形成された反
応源供給層７から窒化アルミニウム層６にガリウム及び
インジウムが拡散される。そして、図３（ｂ）に示すよ
うに、窒化アルミニウム層６にはガリウム及びインジウ
ムが拡散される。従って、反応源供給層７を形成しなが
ら、窒化アルミニウム層６にガリウム及びインジウムが
拡散される。
【００３９】このように、窒化アルミニウム層６にガリ
ウム及びインジウムが拡散されると、シリコン基板５と
窒化アルミニウム層６との間の電気的接続を良好にする
ことができる。これは、窒化アルミニウム層６にガリウ
ム及びインジウムを拡散させることにより、シリコン基
板５と窒化アルミニウム層６との界面に、結果的にガリ
ウム及びインジウムを含む金属化合物領域等が形成さ
れ、この形成された金属化合物領域等の存在により、シ
リコン基板５と窒化アルミニウム層６との間の電位障壁
を乗り越えやすくなると考えられるためである。
ウム及びインジウムが拡散されると、シリコン基板５と
窒化アルミニウム層６との間の電気的接続を良好にする
ことができる。これは、窒化アルミニウム層６にガリウ
ム及びインジウムを拡散させることにより、シリコン基
板５と窒化アルミニウム層６との界面に、結果的にガリ
ウム及びインジウムを含む金属化合物領域等が形成さ
れ、この形成された金属化合物領域等の存在により、シ
リコン基板５と窒化アルミニウム層６との間の電位障壁
を乗り越えやすくなると考えられるためである。
【００４０】さらに、シリコン基板５と反応源供給層７
との間に、バッファ層として機能する窒化アルミニウム
層６が形成されているので、シリコン基板５上に結晶性
の良好な反応源供給層７を形成することができ、反応源
供給層７の上面に段差が生じにくくなる。
との間に、バッファ層として機能する窒化アルミニウム
層６が形成されているので、シリコン基板５上に結晶性
の良好な反応源供給層７を形成することができ、反応源
供給層７の上面に段差が生じにくくなる。
【００４１】次に、反応源供給層７上に発光機能層８を
形成する。まず、シリコン基板５の温度を１０４０℃ま
で上げる。シリコン基板５の温度が１０４０℃まで上が
ると、ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、トリメチルガリウ
ムガス（ＴＭＧガス）を所定量、例えば、４．３μｍｏ
ｌ／ｍｉｎ、アンモニアガスを所定量、例えば、５３．
６ｍｍｏｌ／ｍｉｎ、シランガスを所定量、例えば、
１．５ｎｍｏｌ／ｍｉｎ供給し、反応源供給層７の上面
にｎ形ＧａＮからなる厚さ約５００ｎｍのｎ形クラッド
層９を形成する（ｎ形クラッド層形成工程）。なお、ｎ
形クラッド層９の不純物濃度は３×１０１８ｃｍ−３で
あり、シリコン基板５の不純物濃度よりも十分に低い。
形成する。まず、シリコン基板５の温度を１０４０℃ま
で上げる。シリコン基板５の温度が１０４０℃まで上が
ると、ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、トリメチルガリウ
ムガス（ＴＭＧガス）を所定量、例えば、４．３μｍｏ
ｌ／ｍｉｎ、アンモニアガスを所定量、例えば、５３．
６ｍｍｏｌ／ｍｉｎ、シランガスを所定量、例えば、
１．５ｎｍｏｌ／ｍｉｎ供給し、反応源供給層７の上面
にｎ形ＧａＮからなる厚さ約５００ｎｍのｎ形クラッド
層９を形成する（ｎ形クラッド層形成工程）。なお、ｎ
形クラッド層９の不純物濃度は３×１０１８ｃｍ−３で
あり、シリコン基板５の不純物濃度よりも十分に低い。
【００４２】次に、シリコン基板５の温度を８００℃ま
で下げる。シリコン基板５の温度が８００℃まで下がる
と、ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、トリメチルガリウム
ガス（ＴＭＧガス）を所定量、例えば、１．１μｍｏｌ
／ｍｉｎ、アンモニアガスを所定量、例えば、６７ｍｍ
ｏｌ／ｍｉｎ、トリメチルインジウムガス（ＴＭＩガ
ス）を所定量、例えば、４．５μｍｏｌ／ｍｉｎ、ビス
シクロペンタジェニルマグネシウムガス（Ｃｐ２Ｍｇガ
ス）を所定量、例えば、１２ｎｍｏｌ／ｍｉｎ供給し、
ｎ形クラッド層９上に厚さ約３ｎｍのｐ形ＧａＩｎＮか
らなる活性層１０を形成する（活性層形成工程）。な
お、ビスシクロペンタジェニルマグネシウムガスを供給
したのは、活性層１０中にｐ形導電形の不純物としての
Ｍｇを導入するためである。また、活性層１０の不純物
濃度は３×１０１７ｃｍ−３である。
で下げる。シリコン基板５の温度が８００℃まで下がる
と、ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、トリメチルガリウム
ガス（ＴＭＧガス）を所定量、例えば、１．１μｍｏｌ
／ｍｉｎ、アンモニアガスを所定量、例えば、６７ｍｍ
ｏｌ／ｍｉｎ、トリメチルインジウムガス（ＴＭＩガ
ス）を所定量、例えば、４．５μｍｏｌ／ｍｉｎ、ビス
シクロペンタジェニルマグネシウムガス（Ｃｐ２Ｍｇガ
ス）を所定量、例えば、１２ｎｍｏｌ／ｍｉｎ供給し、
ｎ形クラッド層９上に厚さ約３ｎｍのｐ形ＧａＩｎＮか
らなる活性層１０を形成する（活性層形成工程）。な
お、ビスシクロペンタジェニルマグネシウムガスを供給
したのは、活性層１０中にｐ形導電形の不純物としての
Ｍｇを導入するためである。また、活性層１０の不純物
濃度は３×１０１７ｃｍ−３である。
【００４３】続いて、シリコン基板５の温度を１０４０
℃まで上げる。シリコン基板５の温度が１０４０℃まで
上がると、ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、トリメチルガ
リウムガス（ＴＭＧガス）を所定量、例えば、４．３μ
ｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニアガスを所定量、例えば、５
３．６μｍｏｌ／ｍｉｎ、ビスシクロペンタジェニルマ
グネシウムガス（Ｃｐ２Ｍｇガス）を所定量、例えば、
０．１２μｍｏｌ／ｍｉｎ供給し、活性層１０上に厚さ
約５００ｎｍのｐ形ＧａＮからなるｐ形クラッド層１１
を形成する（ｐ形クラッド層形成工程）。なお、ｐ形ク
ラッド層１１の不純物濃度は３×１０１８ｃｍ−３であ
る。
℃まで上げる。シリコン基板５の温度が１０４０℃まで
上がると、ＭＯＣＶＤ装置の反応室内に、トリメチルガ
リウムガス（ＴＭＧガス）を所定量、例えば、４．３μ
ｍｏｌ／ｍｉｎ、アンモニアガスを所定量、例えば、５
３．６μｍｏｌ／ｍｉｎ、ビスシクロペンタジェニルマ
グネシウムガス（Ｃｐ２Ｍｇガス）を所定量、例えば、
０．１２μｍｏｌ／ｍｉｎ供給し、活性層１０上に厚さ
約５００ｎｍのｐ形ＧａＮからなるｐ形クラッド層１１
を形成する（ｐ形クラッド層形成工程）。なお、ｐ形ク
ラッド層１１の不純物濃度は３×１０１８ｃｍ−３であ
る。
【００４４】以上のように形成された発光機能層８（ｎ
形クラッド層９、活性層１０、ｐ形クラッド層１１）
は、結晶性の良好な反応源供給層７上に形成（反応源供
給層７を核として成長）されている。このため、形成さ
れる発光機能層８の結晶性が低下せず、反応源供給層７
上に結晶性の良好な発光機能層８を形成することがで
き、また、ｎ形クラッド層９、活性層１０、ｐ形クラッ
ド層１１のそれぞれの上面に段差が生じにくくなる。
形クラッド層９、活性層１０、ｐ形クラッド層１１）
は、結晶性の良好な反応源供給層７上に形成（反応源供
給層７を核として成長）されている。このため、形成さ
れる発光機能層８の結晶性が低下せず、反応源供給層７
上に結晶性の良好な発光機能層８を形成することがで
き、また、ｎ形クラッド層９、活性層１０、ｐ形クラッ
ド層１１のそれぞれの上面に段差が生じにくくなる。
【００４５】その後、真空蒸着法によって形成されたア
ノード電極３を低抵抗性接触させて、ｐ形クラッド層１
１の上面に設置する。また、真空蒸着法によって形成さ
れたカソード電極４を低抵抗性接触させて、シリコン基
板５の下面に設置する（電極形成工程）。このような工
程により、図１に示すような発光素子１が製造される。
ノード電極３を低抵抗性接触させて、ｐ形クラッド層１
１の上面に設置する。また、真空蒸着法によって形成さ
れたカソード電極４を低抵抗性接触させて、シリコン基
板５の下面に設置する（電極形成工程）。このような工
程により、図１に示すような発光素子１が製造される。
【００４６】以上のように製造された発光素子１のシリ
コン基板５に、その上面が（１１１）結晶面のジャスト
基板が用いられているので、発光機能層８（ｎ形クラッ
ド層９、活性層１０、ｐ形クラッド層１１）に段差が生
じにくくなる。このため、発光素子１の発光強度が低下
しにくく、高い発光強度を得ることができる。
コン基板５に、その上面が（１１１）結晶面のジャスト
基板が用いられているので、発光機能層８（ｎ形クラッ
ド層９、活性層１０、ｐ形クラッド層１１）に段差が生
じにくくなる。このため、発光素子１の発光強度が低下
しにくく、高い発光強度を得ることができる。
【００４７】これは、発光素子１の発光強度は、発光機
能層８（ｎ形クラッド層９、活性層１０、ｐ形クラッド
層１１）に段差が生じると低下すると考えられるためで
ある。図４に発光素子１の発光強度が低下することを説
明するための模式図を示す。図４に示すように、ジャス
ト基板でないオフしたシリコン基板５の上面は、実際に
は平坦な面ではなく、原子レベルでは段差（階段状のス
テップ）が形成されている。このような階段状にステッ
プしたシリコン基板５上に、ｎ形クラッド層９、活性層
１０、ｐ形クラッド層１１のような窒化ガリウム系化合
物半導体層をエピタキシャル成長させると、ｎ形クラッ
ド層９、活性層１０、ｐ形クラッド層１１もシリコン基
板５の上面の影響を受けて階段状に積層される。この
際、エピタキシャル成長層の厚みが比較的厚い場合には
問題は生じにくいが、数ｎｍオーダの活性層１０（本実
施の形態では約３ｎｍ）のように薄い場合には、ステッ
プの近傍が薄くなるため、発光素子１に通電すると、こ
のステップの近傍の領域で図４の矢印に示すように、リ
ーク電流が発生しやすくなる。この結果、エピタキシャ
ル成長層がほぼ平坦に形成された本実施の形態の発光素
子１に比較して発光に寄与しない無効電流分が大きくな
り、発光強度、発光効率が低下してしまう。
能層８（ｎ形クラッド層９、活性層１０、ｐ形クラッド
層１１）に段差が生じると低下すると考えられるためで
ある。図４に発光素子１の発光強度が低下することを説
明するための模式図を示す。図４に示すように、ジャス
ト基板でないオフしたシリコン基板５の上面は、実際に
は平坦な面ではなく、原子レベルでは段差（階段状のス
テップ）が形成されている。このような階段状にステッ
プしたシリコン基板５上に、ｎ形クラッド層９、活性層
１０、ｐ形クラッド層１１のような窒化ガリウム系化合
物半導体層をエピタキシャル成長させると、ｎ形クラッ
ド層９、活性層１０、ｐ形クラッド層１１もシリコン基
板５の上面の影響を受けて階段状に積層される。この
際、エピタキシャル成長層の厚みが比較的厚い場合には
問題は生じにくいが、数ｎｍオーダの活性層１０（本実
施の形態では約３ｎｍ）のように薄い場合には、ステッ
プの近傍が薄くなるため、発光素子１に通電すると、こ
のステップの近傍の領域で図４の矢印に示すように、リ
ーク電流が発生しやすくなる。この結果、エピタキシャ
ル成長層がほぼ平坦に形成された本実施の形態の発光素
子１に比較して発光に寄与しない無効電流分が大きくな
り、発光強度、発光効率が低下してしまう。
【００４８】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、シリコン基板５に（１１１）結晶面のジャスト基板
を用いているので、発光素子１の発光強度が低下にく
く、高い発光強度を得ることができる。
ば、シリコン基板５に（１１１）結晶面のジャスト基板
を用いているので、発光素子１の発光強度が低下にく
く、高い発光強度を得ることができる。
【００４９】また、本実施の形態によれば、シリコン基
板５と反応源供給層７との間に、ガリウム及びインジウ
ムを含む窒化アルミニウム層６を形成しているので、シ
リコン基板５と窒化アルミニウム層６との電気的接続を
良好にすることができる。このため、発光素子１の駆動
電圧を低減することができる。また、シリコン基板５と
反応源供給層７との間に窒化アルミニウム層６を形成し
ているので、シリコン基板５上に結晶性の良好な反応源
供給層７及び発光機能層８を形成することができる。
板５と反応源供給層７との間に、ガリウム及びインジウ
ムを含む窒化アルミニウム層６を形成しているので、シ
リコン基板５と窒化アルミニウム層６との電気的接続を
良好にすることができる。このため、発光素子１の駆動
電圧を低減することができる。また、シリコン基板５と
反応源供給層７との間に窒化アルミニウム層６を形成し
ているので、シリコン基板５上に結晶性の良好な反応源
供給層７及び発光機能層８を形成することができる。
【００５０】本実施の形態によれば、窒化アルミニウム
層６を反応源供給層７から供給されるガリウム及びイン
ジウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成している
ので、反応源供給層７から供給されるガリウム及びイン
ジウムが短期間に拡散することを抑制して、その拡散開
始時期が遅延される。この結果、窒化アルミニウム層６
上に結晶性の良好な反応源供給層７を形成した後に、窒
化アルミニウム層６にガリウム及びインジウムの拡散が
生じる。このため、膜成長の初期における窒化ガリウム
系化合物半導体層（反応源供給層７）の結晶性が良好と
なり、反応源供給層７上に形成される発光機能層８等の
結晶性を全体にわたって良好にすることができる。
層６を反応源供給層７から供給されるガリウム及びイン
ジウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成している
ので、反応源供給層７から供給されるガリウム及びイン
ジウムが短期間に拡散することを抑制して、その拡散開
始時期が遅延される。この結果、窒化アルミニウム層６
上に結晶性の良好な反応源供給層７を形成した後に、窒
化アルミニウム層６にガリウム及びインジウムの拡散が
生じる。このため、膜成長の初期における窒化ガリウム
系化合物半導体層（反応源供給層７）の結晶性が良好と
なり、反応源供給層７上に形成される発光機能層８等の
結晶性を全体にわたって良好にすることができる。
【００５１】なお、本発明は、上記の実施の形態に限ら
れず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に
適用可能な他の実施の形態について説明する。
れず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に
適用可能な他の実施の形態について説明する。
【００５２】上記実施の形態では、シリコン基板５に
（１１１）結晶面のジャスト基板を用いた場合を例に本
発明を説明したが、例えば、シリコン基板５は、（１１
１）結晶面から任意の方向に±２度の範囲内で傾斜させ
た傾斜面を有するオフ基板であってもよい。図５に、シ
リコン基板５に（１１１）結晶面から［１１２］方向に
−４度〜４度傾斜させたオフ基板（オフ角度−４度〜４
度）を用いた発光素子の発光強度について、上記実施の
形態の（１１１）結晶面のジャスト基板を使用した発光
素子の発光強度で割った発光強度比を示す。図５に示す
ように、ジャスト基板を使用した発光素子（オフ角度０
度）が最も高く、オフ角度が大きくなるにつれて発光強
度が低下することがわかる。ただし、オフ角度が±２度
の範囲内であれば、発光強度が大きく低下することはな
く、比較的高い発光強度が得られる。また、（１１１）
結晶面から［１１０］方向に傾斜させたオフ基板を用い
た場合にも同様の傾向を示した。これは、（１１１）結
晶面から任意の方向に傾斜させた傾斜面を有するオフ基
板であっても、そのオフ角度が±２度の範囲内であれ
ば、発光素子形成に適する程度に段差が小さくなってお
り、発光素子形成に悪影響を及ぼさないと考えられるた
めである。
（１１１）結晶面のジャスト基板を用いた場合を例に本
発明を説明したが、例えば、シリコン基板５は、（１１
１）結晶面から任意の方向に±２度の範囲内で傾斜させ
た傾斜面を有するオフ基板であってもよい。図５に、シ
リコン基板５に（１１１）結晶面から［１１２］方向に
−４度〜４度傾斜させたオフ基板（オフ角度−４度〜４
度）を用いた発光素子の発光強度について、上記実施の
形態の（１１１）結晶面のジャスト基板を使用した発光
素子の発光強度で割った発光強度比を示す。図５に示す
ように、ジャスト基板を使用した発光素子（オフ角度０
度）が最も高く、オフ角度が大きくなるにつれて発光強
度が低下することがわかる。ただし、オフ角度が±２度
の範囲内であれば、発光強度が大きく低下することはな
く、比較的高い発光強度が得られる。また、（１１１）
結晶面から［１１０］方向に傾斜させたオフ基板を用い
た場合にも同様の傾向を示した。これは、（１１１）結
晶面から任意の方向に傾斜させた傾斜面を有するオフ基
板であっても、そのオフ角度が±２度の範囲内であれ
ば、発光素子形成に適する程度に段差が小さくなってお
り、発光素子形成に悪影響を及ぼさないと考えられるた
めである。
【００５３】上記実施の形態では、シリコン基板５上に
ガリウムとインジウムとを含む窒化アルミニウム層６が
形成された場合を例に本発明を説明したが、例えば、シ
リコン基板５の上面を含む領域に、ガリウムとインジウ
ムとシリコンとを主成分とする金属化合物領域を形成
し、この金属化合物領域上に窒化アルミニウム層を形成
してもよい。この場合、シリコン基板の上面を含む領域
に、ガリウムとインジウムとシリコンとを主成分とする
金属化合物領域が形成されているので、発光素子の駆動
電圧が低減される。また、シリコン基板と第１窒化物系
化合物半導体層との間に窒化アルミニウム層が形成され
ているので、シリコン基板上の第１窒化物系化合物半導
体層及び第２窒化物系化合物半導体層の結晶性が良好に
なる。
ガリウムとインジウムとを含む窒化アルミニウム層６が
形成された場合を例に本発明を説明したが、例えば、シ
リコン基板５の上面を含む領域に、ガリウムとインジウ
ムとシリコンとを主成分とする金属化合物領域を形成
し、この金属化合物領域上に窒化アルミニウム層を形成
してもよい。この場合、シリコン基板の上面を含む領域
に、ガリウムとインジウムとシリコンとを主成分とする
金属化合物領域が形成されているので、発光素子の駆動
電圧が低減される。また、シリコン基板と第１窒化物系
化合物半導体層との間に窒化アルミニウム層が形成され
ているので、シリコン基板上の第１窒化物系化合物半導
体層及び第２窒化物系化合物半導体層の結晶性が良好に
なる。
【００５４】上記実施の形態では、窒化アルミニウム層
６と発光機能層８との間に反応源供給層７を形成する場
合を例に本発明を説明したが、反応源供給層７は、窒化
アルミニウム層６にガリウム及びインジウムを拡散可能
であればよく、例えば、図６に示すように、窒化アルミ
ニウム層６と発光機能層８との間に反応源供給層７を形
成せずに、発光機能層８から窒化アルミニウム層６にガ
リウム及びインジウムを拡散させてもよい。すなわち、
反応源供給層が発光機能層８の一部を構成し、ｎ形クラ
ッド層９を反応源供給層として機能させてもよい。この
場合、窒化アルミニウム層６に拡散されるガリウム及び
インジウムはｎ形クラッド層９から供給され、発光素子
を簡易な構造にすることができる。
６と発光機能層８との間に反応源供給層７を形成する場
合を例に本発明を説明したが、反応源供給層７は、窒化
アルミニウム層６にガリウム及びインジウムを拡散可能
であればよく、例えば、図６に示すように、窒化アルミ
ニウム層６と発光機能層８との間に反応源供給層７を形
成せずに、発光機能層８から窒化アルミニウム層６にガ
リウム及びインジウムを拡散させてもよい。すなわち、
反応源供給層が発光機能層８の一部を構成し、ｎ形クラ
ッド層９を反応源供給層として機能させてもよい。この
場合、窒化アルミニウム層６に拡散されるガリウム及び
インジウムはｎ形クラッド層９から供給され、発光素子
を簡易な構造にすることができる。
【００５５】上記実施の形態では、反応源供給層７がｎ
形Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｎ、ｎ形クラッド層９がｎ形Ｇ
ａＮからなるｎ形半導体領域等の場合を例に本発明を説
明したが、シリコン基板５、反応源供給層７、ｎ形クラ
ッド層９、活性層１０、ｐ形クラッド層１１の導電形を
反転してもよい。この場合にも、シリコン基板５上に結
晶性の良好な発光機能層８を形成でき、また、発光素子
の駆動電圧を低減することができる。
形Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｎ、ｎ形クラッド層９がｎ形Ｇ
ａＮからなるｎ形半導体領域等の場合を例に本発明を説
明したが、シリコン基板５、反応源供給層７、ｎ形クラ
ッド層９、活性層１０、ｐ形クラッド層１１の導電形を
反転してもよい。この場合にも、シリコン基板５上に結
晶性の良好な発光機能層８を形成でき、また、発光素子
の駆動電圧を低減することができる。
【００５６】上記実施の形態では、ＭＯＣＶＤ装置の反
応室内で発光素子を製造する場合を例に本発明を説明し
たが、例えば、ＭＯＣＶＤ装置に反応室を複数設け、各
製造工程ごとに別々の反応室を用いてもよい。
応室内で発光素子を製造する場合を例に本発明を説明し
たが、例えば、ＭＯＣＶＤ装置に反応室を複数設け、各
製造工程ごとに別々の反応室を用いてもよい。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の発光素子
によれば、基板にシリコン基板を用い、高い発光強度を
得ることができる。
によれば、基板にシリコン基板を用い、高い発光強度を
得ることができる。
【図１】本発明の実施の形態の発光素子の断面構造を示
した概略図である。
した概略図である。
【図２】本発明の実施の形態の発光素子の製造手順を説
明するためのタイムシーケンスを示した図である。
明するためのタイムシーケンスを示した図である。
【図３】本発明の実施の形態の窒化アルミニウム層にガ
リウム及びインジウムを拡散させる過程を説明するため
の概略図である。
リウム及びインジウムを拡散させる過程を説明するため
の概略図である。
【図４】発光素子の発光強度が低下することを説明する
ための模式図である。
ための模式図である。
【図５】オフ基板を用いた発光素子のオフ角度と発光強
度比との関係を示したグラフである。
度比との関係を示したグラフである。
【図６】本発明の他の実施の形態の発光素子の断面構造
を示した概略図である。
を示した概略図である。
１ 発光素子
５ シリコン基板
６ 窒化アルミニウム層
７ 反応源供給層
８ 発光機能層
９ ｎ形クラッド層
１０ 活性層
１１ ｐ形クラッド層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F041 AA40 CA04 CA23 CA34 CA40
CA65 CA72
5F045 AA04 AB09 AB14 AC08 AC12
AD11 AD12 AD14 AF03 AF13
DA53 EB13 EB15
Claims (7)
- 【請求項１】上面が（１１１）結晶面のジャスト基板で
あるシリコン基板と、 前記シリコン基板上に形成された窒化物系化合物半導体
層と、を備える、ことを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】上面が（１１１）結晶面に対して±２度の
範囲内で傾斜させた傾斜面を有するシリコン基板と、 前記シリコン基板の傾斜面上に形成された窒化物系化合
物半導体層と、を備える、ことを特徴とする発光素子。 - 【請求項３】前記シリコン基板と前記窒化物系化合物半
導体層との間に、ガリウムとインジウムとを含む窒化ア
ルミニウム層が形成され、 前記窒化物系化合物半導体層は、ガリウムとインジウム
とを含む第１窒化物系化合物半導体層と、発光機能を有
する第２窒化物系化合物半導体層とを備え、 前記窒化アルミニウム層上に前記第１窒化物系化合物半
導体層が形成され、該第１窒化物系化合物半導体層上に
前記第２窒化物系化合物半導体層が形成されている、こ
とを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。 - 【請求項４】前記シリコン基板の上面を含む領域に、ガ
リウムとインジウムとシリコンとを主成分とする金属化
合物領域が形成され、 前記金属化合物領域上に窒化アルミニウム層が形成さ
れ、 前記窒化物系化合物半導体層は、ガリウムとインジウム
とを含む第１窒化物系化合物半導体層と、発光機能を有
する第２窒化物系化合物半導体層とを備え、 前記窒化アルミニウム層上に前記第１窒化物系化合物半
導体層が形成され、該第１窒化物系化合物半導体層上に
前記第２窒化物系化合物半導体層が形成されている、こ
とを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。 - 【請求項５】前記窒化アルミニウム層は、前記第１窒化
物系化合物半導体層から拡散されるガリウム及びインジ
ウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成されてい
る、ことを特徴とする請求項３または４に記載の発光素
子。 - 【請求項６】前記第１窒化物系化合物半導体層は、所定
量のガリウム及びインジウムを拡散可能な厚さに形成さ
れている、ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか
１項に記載の発光素子。 - 【請求項７】前記第１窒化物系化合物半導体層は、前記
第２窒化物系化合物半導体層の一部を構成する、ことを
特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載の発光
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001225326A JP2003037287A (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001225326A JP2003037287A (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003037287A true JP2003037287A (ja) | 2003-02-07 |
Family
ID=19058335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001225326A Pending JP2003037287A (ja) | 2001-07-26 | 2001-07-26 | 発光素子 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003037287A (ja) |
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-
2001
- 2001-07-26 JP JP2001225326A patent/JP2003037287A/ja active Pending
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