JP2010245444A5 - - Google Patents

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  1. 無極性面もしくは半極性面を主面とする窒化物半導体基板上に、井戸層を有する発光層と、該発光層を挟むｎ型半導体層およびｐ型半導体層とを形成する窒化物半導体発光素子の製造方法において、
    前記発光層より上部に形成される、Ａｌを有する第一ｐ型窒化物半導体層と、第二ｐ型窒化物半導体層を、６００℃以上９００℃未満の成長温度で形成することを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
  2. 前記Ａｌを有する第一ｐ型窒化物半導体層を、成長速度を１．０ Å／ｓ以上、１０ Å／s以下にして形成することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  3. 前記第二ｐ型窒化物半導体層を、成長速度を１．０ Å／ｓ以上、１５Å／ｓ以下にして形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  4. 前記基板と前記発光層との間に形成されたＡｌを有するｎ型窒化物半導体層を、９００℃以上１１００℃以下の成長温度で形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  5. 前記発光層と第一ｐ型窒化物半導体層との間に、該第一ｐ型窒化物半導体よりもＡｌ組成比の高いＡｌを有する第三ｐ型窒化物半導体層を、前記第一ｐ型窒化物半導体層の成長温度よりも高い温度で形成する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  6. 前記井戸層を、Ｉｎ組成比ｘが０．１５以上、０．５０以下、Ａｌ組成比ｙが０．０以上１．０以下のＩｎｘＡｌｙＧａ１-ｘ-ｙＮ、又はＩｎ組成比ｘが０．１５以上、０．５０以下のＩｎｘＧａ１-ｘＮで形成することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  7. 前記井戸層を、６００℃以上７２０℃以下の成長温度にて形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  8. 前記井戸層を、０．０５Å／秒以上０．７Å／秒以下の成長速度にて形成することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  9. 前記井戸層を、０．０５Å／秒以上０．２Å／秒以下の成長速度にて形成することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  10. 前記井戸層の製造時に、キャリアガスとして水素を含め、その流量を、０．００５Ｌ／分以上０．２００Ｌ／分未満にすることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  11. 前記発光層を、前記井戸層と障壁層から構成し、該障壁層の成長温度を、前記井戸層の成長温度よりも、１０℃以上８０℃以内の範囲で高く設定することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  12. 前記無極性面もしくは半極性面を主面とする窒化物半導体基板として、無極性基板のｍ面基板を用いることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  13. 前記無極性面もしくは半極性面を主面とする窒化物半導体基板として、ａ軸[１１−２０]方向に、０．１°より大きく１０．０°以下のオフ角度を有する無極性基板のｍ面基板を用いることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  14. 前記無極性面もしくは半極性面を主面とする窒化物半導体基板として、ａ軸[１１−２０]方向に、１．０°より大きく１０．０°以下のオフ角度を有する無極性基板のｍ面基板を用いることを特徴とする請求項１３に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
  15. 前記無極性面もしくは半極性面を主面とする窒化物半導体基板として、その表面に溝が形成されたものを用いることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
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