JP5821164B2 - GaN基板および発光デバイス - Google Patents
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Description
本発明のある実施形態であるGaN基板は、波長が380nmの光および波長が1500nmの光に関する吸収係数が7cm-1以上であり、少なくとも波長が500nm以上780nm以下の光に関する吸収係数が7cm-1未満であり、比抵抗が0.02Ωcm以下である。ここで、光の吸収係数は、分光光度計を用いて対象とする波長の光の透過率および反射率を測定することにより、算出される。また、比抵抗は、比抵抗計を用いて四探針法により測定される。
本実施形態のGaN基板は、波長が380nmの光および波長が1500nmの光に関する吸収係数が7cm-1以上であり、波長が500nm以上780nm以下の光に関する吸収係数が7cm-1未満であり、比抵抗が0.02Ωcm以下である。本実施形態のGaN基板は、発光のピーク波長が500nm以上780nm以下の赤色光領域である発光デバイスの基板として好適に用いられる。かかる観点から、波長が500nm以上780nm以下の光に関する吸収係数は5cm-1以下であることが好ましい。また、比抵抗は0.015Ωcm以下が好ましい。
本実施形態のGaN基板は、波長が380nmの光および波長が1500nmの光に関する吸収係数が7cm-1以上であり、波長が440nm以上780nm以下の光に関する吸収係数が7cm-1未満であり、比抵抗が0.02Ωcm以下である。本実施形態のGaN基板は、発光のピーク波長が440nm以上780nm以下の青色光領域から赤色光領域までの可視光領域である発光デバイスの基板として好適に用いられる。かかる観点から、波長が440nm以上780nm以下の光に関する吸収係数は5cm-1以下であることが好ましい。また、比抵抗は0.015Ωcm以下が好ましい。
図1は、本実施形態のGaN基板を製造する方法の一例を示す概略断面図である。本実施形態のGaN基板の製造方法は、特に制限はないが、図1を参照して、下地基板11を準備する工程、下地基板11上に不純物が添加されたGaN結晶12を成長させる工程、GaN結晶12を加工してGaN基板10を形成する工程を備える。かかる製造方法において、GaN結晶12に添加される不純物(ドーパントという、以下同じ)の濃度を調製することにより、低コストで本実施形態のGaN基板10が得られる。
図1(A)を参照して、下地基板11を準備する工程において準備される下地基板11は、GaN結晶12をエピタキシャル成長させることができる基板であれば特に制限はないが、GaN結晶との格子整合性が高い観点から、シリコン(Si)下地基板、サファイア(Al2O3)下地基板、GaAs下地基板、ならびにGaN下地基板およびAlN下地基板などのIII族窒化物下地基板などが好ましく用いられ、中でもGaN下地基板が特に好ましく用いられる。GaN下地基板を使用することによって、下地基板からの不純物の混入を抑制することができるので好ましい。この観点からは下地基板の表面の清浄度が重要である。特に下地基板の裏面(成長炉の内壁に接する下地基板の面をいう。以下同じ。)は結晶成長前に成長炉内でエッチングすることができないので、成長炉内に投入する前に清浄度を上げる必要がある。そのため基板裏面をエッチングしてから成長炉内に投入することが好ましい。エッチング方法としてはアルカリ溶剤によるエッチングや、ハロゲン系ガスによるエッチングなどが挙げられる。
図1(A)を参照して、上記の下地基板11上に不純物が添加されたGaN結晶12を成長させる方法には、エピタキシャル成長ができる方法であれば特に制限はないが、結晶性の高いGaN結晶12を成長させる観点から、HVPE(ハイドライド気相成長)法、MOCVD(有機金属化学気相堆積)法、MBE(分子線成長)法などの気相法が好ましく、中でも結晶成長速度が高い観点からHVPE法が特に好ましい。
図1(B)を参照して、得られた不純物が添加されたGaN結晶12を加工してGaN基板10を形成する工程は、特に制限はなく、下地基板11を除去するサブ工程を含むことができる。下地基板11を除去する方法は、特に制限はなく、外周刃、内周刃、ワイヤーソー、レーザなどで切断する方法、ダイヤモンド砥石などで研削する方法などがある。このようにして主表面12m,12nを有するGaN結晶12が得られる。
上記のGaN基板の製造方法により得られた本実施形態のGaN基板10は、その主表面を貫通する転位の平均密度(平均転位密度)が、3×106cm-2以下が好ましく、1×106cm-2以下がより好ましい。かかる転位の平均密度が低いほど信頼性の高い発光デバイスが得られる。また、現在の基板の製造技術の観点から、主表面を貫通する転位の平均密度は、現在のところ、1×104cm-2より小さくとすることは困難であり、したがって1×104cm-2程度以上である。
図3は、本発明の他の実施形態である発光デバイスの一例を示す概略断面図である。図3を、参照して、本実施形態の発光デバイスは、上記の実施形態1または実施形態2のGaN基板10を含み、発光のピーク波長が500nm以上780nm以下または440nm以上780nm以下である。本実施形態の発光デバイスは、500nm以上780nm以下または440nm以上780nm以下の波長領域の光について、基板における光の吸収係数が低く、発光効率が高い。
図3を参照して、本実施形態の発光デバイスは、波長が380nmの光および波長が1500nmの光に関する吸収係数が7cm-1以上であり、波長が500nm以上780nm以下の光に関する吸収係数が7cm-1未満であり、比抵抗が0.02Ωcm以下であるGaN基板10と、GaN基板10の一方の主表面10m上に形成された少なくとも1層の半導体層20と、半導体層20の最外層上に形成された第1電極30と、GaN基板10の他方の主表面10n上に形成された第2電極40と、を含み、発光のピーク波長が500nm以上780nm以下である。
図3を参照して、本実施形態の発光デバイスは、波長が380nmの光および波長が1500nmの光に関する吸収係数が7cm-1以上であり、波長が440nm以上780nm以下の光に関する吸収係数が7cm-1未満であり、比抵抗が0.02Ωcm以下であるGaN基板10と、GaN基板10の一方の主表面10m上に形成された少なくとも1層の半導体層20と、半導体層20の最外層上に形成された第1電極30と、GaN基板10の他方の主表面10n上に形成された第2電極40と、を含み、発光のピーク波長が440nm以上780nm以下である。
本実施形態の発光デバイスを製造する方法は、特に制限はないが、たとえば、図3を参照して、実施形態1または実施形態2のGaN基板10を準備する工程と、GaN基板10の一方の主表面上に少なくとも1層の半導体層20を形成する工程と、半導体層20の最外層上に形成された第1電極30を形成する工程と、GaN基板10の他方の主表面10n上に第2電極40を形成する工程と、を含む。ここで、第1電極30を形成する工程と第2電極40を形成する工程とは、順序が逆になってもよい。
実施形態1または実施形態2のGaN基板を準備する方法は、上記のGaN基板の製造方法で説明したとおりである。
GaN基板10の一方の主表面10m上に少なくとも1層の半導体層20を形成する方法は、特に制限ないが、GaN基板上に結晶性のよい半導体層20をエピタキシャル成長させる観点から、MOCVD法、MBE法、HVPE法などの気相法が好ましい。また、半導体層20の化学組成および/または構成を変えることにより、発光の波長領域およびピーク波長を変えることができる。
第1電極および第2電極を形成する方法は、特に制限はないが、生産性を高め生産コストを低減する観点から、スパッタ法、蒸着法などが好ましい。
本実施例においては、以下の方法により、HVPE法においてSiを含むドーピングガスの分圧を変えることにより、キャリア濃度、比抵抗および光の吸収係数が互いに異なる複数のGaN基板が得られた。
図1(A)を参照して、まず、直径60mmで厚さ400μmのGaN下地基板11を準備した。下地基板11の主表面11mは平坦であり、主表面11mに最も近い結晶面が(0001)面であった。(0001)面の曲率半径は、X線回折により測定したところ、20mであった。下地基板11の主表面11mを貫通する転位の平均密度(平均転位密度という、以下同じ)は、CL(カソードルミネッサンス)による暗点密度の測定から算出したところ、5×105cm-3であった。
次に、図1(A)を参照して、HVPE法により、下地基板11上に、SiF4ガスをドーピングガスとして用いることによりSi濃度が異なる7つのGaN結晶12を成長させた(実験No.1〜7)。
次に、図1(B)を参照して、それぞれ得られたGaN結晶12を、スライサーを用いて厚さ方向にスライス加工した。次いで、スライスしたGaN結晶12の外周部を除去した。次いでスライスして外周部を除去したGaN結晶にCMP(化学機械的研磨)を行い、その加工変質層を除去した。こうして、それぞれのGaN結晶から、直径2インチ(50.8mm)で厚さ400μmのGaN基板10が5枚得られた。
得られた5枚のGaN基板10a,10b,10c,10d,10eのうち、下地基板11側から3枚目のGaN基板10cの5つの測定点において、Si濃度、キャリア濃度、比抵抗、ならびに波長が380nm、500nm〜780nm、440nm〜780nmおよび1500nmの光に関する吸収係数測定して、それらの最小値と最大値とを算出した。ここで、5つの測定点は、1枚のGaN基板について、主表面上の中央点、中央点から[11−20]方向に−2cm離れた点および+2cm離れた点、ならびに中央点から[10−10]方向に−2cm離れた点および+2cm離れた点の合計5つの点とした。ここで、Si濃度は、SIMS(2次イオン質量分析)により測定した。キャリア濃度は、CV特性測定法により測定した。比抵抗は、比抵抗計を用いて四探針法により測定した。光の吸収係数は、分光光度計を用いて透過率および反射率を測定して算出した。ここで、GaN基板内の吸収係数は深さによらず一定と仮定して、多重反射も考慮した。結果を表1にまとめた。
Claims (2)
- 波長が380nmの光および波長が1500nmの光に関する吸収係数が7cm-1以上であり、少なくとも波長が440nm以上780nm以下の光に関する吸収係数が7cm-1未満であり、比抵抗が0.02Ωcm以下であり、シリコン濃度が6.9×1017cm-3以上8.5×10 17 cm-3以下、酸素濃度が5×1016cm-3以下、炭素濃度が5×1016cm-3以下およびその他の不純物元素濃度が1×1016cm-3以下であるGaN基板。
- 請求項1に記載のGaN基板を含み、発光のピーク波長が440nm以上780nm以下である発光デバイス。
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