JP2013055319A5 - - Google Patents

Claims (24)

1. 基板と、
   前記基板のＲ面上に配置され、岩塩構造を有する窒化物を含むバッファー層と、
   前記バッファー層上に配置され、ａ面に成長した発光構造物と
   を備える、発光素子。
2. 前記バッファー層は、４．７５Å乃至５．５２Åの範囲の格子定数を有する、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記バッファー層は、５．１１Å乃至５．１８Åの範囲の格子定数を有する、請求項１または２に記載の発光素子。
4. 前記バッファー層は、ＬａＮ、ＴｈＮ、ＰｒＮ、ＮｄＮ及びＳｍＮの少なくとも一つを含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子。
5. 前記発光構造物はａ面に成長したＧａＮを含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の発光素子。
6. 前記バッファー層の結晶面と前記発光構造物を形成するＧａＮのａ面とが垂直に重なる、請求項１乃至５のいずれかに記載の発光素子。
7. 前記基板は、サファイア基板であり、
   前記サファイア基板のｒ面、前記バッファー層の結晶面及び前記発光構造物を形成するＧａＮのａ面は垂直に重なる、請求項１乃至６のいずれかに記載の発光素子。
8. 前記バッファー層は、ｎ(ｎは、２以上の整数)個の岩塩構造の窒化物の結晶面で形成され、
   前記発光構造物は、前記ｎ個の岩塩構造の窒化物の結晶面上に形成されたｎ個のａ面ＧａＮを含む、請求項１乃至７のいずれかに記載の発光素子。
9. 前記バッファー層を形成する前記ｎ個の岩塩構造の窒化物の結晶面のサイズは窒化物によって異なる、請求項１乃至８のいずれかに記載の発光素子。
10. 前記ｎが３である、請求項１乃至９のいずれかに記載の発光素子。
11. 前記基板は、サファイア基板であり、
    前記サファイア基板の結晶セルのサイズはα軸方向に１５．３４Åである、請求項１乃至１０のいずれかに記載の発光素子。
12. 前記サファイア基板の結晶セルのサイズはβ軸方向に４．７５Åである、請求項１乃至１１のいずれかに記載の発光素子。
13. 前記ａ面ＧａＮの結晶セルのサイズはｍ軸方向に５．５２Åである、請求項１乃至１２のいずれかに記載の発光素子。
14. 前記バッファー層の上部に形成された非ドープの半導体層をさらに備える、請求項１乃至１３のいずれかに記載の発光素子。
15. 前記基板は、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇｅ及びＧａ_２Ｏ_３の少なくとも一つである、請求項１乃至１４のいずれかに記載の発光素子。
16. 前記発光構造物は、
    前記バッファー層上に形成された第１導電型半導体層と、
    前記第１導電型半導体層上に形成された活性層と、
    前記活性層上に形成された第２導電型半導体層と
    を備える、請求項１乃至１５のいずれかに記載の発光素子。
17. 前記第１導電型半導体層はＮ型半導体層である、請求項１乃至１６のいずれかに記載の発光素子。
18. 前記第２導電型半導体層は表面に凹凸構造を有する、請求項１乃至１７のいずれかに記載の発光素子。
19. 前記第１導電型半導体層上に形成された第１電極をさらに備える、請求項１乃至１８のいずれかに記載の発光素子。
20. 前記第２導電型半導体層上に形成された第２電極をさらに備える、請求項１乃至１９のいずれかに記載の発光素子。
21. 基板と、
    前記基板のＲ面上に配置され、窒化物を有するバッファー層と、
    前記バッファー層上に配置され、ａ面に成長した発光構造物と、
    を備え、
    前記バッファー層は、前記発光構造物のａ面とｃ軸方向に格子不整合比率が３％以下であり、Ｍ軸方向に格子不整合比率が１２％以下であり、
    前記バッファー層は、前記基板のＲ面とα軸方向に格子不整合比率が１２％以下であり、β軸方向に格子不整合比率が４％以下である、発光素子。
22. 前記バッファー層の格子定数は、４．７５Å〜５．５２Åである、請求項２１に記載の発光素子。
23. 前記バッファー層の格子定数は、５．１１Å〜５．１８Åである、請求項２２に記載の発光素子。
24. 前記バッファー層は、ＬａＮ，ＴｈＮ，ＰｒＮ，ＮｄＮ、又はＳｍＮの少なくとも一つを含む、請求項２１に記載の発光素子。