JP2011187952A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (2)

1. 基板上にゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上に、対向配置した一組のターゲットを用いたスパッタリング法により、酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層に第１の熱処理を行い、
   前記第１の熱処理後、前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成し、
   前記酸化物半導体層上に接して絶縁層を形成し、
   前記絶縁層形成後、第２の熱処理を行い、
   前記第１の熱処理により、前記酸化物半導体層に含まれる水素を低減し、
   前記第２の熱処理により、前記酸化物半導体層に酸素を供給する半導体装置の作製方法。
2. 基板上に、対向配置した一組のターゲットを用いたスパッタリング法により、酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層に第１の熱処理を行い、
   前記第１の熱処理後、前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成し、
   前記酸化物半導体層のチャネル形成領域と接するゲート絶縁層を形成し、
   前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極形成後、第２の熱処理を行い、
   前記第１の熱処理により、前記酸化物半導体層に含まれる水素を低減し、
   前記第２の熱処理により、前記酸化物半導体層に酸素を供給する半導体装置の作製方法。