JP5193542B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 122
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 121
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 14
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 18
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 16
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
- H01L21/76828—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図3(a)〜(d)を用いて説明する。
本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図6(a)〜(d)を用いて説明する。図6(a)〜(d)は、本実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
102 第2の絶縁膜
103 コンタクト
103a、109a、110a、112a バリアメタル膜
103b、109b、110b、112b 金属膜
104 第3の絶縁膜
105 第4の絶縁膜
106 反射防止膜
107 配線溝パターン
108 配線溝
109 金属配線
110 ダミーコンタクト
111 ダミー配線溝
112 ダミー配線
Claims (11)
- 基板上に吸湿性を有する第1の絶縁膜を形成する工程(a)と、
前記第1の絶縁膜に、ダミーコンタクトホールと、前記第1の絶縁膜を貫通するコンタクトホールとを形成する工程(b)と、
前記工程(b)の後に、前記基板を熱処理して前記第1の絶縁膜に含まれる水分を脱離させる工程(c)と、
前記工程(c)の後に、前記コンタクトホールおよび前記ダミーコンタクトホールに導電体を埋め込むことにより、コンタクトおよびダミーコンタクトをそれぞれ形成する工程(d)と、
前記工程(d)の後に、前記第1の絶縁膜および前記コンタクトの上の位置に配線溝が形成された第2の絶縁膜を前記第1の絶縁膜上に形成する工程(e)と、
前記配線溝を導電体で埋めることにより、前記コンタクト上に配線を形成する工程(f)とを備えている半導体装置の製造方法。 - 前記第2の絶縁膜は、前記第1の絶縁膜に比べて吸湿性が低いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(e)において、前記第2の絶縁膜は前記第1の絶縁膜上に第3の絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記コンタクトおよび前記ダミーコンタクトは、前記コンタクトホールまたは前記ダミーコンタクトホールの内面に沿って形成され、酸化性金属からなる第1のバリアメタル膜と、前記第1のバリアメタル膜上に形成され、前記コンタクトホールまたは前記ダミーコンタクトホールを埋める第1の金属膜とを有していることを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のバリアメタル膜は、モリブデン、クロム、コバルト、白金、およびタングステンから選ばれた1つ以上の元素からなることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の絶縁膜にはダミー配線溝がさらに形成されており、
前記工程(f)では、前記ダミー配線溝を導電体で埋めることによりダミー配線が形成されることを特徴とする請求項1〜5のうちいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記配線は、前記配線溝の内面に沿って形成され、酸化性金属からなる第2のバリアメタル膜と、前記第2のバリアメタル膜上に形成され、前記配線溝を埋める第2の金属膜とを有していることを特徴とする請求項1〜6のうちいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のバリアメタル膜は、モリブデン、クロム、コバルト、白金、およびタングステンから選ばれた1つ以上の元素からなることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(c)での熱処理は、窒素、酸素、水素、および希ガスのうち少なくとも1つを含む雰囲気下で行われることを特徴とする請求項1〜8のうちいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ダミーコンタクトホールは、前記第1の絶縁膜を貫通していないことを特徴とする請求項1〜9のうちいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(f)において、前記ダミーコンタクト上は前記第2の絶縁膜で覆われていることを特徴とする請求項1〜10のうちいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007243326A JP5193542B2 (ja) | 2007-09-20 | 2007-09-20 | 半導体装置の製造方法 |
US12/210,454 US7781335B2 (en) | 2007-09-20 | 2008-09-15 | Method for fabricating semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007243326A JP5193542B2 (ja) | 2007-09-20 | 2007-09-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009076615A JP2009076615A (ja) | 2009-04-09 |
JP5193542B2 true JP5193542B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=40472126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007243326A Expired - Fee Related JP5193542B2 (ja) | 2007-09-20 | 2007-09-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7781335B2 (ja) |
JP (1) | JP5193542B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8927329B2 (en) * | 2011-03-30 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing oxide semiconductor device with improved electronic properties |
US9660092B2 (en) | 2011-08-31 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer |
CN102437105B (zh) * | 2011-11-28 | 2014-08-13 | 上海华力微电子有限公司 | 具有部分冗余通孔的集成电路制作方法及集成电路 |
US8796855B2 (en) | 2012-01-13 | 2014-08-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor devices with nonconductive vias |
US8883638B2 (en) * | 2012-01-18 | 2014-11-11 | United Microelectronics Corp. | Method for manufacturing damascene structure involving dummy via holes |
JP6135999B2 (ja) * | 2012-04-10 | 2017-05-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 銅およびモリブデンを含む多層膜のエッチングに使用される液体組成物、およびそれを用いたエッチング方法 |
JP6414072B2 (ja) | 2013-11-08 | 2018-12-05 | 富士フイルム和光純薬株式会社 | 半導体基板用洗浄剤および半導体基板表面の処理方法 |
EP3503168A1 (en) | 2014-12-23 | 2019-06-26 | INTEL Corporation | Decoupled via fill |
US10090360B2 (en) | 2015-02-13 | 2018-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor structure including a plurality of trenches |
KR102434434B1 (ko) | 2016-03-03 | 2022-08-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10125782A (ja) | 1996-10-15 | 1998-05-15 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH10189579A (ja) | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3500564B2 (ja) * | 1997-12-19 | 2004-02-23 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2000150653A (ja) | 1998-09-04 | 2000-05-30 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2001164375A (ja) * | 1999-12-03 | 2001-06-19 | Sony Corp | 無電解メッキ浴および導電膜の形成方法 |
JP4538995B2 (ja) | 2001-07-18 | 2010-09-08 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003142579A (ja) * | 2001-11-07 | 2003-05-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2004235548A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6849549B1 (en) * | 2003-12-04 | 2005-02-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method for forming dummy structures for improved CMP and reduced capacitance |
JP4435069B2 (ja) * | 2004-11-05 | 2010-03-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2006190839A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006339562A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Renesas Technology Corp | プラズマ処理方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP4785060B2 (ja) * | 2006-01-05 | 2011-10-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置とその製造方法、およびそのパターン生成方法 |
-
2007
- 2007-09-20 JP JP2007243326A patent/JP5193542B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-09-15 US US12/210,454 patent/US7781335B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009076615A (ja) | 2009-04-09 |
US7781335B2 (en) | 2010-08-24 |
US20090081865A1 (en) | 2009-03-26 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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