JPH06163538A - プラズマエッチング方法 - Google Patents
プラズマエッチング方法Info
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- JPH06163538A JPH06163538A JP4317518A JP31751892A JPH06163538A JP H06163538 A JPH06163538 A JP H06163538A JP 4317518 A JP4317518 A JP 4317518A JP 31751892 A JP31751892 A JP 31751892A JP H06163538 A JPH06163538 A JP H06163538A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチングガスとして塩素系ガス及び窒素系
ガスを用いても、選択比が高くかつ後工程に影響を与え
ることないAl合金膜の異方性エッチングを行い得るプラ
ズマエッチング方法を提供すること。 【構成】 Si基板１上にSiＯ2 膜２，Al合金膜４または
TiＮ膜３及びAl合金膜４，レジスト膜５をこの順に堆積
し、レジスト膜５上にSOG 膜６を5,000 Å以下となるよ
うに堆積する。そしてレジスト膜５及びSOG 膜６をパタ
ーニングし、パターニングしたレジスト膜５及びSOG 膜
６をマスクとしてCl2 ＋Ｎ2 混合ガスによるプラズマに
てAl合金膜４またはTiＮ膜３及びAl合金膜４をエッチン
グする。
ガスを用いても、選択比が高くかつ後工程に影響を与え
ることないAl合金膜の異方性エッチングを行い得るプラ
ズマエッチング方法を提供すること。 【構成】 Si基板１上にSiＯ2 膜２，Al合金膜４または
TiＮ膜３及びAl合金膜４，レジスト膜５をこの順に堆積
し、レジスト膜５上にSOG 膜６を5,000 Å以下となるよ
うに堆積する。そしてレジスト膜５及びSOG 膜６をパタ
ーニングし、パターニングしたレジスト膜５及びSOG 膜
６をマスクとしてCl2 ＋Ｎ2 混合ガスによるプラズマに
てAl合金膜４またはTiＮ膜３及びAl合金膜４をエッチン
グする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置にアルミニウ
ム配線を施すプロセスにおいて、プラズマを用いてアル
ミニウム合金膜をエッチングする方法に関する。
ム配線を施すプロセスにおいて、プラズマを用いてアル
ミニウム合金膜をエッチングする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７はマイクロ波を用いた電子サイクロ
トロン共鳴（以下ECR という）を利用するプラズマエッ
チング装置の構成を示す模式的断面図であり、図中21は
エッチングを行うためのプラズマを生成するプラズマ生
成室である。プラズマ生成室21は、その上部壁中央にこ
こを封止する石英ガラス板のマイクロ波導入窓21ａを、
また下部壁中央に前記マイクロ波導入窓21ａと対向する
位置に円形のプラズマ引出窓21ｂをそれぞれ備えてい
る。またプラズマ生成室21の上部壁の前記マイクロ波導
入窓21ａより外縁には、これに原料ガスを供給するガス
供給管24が配設されている。
トロン共鳴（以下ECR という）を利用するプラズマエッ
チング装置の構成を示す模式的断面図であり、図中21は
エッチングを行うためのプラズマを生成するプラズマ生
成室である。プラズマ生成室21は、その上部壁中央にこ
こを封止する石英ガラス板のマイクロ波導入窓21ａを、
また下部壁中央に前記マイクロ波導入窓21ａと対向する
位置に円形のプラズマ引出窓21ｂをそれぞれ備えてい
る。またプラズマ生成室21の上部壁の前記マイクロ波導
入窓21ａより外縁には、これに原料ガスを供給するガス
供給管24が配設されている。
【０００３】そして前記マイクロ波導入窓21ａには他端
を図示しない高周波発振器に接続した導波管22の一端が
接続されており、またプラズマ引出窓21ｂに臨ませて試
料室23が配設されている。プラズマ生成室21の周囲及び
これに接続した導波管22の一端部にわったてこれらを取
り囲むようにこれらと同心状に励磁コイル35を配設して
ある。一方試料室23内には載置台27が配設されており、
その上にはSi基板上にSiＯ2 膜を介して例えばAl−１％
Si−0.5 ％CuのAl合金膜が堆積された試料Ｓがそのま
ま、または静電吸着等の手段にて着脱可能に載置されて
いる。また試料室23の側壁にはこれを貫通してガス供給
管25が配設されており、また下部壁には前記載置台27と
対向して排気口23ａが開口されている。
を図示しない高周波発振器に接続した導波管22の一端が
接続されており、またプラズマ引出窓21ｂに臨ませて試
料室23が配設されている。プラズマ生成室21の周囲及び
これに接続した導波管22の一端部にわったてこれらを取
り囲むようにこれらと同心状に励磁コイル35を配設して
ある。一方試料室23内には載置台27が配設されており、
その上にはSi基板上にSiＯ2 膜を介して例えばAl−１％
Si−0.5 ％CuのAl合金膜が堆積された試料Ｓがそのま
ま、または静電吸着等の手段にて着脱可能に載置されて
いる。また試料室23の側壁にはこれを貫通してガス供給
管25が配設されており、また下部壁には前記載置台27と
対向して排気口23ａが開口されている。
【０００４】このような装置にてエッチングを行うに
は、所要の真空度に設定したプラズマ生成室21，試料室
23内にCl2 ＋ＢCl3 混合ガスを供給し、励磁コイル35に
て磁界を形成しつつプラズマ生成室21にマイクロ波を導
入して、プラズマ生成室21を空洞共振器として供給した
Cl2 ＋ＢCl3 混合ガスをECR 励起してプラズマを生成さ
せ、該プラズマを励磁コイル35にて形成され試料室23側
に向かうに従い磁束密度が低下する発散磁界によって試
料室23内の載置台27上の試料Ｓ周辺に導き、Al合金膜上
に所定パターンに成形したレジストをマスクとしてAl合
金膜をエッチングする。
は、所要の真空度に設定したプラズマ生成室21，試料室
23内にCl2 ＋ＢCl3 混合ガスを供給し、励磁コイル35に
て磁界を形成しつつプラズマ生成室21にマイクロ波を導
入して、プラズマ生成室21を空洞共振器として供給した
Cl2 ＋ＢCl3 混合ガスをECR 励起してプラズマを生成さ
せ、該プラズマを励磁コイル35にて形成され試料室23側
に向かうに従い磁束密度が低下する発散磁界によって試
料室23内の載置台27上の試料Ｓ周辺に導き、Al合金膜上
に所定パターンに成形したレジストをマスクとしてAl合
金膜をエッチングする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところでこのような方
法にてAl合金膜のエッチングを行うと、このエッチング
は化学反応が主体となり等方向性エッチングとなるた
め、異方性エッチングを行うためには、エッチングした
Al合金膜の側壁に保護膜を形成させながらエッチングを
行っている。しかし前述した方法において保護膜の形成
は、プラズマによるレジストのスパッタリングに由来す
るものしか行われず、所要の異方性形状を得るのに十分
でない。そこで保護膜を強化するために、デポジション
性のSiCl4 ，ＣCl4 ，ＣＨCl3 ，Ｎ2 ，ＣＦ4 等のガス
を添加している。
法にてAl合金膜のエッチングを行うと、このエッチング
は化学反応が主体となり等方向性エッチングとなるた
め、異方性エッチングを行うためには、エッチングした
Al合金膜の側壁に保護膜を形成させながらエッチングを
行っている。しかし前述した方法において保護膜の形成
は、プラズマによるレジストのスパッタリングに由来す
るものしか行われず、所要の異方性形状を得るのに十分
でない。そこで保護膜を強化するために、デポジション
性のSiCl4 ，ＣCl4 ，ＣＨCl3 ，Ｎ2 ，ＣＦ4 等のガス
を添加している。
【０００６】ところが通常反応性イオンエッチング装置
にて使用されるCl2 ＋ＢCl3 混合ガスに例えばＮ2 ガス
を添加すると、ECR プラズマエッチング装置ではＢCl3
とＮ 2 とが反応してＢＮ系の反応生成物が形成され、こ
れが装置内に付着してパーティクルの問題を生じる。ま
たデポジション性のガスの添加にて強化された保護膜
は、アッシングまたは湿式処理等の保護膜の除去処理後
も残存するため、この残存物に含まれる塩素と大気中の
水分とによって腐食が発生する虞があった。そのため特
開平３−104886号公報に記載されている如く、Cl2 ＋Ｂ
Cl3 混合ガスに代えて塩素系ガス及び窒素系ガスの混合
ガスを用いてAl合金膜をエッチングする方法が提案され
ている。
にて使用されるCl2 ＋ＢCl3 混合ガスに例えばＮ2 ガス
を添加すると、ECR プラズマエッチング装置ではＢCl3
とＮ 2 とが反応してＢＮ系の反応生成物が形成され、こ
れが装置内に付着してパーティクルの問題を生じる。ま
たデポジション性のガスの添加にて強化された保護膜
は、アッシングまたは湿式処理等の保護膜の除去処理後
も残存するため、この残存物に含まれる塩素と大気中の
水分とによって腐食が発生する虞があった。そのため特
開平３−104886号公報に記載されている如く、Cl2 ＋Ｂ
Cl3 混合ガスに代えて塩素系ガス及び窒素系ガスの混合
ガスを用いてAl合金膜をエッチングする方法が提案され
ている。
【０００７】この方法によると試料周辺でのみ被エッチ
ング物とエッチングガスが反応するするため、装置内の
汚れが少なくてパーティクルの発生が抑制され、また形
成された保護膜は容易に除去される。しかしレジストと
Al合金膜との選択比が小さいため、例えばAl配線の段差
部におけるレジスト膜が薄い部分では過剰にエッチング
されてAl配線を傷つける虞があり、またレジストの上面
が均一にエッチングされずに凹凸が形成されるため、後
工程である保護膜の除去処理の際に問題となる。本発明
はかかる事情に鑑みてなされたものであって、その目的
とするところは塩素系ガス及び窒素系ガスの混合ガスを
用いても選択比が高くかつ後工程に影響を与えることな
くAl合金膜の異方性エッチングを行うプラズマエッチン
グ方法を提供することにある。
ング物とエッチングガスが反応するするため、装置内の
汚れが少なくてパーティクルの発生が抑制され、また形
成された保護膜は容易に除去される。しかしレジストと
Al合金膜との選択比が小さいため、例えばAl配線の段差
部におけるレジスト膜が薄い部分では過剰にエッチング
されてAl配線を傷つける虞があり、またレジストの上面
が均一にエッチングされずに凹凸が形成されるため、後
工程である保護膜の除去処理の際に問題となる。本発明
はかかる事情に鑑みてなされたものであって、その目的
とするところは塩素系ガス及び窒素系ガスの混合ガスを
用いても選択比が高くかつ後工程に影響を与えることな
くAl合金膜の異方性エッチングを行うプラズマエッチン
グ方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係るプラズ
マエッチング方法にあっては、エッチングガスとして塩
素系ガス及び窒素系ガスを用い、レジストをマスクとし
てアルミニウム合金膜をプラズマエッチングする方法に
おいて、前記レジスト上に酸化膜を堆積し、該酸化膜及
び前記レジストをマスクとしてエッチングすることを特
徴とする。また第２の発明に係るプラズマエッチング方
法にあっては、エッチングガスとして塩素系ガス及び窒
素系ガスを用い、レジストをマスクとしてアルミニウム
合金膜をプラズマエッチングする方法において、前記レ
ジスト上に酸化膜を堆積し、該酸化膜及び前記レジスト
をマスクに用い、エッチングにてアルミニウム合金膜に
削成される側壁に前記エッチングガス，前記レジスト及
び前記酸化膜の反応物である保護膜を形成させつつ前記
アルミニウム合金膜をエッチングし、前記酸化膜の膜厚
は、エッチング処理にてレジスト上に酸化膜が無く、か
つ所要の強度の前記保護膜を形成することが可能な厚さ
にすることを特徴とする。
マエッチング方法にあっては、エッチングガスとして塩
素系ガス及び窒素系ガスを用い、レジストをマスクとし
てアルミニウム合金膜をプラズマエッチングする方法に
おいて、前記レジスト上に酸化膜を堆積し、該酸化膜及
び前記レジストをマスクとしてエッチングすることを特
徴とする。また第２の発明に係るプラズマエッチング方
法にあっては、エッチングガスとして塩素系ガス及び窒
素系ガスを用い、レジストをマスクとしてアルミニウム
合金膜をプラズマエッチングする方法において、前記レ
ジスト上に酸化膜を堆積し、該酸化膜及び前記レジスト
をマスクに用い、エッチングにてアルミニウム合金膜に
削成される側壁に前記エッチングガス，前記レジスト及
び前記酸化膜の反応物である保護膜を形成させつつ前記
アルミニウム合金膜をエッチングし、前記酸化膜の膜厚
は、エッチング処理にてレジスト上に酸化膜が無く、か
つ所要の強度の前記保護膜を形成することが可能な厚さ
にすることを特徴とする。
【０００９】
【作用】第１の発明のプラズマエッチング方法は、レジ
スト及び該レジスト上に形成した酸化膜をマスクとして
エッチングするため、エッチングガスとして塩素系ガス
及び窒素系ガスを用いてもエッチングされた酸化膜の成
分とエッチングされたレジストとエッチングガスの塩素
及び窒素との反応物が保護膜としてアルミニウム合金膜
のエッチングされた側壁に形成され、所要の異方性形状
にエッチングできる。またこの保護膜はSi，Ｏ，Ｎ，
Ｃ，Ｈといったアッシングによって容易に除去し得る成
分で形成されており、アッシングに使用されるＯ2 及び
ＣＦ4 でエッチングされるものばかりであるため、後工
程に影響を与えない。更に酸化膜とアルミニウム合金膜
との選択比が高く、酸化膜がエッチングされてしまうま
でレジストはエッチングされないため、対レジスト選択
比も向上する。
スト及び該レジスト上に形成した酸化膜をマスクとして
エッチングするため、エッチングガスとして塩素系ガス
及び窒素系ガスを用いてもエッチングされた酸化膜の成
分とエッチングされたレジストとエッチングガスの塩素
及び窒素との反応物が保護膜としてアルミニウム合金膜
のエッチングされた側壁に形成され、所要の異方性形状
にエッチングできる。またこの保護膜はSi，Ｏ，Ｎ，
Ｃ，Ｈといったアッシングによって容易に除去し得る成
分で形成されており、アッシングに使用されるＯ2 及び
ＣＦ4 でエッチングされるものばかりであるため、後工
程に影響を与えない。更に酸化膜とアルミニウム合金膜
との選択比が高く、酸化膜がエッチングされてしまうま
でレジストはエッチングされないため、対レジスト選択
比も向上する。
【００１０】第２の発明のプラズマエッチング方法は、
レジストの上に堆積する酸化膜の膜厚を、エッチング処
理にてレジスト上に酸化膜が無く、かつ所要の強度の保
護膜を形成することが可能な厚さとするため、前述した
諸作用に加えてエッチング処理後に酸化膜を除去する操
作を要さない。
レジストの上に堆積する酸化膜の膜厚を、エッチング処
理にてレジスト上に酸化膜が無く、かつ所要の強度の保
護膜を形成することが可能な厚さとするため、前述した
諸作用に加えてエッチング処理後に酸化膜を除去する操
作を要さない。
【００１１】
【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面を用いて
具体的に説明する。図１は本発明に係る被エッチング試
料の模式的断面図であり、（ａ）はAl合金膜を、また
（ｂ）はAl合金膜及びその下に堆積したバリア層をエッ
チングする場合を示している。バリア層には、一般にTi
Ｎ，TiＷ及びTi等の高融点金属とそのシリサイドが用い
られている。（ａ）では、Si基板１上に絶縁膜であるSi
Ｏ2 膜２及び例えばAl−１％Si−0.5 ％Cu等のAl合金膜
４がこの順に堆積されている。SiＯ2 膜２及びAl合金膜
４の膜厚はそれぞれ5,000 Å及び10,000Åである。また
（ｂ）では、Si基板１上に絶縁膜であるSiＯ2 膜２，バ
リア層としてTiＮ膜３及び前記Al合金膜４がこの順に堆
積されている。TiＮ膜３の膜厚は1,000 Åである。
具体的に説明する。図１は本発明に係る被エッチング試
料の模式的断面図であり、（ａ）はAl合金膜を、また
（ｂ）はAl合金膜及びその下に堆積したバリア層をエッ
チングする場合を示している。バリア層には、一般にTi
Ｎ，TiＷ及びTi等の高融点金属とそのシリサイドが用い
られている。（ａ）では、Si基板１上に絶縁膜であるSi
Ｏ2 膜２及び例えばAl−１％Si−0.5 ％Cu等のAl合金膜
４がこの順に堆積されている。SiＯ2 膜２及びAl合金膜
４の膜厚はそれぞれ5,000 Å及び10,000Åである。また
（ｂ）では、Si基板１上に絶縁膜であるSiＯ2 膜２，バ
リア層としてTiＮ膜３及び前記Al合金膜４がこの順に堆
積されている。TiＮ膜３の膜厚は1,000 Åである。
【００１２】そして両Al合金膜４の上にレジスト膜５を
20,000Åの膜厚に堆積した後、SOG膜６を膜厚が5,000
Å以下となるように堆積する。SOG 膜６の膜厚は、保護
膜の膜厚がSOG 膜６の膜厚に依存しているため十分な強
度の保護膜が得られ、かつエッチング処理後を考慮して
処理後にSOG 膜６が残らない膜厚であり、前記5,000Å
以下が望ましい。SOG 膜６の堆積後、図示しない他のレ
ジスト膜を堆積し、所定のパターンに露光後、ウェット
処理にて現像し、これをマスクとしてＦ系ガスにてSOG
膜６をエッチングし、前記マスク及びレジスト膜５をＯ
2 ガスにてアッシング除去する。そして所定のパターン
成形されたSOG 膜６及びレジスト膜５をマスクとしてCl
2 ＋Ｎ2 混合ガスによるプラズマにて、Al合金膜４また
はAl合金膜４及びTiＮ膜３の被エッチング膜をSiＯ2 膜
２に達するまでエッチングする。
20,000Åの膜厚に堆積した後、SOG膜６を膜厚が5,000
Å以下となるように堆積する。SOG 膜６の膜厚は、保護
膜の膜厚がSOG 膜６の膜厚に依存しているため十分な強
度の保護膜が得られ、かつエッチング処理後を考慮して
処理後にSOG 膜６が残らない膜厚であり、前記5,000Å
以下が望ましい。SOG 膜６の堆積後、図示しない他のレ
ジスト膜を堆積し、所定のパターンに露光後、ウェット
処理にて現像し、これをマスクとしてＦ系ガスにてSOG
膜６をエッチングし、前記マスク及びレジスト膜５をＯ
2 ガスにてアッシング除去する。そして所定のパターン
成形されたSOG 膜６及びレジスト膜５をマスクとしてCl
2 ＋Ｎ2 混合ガスによるプラズマにて、Al合金膜４また
はAl合金膜４及びTiＮ膜３の被エッチング膜をSiＯ2 膜
２に達するまでエッチングする。
【００１３】図２はエッチングを行った結果を示す模式
的断面図であり、図中（ａ），（ｂ）はそれぞれ図１中
の（ａ），（ｂ）に対応する。図２から明らかな如くSO
G 膜６及び被エッチング膜がエッチングされるにつれ
て、レジスト膜５の上端から被エッチング膜の下端にわ
たってその側壁にSOG 膜６中のSi及びＯとプラズマ中の
Cl，Ｎとエッチングされたレジストとが反応した保護膜
11が形成されている。またSOG 膜６の選択比が高いため
SOG 膜６がエッチングされてしまうまでレジスト膜５は
エッチングされず、見かけ上対レジスト選択比が向上す
る。そして被エッチング膜の側壁はこの保護膜11にてエ
ッチングから保護されるため、エッチングはSi基板１に
垂直な方向へしか進まず所要の異方性形状が得られる。
更に前記保護膜11はエッチング処理後、アッシング処理
により容易に除去できる。
的断面図であり、図中（ａ），（ｂ）はそれぞれ図１中
の（ａ），（ｂ）に対応する。図２から明らかな如くSO
G 膜６及び被エッチング膜がエッチングされるにつれ
て、レジスト膜５の上端から被エッチング膜の下端にわ
たってその側壁にSOG 膜６中のSi及びＯとプラズマ中の
Cl，Ｎとエッチングされたレジストとが反応した保護膜
11が形成されている。またSOG 膜６の選択比が高いため
SOG 膜６がエッチングされてしまうまでレジスト膜５は
エッチングされず、見かけ上対レジスト選択比が向上す
る。そして被エッチング膜の側壁はこの保護膜11にてエ
ッチングから保護されるため、エッチングはSi基板１に
垂直な方向へしか進まず所要の異方性形状が得られる。
更に前記保護膜11はエッチング処理後、アッシング処理
により容易に除去できる。
【００１４】これに対し図３の如きレジスト膜５の上に
SOG 膜６を堆積させない従来の被エッチング試料におい
て、Cl2 ＋ＢCl3 混合ガス及びCl2 ＋Ｎ2 混合ガスによ
るプラズマを用いてエッチングを行った結果を図４
（ａ）及び（ｂ）に示す。図４から明らかな如く前者を
用いた場合（ａ）、Al合金膜４の側壁保護膜12が弱いた
めAl合金膜４のエッチング形状は逆テーパ状となり、ま
た後者を用いた場合（ｂ）、Al合金膜４のエッチング形
状は良好ではあるが、レジスト膜５とAl合金膜４との選
択比が小さいためレジスト膜５が大きくエッチングされ
ており、かつレジスト膜５のエッチングされた跡には凹
凸が形成されている。またSOG 膜６を堆積させる場合に
比べSOG 膜６を堆積させない場合、エッチング形状の制
御性が劣り、制御範囲が狭い。
SOG 膜６を堆積させない従来の被エッチング試料におい
て、Cl2 ＋ＢCl3 混合ガス及びCl2 ＋Ｎ2 混合ガスによ
るプラズマを用いてエッチングを行った結果を図４
（ａ）及び（ｂ）に示す。図４から明らかな如く前者を
用いた場合（ａ）、Al合金膜４の側壁保護膜12が弱いた
めAl合金膜４のエッチング形状は逆テーパ状となり、ま
た後者を用いた場合（ｂ）、Al合金膜４のエッチング形
状は良好ではあるが、レジスト膜５とAl合金膜４との選
択比が小さいためレジスト膜５が大きくエッチングされ
ており、かつレジスト膜５のエッチングされた跡には凹
凸が形成されている。またSOG 膜６を堆積させる場合に
比べSOG 膜６を堆積させない場合、エッチング形状の制
御性が劣り、制御範囲が狭い。
【００１５】一方レジスト膜５の上にSOG 膜６を堆積し
た図１（ａ）の被エッチング試料において、Cl2 ＋ＢCl
3 混合ガス及びCl2 ＋ＢCl3 に更にＮ2 ガスを添加した
混合ガスによるプラズマを用いてエッチングを行った結
果を図５（ａ）及び（ｂ）に示す。図５から明らかな如
く前者を用いた場合（ａ）、レジスト膜５がエッチング
されないためAl合金膜４の側壁保護膜がほとんど形成さ
れず、レジスト膜５とAl合金膜４との境にアンダーカッ
トが発生し、また後者を用いた場合（ｂ）、添加したガ
スによるデポジション膜14が形成されるためAl合金膜４
のエッチング形状は順テーパ状となり、かつレジスト膜
５のアッシング除去後もデポジション膜14にＢＮ系膜が
含まれているため、アッシングできずに図６の如くデポ
ジション膜14が残る。
た図１（ａ）の被エッチング試料において、Cl2 ＋ＢCl
3 混合ガス及びCl2 ＋ＢCl3 に更にＮ2 ガスを添加した
混合ガスによるプラズマを用いてエッチングを行った結
果を図５（ａ）及び（ｂ）に示す。図５から明らかな如
く前者を用いた場合（ａ）、レジスト膜５がエッチング
されないためAl合金膜４の側壁保護膜がほとんど形成さ
れず、レジスト膜５とAl合金膜４との境にアンダーカッ
トが発生し、また後者を用いた場合（ｂ）、添加したガ
スによるデポジション膜14が形成されるためAl合金膜４
のエッチング形状は順テーパ状となり、かつレジスト膜
５のアッシング除去後もデポジション膜14にＢＮ系膜が
含まれているため、アッシングできずに図６の如くデポ
ジション膜14が残る。
【００１６】また本発明においては、マスクである酸化
膜はAl合金のエッチング終了時にエッチングされている
ことが好ましいが、残存する酸化膜厚が200 〜300 Åの
場合、Ｏ2 ，ＣＦ4 ガスによるアッシング時にエッチン
グされるので問題はない。
膜はAl合金のエッチング終了時にエッチングされている
ことが好ましいが、残存する酸化膜厚が200 〜300 Åの
場合、Ｏ2 ，ＣＦ4 ガスによるアッシング時にエッチン
グされるので問題はない。
【００１７】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明のプラズマエッ
チング方法は、Al合金膜と酸化膜との選択比が高いた
め、段差のある部分においてもAl合金膜のパターニング
表面に疵を生じることなく所要の異方性形状を広い制御
範囲で得ることができ、Al配線の信頼性が向上し、また
本発明のエッチングによってエッチング処理後に新たな
操作が増加しない等、本発明は優れた効果を奏する。
チング方法は、Al合金膜と酸化膜との選択比が高いた
め、段差のある部分においてもAl合金膜のパターニング
表面に疵を生じることなく所要の異方性形状を広い制御
範囲で得ることができ、Al配線の信頼性が向上し、また
本発明のエッチングによってエッチング処理後に新たな
操作が増加しない等、本発明は優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係る被エッチング試料の模式的断面図
である。
である。
【図２】本発明に係るエッチングを行った結果を示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図３】従来の被エッチング試料の模式的断面図であ
る。
る。
【図４】従来の被エッチング試料をCl2 ＋ＢCl3 混合ガ
ス及びCl2 ＋Ｎ2 混合ガスによるプラズマを用いてエッ
チングを行った結果を示す模式的断面図である。
ス及びCl2 ＋Ｎ2 混合ガスによるプラズマを用いてエッ
チングを行った結果を示す模式的断面図である。
【図５】本発明に係る被エッチング試料をCl2 ＋ＢCl3
混合ガス及びCl2 ＋ＢCl3 にＮ 2 ガスを添加した混合ガ
スによるプラズマを用いてエッチングを行った結果を示
す模式的断面図である。
混合ガス及びCl2 ＋ＢCl3 にＮ 2 ガスを添加した混合ガ
スによるプラズマを用いてエッチングを行った結果を示
す模式的断面図である。
【図６】本発明に係る被エッチング試料をCl2 ＋ＢCl3
にＮ2 ガスを添加した混合ガスによるプラズマを用いて
エッチングし、更にアッシング処理した結果を示す模式
的断面図である。
にＮ2 ガスを添加した混合ガスによるプラズマを用いて
エッチングし、更にアッシング処理した結果を示す模式
的断面図である。
【図７】マイクロ波を用いたECR を利用するプラズマッ
チング装置の構成を示す模式的断面図である。
チング装置の構成を示す模式的断面図である。
１ Ｓｉ基盤 ２ ＳｉＯ2 膜 ３ ＴｉＮ膜 ４ Al合金膜 ５ レジスト ６ ＳＯＧ １１ 保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】 エッチングガスとして塩素系ガス及び窒
素系ガスを用い、レジストをマスクとしてアルミニウム
合金膜をプラズマエッチングする方法において、 前記レジスト上に酸化膜を堆積し、該酸化膜及び前記レ
ジストをマスクとしてエッチングすることを特徴とする
プラズマエッチング方法。 - 【請求項２】 エッチングガスとして塩素系ガス及び窒
素系ガスを用い、レジストをマスクとしてアルミニウム
合金膜をプラズマエッチングする方法において、前記レ
ジスト上に酸化膜を堆積し、該酸化膜及び前記レジスト
をマスクに用い、エッチングにてアルミニウム合金膜に
削成される側壁に前記エッチングガス，前記レジスト及
び前記酸化膜の反応物である保護膜を形成させつつ前記
アルミニウム合金膜をエッチングし、前記酸化膜の膜厚
は、エッチング処理にてレジスト上に酸化膜が無く、か
つ所要の強度の前記保護膜を形成することが可能な厚さ
にすることを特徴とするプラズマエッチング方法。
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|---|---|---|---|
| JP31751892A JP3449741B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | プラズマエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP31751892A JP3449741B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | プラズマエッチング方法 |
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|---|---|
| JPH06163538A true JPH06163538A (ja) | 1994-06-10 |
| JP3449741B2 JP3449741B2 (ja) | 2003-09-22 |
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ID=18089137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31751892A Expired - Fee Related JP3449741B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | プラズマエッチング方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3449741B2 (ja) |
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1992
- 1992-11-26 JP JP31751892A patent/JP3449741B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
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