JPH053179A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
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- JPH053179A JPH053179A JP26782291A JP26782291A JPH053179A JP H053179 A JPH053179 A JP H053179A JP 26782291 A JP26782291 A JP 26782291A JP 26782291 A JP26782291 A JP 26782291A JP H053179 A JPH053179 A JP H053179A
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- etching
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、アルミニウムを含む金属膜をアン
ダカットなく、さらに残渣なく異方性エッチングするこ
とができるドライエッチング方法を提供することを目的
とする。 【構成】 無機物マスクが形成されたアルミニウムを含
む金属膜を有する基板２０を準備し、塩化物ガスと酸素
ガス及び窒素ガスからなる混合ガスまたは、塩化物ガス
と塩素ガスと酸素ガス及び窒素ガスからなる混合ガスを
マイクロ波と磁場とで相互作用させて放電プラズマを生
成し、この放電プラズマによってアルミニウムを含む金
属膜をエッチングする。
ダカットなく、さらに残渣なく異方性エッチングするこ
とができるドライエッチング方法を提供することを目的
とする。 【構成】 無機物マスクが形成されたアルミニウムを含
む金属膜を有する基板２０を準備し、塩化物ガスと酸素
ガス及び窒素ガスからなる混合ガスまたは、塩化物ガス
と塩素ガスと酸素ガス及び窒素ガスからなる混合ガスを
マイクロ波と磁場とで相互作用させて放電プラズマを生
成し、この放電プラズマによってアルミニウムを含む金
属膜をエッチングする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路素子の
製造方法、特に、アルミニウムを含む金属膜をパターニ
ングするためのドライエッチング方法に関する。
製造方法、特に、アルミニウムを含む金属膜をパターニ
ングするためのドライエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のドライエッチング方法に
おいて、特開昭６４−８２６３０号公報により開示され
ているものがあるように、無機物として、シリコン酸化
膜を代表とする物質をマスクとして、Ａｌ合金膜をドラ
イエッチングする方法としては有機物として、図６
（ａ）に示すように、ポジレジスト１０１などをマスク
として被エッチング膜１０２をドライエッチングする方
法に比べて、図６（ｂ）に示すように、マスクパターン
１０３の下のＡｌ合金膜１０４にアンダカットを生じ易
い理由から、塩素を含むガスに酸素を混合したガスを用
いていた。
おいて、特開昭６４−８２６３０号公報により開示され
ているものがあるように、無機物として、シリコン酸化
膜を代表とする物質をマスクとして、Ａｌ合金膜をドラ
イエッチングする方法としては有機物として、図６
（ａ）に示すように、ポジレジスト１０１などをマスク
として被エッチング膜１０２をドライエッチングする方
法に比べて、図６（ｂ）に示すように、マスクパターン
１０３の下のＡｌ合金膜１０４にアンダカットを生じ易
い理由から、塩素を含むガスに酸素を混合したガスを用
いていた。
【０００３】これは、有機物をマスクとした場合、Ａｌ
合金の側面の保護膜はマスクからスパッタされた有機物
から形成されるのに対し、無機物をマスクとした場合、
塩素系ガスは無機物のエッチレートは極めて遅く、側面
に付着するスパッタ物はほとんどないため、側面の保護
膜として、Ａｌ−Ｏを形成させることを目的として酸素
を混合させるものである。
合金の側面の保護膜はマスクからスパッタされた有機物
から形成されるのに対し、無機物をマスクとした場合、
塩素系ガスは無機物のエッチレートは極めて遅く、側面
に付着するスパッタ物はほとんどないため、側面の保護
膜として、Ａｌ−Ｏを形成させることを目的として酸素
を混合させるものである。
【０００４】塩素を含むガスを用いたドライエッチング
においては、Ａｌと塩素ラジカルは反応エネルギが低
く、かつ塩化アルミニウム（例えば、ＡｌＣｌ）の蒸気
圧は比較的高いため、容易にエッチングが進行し、アン
ダカットが生じ易いため、１０-2〜１０-3torrという低
圧領域を用いることが多い。
においては、Ａｌと塩素ラジカルは反応エネルギが低
く、かつ塩化アルミニウム（例えば、ＡｌＣｌ）の蒸気
圧は比較的高いため、容易にエッチングが進行し、アン
ダカットが生じ易いため、１０-2〜１０-3torrという低
圧領域を用いることが多い。
【０００５】低圧領域では、比較的ラジカル密度が低い
こと、さらには、マグネトロンを用いた反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）により、高いイオン密度が得られる
ことにより、アンダカットが発生しにくいためである。
こと、さらには、マグネトロンを用いた反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）により、高いイオン密度が得られる
ことにより、アンダカットが発生しにくいためである。
【０００６】このマグネトロンＲＩＥは、磁場によって
電子をトラップし、プラズマを閉じこめることにより、
通常のＲＩＥに比べ、高い電離度を得る方法であり、上
記低圧力領域（〜１０-3torr）でも、安定放電が可能で
あるとともに、生産性を考慮した実用的なエッチレート
が同条件下で得られるという利点がある。
電子をトラップし、プラズマを閉じこめることにより、
通常のＲＩＥに比べ、高い電離度を得る方法であり、上
記低圧力領域（〜１０-3torr）でも、安定放電が可能で
あるとともに、生産性を考慮した実用的なエッチレート
が同条件下で得られるという利点がある。
【０００７】このように、無機物をマスクとしたＡｌ合
金膜のエッチングにおいては、Ａｌ合金膜にアンダカッ
トを発生させないように、塩素を含むガスに酸素を添加
し、かつマグネトロンＲＩＥにより、低圧力領域（〜１
０-3torr）でＡｌ合金膜を異方性エッチングすることが
可能となる。
金膜のエッチングにおいては、Ａｌ合金膜にアンダカッ
トを発生させないように、塩素を含むガスに酸素を添加
し、かつマグネトロンＲＩＥにより、低圧力領域（〜１
０-3torr）でＡｌ合金膜を異方性エッチングすることが
可能となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた方法では、塩素を含むガスに酸素を混合させるため
に、Ａｌ合金の側面だけではなく、被エッチング面をも
酸素が保護し、ある程度以上（上記公報では、５％以
上）酸素を混合させると、残渣が生じ易くなったり、エ
ッチレートが低下する問題があった。
べた方法では、塩素を含むガスに酸素を混合させるため
に、Ａｌ合金の側面だけではなく、被エッチング面をも
酸素が保護し、ある程度以上（上記公報では、５％以
上）酸素を混合させると、残渣が生じ易くなったり、エ
ッチレートが低下する問題があった。
【０００９】特に、Ａｌ合金膜として、銅（Ｃｕ）を含
むＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕに代表される合金膜では、Ｃｕの塩
化物は極めて蒸気圧が低いため、これが核となって、残
渣を生じる場合がある。
むＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕに代表される合金膜では、Ｃｕの塩
化物は極めて蒸気圧が低いため、これが核となって、残
渣を生じる場合がある。
【００１０】このような残渣物が発生した場合、塩化物
が大気中の水分と反応し、急速なコロージョンを生じる
ような現象が起こるといったような問題点があった。
が大気中の水分と反応し、急速なコロージョンを生じる
ような現象が起こるといったような問題点があった。
【００１１】このため、混合する酸素量は制約を受ける
ので、加工形状を改善するため、さらに混合量を増加さ
せることができないという問題があった。
ので、加工形状を改善するため、さらに混合量を増加さ
せることができないという問題があった。
【００１２】この発明は前記従来技術が持っている問題
点のうち、塩素を含むガスに酸素を混合し、Ａｌ−Ｓｉ
−Ｃｕを代表とするエッチング残渣の生じ易い合金膜を
異方性エッチングするときに生ずる残渣が発生するとい
う問題点について解決したドライエッチング方法を提供
するものである。
点のうち、塩素を含むガスに酸素を混合し、Ａｌ−Ｓｉ
−Ｃｕを代表とするエッチング残渣の生じ易い合金膜を
異方性エッチングするときに生ずる残渣が発生するとい
う問題点について解決したドライエッチング方法を提供
するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体集積回
路素子の製造工程で無機物マスクを用いてアルミニウム
を含む金属膜を異方性エッチングする際、アルミニウム
を含む金属膜をアンダカットなくエッチングすることが
できるドライエッチング方法を提供することを目的とす
る。さらに、アルミニウムを含む金属膜を残渣なくエッ
チングすることができるドライエッチング方法を提供す
ることを目的とする。
路素子の製造工程で無機物マスクを用いてアルミニウム
を含む金属膜を異方性エッチングする際、アルミニウム
を含む金属膜をアンダカットなくエッチングすることが
できるドライエッチング方法を提供することを目的とす
る。さらに、アルミニウムを含む金属膜を残渣なくエッ
チングすることができるドライエッチング方法を提供す
ることを目的とする。
【００１４】本発明のドライエッチング方法は、無機物
マスクが形成されたアルミニウムを含む金属膜を有する
基板を準備し、塩化物ガスと酸素ガス及び窒素ガスから
成る混合ガスまたは、塩化物ガスと塩素ガスと酸素ガス
及び窒素ガスから成る混合ガスをマイクロ波と磁場とで
相互作用させて放電プラズマを生成し、この放電プラズ
マによって、アルミニウムを含む金属膜をエッチングす
るようにした。
マスクが形成されたアルミニウムを含む金属膜を有する
基板を準備し、塩化物ガスと酸素ガス及び窒素ガスから
成る混合ガスまたは、塩化物ガスと塩素ガスと酸素ガス
及び窒素ガスから成る混合ガスをマイクロ波と磁場とで
相互作用させて放電プラズマを生成し、この放電プラズ
マによって、アルミニウムを含む金属膜をエッチングす
るようにした。
【００１５】
【作用】上述の本発明のドライエッチング方法では無機
物マスクに沿ってアルミニウムを含む金属膜をアンダカ
ットおよび残渣なく、ドライエッチングが行なわれる。
物マスクに沿ってアルミニウムを含む金属膜をアンダカ
ットおよび残渣なく、ドライエッチングが行なわれる。
【００１６】
【実施例】本発明に適用するドライエッチング装置につ
いて図１を用いて説明する。
いて図１を用いて説明する。
【００１７】このドライエッチング装置は、枚葉式有磁
場マイクロ波エッチング装置（magnatro-microwave etc
hing apparatus) であり、所定のマスクパターンを有す
る基板をエッチングする。
場マイクロ波エッチング装置（magnatro-microwave etc
hing apparatus) であり、所定のマスクパターンを有す
る基板をエッチングする。
【００１８】基板２０は、電極１上に載置されている。
【００１９】この電極１は、石英ベルヂャ５内に配置さ
れていて、高周波電源７と接続されている。
れていて、高周波電源７と接続されている。
【００２０】石英ベルヂャ５は、ガス導入口２と排気口
４ａをもっていて、ガス導入口２は、石英ベルヂャ５内
にエッチングガスを導入するために設けられている。ま
た、排気口４ａは、石英ベルヂャ５内のエッチングガス
を排気するために設けられている。
４ａをもっていて、ガス導入口２は、石英ベルヂャ５内
にエッチングガスを導入するために設けられている。ま
た、排気口４ａは、石英ベルヂャ５内のエッチングガス
を排気するために設けられている。
【００２１】導波管４は、マグネトロン発振器３と結合
されている。
されている。
【００２２】コイル６は、石英ベルヂャ５の位置に対応
して導波管４の外周に設けられている。
して導波管４の外周に設けられている。
【００２３】次に、ドライエッチング装置の動作につい
て説明する。
て説明する。
【００２４】マグネトロン発振器３は、マイクロ波
（２．４５［ＧＨｚ］）を出力する。このマイクロ波
は、導波管４を伝播し、石英ベルヂャ５に導入される。
（２．４５［ＧＨｚ］）を出力する。このマイクロ波
は、導波管４を伝播し、石英ベルヂャ５に導入される。
【００２５】コイル６は、通電することにより、磁場
（８７５［Ｇ］）を発生する。
（８７５［Ｇ］）を発生する。
【００２６】ガス導入口２から導入されるエッチングガ
スは、マイクロ波と磁場の相互作用によりＥＣＲ放電プ
ラズマを生成する。
スは、マイクロ波と磁場の相互作用によりＥＣＲ放電プ
ラズマを生成する。
【００２７】この放電プラズマによって、基板２０上に
形成されたアルミ合金膜はエッチングされる。
形成されたアルミ合金膜はエッチングされる。
【００２８】また、高周波電源７から高周波電力が基板
２０を載置した電極１に印加されている。
２０を載置した電極１に印加されている。
【００２９】この高周波電力により基板２０には電界が
生じる。
生じる。
【００３０】この電界により、ＥＣＲ放電プラズマ中に
電離したイオンは基板２０に衝突する。これによってエ
ッチングは促進される。
電離したイオンは基板２０に衝突する。これによってエ
ッチングは促進される。
【００３１】基板２０に衝突するイオンのエネルギは、
高周波電力を制約することにより制御できる。
高周波電力を制約することにより制御できる。
【００３２】次に、本発明のドライエッチング方法の一
実施例について説明する。
実施例について説明する。
【００３３】図２は、本発明のドライエッチング方法に
適用する基板の前処理工程の断面図である。
適用する基板の前処理工程の断面図である。
【００３４】図２（ａ）に示すようにＳｉ基板８上にＣ
ＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法によりＳｉＯ２ 膜９を成長させる。
ＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）法によりＳｉＯ２ 膜９を成長させる。
【００３５】次に、Ａｌ−Ｓｉ（１．０％）−Ｃｕ
（０．５％）膜１０をスパッタリングにより、ＳｉＯ2
膜９上に形成する。
（０．５％）膜１０をスパッタリングにより、ＳｉＯ2
膜９上に形成する。
【００３６】その後、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜１０上に無機
物のマスクとして、例えばプラズマＣＶＤ法で形成され
たＳｉＯ2 膜１１を形成する。このＳｉＯ2 膜１１は、
比較的低温で形成できるので、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜１０
へのヒロック発生の影響が少ない。
物のマスクとして、例えばプラズマＣＶＤ法で形成され
たＳｉＯ2 膜１１を形成する。このＳｉＯ2 膜１１は、
比較的低温で形成できるので、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜１０
へのヒロック発生の影響が少ない。
【００３７】さらに、ＳｉＯ2 膜１１上にパターニング
したポジレジストパターン１２を形成する。
したポジレジストパターン１２を形成する。
【００３８】次に、図２（ｂ）に示すように、ポジレジ
ストパターン１２をマスクとして、ＳｉＯ2 膜１１をパ
ターニングする。
ストパターン１２をマスクとして、ＳｉＯ2 膜１１をパ
ターニングする。
【００３９】このＳｉＯ2 膜１１のパターニングは、四
フッ化炭素ガスと三フッ化メタンガス及びアルゴンガス
から成る混合ガスをエッチングガスとしてReactive ion
etching（ＲＩＥ）を用いて行う。その後、マスクのポ
ジレジストパターン１２は、アッシング及び洗浄処理に
よって完全に除去する。
フッ化炭素ガスと三フッ化メタンガス及びアルゴンガス
から成る混合ガスをエッチングガスとしてReactive ion
etching（ＲＩＥ）を用いて行う。その後、マスクのポ
ジレジストパターン１２は、アッシング及び洗浄処理に
よって完全に除去する。
【００４０】このようにして、本発明のドライエッチン
グ方法に適用されるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜１０のパターニ
ングが完了する。
グ方法に適用されるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜１０のパターニ
ングが完了する。
【００４１】次に、本発明のドライエッチング方法に用
いるエッチングガスについての実験に関して図３を用い
て説明する。
いるエッチングガスについての実験に関して図３を用い
て説明する。
【００４２】ここでは、ＳｉＯ2 膜１１をマスクにし
て、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜１０をドライエッチングする方
法について説明する。
て、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜１０をドライエッチングする方
法について説明する。
【００４３】先ず、塩素ガスをエッチングガスとして、
ドライエッチングを行った結果を図３（ａ）に示す。
ドライエッチングを行った結果を図３（ａ）に示す。
【００４４】このエッチングガスでは、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ膜１０の形状はアンダカット１３となり、ＳｉＯ2 膜
９表面には、残渣物１４が多くなる。
ｕ膜１０の形状はアンダカット１３となり、ＳｉＯ2 膜
９表面には、残渣物１４が多くなる。
【００４５】このときのエッチング条件は、塩素流量が
１５０SCCMであり、ガス圧力が１６mtorr であり、マイ
クロ波電力は８００Ｗであり、高周波電力は７０Ｗであ
り、エッチング時間は３０秒である。
１５０SCCMであり、ガス圧力が１６mtorr であり、マイ
クロ波電力は８００Ｗであり、高周波電力は７０Ｗであ
り、エッチング時間は３０秒である。
【００４６】次に、塩素ガスと酸素ガスから成る混合ガ
スをエッチングガスとしてドライエッチングを行った結
果を図３（ｂ）に示す。
スをエッチングガスとしてドライエッチングを行った結
果を図３（ｂ）に示す。
【００４７】このエッチングガスでは、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ膜１０の形状は、テーパ状１５となり、ＳｉＯ2 膜９
表面には、残渣物１６が全面に形成される。
ｕ膜１０の形状は、テーパ状１５となり、ＳｉＯ2 膜９
表面には、残渣物１６が全面に形成される。
【００４８】このときのエッチング条件は、エッチング
時間が６０秒であり、酸素ガスの混合比は、５〜１０％
である。
時間が６０秒であり、酸素ガスの混合比は、５〜１０％
である。
【００４９】ここで、酸素ガスの混合比を減少してみた
結果は、少量だが残渣物が形成される。
結果は、少量だが残渣物が形成される。
【００５０】また、酸素ガスの混合比を増加してみた。
結果は、エッチングにかかる時間がなり、エッチングレ
ートの低下が起こった。
結果は、エッチングにかかる時間がなり、エッチングレ
ートの低下が起こった。
【００５１】この酸素ガスの混合による残渣物の増加と
エッチングレートの低下は、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜１０表
面が酸素ガスによって酸化されるためである。
エッチングレートの低下は、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜１０表
面が酸素ガスによって酸化されるためである。
【００５２】従って、酸素ガスの混合は、Ａｌ−Ｓｉ−
Ｃｕ膜１０に生ずるアンダカットを防止するが、残渣物
を除去することはできない。
Ｃｕ膜１０に生ずるアンダカットを防止するが、残渣物
を除去することはできない。
【００５３】次に、塩素ガスと酸素ガスに酸素の還元基
を持つ塩化物ガスとして、三塩化ボロンガスを混合し、
このエッチングガスとして、ドライエッチングを行った
結果を図３（ｃ）に示す。
を持つ塩化物ガスとして、三塩化ボロンガスを混合し、
このエッチングガスとして、ドライエッチングを行った
結果を図３（ｃ）に示す。
【００５４】このエッチングガスでは、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ膜１０の形状は、アンダカット１７となり、ＳｉＯ2
膜９表面は残渣物が全くなくなる。
ｕ膜１０の形状は、アンダカット１７となり、ＳｉＯ2
膜９表面は残渣物が全くなくなる。
【００５５】この三塩化ボロンガスは、酸素の還元反応
を促進するため、ＳｉＯ2 膜９のエッチングレートは増
加する。
を促進するため、ＳｉＯ2 膜９のエッチングレートは増
加する。
【００５６】しかしながら、三塩化ボロンガスと塩素ガ
ス及び酸素ガスから成る混合ガスをエッチングガスとし
て用いるためには、基板２０に１５０Ｗ程の高い高周波
電力を印加する必要がある。
ス及び酸素ガスから成る混合ガスをエッチングガスとし
て用いるためには、基板２０に１５０Ｗ程の高い高周波
電力を印加する必要がある。
【００５７】この高い高周波電力の印加により、マスク
であるＳｉＯ2 膜１１のエッチングレートが増加する。
このためＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜１０の形状の悪化が生じ
る。
であるＳｉＯ2 膜１１のエッチングレートが増加する。
このためＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜１０の形状の悪化が生じ
る。
【００５８】次に、三塩化ボロンガスと塩素ガスと酸素
ガス及び窒素ガスをエッチングガスとしてドライエッチ
ングを行った結果を図３（ｄ）に示す。
ガス及び窒素ガスをエッチングガスとしてドライエッチ
ングを行った結果を図３（ｄ）に示す。
【００５９】このエッチングガスでは、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ膜１０の形状がアンダカットとなることはなく、テー
パ状１５となる。
ｕ膜１０の形状がアンダカットとなることはなく、テー
パ状１５となる。
【００６０】また、ＳｉＯ2 膜９の表面の残渣物もなく
なる。
なる。
【００６１】窒素ガスの混合は、プラズマ中のラジカル
の解離とイオンの電離を増加する。従って、Ａｌ−Ｓｉ
−Ｃｕ膜１０のエッチングレートが増加する。さらに、
ＳｉＯ2 膜９の表面の残渣物が除去され易くなる。
の解離とイオンの電離を増加する。従って、Ａｌ−Ｓｉ
−Ｃｕ膜１０のエッチングレートが増加する。さらに、
ＳｉＯ2 膜９の表面の残渣物が除去され易くなる。
【００６２】次に、三塩化ボロンガスと塩素ガスと酸素
ガス及び窒素ガスから成る混合ガスにおける、窒素ガス
混合比と酸素ガス混合比の夫々について最適値を調べて
みた。
ガス及び窒素ガスから成る混合ガスにおける、窒素ガス
混合比と酸素ガス混合比の夫々について最適値を調べて
みた。
【００６３】図４は、窒素ガスの混合比とアルミニウム
合金膜のエッチングレートの関係及び窒素ガスの混合比
と残渣物の有無の関係を示すグラフである。図に示すよ
うに、窒素ガスの混合比が５％以上だと、残渣物がなく
なることが分かる。そして、窒素ガスの混合比が３０％
以上になるとエッチングレートの低さが、加工形状に影
響を及ぼすようになる。
合金膜のエッチングレートの関係及び窒素ガスの混合比
と残渣物の有無の関係を示すグラフである。図に示すよ
うに、窒素ガスの混合比が５％以上だと、残渣物がなく
なることが分かる。そして、窒素ガスの混合比が３０％
以上になるとエッチングレートの低さが、加工形状に影
響を及ぼすようになる。
【００６４】従って、窒素ガスの混合比の最適値は、５
〜３０％の範囲といえる。
〜３０％の範囲といえる。
【００６５】また、図５は、酸素ガスの混合比とアルミ
ニウム合金膜のエッチングレートの関係及び酸素ガスの
混合比と残渣物の有無の関係を示すグラフである。
ニウム合金膜のエッチングレートの関係及び酸素ガスの
混合比と残渣物の有無の関係を示すグラフである。
【００６６】図に示すように、酸素ガスの混合比が５％
以上だと、残渣物が生じる。
以上だと、残渣物が生じる。
【００６７】従って、酸素ガスの混合比の最適値は、１
０％以下といえる。
０％以下といえる。
【００６８】本発明で用いる混合ガスは、三塩化ボロン
ガスと塩素ガスと酸素ガス及び窒素ガスから成る混合ガ
スに限られるものではなく、三塩化ボロンガスと酸素ガ
ス及び窒素ガスから成る混合ガスでも良い。
ガスと塩素ガスと酸素ガス及び窒素ガスから成る混合ガ
スに限られるものではなく、三塩化ボロンガスと酸素ガ
ス及び窒素ガスから成る混合ガスでも良い。
【００６９】また、塩化物ガスは、三塩化ボロンガスに
限られるものではなく、四塩化珪素ガス、四塩化炭素ガ
スでも良い。
限られるものではなく、四塩化珪素ガス、四塩化炭素ガ
スでも良い。
【００７０】また、アルミニウムを含む金属膜は、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｃｕ膜に限られるものではなく、Ａｌ膜，Ａｌ
−Ｃｕ膜，Ａｌ−Ｓｉ膜，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｈｆ−Ｂ
及び他の不純物を添加したアルミニウム合金膜でも良
い。
−Ｓｉ−Ｃｕ膜に限られるものではなく、Ａｌ膜，Ａｌ
−Ｃｕ膜，Ａｌ−Ｓｉ膜，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｈｆ−Ｂ
及び他の不純物を添加したアルミニウム合金膜でも良
い。
【００７１】さらに、無機物マスクは、ＳｉＯ2 膜に限
定されるものではなく、Ｓｉ3 Ｎ4 膜でも良い。
定されるものではなく、Ｓｉ3 Ｎ4 膜でも良い。
【００７２】
【発明の効果】上述の説明からも明らかなように本発明
のドライエッチング方法によれば、無機物をマスクとし
てアルミニウムを含む金属膜を異方性エッチングする場
合に、アルミニウムを含む金属膜をアンダカットなく、
残渣なくエッチングすることができる。
のドライエッチング方法によれば、無機物をマスクとし
てアルミニウムを含む金属膜を異方性エッチングする場
合に、アルミニウムを含む金属膜をアンダカットなく、
残渣なくエッチングすることができる。
【図１】本発明に適用するドライエッチング装置の構成
図。
図。
【図２】本発明のドライエッチング方法に適用する基板
の前処理の工程断面図。
の前処理の工程断面図。
【図３】本発明のドライエッチング方法に用いるエッチ
ングガスの説明に供する図。
ングガスの説明に供する図。
【図４】窒素ガスの混合比とアルミニウム合金膜のエッ
チングレートの関係及び窒素ガスの混合比と残渣物の有
無の関係を示すグラフ。
チングレートの関係及び窒素ガスの混合比と残渣物の有
無の関係を示すグラフ。
【図５】酸素ガスの混合比とアルミニウム合金膜のエッ
チングレートの関係及び窒素ガスの混合比と残渣物の有
無の関係を示すグラフ。
チングレートの関係及び窒素ガスの混合比と残渣物の有
無の関係を示すグラフ。
【図６】従来のドライエッチング方法の説明に供する
図。
図。
１ 電極
２ ガス導入口
３ マグネトロン発振器
４ 導波管
５ 石英ベルヂャ
６ コイル
７ 高周波電源
２０ 基板
Claims (4)
- 【請求項１】 アルミニウムを含む金属膜を有する基板
を準備し、塩化物ガスと酸素ガス及び窒素ガスから成る
混合ガスをマイクロ波と磁場とで相互作用させて放電プ
ラズマを生成し、前記放電プラズマによって前記アルミ
ニウムを含む金属膜をエッチングすることを特徴とする
ドライエッチング方法。 - 【請求項２】 前記混合ガスの酸素ガスの混合比は１０
％以下とすることを特徴とする請求項１記載のドライエ
ッチング方法。 - 【請求項３】 前記混合ガスの窒素ガスの混合比は５〜
３０％とすることを特徴とする請求項１記載のドライエ
ッチング方法。 - 【請求項４】 前記塩化物ガスは三塩化ボロンガスとす
ることを特徴とする請求項１記載のドライエッチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26782291A JPH053179A (ja) | 1990-10-16 | 1991-10-16 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-275405 | 1990-10-16 | ||
| JP27540590 | 1990-10-16 | ||
| JP26782291A JPH053179A (ja) | 1990-10-16 | 1991-10-16 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053179A true JPH053179A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=26548050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26782291A Pending JPH053179A (ja) | 1990-10-16 | 1991-10-16 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH053179A (ja) |
-
1991
- 1991-10-16 JP JP26782291A patent/JPH053179A/ja active Pending
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