JP2000058507A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2000058507A JP2000058507A JP10230735A JP23073598A JP2000058507A JP 2000058507 A JP2000058507 A JP 2000058507A JP 10230735 A JP10230735 A JP 10230735A JP 23073598 A JP23073598 A JP 23073598A JP 2000058507 A JP2000058507 A JP 2000058507A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被エッチング物のパターンの側壁に形成され
る保護膜が除去されるのを防止し、ノッチの発生や側壁
の荒れを防止することができる半導体装置の製造方法を
提供する。 【解決手段】 Ｓｉ基板１上に層間絶縁膜２およびＡｌ
膜３を順次形成した後、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ3
Ｎ4 膜からなるハードマスク４を形成する。ハードマス
ク４上に配線形状のレジストパターン５を形成する。レ
ジストパターン５をマスクとしてハードマスク４をエッ
チングした後、Ｓｉ基板１をＥＣＲプラズマエッチング
装置の反応室内に搬入し、反応室にＢＣｌ3 およびＣｌ
2 の混合ガスを供給して、レジストパターン５およびハ
ードマスク４をマスクとしてＡｌ膜３をエッチングす
る。このとき、Ａｌ配線３ａの側壁には側壁保護膜６が
形成される。エッチング後、ウェットエッチング法によ
り側壁保護膜６を除去する。
る保護膜が除去されるのを防止し、ノッチの発生や側壁
の荒れを防止することができる半導体装置の製造方法を
提供する。 【解決手段】 Ｓｉ基板１上に層間絶縁膜２およびＡｌ
膜３を順次形成した後、プラズマＣＶＤ法によりＳｉ3
Ｎ4 膜からなるハードマスク４を形成する。ハードマス
ク４上に配線形状のレジストパターン５を形成する。レ
ジストパターン５をマスクとしてハードマスク４をエッ
チングした後、Ｓｉ基板１をＥＣＲプラズマエッチング
装置の反応室内に搬入し、反応室にＢＣｌ3 およびＣｌ
2 の混合ガスを供給して、レジストパターン５およびハ
ードマスク４をマスクとしてＡｌ膜３をエッチングす
る。このとき、Ａｌ配線３ａの側壁には側壁保護膜６が
形成される。エッチング後、ウェットエッチング法によ
り側壁保護膜６を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造方法に関し、特に、電子サイクロトロン共鳴プラズマ
エッチング法によるアルミニウム膜のエッチングに適用
して好適なものである。
造方法に関し、特に、電子サイクロトロン共鳴プラズマ
エッチング法によるアルミニウム膜のエッチングに適用
して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、アルミニウム（Ａｌ）配線の
加工においては、加工形状、対レジスト選択比などの特
性を得るために、一般的に、三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）
および塩素（Ｃｌ2 ）を主成分としたエッチングガスを
用いている。それらの加工形状や対レジスト選択比のう
ち、対レジスト選択比においては、高選択比を実現する
必要がある。
加工においては、加工形状、対レジスト選択比などの特
性を得るために、一般的に、三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）
および塩素（Ｃｌ2 ）を主成分としたエッチングガスを
用いている。それらの加工形状や対レジスト選択比のう
ち、対レジスト選択比においては、高選択比を実現する
必要がある。
【０００３】さて、Ａｌ配線の加工においては、具体的
には、Ａｌ膜のエッチングと同時にレジストパターンを
スパッタエッチングしている。そして、このレジストパ
ターンのスパッタエッチングにより発生する炭素（Ｃ）
系の生成物を、被エッチング物のＡｌ膜の側壁に堆積さ
せ、これにより側壁保護効果を維持している。
には、Ａｌ膜のエッチングと同時にレジストパターンを
スパッタエッチングしている。そして、このレジストパ
ターンのスパッタエッチングにより発生する炭素（Ｃ）
系の生成物を、被エッチング物のＡｌ膜の側壁に堆積さ
せ、これにより側壁保護効果を維持している。
【０００４】また、近年、Ａｌ配線の微細化に伴い、リ
ソグラフィー工程においては、レジストパターンの薄膜
化が要求されてきている。ところが、現在のＡｌ配線の
加工プロセスでは、レジストパターンの薄膜化に対応す
ることができない。そこで、一般的に、レジストパター
ンと酸化膜からなるハードマスクとを組み合わせて使用
している。
ソグラフィー工程においては、レジストパターンの薄膜
化が要求されてきている。ところが、現在のＡｌ配線の
加工プロセスでは、レジストパターンの薄膜化に対応す
ることができない。そこで、一般的に、レジストパター
ンと酸化膜からなるハードマスクとを組み合わせて使用
している。
【０００５】また、このようにレジストパターンとハー
ドマスクとを組み合わせて使用する以外にも、ハードマ
スクを単独で使用することも可能である。ただし、Ａｌ
膜のエッチングの際にハードマスクを単独で使用する場
合、側壁保護膜を形成するために、エッチングガスのほ
かに三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）などの堆積ガス（デポ
ジションガス）を添加しなければならない。しかしなが
ら、このようなデポジションガスによる堆積物は、レジ
ストパターンのスパッタエッチングにより発生する炭素
系の生成物による堆積物と比較して、エッチング後に行
われる側壁保護膜の除去処理での除去が困難である。そ
のため、側壁保護膜の除去が不十分になってしまうの
で、側壁保護膜の内部に塩素（Ｃｌ）が残留してしま
い、この残留塩素によってＡｌ配線が腐食してしまうと
いった新たな問題が生じてしまう。
ドマスクとを組み合わせて使用する以外にも、ハードマ
スクを単独で使用することも可能である。ただし、Ａｌ
膜のエッチングの際にハードマスクを単独で使用する場
合、側壁保護膜を形成するために、エッチングガスのほ
かに三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）などの堆積ガス（デポ
ジションガス）を添加しなければならない。しかしなが
ら、このようなデポジションガスによる堆積物は、レジ
ストパターンのスパッタエッチングにより発生する炭素
系の生成物による堆積物と比較して、エッチング後に行
われる側壁保護膜の除去処理での除去が困難である。そ
のため、側壁保護膜の除去が不十分になってしまうの
で、側壁保護膜の内部に塩素（Ｃｌ）が残留してしま
い、この残留塩素によってＡｌ配線が腐食してしまうと
いった新たな問題が生じてしまう。
【０００６】したがって、ハードマスクを単独で使用す
る加工プロセスでは、良好なＡｌ配線の形成は困難であ
るため、Ａｌ配線の加工プロセスにおいては、やはり、
ハードマスクとレジストパターンとを合わせて使用して
いる。
る加工プロセスでは、良好なＡｌ配線の形成は困難であ
るため、Ａｌ配線の加工プロセスにおいては、やはり、
ハードマスクとレジストパターンとを合わせて使用して
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ａｌ配
線の形成において、レジストパターンと酸化膜からなる
ハードマスクとを組み合わせて使用する場合であって
も、上述の、従来から使用しているハードマスクでは、
Ａｌ配線の加工形状に大きな影響を及ぼしてしまう。こ
の従来のハードマスクにおけるＡｌ配線の加工形状への
影響について、以下に図面を参照して説明する。
線の形成において、レジストパターンと酸化膜からなる
ハードマスクとを組み合わせて使用する場合であって
も、上述の、従来から使用しているハードマスクでは、
Ａｌ配線の加工形状に大きな影響を及ぼしてしまう。こ
の従来のハードマスクにおけるＡｌ配線の加工形状への
影響について、以下に図面を参照して説明する。
【０００８】すなわち、図５に示すように、まず、トラ
ンジスタなどの素子や素子分離領域（いずれも図示せ
ず）が形成されたＳｉ基板１０１上に、ホウ素リンシリ
ケートガラス（ＢＰＳＧ）膜からなる層間絶縁膜１０２
およびＡｌ膜１０３を順次形成する。次に、Ａｌ膜１０
３上に、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を原料とし
て用いたプラズマ化学気相成長（プラズマＣＶＤ）法に
より酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜からなるハードマスク
１０４を形成する。次に、リソグラフィー工程により、
ハードマスク１０４上に配線形状のレジストパターン１
０５を形成する。
ンジスタなどの素子や素子分離領域（いずれも図示せ
ず）が形成されたＳｉ基板１０１上に、ホウ素リンシリ
ケートガラス（ＢＰＳＧ）膜からなる層間絶縁膜１０２
およびＡｌ膜１０３を順次形成する。次に、Ａｌ膜１０
３上に、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を原料とし
て用いたプラズマ化学気相成長（プラズマＣＶＤ）法に
より酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜からなるハードマスク
１０４を形成する。次に、リソグラフィー工程により、
ハードマスク１０４上に配線形状のレジストパターン１
０５を形成する。
【０００９】次に、レジストパターン１０５をマスクと
して、ハードマスク１０４をエッチングすることによ
り、レジストパターン１０５およびハードマスク１０４
からなるマスクを形成する。次に、このレジストパター
ン１０５およびハードマスク１０４をマスクとして、電
子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング（ＥＣＲプラ
ズマエッチング）法により、Ａｌ膜１０３をエッチング
する。このとき、図６に示すように、Ａｌ膜１０３のエ
ッチングの進行とともに、レジストパターン１０５のス
パッタエッチングも進行する。このようにレジストパタ
ーン１０５がエッチングされることにより、炭素系の生
成物が発生する。この炭素系の生成物はＡｌ膜１０３か
らなるＡｌ配線１０３ａの側壁に堆積し、そこに側壁保
護膜１０６を形成する。
して、ハードマスク１０４をエッチングすることによ
り、レジストパターン１０５およびハードマスク１０４
からなるマスクを形成する。次に、このレジストパター
ン１０５およびハードマスク１０４をマスクとして、電
子サイクロトロン共鳴プラズマエッチング（ＥＣＲプラ
ズマエッチング）法により、Ａｌ膜１０３をエッチング
する。このとき、図６に示すように、Ａｌ膜１０３のエ
ッチングの進行とともに、レジストパターン１０５のス
パッタエッチングも進行する。このようにレジストパタ
ーン１０５がエッチングされることにより、炭素系の生
成物が発生する。この炭素系の生成物はＡｌ膜１０３か
らなるＡｌ配線１０３ａの側壁に堆積し、そこに側壁保
護膜１０６を形成する。
【００１０】その後、エッチングを続けると、図７に示
すように、レジストパターン１０５は、その薄膜化の影
響もあり、スパッタエッチングによってほとんど除去さ
れてしまう。そして、今度はハードマスク１０４がエッ
チングされ始める。これに伴って、炭素系の生成物から
なる堆積物が供給されなくなるとともに、側壁保護膜１
０６においては側壁保護効果が低下し、破れてしまう。
これによって、図８に示すように、Ａｌ配線１０６ａの
側壁にエッチングが進行し、その側壁が荒れてしまった
り、ハードマスク１０４とＡｌ配線１０６ａとの界面の
近傍のＡｌ配線１０３ａの部分にサイドエッチングが進
行し始め、ノッチ１０７が形成されてしまう。
すように、レジストパターン１０５は、その薄膜化の影
響もあり、スパッタエッチングによってほとんど除去さ
れてしまう。そして、今度はハードマスク１０４がエッ
チングされ始める。これに伴って、炭素系の生成物から
なる堆積物が供給されなくなるとともに、側壁保護膜１
０６においては側壁保護効果が低下し、破れてしまう。
これによって、図８に示すように、Ａｌ配線１０６ａの
側壁にエッチングが進行し、その側壁が荒れてしまった
り、ハードマスク１０４とＡｌ配線１０６ａとの界面の
近傍のＡｌ配線１０３ａの部分にサイドエッチングが進
行し始め、ノッチ１０７が形成されてしまう。
【００１１】そのため、上述のＡｌ膜などの被エッチン
グ物をエッチングする際に、被エッチング物からなるパ
ターンの側壁に形成される保護膜が除去されるのを防止
し、そのパターンの側壁を良好な状態に保ち、ノッチの
発生や側壁の荒れを防止することができる技術の開発が
強く望まれている。
グ物をエッチングする際に、被エッチング物からなるパ
ターンの側壁に形成される保護膜が除去されるのを防止
し、そのパターンの側壁を良好な状態に保ち、ノッチの
発生や側壁の荒れを防止することができる技術の開発が
強く望まれている。
【００１２】したがって、この発明の目的は、被エッチ
ング物をエッチングしてパターンを形成する際に、その
パターンの側壁に形成される保護膜が除去されるのを防
止し、ノッチの発生や側壁の荒れを防止することができ
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
ング物をエッチングしてパターンを形成する際に、その
パターンの側壁に形成される保護膜が除去されるのを防
止し、ノッチの発生や側壁の荒れを防止することができ
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来技術が
有する上述の課題を解決すべく、鋭意検討を行った。以
下にその概要を説明する。
有する上述の課題を解決すべく、鋭意検討を行った。以
下にその概要を説明する。
【００１４】本発明者の知見によれば、上述したよう
に、エッチング時のＡｌ配線におけるノッチの発生は、
側壁保護膜の破れによる側壁保護効果の低下が根本的な
原因である。また、この側壁保護膜は、レジストパター
ンがほとんど除去されてしまうことにより炭素系の生成
物の供給がなくなり、さらにオーバーエッチングを行う
と除去されてしまう。この現象はハードマスクとして使
用している膜の種類によっても、大きく影響される。
に、エッチング時のＡｌ配線におけるノッチの発生は、
側壁保護膜の破れによる側壁保護効果の低下が根本的な
原因である。また、この側壁保護膜は、レジストパター
ンがほとんど除去されてしまうことにより炭素系の生成
物の供給がなくなり、さらにオーバーエッチングを行う
と除去されてしまう。この現象はハードマスクとして使
用している膜の種類によっても、大きく影響される。
【００１５】そこで、本発明者が鋭意検討を重ねた結
果、レジストパターンとハードマスクとを用いたエッチ
ングにおいて側壁保護膜が除去されてしまうのは、次の
ような理由によることを想起するに至った。
果、レジストパターンとハードマスクとを用いたエッチ
ングにおいて側壁保護膜が除去されてしまうのは、次の
ような理由によることを想起するに至った。
【００１６】すなわち、従来から、ハードマスクとして
はＳｉＯ2 膜などの酸化膜が用いられている。そのた
め、堆積物の供給源であるレジストパターンがほとんど
除去されると、ハードマスクが露出しはじめ、続いてハ
ードマスクがエッチングされると、そこから酸素
（Ｏ2 ）が放出される。この放出されたＯ2 は側壁保護
膜中の炭素と反応し、この反応が進んでしまうことによ
って側壁保護効果が低下し、結果的に側壁保護膜がエッ
チングされ破れてしまう。
はＳｉＯ2 膜などの酸化膜が用いられている。そのた
め、堆積物の供給源であるレジストパターンがほとんど
除去されると、ハードマスクが露出しはじめ、続いてハ
ードマスクがエッチングされると、そこから酸素
（Ｏ2 ）が放出される。この放出されたＯ2 は側壁保護
膜中の炭素と反応し、この反応が進んでしまうことによ
って側壁保護効果が低下し、結果的に側壁保護膜がエッ
チングされ破れてしまう。
【００１７】したがって、レジストパターンとハードマ
スクとを用いたエッチングの際に、ハードマスクから酸
素が放出しないようにすれば、酸素による側壁保護膜の
エッチングを抑えることができ、Ａｌ配線の加工プロセ
スにおいて、Ａｌ配線におけるノッチの発生や側壁の荒
れを防止することができる。
スクとを用いたエッチングの際に、ハードマスクから酸
素が放出しないようにすれば、酸素による側壁保護膜の
エッチングを抑えることができ、Ａｌ配線の加工プロセ
スにおいて、Ａｌ配線におけるノッチの発生や側壁の荒
れを防止することができる。
【００１８】そして、そのためには、ハードマスクを、
構成元素として酸素を含まない材料から構成するのが望
ましく、好適には、ハードマスクをＳｉ3 Ｎ4 膜などの
窒化膜から構成するのが好ましい。
構成元素として酸素を含まない材料から構成するのが望
ましく、好適には、ハードマスクをＳｉ3 Ｎ4 膜などの
窒化膜から構成するのが好ましい。
【００１９】すなわち、上記目的を達成するために、こ
の発明は、被エッチング物上にハードマスクを形成し、
ハードマスク上にレジストパターンを形成し、レジスト
パターンをマスクとして、ドライエッチング法によりハ
ードマスクおよび被エッチング物を順次エッチングして
パターンを形成するとともに、パターンの側壁に保護膜
を形成するようにした半導体装置の製造方法において、
ハードマスクが、構成元素として酸素を含まない材料か
らなることを特徴とするものである。
の発明は、被エッチング物上にハードマスクを形成し、
ハードマスク上にレジストパターンを形成し、レジスト
パターンをマスクとして、ドライエッチング法によりハ
ードマスクおよび被エッチング物を順次エッチングして
パターンを形成するとともに、パターンの側壁に保護膜
を形成するようにした半導体装置の製造方法において、
ハードマスクが、構成元素として酸素を含まない材料か
らなることを特徴とするものである。
【００２０】この発明において、ドライエッチング法
は、典型的には、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法
である。また、この発明において、好適には、被エッチ
ング物のエッチングは、マイクロ波（μ波）によるアシ
スト機構を有する電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プ
ラズマエッチング装置において行われる。また、この発
明において、典型的には、レジストパターンをマスクと
したハードマスクのエッチングと、ハードマスクおよび
レジストパターンをマスクとした被エッチング物のエッ
チングとは、異なったドライエッチング装置において連
続的に行われる。また、この発明において、典型的に
は、被エッチング物のエッチングに用いられるガスは、
少なくとも三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）ガスおよび塩素
（Ｃｌ2 ）ガスを含む。
は、典型的には、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法
である。また、この発明において、好適には、被エッチ
ング物のエッチングは、マイクロ波（μ波）によるアシ
スト機構を有する電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プ
ラズマエッチング装置において行われる。また、この発
明において、典型的には、レジストパターンをマスクと
したハードマスクのエッチングと、ハードマスクおよび
レジストパターンをマスクとした被エッチング物のエッ
チングとは、異なったドライエッチング装置において連
続的に行われる。また、この発明において、典型的に
は、被エッチング物のエッチングに用いられるガスは、
少なくとも三塩化ホウ素（ＢＣｌ3 ）ガスおよび塩素
（Ｃｌ2 ）ガスを含む。
【００２１】この発明において、典型的には、構成元素
として酸素を含まない材料は窒化物であり、好適には、
窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＮ）である。また、こ
の発明において、典型的には、ハードマスクは、層間絶
縁膜として用いられる材料からなる。
として酸素を含まない材料は窒化物であり、好適には、
窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＮ）である。また、こ
の発明において、典型的には、ハードマスクは、層間絶
縁膜として用いられる材料からなる。
【００２２】この発明において、被エッチング物は、典
型的にはアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金
であるが、その他の材料であってもよく、例えば、銅
（Ｃｕ）、銅合金、またはシリコン（Ｓｉ）などであっ
てもよい。
型的にはアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金
であるが、その他の材料であってもよく、例えば、銅
（Ｃｕ）、銅合金、またはシリコン（Ｓｉ）などであっ
てもよい。
【００２３】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、ハードマスクを構成元素として酸素を含まない材料
から構成していることにより、マスクとしてレジストパ
ターンとハードマスクとを用いて被エッチング物をエッ
チングする際、レジストパターンのほとんどが除去され
ハードマスクがエッチングされても、ハードマスクから
酸素が放出しないため、被エッチング物からなるパター
ンの側壁に形成される保護膜がエッチングされるのを防
止することができる。
ば、ハードマスクを構成元素として酸素を含まない材料
から構成していることにより、マスクとしてレジストパ
ターンとハードマスクとを用いて被エッチング物をエッ
チングする際、レジストパターンのほとんどが除去され
ハードマスクがエッチングされても、ハードマスクから
酸素が放出しないため、被エッチング物からなるパター
ンの側壁に形成される保護膜がエッチングされるのを防
止することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態につ
いて図面を参照しながら説明する。
いて図面を参照しながら説明する。
【００２５】この発明の一実施形態による半導体装置の
製造方法においては、まず、図１に示すように、例えば
トランジスタなどの素子や素子分離領域（いずれも図示
せず）などが形成されたＳｉ基板１上に、例えばＢＰＳ
Ｇ膜からなる層間絶縁膜２、およびＡｌ膜３を順次形成
する。次に、Ａｌ膜３上に例えばプラズマＣＶＤ法によ
り、Ｓｉ3 Ｎ4 膜からなるハードマスク４を形成し、こ
のハードマスク４上に配線形状のレジストパターン５を
形成する。なお、レジストパターン５は構成元素として
Ｃを含むものである。
製造方法においては、まず、図１に示すように、例えば
トランジスタなどの素子や素子分離領域（いずれも図示
せず）などが形成されたＳｉ基板１上に、例えばＢＰＳ
Ｇ膜からなる層間絶縁膜２、およびＡｌ膜３を順次形成
する。次に、Ａｌ膜３上に例えばプラズマＣＶＤ法によ
り、Ｓｉ3 Ｎ4 膜からなるハードマスク４を形成し、こ
のハードマスク４上に配線形状のレジストパターン５を
形成する。なお、レジストパターン５は構成元素として
Ｃを含むものである。
【００２６】次に、Ｓｉ基板１を、平行平板型の電極を
有するドライエッチング装置（図示せず）の反応室内に
搬入し、レジストパターン５をマスクとしてハードマス
ク４の異方性エッチングを行う。これにより、レジスト
パターン５およびハードマスク４からなるマスクが形成
される。続けて、Ｓｉ基板１をＥＣＲプラズマエッチン
グ装置（図示せず）の反応室内に搬入する。その後、こ
の反応室内に、エッチングガスとしてＢＣｌ3 ガスとＣ
ｌ2 ガスとの混合ガスを供給し、レジストパターン５お
よびハードマスク４をマスクとして、Ａｌ膜３をエッチ
ングする。
有するドライエッチング装置（図示せず）の反応室内に
搬入し、レジストパターン５をマスクとしてハードマス
ク４の異方性エッチングを行う。これにより、レジスト
パターン５およびハードマスク４からなるマスクが形成
される。続けて、Ｓｉ基板１をＥＣＲプラズマエッチン
グ装置（図示せず）の反応室内に搬入する。その後、こ
の反応室内に、エッチングガスとしてＢＣｌ3 ガスとＣ
ｌ2 ガスとの混合ガスを供給し、レジストパターン５お
よびハードマスク４をマスクとして、Ａｌ膜３をエッチ
ングする。
【００２７】このＡｌ膜３のエッチングが進むととも
に、レジストパターン５のスパッタエッチングも進み、
これによって炭素系の生成物が発生する。そして、図２
に示すように、この炭素系の生成物はＡｌ膜３から形成
されたＡｌ配線３ａの側壁に堆積し、側壁保護膜６が形
成される。
に、レジストパターン５のスパッタエッチングも進み、
これによって炭素系の生成物が発生する。そして、図２
に示すように、この炭素系の生成物はＡｌ膜３から形成
されたＡｌ配線３ａの側壁に堆積し、側壁保護膜６が形
成される。
【００２８】さらにエッチングを続けると、図３に示す
ように、レジストパターン５のほとんどはエッチング除
去され、続いてハードマスク４がエッチングされはじめ
る。このとき、ハードマスク４はＳｉ3 Ｎ4 膜からなる
ため、エッチングされても酸素が放出することはないの
で、側壁保護膜６はエッチングされず、Ａｌ配線３ａの
側壁保護効果は維持される。
ように、レジストパターン５のほとんどはエッチング除
去され、続いてハードマスク４がエッチングされはじめ
る。このとき、ハードマスク４はＳｉ3 Ｎ4 膜からなる
ため、エッチングされても酸素が放出することはないの
で、側壁保護膜６はエッチングされず、Ａｌ配線３ａの
側壁保護効果は維持される。
【００２９】Ａｌ膜３のエッチングが終了した後、図４
に示すように、例えば有機系の溶液を用いたウェットエ
ッチング法により側壁保護膜６を除去する。
に示すように、例えば有機系の溶液を用いたウェットエ
ッチング法により側壁保護膜６を除去する。
【００３０】その後、上述と同様にして、層間絶縁膜や
Ａｌ配線（いずれも図示せず）を所望の回数だけ順次繰
り返して形成する。これにより多層配線が形成される。
Ａｌ配線（いずれも図示せず）を所望の回数だけ順次繰
り返して形成する。これにより多層配線が形成される。
【００３１】以上説明したように、この一実施形態によ
れば、レジストパターン５とハードマスク４とを用いて
Ａｌ膜３をエッチングしＡｌ配線３ａを形成する際に、
ハードマスク４として、酸素を構成元素として含まない
Ｓｉ3 Ｎ4 膜を用いていることにより、レジストパター
ン５がほとんど除去されハードマスク４がエッチングさ
れたとしても、ハードマスク４から酸素の放出がないた
め、側壁保護膜の破れを未然に防止することができる。
これにより、側壁保護効果を維持することができるの
で、Ａｌ配線３ａにおけるノッチの発生や側壁の荒れを
防止することができる。また、オーバーエッチングによ
るＡｌ配線の形状におけるマージンを広くすることがで
きる。
れば、レジストパターン５とハードマスク４とを用いて
Ａｌ膜３をエッチングしＡｌ配線３ａを形成する際に、
ハードマスク４として、酸素を構成元素として含まない
Ｓｉ3 Ｎ4 膜を用いていることにより、レジストパター
ン５がほとんど除去されハードマスク４がエッチングさ
れたとしても、ハードマスク４から酸素の放出がないた
め、側壁保護膜の破れを未然に防止することができる。
これにより、側壁保護効果を維持することができるの
で、Ａｌ配線３ａにおけるノッチの発生や側壁の荒れを
防止することができる。また、オーバーエッチングによ
るＡｌ配線の形状におけるマージンを広くすることがで
きる。
【００３２】以上、この発明の一実施形態について具体
的に説明したが、この発明は、上述の一実施形態に限定
されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各
種の変形が可能である。
的に説明したが、この発明は、上述の一実施形態に限定
されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各
種の変形が可能である。
【００３３】例えば、上述の一実施形態において挙げ
た、層間絶縁膜および被エッチング物はあくまでも例に
過ぎず、必要に応じてこれと異なるものを用いてもよ
い。
た、層間絶縁膜および被エッチング物はあくまでも例に
過ぎず、必要に応じてこれと異なるものを用いてもよ
い。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ハードマスクを構成元素として酸素を含まない材料
から構成していることにより、エッチングの際にハード
マスクから酸素が放出されないので、被エッチング物か
らパターンを形成する際に、そのパターンの側壁に形成
される保護膜が除去されるのを防止することができ、ノ
ッチの発生や側壁の荒れを防止することができる。
ば、ハードマスクを構成元素として酸素を含まない材料
から構成していることにより、エッチングの際にハード
マスクから酸素が放出されないので、被エッチング物か
らパターンを形成する際に、そのパターンの側壁に形成
される保護膜が除去されるのを防止することができ、ノ
ッチの発生や側壁の荒れを防止することができる。
【図１】この発明の一実施形態による半導体装置の製造
方法を説明するための断面図である。
方法を説明するための断面図である。
【図２】この発明の一実施形態による半導体装置の製造
方法を説明するための断面図である。
方法を説明するための断面図である。
【図３】この発明の一実施形態による半導体装置の製造
方法を説明するための断面図である。
方法を説明するための断面図である。
【図４】この発明の一実施形態による半導体装置の製造
方法を説明するための断面図である。
方法を説明するための断面図である。
【図５】従来技術によるエッチング方法の問題点を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図６】従来技術によるエッチング方法の問題点を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図７】従来技術によるエッチング方法の問題点を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図８】従来技術によるエッチング方法の問題点を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
１・・・Ｓｉ基板、２・・・層間絶縁膜、３・・・Ａｌ
膜、３ａ・・・Ａｌ配線、４・・・ハードマスク、５・
・・レジストパターン、６・・・側壁保護膜
膜、３ａ・・・Ａｌ配線、４・・・ハードマスク、５・
・・レジストパターン、６・・・側壁保護膜
Claims (6)
- 【請求項１】 被エッチング物上にハードマスクを形成
し、 上記ハードマスク上にレジストパターンを形成し、 上記レジストパターンをマスクとして、ドライエッチン
グ法により上記ハードマスクおよび上記被エッチング物
を順次エッチングしてパターンを形成するとともに、上
記パターンの側壁に保護膜を形成するようにした半導体
装置の製造方法において、 上記ハードマスクが、構成元素として酸素を含まない材
料からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 上記ドライエッチング法が反応性イオン
エッチング法であることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記ドライエッチング法が電子サイクロ
トロン共鳴プラズマエッチング法であることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 上記エッチングに用いられるガスが、少
なくとも三塩化ホウ素ガスおよび塩素ガスを含むことを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 上記構成元素として酸素を含まない材料
が、窒化物であることを特徴とする請求項１記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項６】 上記被エッチング物がアルミニウムまた
はアルミニウム合金であることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10230735A JP2000058507A (ja) | 1998-08-17 | 1998-08-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10230735A JP2000058507A (ja) | 1998-08-17 | 1998-08-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058507A true JP2000058507A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16912489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10230735A Pending JP2000058507A (ja) | 1998-08-17 | 1998-08-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000058507A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100727438B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2007-06-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 디엘씨 유기절연막을 이용한 금속배선 형성 방법 |
| JP2015046459A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | ソニー株式会社 | エッチング方法、電子デバイスの製造方法および偏光板の製造方法 |
| JP2016225432A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システムおよび光電変換装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-08-17 JP JP10230735A patent/JP2000058507A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100727438B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2007-06-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 디엘씨 유기절연막을 이용한 금속배선 형성 방법 |
| JP2015046459A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | ソニー株式会社 | エッチング方法、電子デバイスの製造方法および偏光板の製造方法 |
| JP2016225432A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システムおよび光電変換装置の製造方法 |
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