JPH07254589A - 試料の後処理方法 - Google Patents
試料の後処理方法Info
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- JPH07254589A JPH07254589A JP1230695A JP1230695A JPH07254589A JP H07254589 A JPH07254589 A JP H07254589A JP 1230695 A JP1230695 A JP 1230695A JP 1230695 A JP1230695 A JP 1230695A JP H07254589 A JPH07254589 A JP H07254589A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、Ａｌ系配線膜に対し、少なく
ともＨ成分を有するプラズマにて処理する工程を有し、
さらに、Ａｌ系配線材料の後処理において、少なくとも
Ｈ成分とＯ成分とを有するプラズマにて処理をする工程
を有し、高い防食処理とアッシング処理とを同時に行う
後処理を実施することにある。 【構成】アルミニウムを含む積層材料の試料（９０）を
ハロゲンガスを用いてエッチング処理した後、Ｈ，ＣＨ
あるいはＣＨＯで構成される水素含有成分ガスと酸素成
分ガスの混合ガスプラズマを用いて前記試料（９０）表
面上からハロゲン成分とレジスト成分を同時に除去し、
防食処理することを特徴とする試料の後処理方法。
ともＨ成分を有するプラズマにて処理する工程を有し、
さらに、Ａｌ系配線材料の後処理において、少なくとも
Ｈ成分とＯ成分とを有するプラズマにて処理をする工程
を有し、高い防食処理とアッシング処理とを同時に行う
後処理を実施することにある。 【構成】アルミニウムを含む積層材料の試料（９０）を
ハロゲンガスを用いてエッチング処理した後、Ｈ，ＣＨ
あるいはＣＨＯで構成される水素含有成分ガスと酸素成
分ガスの混合ガスプラズマを用いて前記試料（９０）表
面上からハロゲン成分とレジスト成分を同時に除去し、
防食処理することを特徴とする試料の後処理方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は後処理方法に係り、特に
Ａｌ系配線材料におけるエッチング処理後の防食処理に
好適な試料の後処理方法に関するものである。
Ａｌ系配線材料におけるエッチング処理後の防食処理に
好適な試料の後処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の後処理方法は、例えば特開昭５８
−８７２７６号公報に記載のように、フルオロカーボン
（例えば、ＣＦ4）と酸素（Ｏ2）との混合ガスのプラズ
マによりアッシング処理を施こすことによって、防食処
理を行なっていた。
−８７２７６号公報に記載のように、フルオロカーボン
（例えば、ＣＦ4）と酸素（Ｏ2）との混合ガスのプラズ
マによりアッシング処理を施こすことによって、防食処
理を行なっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術はエッチ
ング処理後の残留付着物除去の点について配慮がされて
おらず、例えば塩素系ガスによるＡｌ系配線膜、特にＡ
ｌ系配線膜の下層にバリヤメタル層としてＴｉＷ膜やＴ
ｉＮ膜を用いた場合のエッチング処理後に、被エッチン
グ処理膜の側壁に付着した残留付着物が充分除去でき
ず、配線膜材料間の局部電池作用と残留付着物成分中に
含まれる塩素成分によって、Ａｌ系配線膜に腐食が発生
しやすいという課題があった。
ング処理後の残留付着物除去の点について配慮がされて
おらず、例えば塩素系ガスによるＡｌ系配線膜、特にＡ
ｌ系配線膜の下層にバリヤメタル層としてＴｉＷ膜やＴ
ｉＮ膜を用いた場合のエッチング処理後に、被エッチン
グ処理膜の側壁に付着した残留付着物が充分除去でき
ず、配線膜材料間の局部電池作用と残留付着物成分中に
含まれる塩素成分によって、Ａｌ系配線膜に腐食が発生
しやすいという課題があった。
【０００４】本発明の第１の目的は、Ａｌ系配線膜に対
し高い防食性能を得ることのできる試料の後処理方法を
提供することにある。
し高い防食性能を得ることのできる試料の後処理方法を
提供することにある。
【０００５】本発明の第２の目的は、Ａｌ系配線膜の後
処理において、高い防食性能を有した防食処理とアッシ
ング処理とを同時に行なうことのできる試料の後処理方
法を提供することにある。
処理において、高い防食性能を有した防食処理とアッシ
ング処理とを同時に行なうことのできる試料の後処理方
法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記第１の目的は、Ａｌ
系配線材料の後処理方法において、少なくともＨ成分を
有するプラズマにて処理をする工程を有したものであ
る。
系配線材料の後処理方法において、少なくともＨ成分を
有するプラズマにて処理をする工程を有したものであ
る。
【０００７】上記第２の目的は、Ａｌ系配線材料の後処
理方法において、少なくともＨ成分とＯ成分とを有する
プラズマにて処理をする工程を有したものである。
理方法において、少なくともＨ成分とＯ成分とを有する
プラズマにて処理をする工程を有したものである。
【０００８】
【作用】Ａｌ系配線材料の後処理において、少なくとも
Ｈ成分を有するプラズマで処理することにより、エッチ
ング処理でＡｌ配線材料に付着した残留付着物、特に塩
素成分（Ｃｌ）がＨと反応して塩化水素（ＨＣｌ）とな
って有効に除去されるので、Ａｌ配線材料の高い防食性
能を得ることができる。
Ｈ成分を有するプラズマで処理することにより、エッチ
ング処理でＡｌ配線材料に付着した残留付着物、特に塩
素成分（Ｃｌ）がＨと反応して塩化水素（ＨＣｌ）とな
って有効に除去されるので、Ａｌ配線材料の高い防食性
能を得ることができる。
【０００９】また、Ａｌ配線材料の後処理において、少
なくともＨ成分とＯ成分とを有するプラズマで処理する
ことにより、エッチング処理でＡｌ配線材料に付着した
残留付着物、特に塩素成分（Ｃｌ）が、Ｈと反応して塩
化水素（ＨＣｌ）となって有効に除去するとともに、Ａ
ｌ配線材料に設けたレジストがＯと反応して除去される
ので、高い防食性能を有した防食処理とアッシング処理
とを行なうことができる。
なくともＨ成分とＯ成分とを有するプラズマで処理する
ことにより、エッチング処理でＡｌ配線材料に付着した
残留付着物、特に塩素成分（Ｃｌ）が、Ｈと反応して塩
化水素（ＨＣｌ）となって有効に除去するとともに、Ａ
ｌ配線材料に設けたレジストがＯと反応して除去される
ので、高い防食性能を有した防食処理とアッシング処理
とを行なうことができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１ないし図３に
より説明する。図１はエッチング処理と後処理を真空下
で連続して行なうことが出来る連続処理装置の一例を示
す。
より説明する。図１はエッチング処理と後処理を真空下
で連続して行なうことが出来る連続処理装置の一例を示
す。
【００１１】図１に示す装置では、バッファ室３とロー
ドロック室４，９とエッチング室６と後処理室８とが真
空排気可能であり、それぞれの室は独立して気密装置に
より仕切ることが可能となっている。この装置を用いた
処理の流れとしては、被処理物がロード側カセット１か
ら直進アーム２によってロードロック室４に運ばれた
後、大気から図示しない排気装置により減圧排気され
る。その後、あらかじめ減圧排気されたバッファ室３を
経由して旋回アーム５によって、減圧排気されたエッチ
ング室６へ送られる。このエッチング室にて所定のエッ
チング処理を行なったのち、旋回アーム７によってこれ
もまたあらかじめ減圧排気された後処理室８へ運ばれ
る。後処理室８で処理された被処理物は、ふたたび旋回
アーム７でロードロック室９に運ばれる。ロードロック
室９が気密装置によりバッファ室３と仕切られた後、ロ
ードロック室９内はＮ2ガスにより大気圧にまで昇圧さ
れる。その後、被処理物は直進アーム１０によりアンロ
ード側カセット１１へ収納し一連の処理を終る。
ドロック室４，９とエッチング室６と後処理室８とが真
空排気可能であり、それぞれの室は独立して気密装置に
より仕切ることが可能となっている。この装置を用いた
処理の流れとしては、被処理物がロード側カセット１か
ら直進アーム２によってロードロック室４に運ばれた
後、大気から図示しない排気装置により減圧排気され
る。その後、あらかじめ減圧排気されたバッファ室３を
経由して旋回アーム５によって、減圧排気されたエッチ
ング室６へ送られる。このエッチング室にて所定のエッ
チング処理を行なったのち、旋回アーム７によってこれ
もまたあらかじめ減圧排気された後処理室８へ運ばれ
る。後処理室８で処理された被処理物は、ふたたび旋回
アーム７でロードロック室９に運ばれる。ロードロック
室９が気密装置によりバッファ室３と仕切られた後、ロ
ードロック室９内はＮ2ガスにより大気圧にまで昇圧さ
れる。その後、被処理物は直進アーム１０によりアンロ
ード側カセット１１へ収納し一連の処理を終る。
【００１２】図２は、図１に示した後処理室８の縦断面
図を示す。図２において、プラズマ発生室４０と処理室
６０は真空に保たれており、アルミニウム製の多孔板５
０によって仕切られている。導入ガスをプラズマ化する
手段は、この場合マイクロ波を利用して行ない、プラズ
マ発生室４０に開口部を設け、該開口部に石英製の窓３
０を取付けて、マイクロ波導波管２０の端部にマイクロ
波発振器１５を設けてなる。
図を示す。図２において、プラズマ発生室４０と処理室
６０は真空に保たれており、アルミニウム製の多孔板５
０によって仕切られている。導入ガスをプラズマ化する
手段は、この場合マイクロ波を利用して行ない、プラズ
マ発生室４０に開口部を設け、該開口部に石英製の窓３
０を取付けて、マイクロ波導波管２０の端部にマイクロ
波発振器１５を設けてなる。
【００１３】排気手段は処理室６０の排気口７０につな
がれ、圧力制御弁８０及び図示しない真空ポンプからな
る。ガス供給手段は、図示を省略したガス供給源からガ
ス供給管４４を介してプラズマ発生室４０のガス供給口
４２につながる。この場合、酸素ガス（Ｏ2）とＨ成分
を有するメタノールガス（ＣＨ3ＯＨ）をそれぞれ流量
制御弁４６，４８で調整し、それぞれのガスを供給可能
に構成している。
がれ、圧力制御弁８０及び図示しない真空ポンプからな
る。ガス供給手段は、図示を省略したガス供給源からガ
ス供給管４４を介してプラズマ発生室４０のガス供給口
４２につながる。この場合、酸素ガス（Ｏ2）とＨ成分
を有するメタノールガス（ＣＨ3ＯＨ）をそれぞれ流量
制御弁４６，４８で調整し、それぞれのガスを供給可能
に構成している。
【００１４】処理室６０には試料９０が搬入され、試料
台１００上に載置される。なお、試料台１００は加熱装
置１０５により加熱でき、プラズマ処理中の試料を加熱
できるよう構成している。
台１００上に載置される。なお、試料台１００は加熱装
置１０５により加熱でき、プラズマ処理中の試料を加熱
できるよう構成している。
【００１５】図１及び図２に示した構成の装置により、
マイクロ波発振器１５より発生した周波数２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波は、マイクロ波導波管２０内を進行し石
英製の窓３０を介してプラズマ発生室４０内に導かれ
る。プラズマ発生室４０に導入された処理用ガスにマイ
クロ波が印加されプラズマ発生室４０にプラズマが発生
する。プラズマ発生室４０と処理室６０の間にはアルミ
ニウム製の多孔板５０が設けてあり、マイクロ波が処理
室６０に進行するのを防止し、主にラジカル成分が処理
室６０に導かれるようにしてある。
マイクロ波発振器１５より発生した周波数２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波は、マイクロ波導波管２０内を進行し石
英製の窓３０を介してプラズマ発生室４０内に導かれ
る。プラズマ発生室４０に導入された処理用ガスにマイ
クロ波が印加されプラズマ発生室４０にプラズマが発生
する。プラズマ発生室４０と処理室６０の間にはアルミ
ニウム製の多孔板５０が設けてあり、マイクロ波が処理
室６０に進行するのを防止し、主にラジカル成分が処理
室６０に導かれるようにしてある。
【００１６】上記構成の装置により、まず、エッチング
室６において、Ａｌ系配線膜を形成した試料９０を塩素
系ガスを用いてエッチング処理する。なお、エッチング
後には配線パターン形成分のマスク材であるレジストと
ともに、エッチング処理中に付着した残留付着物（Ｃ，
Ｈ，Ｃｌ，Ａｌ等）が残る。
室６において、Ａｌ系配線膜を形成した試料９０を塩素
系ガスを用いてエッチング処理する。なお、エッチング
後には配線パターン形成分のマスク材であるレジストと
ともに、エッチング処理中に付着した残留付着物（Ｃ，
Ｈ，Ｃｌ，Ａｌ等）が残る。
【００１７】次に、レジストおよび残留付着物が残った
試料９０を後処理室８に送って、後処理を行なう。後処
理は次のように行なう。この場合、流量制御弁４６およ
び４８を調整し、酸素ガス（Ｏ2）とメタノールガス
（ＣＨ3ＯＨ）とを混合してプラズマ発生室４０内に導
入し、マイクロ波発振器１５からマイクロ波をプラズマ
発生室４０内に導入する。これにより、水素成分（Ｈ）
と酸素成分（Ｏ）およびその他の成分のプラズマが発生
し、この場合、処理室６０側へラジカル主体のプラズマ
が導かれ、残留付着物およびレジストが除去される。
試料９０を後処理室８に送って、後処理を行なう。後処
理は次のように行なう。この場合、流量制御弁４６およ
び４８を調整し、酸素ガス（Ｏ2）とメタノールガス
（ＣＨ3ＯＨ）とを混合してプラズマ発生室４０内に導
入し、マイクロ波発振器１５からマイクロ波をプラズマ
発生室４０内に導入する。これにより、水素成分（Ｈ）
と酸素成分（Ｏ）およびその他の成分のプラズマが発生
し、この場合、処理室６０側へラジカル主体のプラズマ
が導かれ、残留付着物およびレジストが除去される。
【００１８】プラズマ中のＨやＯは、残留付着物中の塩
素成分と反応して塩化水素（ＨＣｌ）を生成して除去し
たり、Ｈ2Ｏとなって塩素成分を溶解、希釈したりし
て、Ａｌ系配線膜の腐食の原因を取り去る。また、プラ
ズマ中のＯは、レジストと反応してレジスト除去を行な
う。
素成分と反応して塩化水素（ＨＣｌ）を生成して除去し
たり、Ｈ2Ｏとなって塩素成分を溶解、希釈したりし
て、Ａｌ系配線膜の腐食の原因を取り去る。また、プラ
ズマ中のＯは、レジストと反応してレジスト除去を行な
う。
【００１９】このように、メタノールガスと酸素ガスと
を混合したプラズマにより、Ａｌ系配線膜の後処理を行
なうので、残留付着物中の残留塩素成分を除去できると
ともに、酸素成分によるレジスト除去（アッシング処
理）が行なえる。
を混合したプラズマにより、Ａｌ系配線膜の後処理を行
なうので、残留付着物中の残留塩素成分を除去できると
ともに、酸素成分によるレジスト除去（アッシング処
理）が行なえる。
【００２０】なお、メタノールガスと酸素ガスとを混合
してプラズマ化し、防食処理とアッシング処理とを同時
に行なうものについて説明したが、それぞれのガスプラ
ズマで工程を分けて行なっても良い。また、防食処理と
してメタノールガスと酸素ガスとの混合ガスによるプラ
ズマで処理し、アッシング処理として酸素ガスのみ又は
酸素ガスを含むガスのプラズマで処理するように、処理
ガスを切り替えて行なうようにしても良い。
してプラズマ化し、防食処理とアッシング処理とを同時
に行なうものについて説明したが、それぞれのガスプラ
ズマで工程を分けて行なっても良い。また、防食処理と
してメタノールガスと酸素ガスとの混合ガスによるプラ
ズマで処理し、アッシング処理として酸素ガスのみ又は
酸素ガスを含むガスのプラズマで処理するように、処理
ガスを切り替えて行なうようにしても良い。
【００２１】次に、本実施例により、Ａｌ系配線膜とし
てＡｌ膜を用いて、従来の後処理と本実施例の後処理と
の比較例を説明する。図３は本実施例による残留塩素量
低減効果を示す図である。図３の処理Ａは従来の酸素
（Ｏ2）と四弗化炭素（ＣＦ4）との混合ガスプラズマ処
理を２分間行なった場合を示す。処理Ｂはメタノールと
酸素の混合ガスで１分間処理を行なった後、酸素プラズ
マによって１分間追加処理を行なった場合の残留塩素量
を示す。試料は６インチ配線パターン付Ａｌ膜ウェハで
Ａｌ膜厚８００ｎｍのものを用いた。
てＡｌ膜を用いて、従来の後処理と本実施例の後処理と
の比較例を説明する。図３は本実施例による残留塩素量
低減効果を示す図である。図３の処理Ａは従来の酸素
（Ｏ2）と四弗化炭素（ＣＦ4）との混合ガスプラズマ処
理を２分間行なった場合を示す。処理Ｂはメタノールと
酸素の混合ガスで１分間処理を行なった後、酸素プラズ
マによって１分間追加処理を行なった場合の残留塩素量
を示す。試料は６インチ配線パターン付Ａｌ膜ウェハで
Ａｌ膜厚８００ｎｍのものを用いた。
【００２２】処理Ａは酸素４００ｃｃ／ｍｉｎ、四弗化
炭素２０ｃｃ／ｍｉｎ、処理圧力１６０Ｐａで処理し
た。処理Ｂは最初にメタノール８０ｃｃ／ｍｉｎ、酸素
４００ｃｃ／ｍｉｎ、処理圧力１６０Ｐａで処理し、次
に酸素４００ｃｃ／ｍｉｎ、処理圧力１６０Ｐａで処理
した。なお、処理Ｂはレジストアッシング速度が酸素と
四弗化炭素との混合ガスとほぼ同等の値が得られる試料
台温度２５０℃に設定して処理を行なった。
炭素２０ｃｃ／ｍｉｎ、処理圧力１６０Ｐａで処理し
た。処理Ｂは最初にメタノール８０ｃｃ／ｍｉｎ、酸素
４００ｃｃ／ｍｉｎ、処理圧力１６０Ｐａで処理し、次
に酸素４００ｃｃ／ｍｉｎ、処理圧力１６０Ｐａで処理
した。なお、処理Ｂはレジストアッシング速度が酸素と
四弗化炭素との混合ガスとほぼ同等の値が得られる試料
台温度２５０℃に設定して処理を行なった。
【００２３】試料台１００の設定温度はレジストのアッ
シング速度とＡｌ系配線膜の熱的ダメージとの関係から
２００℃〜３５０℃に設定することが望ましい。
シング速度とＡｌ系配線膜の熱的ダメージとの関係から
２００℃〜３５０℃に設定することが望ましい。
【００２４】図３に示したように、Ｈ，Ｏを含むガスプ
ラズマ処理を行なうことによって、残留付着物中の塩素
成分をこの場合、約半分に低減できた。塩素成分の低減
に対する詳細な作用は明確ではないが、Ｈ，Ｏを含むガ
スプラズマ中のＨ2あるいはＨ2Ｏ成分が残留塩素成分
（Ｃｌ）に作用して塩化水素（ＨＣｌ）を発生したり、
残留塩素成分を局部的に溶解、希釈するものと考えられ
る。
ラズマ処理を行なうことによって、残留付着物中の塩素
成分をこの場合、約半分に低減できた。塩素成分の低減
に対する詳細な作用は明確ではないが、Ｈ，Ｏを含むガ
スプラズマ中のＨ2あるいはＨ2Ｏ成分が残留塩素成分
（Ｃｌ）に作用して塩化水素（ＨＣｌ）を発生したり、
残留塩素成分を局部的に溶解、希釈するものと考えられ
る。
【００２５】以上、本実施例によれば、Ａｌ系配線膜エ
ッチング処理後に残留する残留塩素量を従来よりはるか
に減少させることができ、Ａｌ系配線膜のエッチング処
理後の防食性能を向上させることができるという効果が
ある。
ッチング処理後に残留する残留塩素量を従来よりはるか
に減少させることができ、Ａｌ系配線膜のエッチング処
理後の防食性能を向上させることができるという効果が
ある。
【００２６】なお、本実施例ではメタノール（ＣＨ3Ｏ
Ｈ）を用いた例を示したが、エタノール（Ｃ2Ｈ5ＯＨ）
やアセトン（ＣＨ3ＣＯＣＨ3）を用いたガスプラズマ
や、これらのガスと酸素（Ｏ2）との混合ガスプラズマ
あるいは水素（Ｈ2）やメタン（ＣＨ4）と酸素との混合
ガスでもＡｌ系配線膜の防食処理に対して同様な効果が
ある。
Ｈ）を用いた例を示したが、エタノール（Ｃ2Ｈ5ＯＨ）
やアセトン（ＣＨ3ＣＯＣＨ3）を用いたガスプラズマ
や、これらのガスと酸素（Ｏ2）との混合ガスプラズマ
あるいは水素（Ｈ2）やメタン（ＣＨ4）と酸素との混合
ガスでもＡｌ系配線膜の防食処理に対して同様な効果が
ある。
【００２７】また、メタノール等のＨ成分およびＯ成分
を有するガスのみ、あるいはメタノール等のガスと酸素
との混合ガスによるプラズマ処理後に酸素ガスプラズマ
処理を行なって、後処理が確実になるようにした方が良
いが、メタノール等のガスと酸素との混合ガスによるプ
ラズマ処理のみでレジストがアッシングできる場合には
追加の酸素プラズマ処理は行なわなくてもよい。
を有するガスのみ、あるいはメタノール等のガスと酸素
との混合ガスによるプラズマ処理後に酸素ガスプラズマ
処理を行なって、後処理が確実になるようにした方が良
いが、メタノール等のガスと酸素との混合ガスによるプ
ラズマ処理のみでレジストがアッシングできる場合には
追加の酸素プラズマ処理は行なわなくてもよい。
【００２８】さらに、本一実施例で記載した後処理部の
装置構成は、マイクロ波によるものであったが、ＲＩＥ
方式等の他の方式によるものでも良い。また、本一実施
例では図１に示すように、エッチング処理と後処理とが
連続的に行なえる装置としているが、これに限られるも
のではない。
装置構成は、マイクロ波によるものであったが、ＲＩＥ
方式等の他の方式によるものでも良い。また、本一実施
例では図１に示すように、エッチング処理と後処理とが
連続的に行なえる装置としているが、これに限られるも
のではない。
【００２９】次に他の装置の例を図４，図５により説明
する。図４に示す装置は、例えば図１に示した装置にさ
らに公知のアッシング処理機構を内設した装置構成とな
っている。図５はそれを外設した場合の装置構成となっ
ている。
する。図４に示す装置は、例えば図１に示した装置にさ
らに公知のアッシング処理機構を内設した装置構成とな
っている。図５はそれを外設した場合の装置構成となっ
ている。
【００３０】これらの装置構成は、パターン形成用レジ
スト材の成分中にシリコン（Ｓｉ）系材料が用いられて
いる場合の防食処理に特に有効となる。レジスト材の成
分にシリコン系材料が用いられている場合（シリコン系
無機レジストあるいはシリコンホトレジスト等）には、
酸素ラジカル主体のアッシング処理ではレジスト材中の
シリコンが酸素ラジカルと反応し酸化シリコンを形成し
残留するため、充分なレジストアッシング処理が出来な
いという問題がある。残存したレジストは、残留塩素に
よる配線腐食発生の原因や配線膜上の絶縁膜形成時に異
物として残るため、回路の絶縁不良等製造上の歩留り低
下を招くので極力除去することが望ましい。
スト材の成分中にシリコン（Ｓｉ）系材料が用いられて
いる場合の防食処理に特に有効となる。レジスト材の成
分にシリコン系材料が用いられている場合（シリコン系
無機レジストあるいはシリコンホトレジスト等）には、
酸素ラジカル主体のアッシング処理ではレジスト材中の
シリコンが酸素ラジカルと反応し酸化シリコンを形成し
残留するため、充分なレジストアッシング処理が出来な
いという問題がある。残存したレジストは、残留塩素に
よる配線腐食発生の原因や配線膜上の絶縁膜形成時に異
物として残るため、回路の絶縁不良等製造上の歩留り低
下を招くので極力除去することが望ましい。
【００３１】図４および図５に示すような構成の装置で
は、後処理（１）でメタノールあるいはメタノールと酸
素との混合ガスによるプラズマ処理を行なった後、シリ
コン系レジスト残留物を除去するための後処理（２）を
行なう。後処理（２）は、試料台温度を５０℃以下にし
て、酸素と弗素系ガスによるプラズマ処理を行なうもの
である。これにより防食処理（後処理（１））とレジス
トアッシング処理後処理（２）を達成することができ
る。
は、後処理（１）でメタノールあるいはメタノールと酸
素との混合ガスによるプラズマ処理を行なった後、シリ
コン系レジスト残留物を除去するための後処理（２）を
行なう。後処理（２）は、試料台温度を５０℃以下にし
て、酸素と弗素系ガスによるプラズマ処理を行なうもの
である。これにより防食処理（後処理（１））とレジス
トアッシング処理後処理（２）を達成することができ
る。
【００３２】なお、後処理（２）、すなわち、酸素と弗
素系ガスによるプラズマ処理において、試料９０がバリ
ヤーメタルの場合、試料台温度はＡｌ系配線膜の下層膜
であるＴｉＮ膜、ＴｉＷ膜等のサイドエッチング防止の
ため５０℃以下に設定することが望ましい。
素系ガスによるプラズマ処理において、試料９０がバリ
ヤーメタルの場合、試料台温度はＡｌ系配線膜の下層膜
であるＴｉＮ膜、ＴｉＷ膜等のサイドエッチング防止の
ため５０℃以下に設定することが望ましい。
【００３３】
【発明の効果】本発明によればＡｌ系配線膜のエッチン
グ処理後に残留する塩素成分を含む側壁付着物とレジス
トを有効に除去できるのでＡｌあるいはＡｌ合金膜に対
して高い防食性能が得られるという効果がある。
グ処理後に残留する塩素成分を含む側壁付着物とレジス
トを有効に除去できるのでＡｌあるいはＡｌ合金膜に対
して高い防食性能が得られるという効果がある。
【００３４】また、Ａｌ系配線膜の後処理において、高
い防食性能を有した防食処理とアッシング処理とを同時
に行なうことができるという効果がある。
い防食性能を有した防食処理とアッシング処理とを同時
に行なうことができるという効果がある。
【図１】本発明を実施するための装置の一例を示す平面
図である。
図である。
【図２】図１の装置をＡ−Ａから見た後処理装置の縦断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の防食処理効果である残留塩素量を示す
図である。
図である。
【図４】本発明を実施するための他の装置例を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図５】本発明を実施するための他の装置例を示す概略
構成図である。
構成図である。
８…後処理室、１５…マイクロ波発振器、４０…プラズ
マ発生室、４６，４８…流量制御弁、６０…処理室、８
０…圧力制御弁、９０…試料、１００…試料台、１０５
…加熱装置。
マ発生室、４６，４８…流量制御弁、６０…処理室、８
０…圧力制御弁、９０…試料、１００…試料台、１０５
…加熱装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川原 博宣 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内
Claims (4)
- 【請求項１】基板と基板上に設けられたアルミ含有層と
アルミニウム含有層上に設けられたレジスト層とからな
る試料を、ハロゲン成分を含むガスプラズマによりエッ
チング処理し、エッチング処理されたサンプルを、エッ
チング処理後に残渣として残るハロゲン成分と反応する
水素ラジカルとなる水素成分と酸素成分との両成分を含
む混合ガスのプラズマにより防食処理することを特徴と
する試料の後処理方法。 - 【請求項２】請求項１の試料の後処理方法において、酸
素成分から得られる酸素ラジカルにより上記レジストの
除去が同時に行なわれることを特徴とする試料の後処理
方法。 - 【請求項３】請求項１記載の試料は、アルミニウムとは
異なる金属からなる層をさらに有していることを特徴と
する試料の後処理方法。 - 【請求項４】アルミニウムを含む積層材料の試料をハロ
ゲンガスを用いてエッチング処理した後、Ｈ，ＣＨある
いはＣＨＯで構成される水素含有成分ガスと酸素成分ガ
スの混合ガスプラズマを用いて前記試料表面上からハロ
ゲン成分とレジスト成分を同時に除去し、防食処理する
ことを特徴とする試料の後処理方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP07012306A JP3104840B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 試料の後処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07012306A JP3104840B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 試料の後処理方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1218523A Division JPH0793293B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 後処理方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29841396A Division JP3403595B2 (ja) | 1996-11-11 | 1996-11-11 | 配線材料の加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07254589A true JPH07254589A (ja) | 1995-10-03 |
| JP3104840B2 JP3104840B2 (ja) | 2000-10-30 |
Family
ID=11801642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07012306A Expired - Lifetime JP3104840B2 (ja) | 1995-01-30 | 1995-01-30 | 試料の後処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3104840B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2023180742A (ja) * | 2022-06-10 | 2023-12-21 | 株式会社ニッシン | プラズマ発生装置、プラズマリアクター及びプラズマ発生方法 |
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| JPS6436023A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Sony Corp | Dry etching |
-
1995
- 1995-01-30 JP JP07012306A patent/JP3104840B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3104840B2 (ja) | 2000-10-30 |
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