JPH08264508A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
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- JPH08264508A JPH08264508A JP6542995A JP6542995A JPH08264508A JP H08264508 A JPH08264508 A JP H08264508A JP 6542995 A JP6542995 A JP 6542995A JP 6542995 A JP6542995 A JP 6542995A JP H08264508 A JPH08264508 A JP H08264508A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、弾性表面波装置のＡｌおよびＡｌ合
金電極を塩素系ガスプラズマでエッチング加工する場合
の、電極の腐食を防止するエッチング方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】本発明は、Ｃｌ2とＢＣｌ3との混合ガスを用い
たプラズマエッチングによって弾性表面波装置のＡｌま
たはＡｌ合金電極を形成する工程において、初期はＣｌ
2とＢＣｌ3との混合ガスを用いてエッチングを行い、エ
ッチング終了前はＣｌ2ガスだけでエッチングを行うエ
ッチング方法である。さらに、Ｃｌ2ガスだけでエッチ
ングを行う時期がエッチング終了前の、全エッチング時
間の４０％乃至５０％の時間であるエッチング方法であ
る。図（ａ）はエッチング終了前にＣｌ2でエッチング
した場合で、また、図（ｂ）はエッチング終了までＣｌ
2とＢＣｌ3でエッチングした場合である。
金電極を塩素系ガスプラズマでエッチング加工する場合
の、電極の腐食を防止するエッチング方法を提供するこ
とを目的とする。 【構成】本発明は、Ｃｌ2とＢＣｌ3との混合ガスを用い
たプラズマエッチングによって弾性表面波装置のＡｌま
たはＡｌ合金電極を形成する工程において、初期はＣｌ
2とＢＣｌ3との混合ガスを用いてエッチングを行い、エ
ッチング終了前はＣｌ2ガスだけでエッチングを行うエ
ッチング方法である。さらに、Ｃｌ2ガスだけでエッチ
ングを行う時期がエッチング終了前の、全エッチング時
間の４０％乃至５０％の時間であるエッチング方法であ
る。図（ａ）はエッチング終了前にＣｌ2でエッチング
した場合で、また、図（ｂ）はエッチング終了までＣｌ
2とＢＣｌ3でエッチングした場合である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波装置のＡｌ
またはＡｌ合金電極の腐食を防止するためのエッチング
方法に関するものである。
またはＡｌ合金電極の腐食を防止するためのエッチング
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、弾性表面波装置の高周波化が進む
につれてその電極加工の微細化が要求され、電極加工に
はウエットエッチング法に変わってドライエッチング法
が用いられてきている。また、弾性表面波装置の十分な
耐電力寿命を得るためには、電極材にＡｌ−Ｃｕ等の合
金が必要とされている。
につれてその電極加工の微細化が要求され、電極加工に
はウエットエッチング法に変わってドライエッチング法
が用いられてきている。また、弾性表面波装置の十分な
耐電力寿命を得るためには、電極材にＡｌ−Ｃｕ等の合
金が必要とされている。
【０００３】一般に、ドライエッチングによるＡｌおよ
びＡｌ合金のエッチングには塩素系のガスが使用される
ため、エッチング後に残留するエッチングガス塩素が原
因となって大気中で発生する電極の腐食が問題となって
いる。
びＡｌ合金のエッチングには塩素系のガスが使用される
ため、エッチング後に残留するエッチングガス塩素が原
因となって大気中で発生する電極の腐食が問題となって
いる。
【０００４】半導体装置のＡｌ配線時にも同様の問題が
発生しているが、半導体装置で用いられるＳｉＯ2基板
より、弾性表面波装置で用いられるＬｉＮｂＯ3やＬｉ
ＴａＯ3基板上のＡｌ−Ｃｕ合金の方が腐食が発生しや
すいという問題がある。
発生しているが、半導体装置で用いられるＳｉＯ2基板
より、弾性表面波装置で用いられるＬｉＮｂＯ3やＬｉ
ＴａＯ3基板上のＡｌ−Ｃｕ合金の方が腐食が発生しや
すいという問題がある。
【０００５】上記問題を解決するため、半導体分野で
は、前記腐食を防止する方法として、エッチング後にフ
ッ素系ガスのプラズマ処理により塩素を置換する方法が
特開平５−３６６９１号に、また、エッチング後に酸で
洗浄する方法が特開平２−１４８７２８号に、また、エ
ッチング後にアルカリで洗浄する方法が特開平３−１４
５７２８号に、また、エッチング後に有機溶剤で洗浄す
る方法が特開平３−１８００４０号に、また、エッチン
グ後に純水で洗浄する方法が特開平３−１６６７２４号
に、また、エッチング後に加熱する方法が特開平３−２
８０５３５号に、また、エッチング後に熱した不活性ガ
スを供給する方法が特開昭６３−５３２６８号にそれぞ
れ開示されている。
は、前記腐食を防止する方法として、エッチング後にフ
ッ素系ガスのプラズマ処理により塩素を置換する方法が
特開平５−３６６９１号に、また、エッチング後に酸で
洗浄する方法が特開平２−１４８７２８号に、また、エ
ッチング後にアルカリで洗浄する方法が特開平３−１４
５７２８号に、また、エッチング後に有機溶剤で洗浄す
る方法が特開平３−１８００４０号に、また、エッチン
グ後に純水で洗浄する方法が特開平３−１６６７２４号
に、また、エッチング後に加熱する方法が特開平３−２
８０５３５号に、また、エッチング後に熱した不活性ガ
スを供給する方法が特開昭６３−５３２６８号にそれぞ
れ開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法ではいずれも、十分な腐食の防止につながっては
いない。
の方法ではいずれも、十分な腐食の防止につながっては
いない。
【０００７】従来の弾性表面波装置の電極加工において
は、ＡｌまたはＡｌ合金、特にＡｌ−Ｃｕ合金を電極材
として用いこれを塩素系ガスでドライエッチング加工す
る場合、エッチング後に発生する腐食に対して十分な対
策が得られていなかった。
は、ＡｌまたはＡｌ合金、特にＡｌ−Ｃｕ合金を電極材
として用いこれを塩素系ガスでドライエッチング加工す
る場合、エッチング後に発生する腐食に対して十分な対
策が得られていなかった。
【０００８】上記課題を、解決するために、本発明で
は、全く実施されていない新しいエッチング方法を発明
した。
は、全く実施されていない新しいエッチング方法を発明
した。
【０００９】本発明は、弾性表面波装置のＡｌおよびＡ
ｌ合金電極を塩素系ガスプラズマでエッチング加工する
場合の、電極の腐食を防止するエッチング方法を提供す
ることを目的とする。
ｌ合金電極を塩素系ガスプラズマでエッチング加工する
場合の、電極の腐食を防止するエッチング方法を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【問題を解決するための手段】本発明に係わるエッチン
グ方法は、Ｃｌ2とＢＣｌ3との混合ガスを用いたプラズ
マエッチングによって弾性表面波装置のＡｌまたはＡｌ
合金電極を形成する工程において、初期はＣｌ2とＢＣ
ｌ3との混合ガスを用いてエッチングを進行させて、エ
ッチング終了前はエッチングガスをＣｌ2ガスだけでエ
ッチングを行うエッチング方法である。
グ方法は、Ｃｌ2とＢＣｌ3との混合ガスを用いたプラズ
マエッチングによって弾性表面波装置のＡｌまたはＡｌ
合金電極を形成する工程において、初期はＣｌ2とＢＣ
ｌ3との混合ガスを用いてエッチングを進行させて、エ
ッチング終了前はエッチングガスをＣｌ2ガスだけでエ
ッチングを行うエッチング方法である。
【００１１】さらに、Ｃｌ2ガスだけでエッチングする
時間が、全エッチング時間の４０％乃至５０％の時間で
あるエッチング方法である。
時間が、全エッチング時間の４０％乃至５０％の時間で
あるエッチング方法である。
【００１２】
【作用】本発明の請求項１によれば、エッチング初期に
はＣｌ2とＢＣｌ3との混合ガスを用いて、ＡｌまたはＡ
ｌ合金のエッチングを効率よく進行させ、エッチング終
了前はＣｌ2ガスだけでエッチングすることによって、
ＢＣｌ3が主原因となって発生する電極の腐食が以下に
示すように抑制される。
はＣｌ2とＢＣｌ3との混合ガスを用いて、ＡｌまたはＡ
ｌ合金のエッチングを効率よく進行させ、エッチング終
了前はＣｌ2ガスだけでエッチングすることによって、
ＢＣｌ3が主原因となって発生する電極の腐食が以下に
示すように抑制される。
【００１３】図１は、基板に付着物が付着するモデル図
である。図１において、フォトレジストパターンをエッ
チングマスクとして、Ｃｌ2とＢＣｌ3との混合ガスによ
り、ＲＩＥタイプのプラズマエッチングで圧電単結晶基
板ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3上のＡｌおよびＡｌ合
金のエッチングを行うと、図１(a)，(b)に示すように、
プラズマ中のイオン、主としてＢＣｌx +によりレジスト
がスパッタされてその残渣がパターン近傍の基板に付着
する。この付着物はエッチングに引き続き行われる、Ｏ
2ガスを主成分とするプラズマによるレジストアッシン
グ工程でも除去されない。
である。図１において、フォトレジストパターンをエッ
チングマスクとして、Ｃｌ2とＢＣｌ3との混合ガスによ
り、ＲＩＥタイプのプラズマエッチングで圧電単結晶基
板ＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3上のＡｌおよびＡｌ合
金のエッチングを行うと、図１(a)，(b)に示すように、
プラズマ中のイオン、主としてＢＣｌx +によりレジスト
がスパッタされてその残渣がパターン近傍の基板に付着
する。この付着物はエッチングに引き続き行われる、Ｏ
2ガスを主成分とするプラズマによるレジストアッシン
グ工程でも除去されない。
【００１４】この付着物中にはエッチングガス成分Ｃｌ
およびアッシングガス成分Ｏが多く含まれており、この
Ｃｌ，ＯがＡｌおよびＡｌ合金の腐食に関与する。具体
的には、基板を大気中に取り出した後、このＣｌ，Ｏが
大気中の水分と以下に示すように反応してＡｌおよびＡ
ｌ合金電極の腐食を引き起こす。
およびアッシングガス成分Ｏが多く含まれており、この
Ｃｌ，ＯがＡｌおよびＡｌ合金の腐食に関与する。具体
的には、基板を大気中に取り出した後、このＣｌ，Ｏが
大気中の水分と以下に示すように反応してＡｌおよびＡ
ｌ合金電極の腐食を引き起こす。
【００１５】 Ｃｌ2 ＋ Ｈ2Ｏ → Ｃｌ- ＋ Ｈ+ ＋Ｏ Ａｌ ＋ Ｈ2Ｏ ＋ Ｏ2 → Ａｌ3+ ＋ ＯＨ- Al3+ ＋ Ｃｌ- → ＡｌＣｌ3 この付着物は、エッチング工程においてＡｌおよびＡｌ
合金のエッチングがほぼ終了し、基板表面が現れた時点
から基板への付着が始まり、ＡｌおよびＡｌ合金のエッ
チング進行中には付着しない。
合金のエッチングがほぼ終了し、基板表面が現れた時点
から基板への付着が始まり、ＡｌおよびＡｌ合金のエッ
チング進行中には付着しない。
【００１６】これは、図１(a)に示すように、Ａｌおよ
びＡｌ合金のエッチングが進行している間は、レジスト
残渣はエッチングされるＡｌおよびＡｌ合金上に付着す
るため、エッチング除去されるＡｌおよびＡｌ合金と共
に残渣も除去されるのに対して、図１(b)に示すよう
に、圧電単結晶基板ＬｉＮｂＯ3およびＬｉＴａＯ3のエ
ッチングレートはＡｌの１／１００以下と小さく、ほと
んどエッチングされないため、レジスト残渣も除去され
ず基板上に付着してゆくことによる。
びＡｌ合金のエッチングが進行している間は、レジスト
残渣はエッチングされるＡｌおよびＡｌ合金上に付着す
るため、エッチング除去されるＡｌおよびＡｌ合金と共
に残渣も除去されるのに対して、図１(b)に示すよう
に、圧電単結晶基板ＬｉＮｂＯ3およびＬｉＴａＯ3のエ
ッチングレートはＡｌの１／１００以下と小さく、ほと
んどエッチングされないため、レジスト残渣も除去され
ず基板上に付着してゆくことによる。
【００１７】Ａｌのエッチングには、還元作用の強いＢ
Ｃｌ3はＡｌ表面に存在する酸化膜の除去に不可欠であ
り、Ｃｌ2はＡｌのエッチングレートを増すために不可
欠であるが、Ｃｌ2は、ＢＣｌ3に比べて陽イオンになり
にくく、レジストへのスパッタ作用は極く小さいため、
Ｃｌ2によるレジスト残渣はほとんど生じない。
Ｃｌ3はＡｌ表面に存在する酸化膜の除去に不可欠であ
り、Ｃｌ2はＡｌのエッチングレートを増すために不可
欠であるが、Ｃｌ2は、ＢＣｌ3に比べて陽イオンになり
にくく、レジストへのスパッタ作用は極く小さいため、
Ｃｌ2によるレジスト残渣はほとんど生じない。
【００１８】従って、エッチング終了前にスパッタ作用
の大きいＢＣｌ3の供給を停止し、スパッタ作用の小さ
いＣｌ2だけでエッチングすることによって、レジスト
残渣が基板へ付着するのを防止でき、従って残渣中に残
留するＣｌ、Ｏの基板への残留が防止できて、電極の腐
食が大幅に低減される。また、本発明の請求項２によれ
ば、エッチング終了前にＣｌ2ガスだけでエッチングす
る時間を、全エッチング時間の４０％乃至５０％時間に
することによって、レジスト残渣の基板への付着を最も
少なくでき、従って、残渣中の腐食要因Ｃｌ，Ｏを最も
少なくできて、電極の腐食が最も効率よく防止される。
の大きいＢＣｌ3の供給を停止し、スパッタ作用の小さ
いＣｌ2だけでエッチングすることによって、レジスト
残渣が基板へ付着するのを防止でき、従って残渣中に残
留するＣｌ、Ｏの基板への残留が防止できて、電極の腐
食が大幅に低減される。また、本発明の請求項２によれ
ば、エッチング終了前にＣｌ2ガスだけでエッチングす
る時間を、全エッチング時間の４０％乃至５０％時間に
することによって、レジスト残渣の基板への付着を最も
少なくでき、従って、残渣中の腐食要因Ｃｌ，Ｏを最も
少なくできて、電極の腐食が最も効率よく防止される。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら詳細に説明する。
しながら詳細に説明する。
【００２０】図２(a)〜(d)は本発明実施例の工程の概略
図を示す断面図である。図２において、２１は圧電単結
晶基板、２２はＡｌ−Ｃｕ電極層、２３はフォトレジス
トである。
図を示す断面図である。図２において、２１は圧電単結
晶基板、２２はＡｌ−Ｃｕ電極層、２３はフォトレジス
トである。
【００２１】圧電単結晶基板（ＬｉＮｂＯ3基板あるい
はＬｉＴａＯ3基板）２１上に、例えば０.１５μｍの厚
さのＡｌ−０.５ｗｔ％Ｃｕ合金のスパッタ膜を形成し
た（図２(ａ)）後、フォトリソグラフィにより、例えば
弾性表面波フィルタのレジストパターンを形成し（図２
(ｂ)）、その後、Ｃｌ2とＢＣｌ3との混合ガスを１：１
の体積比、０.６５Ｐａ、３０Ｗのパワーで、マグネト
ロンＲＩＥによってレジストパターンをマスクとしてＡ
ｌ−０.５ｗｔ％Ｃｕ合金膜をプラズマエッチングし弾
性表面波フィルタの電極を形成したものである。（図２
(c)）図３は、プラズマエッチング後の電極パターンを
示す写真である。図３において、３１は電極パターン、
３２はＬｉＮｂＯ3基板、３３は付着物である。ここで
は未だ、Ａｌ−０.５％ｗｔＣｕ電極パターン３１上に
はエッチングマスクとして用いた、レジストが存在す
る。基板３２上の電極３１の近傍にはこの時点で付着物
３３が存在している。
はＬｉＴａＯ3基板）２１上に、例えば０.１５μｍの厚
さのＡｌ−０.５ｗｔ％Ｃｕ合金のスパッタ膜を形成し
た（図２(ａ)）後、フォトリソグラフィにより、例えば
弾性表面波フィルタのレジストパターンを形成し（図２
(ｂ)）、その後、Ｃｌ2とＢＣｌ3との混合ガスを１：１
の体積比、０.６５Ｐａ、３０Ｗのパワーで、マグネト
ロンＲＩＥによってレジストパターンをマスクとしてＡ
ｌ−０.５ｗｔ％Ｃｕ合金膜をプラズマエッチングし弾
性表面波フィルタの電極を形成したものである。（図２
(c)）図３は、プラズマエッチング後の電極パターンを
示す写真である。図３において、３１は電極パターン、
３２はＬｉＮｂＯ3基板、３３は付着物である。ここで
は未だ、Ａｌ−０.５％ｗｔＣｕ電極パターン３１上に
はエッチングマスクとして用いた、レジストが存在す
る。基板３２上の電極３１の近傍にはこの時点で付着物
３３が存在している。
【００２２】図４はエッチング時間と付着物との相関を
示す写真である。図４(a)〜(c)において、Ａｌ−０．５
ｗｔ％Ｃｕ合金電極を形成する時の、エッチング時間と
電極パターン近傍の付着物の付着程度が示されている。
４１は電極パターン、４２はＬｉＮｂＯ3基板、４３は
付着物である。ここでは、Ａｌ−Ｃｕ電極をエッチング
した後、高真空を保ったまま基板を別室に移し、Ｏ2と
ＣＦ4の混合ガスを２０：１体積比，１００Ｐａ，５０
０Ｗでマイクロ波ダウンフロープラズマによってレジス
トパターンをアッシング除去している。（図２(d)）図
４(a)は、エッチング時間６０秒の場合の電極パターン
を示す写真である。エッチング時間６０秒では、エッチ
ングは未だ進行中でＡｌ−Ｃｕ合金が電極パターン４１
外の基板４２上に残っている。このエッチング６０秒で
は電極パターン４１の近傍の基板４２上に付着物はみら
れない。
示す写真である。図４(a)〜(c)において、Ａｌ−０．５
ｗｔ％Ｃｕ合金電極を形成する時の、エッチング時間と
電極パターン近傍の付着物の付着程度が示されている。
４１は電極パターン、４２はＬｉＮｂＯ3基板、４３は
付着物である。ここでは、Ａｌ−Ｃｕ電極をエッチング
した後、高真空を保ったまま基板を別室に移し、Ｏ2と
ＣＦ4の混合ガスを２０：１体積比，１００Ｐａ，５０
０Ｗでマイクロ波ダウンフロープラズマによってレジス
トパターンをアッシング除去している。（図２(d)）図
４(a)は、エッチング時間６０秒の場合の電極パターン
を示す写真である。エッチング時間６０秒では、エッチ
ングは未だ進行中でＡｌ−Ｃｕ合金が電極パターン４１
外の基板４２上に残っている。このエッチング６０秒で
は電極パターン４１の近傍の基板４２上に付着物はみら
れない。
【００２３】図４(b),(c)はそれぞれ、エッチング時間
が７０秒、９０秒の場合の電極パターンを示す写真であ
る。エッチング時間が７０秒、９０秒と長くなる程、電
極パターン４１の近傍の基板４２上の付着物４３が多く
なる。
が７０秒、９０秒の場合の電極パターンを示す写真であ
る。エッチング時間が７０秒、９０秒と長くなる程、電
極パターン４１の近傍の基板４２上の付着物４３が多く
なる。
【００２４】図５は本発明の実施例を具体的に示す写真
である。図５(a)〜(c)において、全エッチング時間は７
０秒である。本図は、初期はＣｌ2とＢＣｌ3の混合ガス
でＡｌ−０.５ｗｔ％Ｃｕ電極のエッチングを進行させ
て、エッチング終了前はＣｌ2ガスだけでエッチングし
た場合の電極を示すものである。５１は電極パターン、
５２はＬｉＮｂＯ3基板、５３は付着物である。
である。図５(a)〜(c)において、全エッチング時間は７
０秒である。本図は、初期はＣｌ2とＢＣｌ3の混合ガス
でＡｌ−０.５ｗｔ％Ｃｕ電極のエッチングを進行させ
て、エッチング終了前はＣｌ2ガスだけでエッチングし
た場合の電極を示すものである。５１は電極パターン、
５２はＬｉＮｂＯ3基板、５３は付着物である。
【００２５】図５(a)はエッチング終了前にＣｌ2ガスだ
けでエッチングする時間が、全エッチング時間７０秒間
の内の、最後の１０秒間の場合の写真である。この場合
は、電極５１の近傍の基板５２上に付着物５３がみられ
る。これは、Ｃｌ2だけでのエッチング時間が短く、基
板表面が現われた時点でまだＢＣｌ3のスパッタ作用が
働いているためである。さらに、この付着物５３の成分
はＣｌ，Ｃ，Ｆ，ＯであることがＥＰＭＡ（電子プロー
ブＸ線微小部分析装置）で確認されている。これは、こ
の付着物がレジスト残渣さであり、この残渣中に残留反
応ガス成分Ｃｌ，Ｏ，Ｆが存在していることを示してい
る。
けでエッチングする時間が、全エッチング時間７０秒間
の内の、最後の１０秒間の場合の写真である。この場合
は、電極５１の近傍の基板５２上に付着物５３がみられ
る。これは、Ｃｌ2だけでのエッチング時間が短く、基
板表面が現われた時点でまだＢＣｌ3のスパッタ作用が
働いているためである。さらに、この付着物５３の成分
はＣｌ，Ｃ，Ｆ，ＯであることがＥＰＭＡ（電子プロー
ブＸ線微小部分析装置）で確認されている。これは、こ
の付着物がレジスト残渣さであり、この残渣中に残留反
応ガス成分Ｃｌ，Ｏ，Ｆが存在していることを示してい
る。
【００２６】図５(b)は、エッチング終了前にＣｌ2ガス
だけでエッチングする時間が、全エッチング時間７０秒
間の内の、最後の３０秒間の場合の写真である。この場
合は、電極５１の近傍の基板５２上には付着物がみられ
ない。
だけでエッチングする時間が、全エッチング時間７０秒
間の内の、最後の３０秒間の場合の写真である。この場
合は、電極５１の近傍の基板５２上には付着物がみられ
ない。
【００２７】図５(c)は、エッチング終了前にＣｌ2ガス
だけでエッチングする時間が全エッチング時間７０秒間
の内の、最後の６０秒間の場合の写真である。この場合
は、電極５１の近傍の基板５２上には付着物はみられな
いが、基板５２上に粗れが生じている。この粗れは、エ
ッチングガスＣｌ2と基板ＬｉＮｂＯ3の成分Ｌｉとが反
応し、ＬｉＣｌが生成され堆積したものであることがＸ
ＰＳ分析で分かっている。またこの粗れはオーバーエッ
チングによって生じることが分かっている。
だけでエッチングする時間が全エッチング時間７０秒間
の内の、最後の６０秒間の場合の写真である。この場合
は、電極５１の近傍の基板５２上には付着物はみられな
いが、基板５２上に粗れが生じている。この粗れは、エ
ッチングガスＣｌ2と基板ＬｉＮｂＯ3の成分Ｌｉとが反
応し、ＬｉＣｌが生成され堆積したものであることがＸ
ＰＳ分析で分かっている。またこの粗れはオーバーエッ
チングによって生じることが分かっている。
【００２８】これにより、図５（ｂ）で示したように、
全エッチング時間７０秒間に対してエッチング終了３０
秒前にＣｌ2ガスだけでエッチングした場合が、最適な
時間配分であることが分かる。この最適な時間は、全エ
ッチング時間に対しＣｌ2ガスだけでエッチングする時
間の割合が、４０％乃至５０％の時であることが理解で
きる。
全エッチング時間７０秒間に対してエッチング終了３０
秒前にＣｌ2ガスだけでエッチングした場合が、最適な
時間配分であることが分かる。この最適な時間は、全エ
ッチング時間に対しＣｌ2ガスだけでエッチングする時
間の割合が、４０％乃至５０％の時であることが理解で
きる。
【００２９】図６は腐食発生実験の結果を示す写真であ
る。図６(a)，(b)は、前記エッチング／レジストアッシ
ングを終了した基板を高真空チャンバから大気中に取り
出し、２４時間以上大気中に放置した後の弾性表面波装
置のＡｌ−Ｃｕ合金電極の腐食の発生状態を示すＳＥＭ
写真である。
る。図６(a)，(b)は、前記エッチング／レジストアッシ
ングを終了した基板を高真空チャンバから大気中に取り
出し、２４時間以上大気中に放置した後の弾性表面波装
置のＡｌ−Ｃｕ合金電極の腐食の発生状態を示すＳＥＭ
写真である。
【００３０】図６(a)は、エッチング終了前の３０秒間
Ｃｌ2ガスだけでエッチングした場合の電極を示す図で
あり、図６(b)は、エッチング終了迄Ｃｌ2とＢＣｌ3と
の混合ガスでエッチングした場合の電極を示す図であ
る。６１は電極パターン、６２はＬｉＮｂＯ3基板、６
３は電極の腐食部分である。
Ｃｌ2ガスだけでエッチングした場合の電極を示す図で
あり、図６(b)は、エッチング終了迄Ｃｌ2とＢＣｌ3と
の混合ガスでエッチングした場合の電極を示す図であ
る。６１は電極パターン、６２はＬｉＮｂＯ3基板、６
３は電極の腐食部分である。
【００３１】図６(b)に示すように、Ｃｌ2とＢＣｌ3と
の混合ガスで最後迄エッチングした場合には電極６１に
腐食６３が多数発生したのに対して、図６(a)に示すよ
うに、本発明における全エッチング時間７０秒間に対し
て、エッチング終了前の３０秒間をＣｌ2ガスだけでエ
ッチングした場合には電極６１に腐食は全くみられなか
った。
の混合ガスで最後迄エッチングした場合には電極６１に
腐食６３が多数発生したのに対して、図６(a)に示すよ
うに、本発明における全エッチング時間７０秒間に対し
て、エッチング終了前の３０秒間をＣｌ2ガスだけでエ
ッチングした場合には電極６１に腐食は全くみられなか
った。
【００３２】このようにして、本発明の、エッチング初
期はＣｌ2とＢＣｌ3との混合ガスでエッチングを効率よ
く進行させて、エッチング終了前はスパッタ作用の小さ
いＣｌ2ガスだけでエッチングすることによって、大気
中での腐食発生の原因となるＣｌ，Ｏを多く含む付着物
を基板に付着させないようにでき、従ってＣｌ，Ｏを基
板に付着させないようにできて、電極の腐食を防止する
ことができる。
期はＣｌ2とＢＣｌ3との混合ガスでエッチングを効率よ
く進行させて、エッチング終了前はスパッタ作用の小さ
いＣｌ2ガスだけでエッチングすることによって、大気
中での腐食発生の原因となるＣｌ，Ｏを多く含む付着物
を基板に付着させないようにでき、従ってＣｌ，Ｏを基
板に付着させないようにできて、電極の腐食を防止する
ことができる。
【００３３】なお、前記実施例で用いたエッチングガス
は、Ｃｌ2とＢＣｌ3だけの混合ガスに限るものではな
く、前記Ｃｌ2とＢＣｌ3に別途ＣＦ4等のガスを添加し
たような場合も含まれることは言うまでもない。
は、Ｃｌ2とＢＣｌ3だけの混合ガスに限るものではな
く、前記Ｃｌ2とＢＣｌ3に別途ＣＦ4等のガスを添加し
たような場合も含まれることは言うまでもない。
【００３４】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、電極の腐食を誘発する要因であるＣｌ，Ｏを多く含
むレジスト残渣の基板への付着を防止することができ、
これによって電極の大気中での腐食は防止され、信頼性
の高い弾性表面波装置の電極パターンを得ることが可能
となる。
ば、電極の腐食を誘発する要因であるＣｌ，Ｏを多く含
むレジスト残渣の基板への付着を防止することができ、
これによって電極の大気中での腐食は防止され、信頼性
の高い弾性表面波装置の電極パターンを得ることが可能
となる。
【図１】第１図は基板に付着物が付着するモデル図
【図２】第２図は本発明の実施例の工程を示す断面図
【図３】第３図はエッチング後の電極を示すＳＥＭ写真
【図４】第４図はエッチング時間と付着物との相関を示
すＳＥＭ写真
すＳＥＭ写真
【図５】第５図は本発明の実施例を示すＳＥＭ写真
【図６】第６図は腐食発生実験の結果を示すＳＥＭ写真
１１ 圧電単結晶基板 １２ Ａｌ−Ｃｕ合金電極層 １３ フォトレジストパターン １４ 付着物
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｃｌ2とＢＣｌ3との混合ガスを用いたプ
ラズマエッチングによって弾性表面波装置のＡｌまたは
Ａｌ合金電極を形成する工程において、初期はＣｌ2と
ＢＣｌ3との混合ガスを用いてエッチングを行い、エッ
チング終了前はＣｌ2ガスだけでエッチングを行うこと
を特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】 Ｃｌ2ガスだけでエッチングする時間
が、全エッチング時間の４０％乃至５０％の時間である
ことを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6542995A JPH08264508A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6542995A JPH08264508A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264508A true JPH08264508A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13286848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6542995A Withdrawn JPH08264508A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264508A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413439B1 (en) | 1999-03-18 | 2002-07-02 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing surface acoustic wave device |
| US6686675B2 (en) | 1998-08-05 | 2004-02-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic device and method for producing the same |
| DE19962117B4 (de) * | 1999-03-18 | 2004-05-06 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Verfahren zur Herstellung einer akustischen Oberflächenwellenanordnung |
-
1995
- 1995-03-24 JP JP6542995A patent/JPH08264508A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6686675B2 (en) | 1998-08-05 | 2004-02-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic device and method for producing the same |
| US6413439B1 (en) | 1999-03-18 | 2002-07-02 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing surface acoustic wave device |
| DE19962117B4 (de) * | 1999-03-18 | 2004-05-06 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Verfahren zur Herstellung einer akustischen Oberflächenwellenanordnung |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020604 |