JPH11145282A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
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- JPH11145282A JPH11145282A JP30411197A JP30411197A JPH11145282A JP H11145282 A JPH11145282 A JP H11145282A JP 30411197 A JP30411197 A JP 30411197A JP 30411197 A JP30411197 A JP 30411197A JP H11145282 A JPH11145282 A JP H11145282A
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- etching
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スルーホールのエッチングはフロロカーボン
ガスを用いて行われるため、側壁に付着した堆積物は、
プラズマにより容易に酸化されるＡｌのフッ化物を含ん
でおり、塩素を添加しただけでは除去されず、塩素が残
留するとスルーホール底面のＡｌ配線が腐食される。 【解決手段】 配線金属膜上に設けられた絶縁膜に前記
配線金属膜面を表出するスルーホールを形成するに際し
て、レジストをマスクとし、絶縁膜に対し活性なエッチ
ングガスによるドライエッチング手段により絶縁膜に配
線金属膜面を表出するスルーホールを形成し、スルーホ
ール側壁をＢＣｌ3ガスを含むプラズマにより処理し、
ＨおよびＯを含むプラズマによりレジストをアッシング
するエッチング方法。
ガスを用いて行われるため、側壁に付着した堆積物は、
プラズマにより容易に酸化されるＡｌのフッ化物を含ん
でおり、塩素を添加しただけでは除去されず、塩素が残
留するとスルーホール底面のＡｌ配線が腐食される。 【解決手段】 配線金属膜上に設けられた絶縁膜に前記
配線金属膜面を表出するスルーホールを形成するに際し
て、レジストをマスクとし、絶縁膜に対し活性なエッチ
ングガスによるドライエッチング手段により絶縁膜に配
線金属膜面を表出するスルーホールを形成し、スルーホ
ール側壁をＢＣｌ3ガスを含むプラズマにより処理し、
ＨおよびＯを含むプラズマによりレジストをアッシング
するエッチング方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はエッチング方法に関
し、特にメタル配線間のスルーホールエッチング方法に
関するものである。
し、特にメタル配線間のスルーホールエッチング方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の半導体ＩＣにおいては、高集
積化による半導体素子の縮小および配線ピッチの縮小に
伴って、配線層間を接続するスルーホールも縮小されて
きている。そして、このスルーホールの縮小に伴って、
スルーホール開孔時にスルーホール内面に付着して残留
するデポジションによる経時的なコンタクト障害が顕在
化してきており、対策が望まれている。
積化による半導体素子の縮小および配線ピッチの縮小に
伴って、配線層間を接続するスルーホールも縮小されて
きている。そして、このスルーホールの縮小に伴って、
スルーホール開孔時にスルーホール内面に付着して残留
するデポジションによる経時的なコンタクト障害が顕在
化してきており、対策が望まれている。
【０００３】従来のスルーホールエッチング方法として
は、特開平５−１８３０５８に記載されているように、
配線金属膜上に設けられた絶縁膜に、配線金属膜面を表
出するスルーホールを形成するに際して、レジストをマ
スクとし、絶縁膜に対し活性なエッチングガスによるド
ライエッチング手段により絶縁膜に配線金属膜面を表出
するスルーホールを形成する工程と、このレジストを、
配線金属に対し活性なガスを含む酸素ガスによるプラズ
マエッチング手段により除去する工程を備えた方法が知
られている。
は、特開平５−１８３０５８に記載されているように、
配線金属膜上に設けられた絶縁膜に、配線金属膜面を表
出するスルーホールを形成するに際して、レジストをマ
スクとし、絶縁膜に対し活性なエッチングガスによるド
ライエッチング手段により絶縁膜に配線金属膜面を表出
するスルーホールを形成する工程と、このレジストを、
配線金属に対し活性なガスを含む酸素ガスによるプラズ
マエッチング手段により除去する工程を備えた方法が知
られている。
【０００４】またレジストをマスクとし、絶縁膜に対し
活性なエッチングガスによるドライエッチング手段によ
り絶縁膜に配線金属膜表面を表出するスルーホールを形
成する工程と、該レジストを酸素ガスによるプラズマエ
ッチングによりアッシング除去する工程と、該スルーホ
ールの側面及び低面に付着するアッシングの残渣を、該
配線金属に対し活性なガスを含む酸素ガスによるプラズ
マエッチング手段により除去する工程を有する方法が用
いられていた。
活性なエッチングガスによるドライエッチング手段によ
り絶縁膜に配線金属膜表面を表出するスルーホールを形
成する工程と、該レジストを酸素ガスによるプラズマエ
ッチングによりアッシング除去する工程と、該スルーホ
ールの側面及び低面に付着するアッシングの残渣を、該
配線金属に対し活性なガスを含む酸素ガスによるプラズ
マエッチング手段により除去する工程を有する方法が用
いられていた。
【０００５】従来のエッチング方法の一例を、図４に示
した工程断面図を参照して説明する。例えばＡｌ若しく
はその合金からなる下層Ａｌ配線３の形成された下層絶
縁膜２上に、ＣＶＤ法によりＰＳＧ等からなる厚さ０．
５〜１μｍ程度の層間絶縁膜４を形成した後、フォトプ
ロセスを用い、スルーホールに対応するエッチング用窓
５を有するレジスト膜６を形成する（図４（ｂ）参
照）。次いで、上記レジスト膜６をマスクとし、リアク
ティブイオンエッチング（ＲＩＥ）処理により前記レジ
スト膜６のエッチング用窓５下部の層間絶縁膜４を選択
的にエッチング除去してスルーホール７を形成する。
した工程断面図を参照して説明する。例えばＡｌ若しく
はその合金からなる下層Ａｌ配線３の形成された下層絶
縁膜２上に、ＣＶＤ法によりＰＳＧ等からなる厚さ０．
５〜１μｍ程度の層間絶縁膜４を形成した後、フォトプ
ロセスを用い、スルーホールに対応するエッチング用窓
５を有するレジスト膜６を形成する（図４（ｂ）参
照）。次いで、上記レジスト膜６をマスクとし、リアク
ティブイオンエッチング（ＲＩＥ）処理により前記レジ
スト膜６のエッチング用窓５下部の層間絶縁膜４を選択
的にエッチング除去してスルーホール７を形成する。
【０００６】なお、このＲＩＥ処理は基板面内全域に分
散するスルーホールを全て完全に開口させるために、オ
ーバエッチングを加えて行われる。そのため、このＲＩ
Ｅ処理により、前記エッチング用窓５の側壁面５ｓ、ス
ルーホール７の個壁面７ａ及び底面７ｂには下層Ａｌ配
線３の表出面からスパッタしたＡｌ粒子を含む有機ポリ
マー８、即ち８ｓ，８ａ，８ｂがそれぞれ堆積被着する
（図４（ｃ）参照）。
散するスルーホールを全て完全に開口させるために、オ
ーバエッチングを加えて行われる。そのため、このＲＩ
Ｅ処理により、前記エッチング用窓５の側壁面５ｓ、ス
ルーホール７の個壁面７ａ及び底面７ｂには下層Ａｌ配
線３の表出面からスパッタしたＡｌ粒子を含む有機ポリ
マー８、即ち８ｓ，８ａ，８ｂがそれぞれ堆積被着する
（図４（ｃ）参照）。
【０００７】次いで、配線材料であるＡｌに活性なＣｌ
系のガスを通常の酸素（Ｏ2）のみのアッシングガスに
０．００１〜１０％程度の割合で添加し、例えば通常の
平行平板型の枚葉式アッシング装置内においてレジスト
のアッシング処理を行う。このアッシングにおいて、レ
ジスト膜６がアッシング除去されると共にレジスト膜６
のエッチング用窓５の側壁面に被着している有機ポリマ
ー８ｓが除去され、且つＣｌ2及びＯ2との反応によりス
ルーホール７の側壁面７ａ及び底面７ｂに被着している
Ａｌ粒子を含む、有機ポリマー８ａ，８ｂも完全に除去
され、清浄な下層Ａｌ配線３面の表出するスルーホール
７が形成される。
系のガスを通常の酸素（Ｏ2）のみのアッシングガスに
０．００１〜１０％程度の割合で添加し、例えば通常の
平行平板型の枚葉式アッシング装置内においてレジスト
のアッシング処理を行う。このアッシングにおいて、レ
ジスト膜６がアッシング除去されると共にレジスト膜６
のエッチング用窓５の側壁面に被着している有機ポリマ
ー８ｓが除去され、且つＣｌ2及びＯ2との反応によりス
ルーホール７の側壁面７ａ及び底面７ｂに被着している
Ａｌ粒子を含む、有機ポリマー８ａ，８ｂも完全に除去
され、清浄な下層Ａｌ配線３面の表出するスルーホール
７が形成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前述のような従来のエ
ッチング方法では、フォトレジストを剥離する工程で、
下層の配線材料であるＡｌに対し活性なＣｌ系のガス
を、通常の酸素（Ｏ2）のみのアッシングガスに０．０
０１〜１０％程度の割合で添加し、スルーホール側壁に
付着したＡｌを含む堆積膜を除去出来るとしている。し
かしながらスルーホールのエッチングは通常、フロロカ
ーボンガスを用いて行われるため、スルーホールエッチ
ング時に側壁に付着したデポ物は、主にＡｌのフッ化物
とシリコン酸化膜と炭素を含んでおり、Ａｌのフッ化物
は酸素を含んだプラズマにより容易に酸化され、少量の
塩素を添加しただけでは除去されないという問題点があ
った。また多量の塩素を添加した場合には、下層のＡｌ
配線表面に塩素が残留するため、ウェハーを大気に解放
後、スルーホール底面のＡｌ配線が腐食を起こすという
問題点があった。
ッチング方法では、フォトレジストを剥離する工程で、
下層の配線材料であるＡｌに対し活性なＣｌ系のガス
を、通常の酸素（Ｏ2）のみのアッシングガスに０．０
０１〜１０％程度の割合で添加し、スルーホール側壁に
付着したＡｌを含む堆積膜を除去出来るとしている。し
かしながらスルーホールのエッチングは通常、フロロカ
ーボンガスを用いて行われるため、スルーホールエッチ
ング時に側壁に付着したデポ物は、主にＡｌのフッ化物
とシリコン酸化膜と炭素を含んでおり、Ａｌのフッ化物
は酸素を含んだプラズマにより容易に酸化され、少量の
塩素を添加しただけでは除去されないという問題点があ
った。また多量の塩素を添加した場合には、下層のＡｌ
配線表面に塩素が残留するため、ウェハーを大気に解放
後、スルーホール底面のＡｌ配線が腐食を起こすという
問題点があった。
【０００９】本発明の目的は、上記問題に鑑み、微細な
ビアホール内に付着したＡｌ等の金属を含む堆積膜を効
率よく除去出来、かつスルーホール底面でのＡｌ配線等
の腐食を発生させないエッチング方法を提供する事であ
る。
ビアホール内に付着したＡｌ等の金属を含む堆積膜を効
率よく除去出来、かつスルーホール底面でのＡｌ配線等
の腐食を発生させないエッチング方法を提供する事であ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のエッチング方法
は、配線金属膜上に設けられた絶縁膜に前記配線金属膜
面を表出するスルーホールを形成するに際して、前記レ
ジストをマスクとし、前記絶縁膜に対し活性なエッチン
グガスによるドライエッチング手段により前記絶縁膜に
前記配線金属膜面を表出するスルーホールを形成する工
程と、前記スルーホール側壁をＢＣｌ3ガスを含むプラ
ズマにより処理する工程と、ＨおよびＯを含むプラズマ
により前記レジストをアッシングする工程と、を備えた
ことを特徴とする。
は、配線金属膜上に設けられた絶縁膜に前記配線金属膜
面を表出するスルーホールを形成するに際して、前記レ
ジストをマスクとし、前記絶縁膜に対し活性なエッチン
グガスによるドライエッチング手段により前記絶縁膜に
前記配線金属膜面を表出するスルーホールを形成する工
程と、前記スルーホール側壁をＢＣｌ3ガスを含むプラ
ズマにより処理する工程と、ＨおよびＯを含むプラズマ
により前記レジストをアッシングする工程と、を備えた
ことを特徴とする。
【００１１】本発明では、層間絶縁膜をフロロカーボン
ガスプラズマでエッチングして配線金属膜面を表出する
スルーホールを形成した後、スルーホール側壁に付着し
たＡｌのフッ化物とシリコン酸化膜と炭素を含んだ堆積
膜をＢＣｌ3ガスを含むプラズマにより除去する。ＢＣ
ｌ3は還元性のガスであり、ＳｉＯ2，Ｃ，Ａｌ，ＡｌＦ
3，Ａｌ2Ｏ3を含む堆積膜を効率よくエッチングするこ
とが可能である。また、スルーホール底面に残留したＢ
Ｃｌ3、或いはＢＣｌ3から発生した塩素分は、Ｈおよび
Ｏを含むプラズマによりレジストをアッシングする工程
でＨＣｌ等となって除去され、スルーホール底面に残留
しないため、大気に解放後も腐食を発生することはな
い。
ガスプラズマでエッチングして配線金属膜面を表出する
スルーホールを形成した後、スルーホール側壁に付着し
たＡｌのフッ化物とシリコン酸化膜と炭素を含んだ堆積
膜をＢＣｌ3ガスを含むプラズマにより除去する。ＢＣ
ｌ3は還元性のガスであり、ＳｉＯ2，Ｃ，Ａｌ，ＡｌＦ
3，Ａｌ2Ｏ3を含む堆積膜を効率よくエッチングするこ
とが可能である。また、スルーホール底面に残留したＢ
Ｃｌ3、或いはＢＣｌ3から発生した塩素分は、Ｈおよび
Ｏを含むプラズマによりレジストをアッシングする工程
でＨＣｌ等となって除去され、スルーホール底面に残留
しないため、大気に解放後も腐食を発生することはな
い。
【００１２】ＢＣｌ3ガスを含むプラズマ処理と、その
後のＨおよびＯを含むプラズマによるレジストアッシン
グは、真空中で連続して行われるのが好ましい。
後のＨおよびＯを含むプラズマによるレジストアッシン
グは、真空中で連続して行われるのが好ましい。
【００１３】このようにスルーホール底面でのＡｌ配線
等の腐食を発生させず、微細なビアホール内に付着した
Ａｌ等の金属を含む堆積膜を効率よく除去することによ
り、信頼性の高いスルーホールの形成が可能である。
等の腐食を発生させず、微細なビアホール内に付着した
Ａｌ等の金属を含む堆積膜を効率よく除去することによ
り、信頼性の高いスルーホールの形成が可能である。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。図１（ａ）、（ｂ）および図
２（ｃ）、（ｄ）は本発明のエッチング方法を示す工程
図、図３は本発明の工程を示すフロー図である。
図面を参照して説明する。図１（ａ）、（ｂ）および図
２（ｃ）、（ｄ）は本発明のエッチング方法を示す工程
図、図３は本発明の工程を示すフロー図である。
【００１５】まず、半導体基板１上に下層絶縁膜２を形
成し、その上にＡｌ若しくはその合金からなる下層Ａｌ
配線３を形成する。続いて下層Ａｌ配線３上にプラズマ
ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜等の層間絶縁膜４を例え
ば厚さ１μｍ程度形成した後、リソグラフィー技術によ
り、スルーホールに対応するエッチング用窓５を有する
レジスト膜６を形成する（図１（ａ）参照）。
成し、その上にＡｌ若しくはその合金からなる下層Ａｌ
配線３を形成する。続いて下層Ａｌ配線３上にプラズマ
ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜等の層間絶縁膜４を例え
ば厚さ１μｍ程度形成した後、リソグラフィー技術によ
り、スルーホールに対応するエッチング用窓５を有する
レジスト膜６を形成する（図１（ａ）参照）。
【００１６】次いで、上記レジスト膜６をマスクとし、
リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）処理により前
記レジスト膜６のエッチング用窓５下部の層間絶縁膜４
を選択的にエッチング除去してスルーホール７を形成す
る。この時のエッチング装置としては平行平板型ナロー
ギャップＲＩＥ装置を用い、エッチングガスとしてＣ 4
Ｆ8／ＣＯ／Ａｒ／Ｏ2混合ガスを用いた。スルーホール
のエッチングは開孔不良を防止するため、下地配線金属
表面が露出した後もある程度のオーバーエッチングを加
えて行われる。そのため、このＲＩＥ処理により、前記
エッチング用窓５の側壁面、スルーホール７の個壁面に
は図１（ｂ）に示すように下層Ａｌ配線３の露出面から
スパッタされたＡｌ粒子を含む有機ポリマー８が付着し
た状態となる。
リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）処理により前
記レジスト膜６のエッチング用窓５下部の層間絶縁膜４
を選択的にエッチング除去してスルーホール７を形成す
る。この時のエッチング装置としては平行平板型ナロー
ギャップＲＩＥ装置を用い、エッチングガスとしてＣ 4
Ｆ8／ＣＯ／Ａｒ／Ｏ2混合ガスを用いた。スルーホール
のエッチングは開孔不良を防止するため、下地配線金属
表面が露出した後もある程度のオーバーエッチングを加
えて行われる。そのため、このＲＩＥ処理により、前記
エッチング用窓５の側壁面、スルーホール７の個壁面に
は図１（ｂ）に示すように下層Ａｌ配線３の露出面から
スパッタされたＡｌ粒子を含む有機ポリマー８が付着し
た状態となる。
【００１７】次にスルーホールのエッチングが終了した
状態の半導体基板をＲＩＥ装置から大気中に取り出し、
ＢＣｌ3プラズマの処理チャンバーとＨおよびＯを含む
プラズマによるレジストをアッシングを行う処理チャン
バーを備えたエッチング装置内に搬送する。この時のエ
ッチング装置としてはＩＣＰ（誘導結合プラズマ）プラ
ズマ源を備えた低圧、高密度プラズマチャンバーとマイ
クロ波アッシングチャンバーの載った装置を用いた。ま
ず、ＢＣｌ3を５０ｓｃｃｍ、圧力１５ｍＴｏｒｒ、プ
ラズマ励起パワー１０００Ｗ、バイアスパワー５０Ｗの
条件で２０秒間ＢＣｌ3プラズマ処理を行いスルーホー
ル側壁のＡｌ粒子を含む有機ポリマー８を除去する（図
２（ｃ）参照）。
状態の半導体基板をＲＩＥ装置から大気中に取り出し、
ＢＣｌ3プラズマの処理チャンバーとＨおよびＯを含む
プラズマによるレジストをアッシングを行う処理チャン
バーを備えたエッチング装置内に搬送する。この時のエ
ッチング装置としてはＩＣＰ（誘導結合プラズマ）プラ
ズマ源を備えた低圧、高密度プラズマチャンバーとマイ
クロ波アッシングチャンバーの載った装置を用いた。ま
ず、ＢＣｌ3を５０ｓｃｃｍ、圧力１５ｍＴｏｒｒ、プ
ラズマ励起パワー１０００Ｗ、バイアスパワー５０Ｗの
条件で２０秒間ＢＣｌ3プラズマ処理を行いスルーホー
ル側壁のＡｌ粒子を含む有機ポリマー８を除去する（図
２（ｃ）参照）。
【００１８】この時、下層Ａｌ配線３も若干エッチング
されるが、問題ないレベルである。次に真空内搬送によ
りマイクロ波アッシングチャンバーに搬送し、Ｈ2Ｏ／
Ｏ2＝２００ｓｃｃｍ／１０００ｓｃｃｍ、圧力１．０
Ｔｏｒｒ、マイクロ波パワー１ｋＷの条件でレジストの
アッシングを行う。これにより清浄なスルーホール側面
および下層Ａｌ配線３面の表出するスルーホール７が形
成される（図２（ｄ）参照）。
されるが、問題ないレベルである。次に真空内搬送によ
りマイクロ波アッシングチャンバーに搬送し、Ｈ2Ｏ／
Ｏ2＝２００ｓｃｃｍ／１０００ｓｃｃｍ、圧力１．０
Ｔｏｒｒ、マイクロ波パワー１ｋＷの条件でレジストの
アッシングを行う。これにより清浄なスルーホール側面
および下層Ａｌ配線３面の表出するスルーホール７が形
成される（図２（ｄ）参照）。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、層間絶
縁膜をフロロカーボンガスプラズマでエッチングして配
線金属膜面を表出するスルーホールを形成した後、スル
ーホール側壁に付着したＡｌのフッ化物とシリコン酸化
膜と炭素を含んだ堆積膜をＢＣｌ3ガスを含むプラズマ
により除去する。ＢＣｌ3は還元性のガスであり、Ｓｉ
Ｏ 2，Ｃ，Ａｌ，ＡｌＦ3，Ａｌ2Ｏ3を含む堆積膜を効率
よくエッチングすることが可能である。また、スルーホ
ール底面に残留したＢＣｌ3或いはＢＣｌ3から発生した
塩素分は、ＨおよびＯを含むプラズマによりレジストを
アッシングする工程でＨＣｌ等になって除去され、スル
ーホール底面に残留しないため、大気に解放後も腐食を
発生することはない。このようにスルーホール底面での
Ａｌ配線等の腐食を発生させず、微細なビアホール内に
付着したＡｌ等の金属を含む堆積膜を効率よく除去する
ことにより、信頼性の高いスルーホールの形成が可能で
ある。
縁膜をフロロカーボンガスプラズマでエッチングして配
線金属膜面を表出するスルーホールを形成した後、スル
ーホール側壁に付着したＡｌのフッ化物とシリコン酸化
膜と炭素を含んだ堆積膜をＢＣｌ3ガスを含むプラズマ
により除去する。ＢＣｌ3は還元性のガスであり、Ｓｉ
Ｏ 2，Ｃ，Ａｌ，ＡｌＦ3，Ａｌ2Ｏ3を含む堆積膜を効率
よくエッチングすることが可能である。また、スルーホ
ール底面に残留したＢＣｌ3或いはＢＣｌ3から発生した
塩素分は、ＨおよびＯを含むプラズマによりレジストを
アッシングする工程でＨＣｌ等になって除去され、スル
ーホール底面に残留しないため、大気に解放後も腐食を
発生することはない。このようにスルーホール底面での
Ａｌ配線等の腐食を発生させず、微細なビアホール内に
付着したＡｌ等の金属を含む堆積膜を効率よく除去する
ことにより、信頼性の高いスルーホールの形成が可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）および（ｂ）は本発明の実施形態におい
て半導体装置がエッチングされる過程を示す断面図であ
る。
て半導体装置がエッチングされる過程を示す断面図であ
る。
【図２】（ｃ）および（ｄ）は本発明の実施形態におい
て半導体装置がエッチングされる過程を示す断面図であ
る。
て半導体装置がエッチングされる過程を示す断面図であ
る。
【図３】本発明のエッチング方法の工程を示すフロー図
である。
である。
【図４】従来のエッチング方法において半導体装置がエ
ッチングされる過程を示す断面図である。
ッチングされる過程を示す断面図である。
１ 半導体基板 ２ 下層絶縁膜 ３ 下層Ａｌ配線 ４ 層間絶縁膜 ５ エッチング用窓 ６ レジスト膜 ７ スルーホール ８ 有機ポリマー
Claims (3)
- 【請求項１】 配線金属膜上に設けられた絶縁膜に前記
配線金属膜面を表出するスルーホールを形成するに際し
て、前記レジストをマスクとし、前記絶縁膜に対し活性
なエッチングガスによるドライエッチング手段により前
記絶縁膜に前記配線金属膜面を表出するスルーホールを
形成する工程と、前記スルーホール側壁をＢＣｌ3ガス
を含むプラズマにより処理する工程と、ＨおよびＯを含
むプラズマにより前記レジストをアッシングする工程
と、を備えたことを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】 ＢＣｌ3ガスを含むプラズマ処理とその
後のＨおよびＯを含むプラズマによるレジストアッシン
グが、真空中で連続して行われる請求項１記載のエッチ
ング方法。 - 【請求項３】 前記アッシングが、誘導結合プラズマ源
を備えた低圧、高密度プラズマチャンバー、およびマイ
クロ波アッシングチャンバーを備えた装置でおこなわれ
る請求項１または２に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30411197A JPH11145282A (ja) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30411197A JPH11145282A (ja) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145282A true JPH11145282A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=17929169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30411197A Pending JPH11145282A (ja) | 1997-11-06 | 1997-11-06 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11145282A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6645870B2 (en) | 2001-07-11 | 2003-11-11 | Hitachi, Ltd. | Process for fabricating semiconductor device |
| JP2006156518A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2015129212A1 (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-03 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 電子デバイスおよびその製造方法 |
| KR20190076868A (ko) | 2017-12-21 | 2019-07-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 제거 방법 및 처리 방법 |
-
1997
- 1997-11-06 JP JP30411197A patent/JPH11145282A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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