JPH03198331A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03198331A JPH03198331A JP33968289A JP33968289A JPH03198331A JP H03198331 A JPH03198331 A JP H03198331A JP 33968289 A JP33968289 A JP 33968289A JP 33968289 A JP33968289 A JP 33968289A JP H03198331 A JPH03198331 A JP H03198331A
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Landscapes
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にＡ、、１２
配線エツチング後の後処理方法に関する。
配線エツチング後の後処理方法に関する。
従来、半導体装置の製造工程においてＡｆｆｌ膜やＡＪ
合金膜をエツチングしＡｌ配線を形成した場合、Ａｌ膜
エツチングの後処理としては、純水による処理、あるい
は酸素（０２）あるいは０２にフッ素系ガスを含んだガ
スによるプラズマ処理があるが、ｏ２プラズマによるレ
ジスト剥離工程が一般的な後処理として用いられている
。
合金膜をエツチングしＡｌ配線を形成した場合、Ａｌ膜
エツチングの後処理としては、純水による処理、あるい
は酸素（０２）あるいは０２にフッ素系ガスを含んだガ
スによるプラズマ処理があるが、ｏ２プラズマによるレ
ジスト剥離工程が一般的な後処理として用いられている
。
上述した従来のＡＪ膜エツチング後の後処理方法では、
ＡＪ膜エツチング後に空気中の水分とＡｆｆｌパターン
上に残留している塩素（Ｃ！２）が反応して形成される
ＨＣｊＱを完全に除去できないなめ、ＡＪ配線に腐食が
発生しやすい。また０２プラズマ処理の場合多量のウェ
ハーを処理した場合に、真空チャンバ内にＣ（が蓄積さ
れ、処理ウェハー上に残留するＣ（も増加するので、腐
食抑制の再現性が乏しい。
ＡＪ膜エツチング後に空気中の水分とＡｆｆｌパターン
上に残留している塩素（Ｃ！２）が反応して形成される
ＨＣｊＱを完全に除去できないなめ、ＡＪ配線に腐食が
発生しやすい。また０２プラズマ処理の場合多量のウェ
ハーを処理した場合に、真空チャンバ内にＣ（が蓄積さ
れ、処理ウェハー上に残留するＣ（も増加するので、腐
食抑制の再現性が乏しい。
さらに、エツチングのマスクとなるフォトレジスト上に
堆積されたエツチング生成物を除去できないので、０２
プラズマによるレジスト剥離時に残渣が残るなど多くの
欠点がある。従って半導体装置の信頼性及び歩留りは低
下する。
堆積されたエツチング生成物を除去できないので、０２
プラズマによるレジスト剥離時に残渣が残るなど多くの
欠点がある。従って半導体装置の信頼性及び歩留りは低
下する。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成
され少くとも、ｌまたはＡ１合金からなる配線用金属を
、塩素系ガスまたは塩素系ガスとフッ素系ガスを用いる
ドライエツチング法でエツチングし配線を形成する半導
体装置の製造方法において、配線用金属をエツチングし
た後有機アミン化合物を主成分とした溶剤で処理したの
ち、酸素プラズマ処理を行うものである。
され少くとも、ｌまたはＡ１合金からなる配線用金属を
、塩素系ガスまたは塩素系ガスとフッ素系ガスを用いる
ドライエツチング法でエツチングし配線を形成する半導
体装置の製造方法において、配線用金属をエツチングし
た後有機アミン化合物を主成分とした溶剤で処理したの
ち、酸素プラズマ処理を行うものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）から（ｄ）は、本発明の一実施例の半導体
装置の製造方法を説明するための工程順に示した半導体
チップの断面図である。
装置の製造方法を説明するための工程順に示した半導体
チップの断面図である。
まず第１図（ａ）に示すように、シリコン基板１上にＰ
ＳＧ膜２を０．５μｍの厚さに成長させ、次に１μｍ厚
のＣｕを４％含むＡ！２合金膜３をスパッタ法により形
成する。その後フェノール樹脂系ポジ型のフォトレジス
ト膜４を形成しパターニングする。
ＳＧ膜２を０．５μｍの厚さに成長させ、次に１μｍ厚
のＣｕを４％含むＡ！２合金膜３をスパッタ法により形
成する。その後フェノール樹脂系ポジ型のフォトレジス
ト膜４を形成しパターニングする。
次に第１図（ｂ）に示すように、フォトレジスト膜４を
マスクに、５ｉＣｆｆ１４＋Ｃρ２ガスを用いた反応性
イオンエツチング法によりＡｌ合金膜３をエツチングし
配線５を形成する。この時、イオンエネルギーの大きい
エツチング方法を用いるので、フォトレジスト膜４の表
面には、塩素化合物６からなる変質層が形成される。ま
たエツチング後のフォトレジスト膜４の表面や、配線５
の側壁にはＣｆｆ１を含む化合物が付着している。
マスクに、５ｉＣｆｆ１４＋Ｃρ２ガスを用いた反応性
イオンエツチング法によりＡｌ合金膜３をエツチングし
配線５を形成する。この時、イオンエネルギーの大きい
エツチング方法を用いるので、フォトレジスト膜４の表
面には、塩素化合物６からなる変質層が形成される。ま
たエツチング後のフォトレジスト膜４の表面や、配線５
の側壁にはＣｆｆ１を含む化合物が付着している。
次に第１図（Ｃ）に示すように、シクロヘキシルアミン
（Ｃ６Ｈ１３Ｎ ＞を主体とした溶剤７を用いてそれら
の表面を処理することにより、配線５の側壁の塩素化合
物６が除去され、さらにフォトレジスト製表面の付着物
も除去される。このシクロヘキシルアミンと同様の効果
を得られるものに、エチレンジアミン、アニリンがある
。
（Ｃ６Ｈ１３Ｎ ＞を主体とした溶剤７を用いてそれら
の表面を処理することにより、配線５の側壁の塩素化合
物６が除去され、さらにフォトレジスト製表面の付着物
も除去される。このシクロヘキシルアミンと同様の効果
を得られるものに、エチレンジアミン、アニリンがある
。
さらに、この溶剤処理の後で、第１図（ｄ）に示すよう
に、ｏ２プラズマでフォトレジストＷＡ４をアッシング
することにより、さらに確実に残留塩素が除去され、ま
たへ１合金膜からなる配線５の表面が酸化されアルミナ
層８が形成されるため、Ｃ，＆による腐食にも強くなる
。またフォトレジスト膜も残渣なく除去される。
に、ｏ２プラズマでフォトレジストＷＡ４をアッシング
することにより、さらに確実に残留塩素が除去され、ま
たへ１合金膜からなる配線５の表面が酸化されアルミナ
層８が形成されるため、Ｃ，＆による腐食にも強くなる
。またフォトレジスト膜も残渣なく除去される。
第２図に、有機アミンを主とした溶剤処理と０２プラズ
マ処理を組合せた処理の効果を比較したグラフを示す。
マ処理を組合せた処理の効果を比較したグラフを示す。
この実験データーは、１μｍラインアンドスペースのＡ
１合金配線を形成し、４００倍の順微鏡視野内の約０．
０５ｍｍ”の領域のコロ−ジョンの発生数を求めたもの
である。
１合金配線を形成し、４００倍の順微鏡視野内の約０．
０５ｍｍ”の領域のコロ−ジョンの発生数を求めたもの
である。
第２図から明らかなように、本実施例によれば従来例に
比ベコローションの発生は極めて少ないものとなる。
比ベコローションの発生は極めて少ないものとなる。
尚、上記実施例においては配線形成の金属膜として４％
のＣｕを含むＡ！２合金を用いた場合について説明した
が、純ＡＪ２またはＴｉやＳｉを含むＡｆｆ１合金でも
よく、更にこれらＡＪ、Ａ、Ｒ合金膜の下または上にＴ
ｉ 、 Ｗ等の高融点金属膜やそのシリサイド膜を設
けた多層膜であってもよい。
のＣｕを含むＡ！２合金を用いた場合について説明した
が、純ＡＪ２またはＴｉやＳｉを含むＡｆｆ１合金でも
よく、更にこれらＡＪ、Ａ、Ｒ合金膜の下または上にＴ
ｉ 、 Ｗ等の高融点金属膜やそのシリサイド膜を設
けた多層膜であってもよい。
以上説明した様に本発明は、少くともＡ！；Ｉ膜あるい
はＡｆｆ１合金膜を塩素系ガスを用いてエツチングした
際に、後処理を有機アミン化合物を主体とした溶剤を用
いて行った後、すぐに０２プラズマで処理することによ
り、完全にアフターコロ−ジョンを防止でき、さらに残
渣なくフォトレジスト膜を除去できるため、半導体装置
の信頼性及び歩留を向上させることができるという効果
がある。
はＡｆｆ１合金膜を塩素系ガスを用いてエツチングした
際に、後処理を有機アミン化合物を主体とした溶剤を用
いて行った後、すぐに０２プラズマで処理することによ
り、完全にアフターコロ−ジョンを防止でき、さらに残
渣なくフォトレジスト膜を除去できるため、半導体装置
の信頼性及び歩留を向上させることができるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の製造方法を説
明するための工程順に示した断面図、第２図は実施例の
効果を説明するためのコロ−ジョン発生数を示す図であ
る。 １、・・シリコン基板、２・・・ＰＳＧ膜、３・・・Ａ
Ｊ合金膜、４・・・フォトレジスト膜、５・・・配線、
６・・・塩素化合物、７・・・シクロヘキシルアミンを
主成分とした溶剤、８・・・アルミナ層、９・・・０２
プラズマ。
明するための工程順に示した断面図、第２図は実施例の
効果を説明するためのコロ−ジョン発生数を示す図であ
る。 １、・・シリコン基板、２・・・ＰＳＧ膜、３・・・Ａ
Ｊ合金膜、４・・・フォトレジスト膜、５・・・配線、
６・・・塩素化合物、７・・・シクロヘキシルアミンを
主成分とした溶剤、８・・・アルミナ層、９・・・０２
プラズマ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に形成され少くともＡｌまたはＡｌ合
金からなる配線用金属を、塩素系ガスまたは塩素系ガス
とフッ素系ガスを用いるドライエッチング法でエッチン
グし配線を形成する半導体装置の製造方法において、配
線用金属をエッチングした後有機アミン化合物を主成分
とした溶剤で処理したのち、酸素プラズマ処理を行うこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 ２、有機アミン化合物はシクロヘキシルアミンまたはエ
チレンジアミンまたはアニリンである請求項１記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33968289A JPH03198331A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33968289A JPH03198331A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03198331A true JPH03198331A (ja) | 1991-08-29 |
Family
ID=18329799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33968289A Pending JPH03198331A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03198331A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05243388A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-09-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR19990039102A (ko) * | 1997-11-10 | 1999-06-05 | 윤종용 | 반도체 장치의 폴리사이드 형성방법 |
| SG94741A1 (en) * | 2000-01-21 | 2003-03-18 | Chartered Semiconductor Mfg | Method of residual resist removal after etching of aluminum or aluminum alloy films in chlorine containing plasma |
-
1989
- 1989-12-26 JP JP33968289A patent/JPH03198331A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05243388A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-09-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR19990039102A (ko) * | 1997-11-10 | 1999-06-05 | 윤종용 | 반도체 장치의 폴리사이드 형성방법 |
| SG94741A1 (en) * | 2000-01-21 | 2003-03-18 | Chartered Semiconductor Mfg | Method of residual resist removal after etching of aluminum or aluminum alloy films in chlorine containing plasma |
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