JPH06216264A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH06216264A JPH06216264A JP567393A JP567393A JPH06216264A JP H06216264 A JPH06216264 A JP H06216264A JP 567393 A JP567393 A JP 567393A JP 567393 A JP567393 A JP 567393A JP H06216264 A JPH06216264 A JP H06216264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- interlayer insulating
- conductive layer
- metal conductive
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層配線構造を有する半導体装置において、
層間絶縁膜の一部である有機ＳＯＧ膜を原因として上層
配線の形成不良を防止する。 【構成】 層間絶縁膜の一部として使用されている有機
ＳＯＧ膜１５がビアホール１８側壁に露出する部分のＳ
ＯＧ膜の構造を、酸素プラズマ処理で膜中のアルキル基
を除去しさらに該処理で発生したＨ2 Ｏ及びＣＯ2 を不
活性ガスプラズマで除去することで改質したＳＯＧ層２
０と、通常の有機ＳＯＧ層１９との複層構造とした。 【効果】 上記改質したＳＯＧ膜により、ビアホール側
壁に露出したＳＯＧ膜からのガス放出を大幅に低減で
き、上層配線の形成不良を防止し、信頼性の高い多層配
線構造が得られる。
層間絶縁膜の一部である有機ＳＯＧ膜を原因として上層
配線の形成不良を防止する。 【構成】 層間絶縁膜の一部として使用されている有機
ＳＯＧ膜１５がビアホール１８側壁に露出する部分のＳ
ＯＧ膜の構造を、酸素プラズマ処理で膜中のアルキル基
を除去しさらに該処理で発生したＨ2 Ｏ及びＣＯ2 を不
活性ガスプラズマで除去することで改質したＳＯＧ層２
０と、通常の有機ＳＯＧ層１９との複層構造とした。 【効果】 上記改質したＳＯＧ膜により、ビアホール側
壁に露出したＳＯＧ膜からのガス放出を大幅に低減で
き、上層配線の形成不良を防止し、信頼性の高い多層配
線構造が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は多層配線構造を有する
半導体装置、及びその製造方法に関し、特に該多層配線
構造の一部である層間絶縁膜の改良に関するものであ
る。
半導体装置、及びその製造方法に関し、特に該多層配線
構造の一部である層間絶縁膜の改良に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来技術において、ＳＯＧ法を使用する
場合、例えば「Proceeding of Multilevel Interconnec
tion Conference 1987」の３８２ページに示されている
ように、ＳＯＧ法によって形成されたシリコン酸化膜
（ＳＯＧ層）をエッチバックすることが多い。
場合、例えば「Proceeding of Multilevel Interconnec
tion Conference 1987」の３８２ページに示されている
ように、ＳＯＧ法によって形成されたシリコン酸化膜
（ＳＯＧ層）をエッチバックすることが多い。
【０００３】図２はＳＯＧエッチバックプロセスを用い
た従来技術による層間絶縁膜の形成工程を示す模式図で
ある。図２において、１はシリコン基板、２は段差を有
する絶縁層、３は第１のアルミ配線、４は第１のシリコ
ン酸化膜、５は有機ＳＯＧ膜、６は第２のシリコン酸化
膜、７は第２のアルミ配線、８はビアホール、９はビア
ホール側壁に露出した有機ＳＯＧ膜である。
た従来技術による層間絶縁膜の形成工程を示す模式図で
ある。図２において、１はシリコン基板、２は段差を有
する絶縁層、３は第１のアルミ配線、４は第１のシリコ
ン酸化膜、５は有機ＳＯＧ膜、６は第２のシリコン酸化
膜、７は第２のアルミ配線、８はビアホール、９はビア
ホール側壁に露出した有機ＳＯＧ膜である。
【０００４】次に、この従来技術による層間絶縁膜の形
成工程について説明する。ＳＯＧ法を用いる場合、通
常、反応性イオンエッチング等を用いて、該形成された
ＳＯＧ層がビアホールの側壁に露出しないようエッチバ
ックされることが多い。これはＳＯＧ層からの脱ガスに
より上層アルミ配線の形成不良による配線の断線が発生
することを防止するためである。しかしながら、図２
(a) に示すように、シリコン基板１の上に形成された絶
縁層２は、トランジスタのゲート電極配線等が下に存在
するため、必ず段差を有している。よって、このような
段差を持つ絶縁層２の上に第１のアルミ配線層３を形成
した場合、その上に第１のシリコン酸化膜４を，さらに
その上に膜中にアルキル基（−Ｃn Ｈ2n+1）を含む有機
ＳＯＧ膜５をＳＯＧ法により形成し（図２(b))、その
後、有機ＳＯＧ膜５をエッチバック（図２(c))したとし
ても、第１のアルミ配線３上で有機ＳＯＧ膜５を全て除
去し、ビアホール側壁に有機ＳＯＧ膜５を露出させない
ことは困難である。即ち、図２(e) に示すように、第２
シリコン酸化膜６を形成した後、ビアホール８を開口
し、その上に第２のアルミ配線７を形成した場合、必ず
ビアホール８側壁に露出した有機ＳＯＧ膜９を有するこ
とになる。
成工程について説明する。ＳＯＧ法を用いる場合、通
常、反応性イオンエッチング等を用いて、該形成された
ＳＯＧ層がビアホールの側壁に露出しないようエッチバ
ックされることが多い。これはＳＯＧ層からの脱ガスに
より上層アルミ配線の形成不良による配線の断線が発生
することを防止するためである。しかしながら、図２
(a) に示すように、シリコン基板１の上に形成された絶
縁層２は、トランジスタのゲート電極配線等が下に存在
するため、必ず段差を有している。よって、このような
段差を持つ絶縁層２の上に第１のアルミ配線層３を形成
した場合、その上に第１のシリコン酸化膜４を，さらに
その上に膜中にアルキル基（−Ｃn Ｈ2n+1）を含む有機
ＳＯＧ膜５をＳＯＧ法により形成し（図２(b))、その
後、有機ＳＯＧ膜５をエッチバック（図２(c))したとし
ても、第１のアルミ配線３上で有機ＳＯＧ膜５を全て除
去し、ビアホール側壁に有機ＳＯＧ膜５を露出させない
ことは困難である。即ち、図２(e) に示すように、第２
シリコン酸化膜６を形成した後、ビアホール８を開口
し、その上に第２のアルミ配線７を形成した場合、必ず
ビアホール８側壁に露出した有機ＳＯＧ膜９を有するこ
とになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術による層間
絶縁膜の形成方法では、以上説明したように、ビアホー
ル８側壁に必ず有機ＳＯＧ膜９が露出し、特にこれが有
機ＳＯＧである場合には、ビアホール８形成時に使用し
たレジストマスクをアッシング除去する際、該有機ＳＯ
Ｇ膜９が酸素プラズマにさらされることとなるため、化
学式１(a) に示すようにアルキル基が分解され、該膜９
中に多量のＨ2 ＯやＣＯ2 を形成し、これが原因となっ
て、図３に示すような第２のアルミ配線の形成不良が発
生するという問題点があった。
絶縁膜の形成方法では、以上説明したように、ビアホー
ル８側壁に必ず有機ＳＯＧ膜９が露出し、特にこれが有
機ＳＯＧである場合には、ビアホール８形成時に使用し
たレジストマスクをアッシング除去する際、該有機ＳＯ
Ｇ膜９が酸素プラズマにさらされることとなるため、化
学式１(a) に示すようにアルキル基が分解され、該膜９
中に多量のＨ2 ＯやＣＯ2 を形成し、これが原因となっ
て、図３に示すような第２のアルミ配線の形成不良が発
生するという問題点があった。
【０００６】
【化１】
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、有機ＳＯＧを使用して層間絶縁
膜を形成する場合、それがビアホールの側壁に露出した
としても、上層配線の形成不良を防止することができ、
信頼性の高い多層配線構造を有する半導体装置を提供す
ることを目的としており、さらにこの装置に適した製造
方法を提供することを目的としている。
ためになされたもので、有機ＳＯＧを使用して層間絶縁
膜を形成する場合、それがビアホールの側壁に露出した
としても、上層配線の形成不良を防止することができ、
信頼性の高い多層配線構造を有する半導体装置を提供す
ることを目的としており、さらにこの装置に適した製造
方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、多層構造を
有する半導体装置において、半導体基板上に形成された
第１の金属導電層と、その上に形成された層間絶縁膜層
と、その層間絶縁膜層に形成された接続孔を介して上記
第１の金属導電層と接続している第２の金属導電層を備
え、上記層間絶縁膜層は、少なくともシリコン原子に結
合している炭化水素を含む塗布液を用い、スピン・オン
・グラス（ＳＯＧ）法により形成したシリコン酸化膜を
備え、該ＳＯＧ法により形成したシリコン酸化膜の一部
である接続孔の側壁に露出した部分は、シリコン原子に
結合している炭化水素を含まないものである。
有する半導体装置において、半導体基板上に形成された
第１の金属導電層と、その上に形成された層間絶縁膜層
と、その層間絶縁膜層に形成された接続孔を介して上記
第１の金属導電層と接続している第２の金属導電層を備
え、上記層間絶縁膜層は、少なくともシリコン原子に結
合している炭化水素を含む塗布液を用い、スピン・オン
・グラス（ＳＯＧ）法により形成したシリコン酸化膜を
備え、該ＳＯＧ法により形成したシリコン酸化膜の一部
である接続孔の側壁に露出した部分は、シリコン原子に
結合している炭化水素を含まないものである。
【０００９】さらにこの発明の製造方法は、半導体基板
上に第１の金属導電層を形成する工程と、その上に層間
絶縁膜をＣＶＤ法、及びＳＯＧ法を用いて形成する工程
と、上記層間絶縁膜のうちの第１の金属導電層上にある
ＳＯＧ法により形成されたシリコン酸化膜層を、酸素プ
ラズマにさらし、その後、連続して窒素，ヘリウム，ア
ルゴンなどの不活性ガスプラズマにさらす工程と、その
上部に上記層間絶縁膜に設けられた接続孔を介して上記
第１の金属導電層と接続している第２の金属導電層を形
成する工程とを含むものである。
上に第１の金属導電層を形成する工程と、その上に層間
絶縁膜をＣＶＤ法、及びＳＯＧ法を用いて形成する工程
と、上記層間絶縁膜のうちの第１の金属導電層上にある
ＳＯＧ法により形成されたシリコン酸化膜層を、酸素プ
ラズマにさらし、その後、連続して窒素，ヘリウム，ア
ルゴンなどの不活性ガスプラズマにさらす工程と、その
上部に上記層間絶縁膜に設けられた接続孔を介して上記
第１の金属導電層と接続している第２の金属導電層を形
成する工程とを含むものである。
【００１０】
【作用】この発明においては、層間絶縁膜の一部である
有機ＳＯＧ膜は、ビアホール側壁に露出する部分につい
てはすべて酸素プラズマによりアルキル基が除去され、
さら不活性ガスプラズマによりＨ2 ＯやＣＯ2 を除去さ
れるため、上層のアルミ配線層を形成するときに、ＳＯ
Ｇ膜からの脱ガスによる形成不良を防止し、信頼性の高
い多層配線構造を得ることが可能である。
有機ＳＯＧ膜は、ビアホール側壁に露出する部分につい
てはすべて酸素プラズマによりアルキル基が除去され、
さら不活性ガスプラズマによりＨ2 ＯやＣＯ2 を除去さ
れるため、上層のアルミ配線層を形成するときに、ＳＯ
Ｇ膜からの脱ガスによる形成不良を防止し、信頼性の高
い多層配線構造を得ることが可能である。
【００１１】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１は本発明の一実施例による半導体
装置の多層配線構造における層間絶縁膜の製造工程を示
したものである。
ついて説明する。図１は本発明の一実施例による半導体
装置の多層配線構造における層間絶縁膜の製造工程を示
したものである。
【００１２】図において、１１はシリコン基板、１２は
段差を有する絶縁層、１３は第１のアルミ配線、１４は
第１のシリコン酸化膜、１５は有機ＳＯＧ膜、１６は第
２のシリコン酸化膜、１７は第２のアルミ配線、１８は
ビアホール、１９はビアホール１８側壁に露出した有機
ＳＯＧ膜、２０は酸素プラズマ及び窒素プラズマにより
改質された有機ＳＯＧ膜である。
段差を有する絶縁層、１３は第１のアルミ配線、１４は
第１のシリコン酸化膜、１５は有機ＳＯＧ膜、１６は第
２のシリコン酸化膜、１７は第２のアルミ配線、１８は
ビアホール、１９はビアホール１８側壁に露出した有機
ＳＯＧ膜、２０は酸素プラズマ及び窒素プラズマにより
改質された有機ＳＯＧ膜である。
【００１３】以下、本実施例の製造方法、特に多層配線
構造の形成方法を図について説明する。図１(a) はシリ
コン基板１１上の段差を有する絶縁層１２の上に形成さ
れた第１のアルミ配線１３、及び層間絶縁膜である第１
のシリコン酸化膜１４，有機ＳＯＧ膜１５を図示してい
る。ここまでは、従来技術と同様な形成方法を使用して
製造する。即ち、第１のアルミ配線１３はスパッタ法に
よりアルミ合金膜を、段差を持つ絶縁膜１２上の全面に
膜厚５０００オングストローム形成し、それに所望のパ
ターニングを施し形成したものである。また、第１のシ
リコン酸化膜１４はプラズマＣＶＤ法によりテトラエト
キシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）と酸素を原料とし
て温度４００℃，圧力５．０Ｔｏｒｒ，高周波電力４５
０Ｗの条件で２０００オングストロームの膜厚に形成し
たものである。さらに、有機ＳＯＧ膜１５は、ＳＯＧ法
により平坦部での膜厚が４０００オングストロームにな
るように形成したもので、塗布後、ホットプレートによ
り８０℃，１５０℃，２５０℃各１分間の焼成を行って
いる。
構造の形成方法を図について説明する。図１(a) はシリ
コン基板１１上の段差を有する絶縁層１２の上に形成さ
れた第１のアルミ配線１３、及び層間絶縁膜である第１
のシリコン酸化膜１４，有機ＳＯＧ膜１５を図示してい
る。ここまでは、従来技術と同様な形成方法を使用して
製造する。即ち、第１のアルミ配線１３はスパッタ法に
よりアルミ合金膜を、段差を持つ絶縁膜１２上の全面に
膜厚５０００オングストローム形成し、それに所望のパ
ターニングを施し形成したものである。また、第１のシ
リコン酸化膜１４はプラズマＣＶＤ法によりテトラエト
キシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）と酸素を原料とし
て温度４００℃，圧力５．０Ｔｏｒｒ，高周波電力４５
０Ｗの条件で２０００オングストロームの膜厚に形成し
たものである。さらに、有機ＳＯＧ膜１５は、ＳＯＧ法
により平坦部での膜厚が４０００オングストロームにな
るように形成したもので、塗布後、ホットプレートによ
り８０℃，１５０℃，２５０℃各１分間の焼成を行って
いる。
【００１４】次に、有機ＳＯＧ膜１５のビアホールの側
壁に露出する部分、つまり第１のアルミ配線上に存在す
る部分の有機ＳＯＧ膜について、酸素プラズマによる処
理によりそのアルキル基を除去する。有機ＳＯＧ膜に酸
素プラズマを施すと、化学式１(a) に示す反応が膜中で
発生し、アルキル基が除去される。ここで、酸素プラズ
マは、第１のシリコン酸化膜１４形成時に使用したプラ
ズマＣＶＤのチャンバ（図示せず）を使用して行った。
このＣＶＤチャンバは平行平板電極を有しており、酸素
プラズマ処理は温度４００℃，圧力５．０Ｔｏｒｒ，高
周波電力４５０Ｗにて行った。酸素プラズマ処理による
有機ＳＯＧからのアルキル基の除去は膜表面から開始さ
れており、本実施例１では、第１のアルミ配線１３上に
存在する有機ＳＯＧ膜１５の最大膜厚ａは、４０００オ
ングストローム程度と考えられるため、膜表面から４０
００オングストロームのところまで酸素プラズマにより
有機ＳＯＧ膜１５を改質している。なお、酸素プラズマ
による有機ＳＯＧ膜１５の改質が５０００オングストロ
ーム以上になると、急激な膜収縮のためクラックが発生
することがある。
壁に露出する部分、つまり第１のアルミ配線上に存在す
る部分の有機ＳＯＧ膜について、酸素プラズマによる処
理によりそのアルキル基を除去する。有機ＳＯＧ膜に酸
素プラズマを施すと、化学式１(a) に示す反応が膜中で
発生し、アルキル基が除去される。ここで、酸素プラズ
マは、第１のシリコン酸化膜１４形成時に使用したプラ
ズマＣＶＤのチャンバ（図示せず）を使用して行った。
このＣＶＤチャンバは平行平板電極を有しており、酸素
プラズマ処理は温度４００℃，圧力５．０Ｔｏｒｒ，高
周波電力４５０Ｗにて行った。酸素プラズマ処理による
有機ＳＯＧからのアルキル基の除去は膜表面から開始さ
れており、本実施例１では、第１のアルミ配線１３上に
存在する有機ＳＯＧ膜１５の最大膜厚ａは、４０００オ
ングストローム程度と考えられるため、膜表面から４０
００オングストロームのところまで酸素プラズマにより
有機ＳＯＧ膜１５を改質している。なお、酸素プラズマ
による有機ＳＯＧ膜１５の改質が５０００オングストロ
ーム以上になると、急激な膜収縮のためクラックが発生
することがある。
【００１５】次に、上記有機ＳＯＧ膜１５に上記酸素プ
ラズマ処理で発生したＨ2 Ｏ，ＣＯ2 等を、不活性ガス
プラズマにより除去する。本実施例では、窒素を用い、
前述のプラズマＣＶＤチャンバにより温度４００℃，圧
力５．０Ｔｏｒｒ，高周波電力４５０Ｗにて行った。こ
の窒素プラズマにより、膜中のＨ2 Ｏ，ＣＯ2 の脱離が
促進されるとともに、化学式１(b) に示す脱水縮合が促
進されるため、有機ＳＯＧ膜中の吸蔵ガスが大幅に減少
し、その結果、上層配線形成時のガス放出を効果的に防
止することが可能となる。なお、上記の酸素プラズマ処
理、及び窒素プラズマ処理は、同一のプラズマＣＶＤチ
ャンバで連続して行うことができる。
ラズマ処理で発生したＨ2 Ｏ，ＣＯ2 等を、不活性ガス
プラズマにより除去する。本実施例では、窒素を用い、
前述のプラズマＣＶＤチャンバにより温度４００℃，圧
力５．０Ｔｏｒｒ，高周波電力４５０Ｗにて行った。こ
の窒素プラズマにより、膜中のＨ2 Ｏ，ＣＯ2 の脱離が
促進されるとともに、化学式１(b) に示す脱水縮合が促
進されるため、有機ＳＯＧ膜中の吸蔵ガスが大幅に減少
し、その結果、上層配線形成時のガス放出を効果的に防
止することが可能となる。なお、上記の酸素プラズマ処
理、及び窒素プラズマ処理は、同一のプラズマＣＶＤチ
ャンバで連続して行うことができる。
【００１６】さらに、前記した条件でプラズマＣＶＤ法
により第２のシリコン酸化膜１６を形成する（図１
(c))。
により第２のシリコン酸化膜１６を形成する（図１
(c))。
【００１７】上記のように形成した層間絶縁膜１５，２
０に対して、従来と同様な方法でビアホール１８を形成
し、さらに第２のアルミ配線１７を形成する（図１(d)
）。
０に対して、従来と同様な方法でビアホール１８を形成
し、さらに第２のアルミ配線１７を形成する（図１(d)
）。
【００１８】ここで、図１(d) でもわかるように、ビア
ホール１８の側壁に露出した有機ＳＯＧ膜１９は、すべ
て酸素プラズマ、及び窒素プラズマにより改質されてお
り、上記従来技術で発生していた上層配線の形成不良は
起こらない。
ホール１８の側壁に露出した有機ＳＯＧ膜１９は、すべ
て酸素プラズマ、及び窒素プラズマにより改質されてお
り、上記従来技術で発生していた上層配線の形成不良は
起こらない。
【００１９】このように本実施例によれば、上層の第２
のアルミ配線層１７を形成するときにも、ＳＯＧ膜から
の脱ガスによる形成不良を防止し、信頼性の高い多層配
線構造を得ることが可能となる。
のアルミ配線層１７を形成するときにも、ＳＯＧ膜から
の脱ガスによる形成不良を防止し、信頼性の高い多層配
線構造を得ることが可能となる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、多層
配線構造を有する半導体装置における層間絶縁膜の構造
において、ビアホール側壁に露出する有機ＳＯＧ膜を、
酸素プラズマ及び不活性ガスプラズマにより改質するよ
うにしたため、従来発生していた上層配線の形成不良を
防止することができ、信頼性の高い多層配線構造を有す
る半導体装置を得ることができる効果がある。
配線構造を有する半導体装置における層間絶縁膜の構造
において、ビアホール側壁に露出する有機ＳＯＧ膜を、
酸素プラズマ及び不活性ガスプラズマにより改質するよ
うにしたため、従来発生していた上層配線の形成不良を
防止することができ、信頼性の高い多層配線構造を有す
る半導体装置を得ることができる効果がある。
【００２１】また、この発明の製造方法は、半導体基板
上に第１の金属導電層を形成する工程と、その上に層間
絶縁膜をＣＶＤ法、及びＳＯＧ法を用いて形成する工程
と、上記層間絶縁膜のうちの第１の金属導電層上にある
ＳＯＧ法により形成されたシリコン酸化膜層を、酸素プ
ラズマにさらし、その後、連続して窒素，ヘリウム，ア
ルゴンなどの不活性ガスプラズマにさらす工程と、その
上部に上記層間絶縁膜に設けられた接続孔を介して上記
第１の金属導電層と接続している第２の金属導電層を形
成する工程とを含むものとしたので、該第２のアルミ配
線層を形成するときに、ＳＯＧ膜からの脱ガスによる形
成不良を防止でき、信頼性の高い多層配線構造を得るこ
とが可能となる。
上に第１の金属導電層を形成する工程と、その上に層間
絶縁膜をＣＶＤ法、及びＳＯＧ法を用いて形成する工程
と、上記層間絶縁膜のうちの第１の金属導電層上にある
ＳＯＧ法により形成されたシリコン酸化膜層を、酸素プ
ラズマにさらし、その後、連続して窒素，ヘリウム，ア
ルゴンなどの不活性ガスプラズマにさらす工程と、その
上部に上記層間絶縁膜に設けられた接続孔を介して上記
第１の金属導電層と接続している第２の金属導電層を形
成する工程とを含むものとしたので、該第２のアルミ配
線層を形成するときに、ＳＯＧ膜からの脱ガスによる形
成不良を防止でき、信頼性の高い多層配線構造を得るこ
とが可能となる。
【図１】この発明の一実施例による半導体装置の製造方
法における工程フローを示す断面図。
法における工程フローを示す断面図。
【図２】従来の半導体装置の製造方法における工程フロ
ーを示す断面図。
ーを示す断面図。
【図３】従来の半導体装置における上層配線の形成不良
を説明するための断面図。
を説明するための断面図。
１，１１ シリコン基板 ２，１２ 段差を持つ絶縁層 ３，１３ 第１のアルミ配線 ４，１４ 第１のシリコン酸化膜 ５，１５ 有機ＳＯＧ膜 ６，１６ 第２のシリコン酸化膜 ７，１７ 第２のアルミ配線 ８，１８ ビアホール ９，１９ ビアホール側壁に露出した有機ＳＯＧ膜 ２０ 酸素プラズマ及び窒素プラズマにより改質さ
れた有機ＳＯＧ膜
れた有機ＳＯＧ膜
Claims (2)
- 【請求項１】 多層配線構造を有する半導体装置におい
て、 半導体基板上に形成された第１の金属導電層と、 その上に形成された層間絶縁膜層と、 その層間絶縁膜層に形成された接続孔を介して上記第１
の金属導電層と接続している第２の金属導電層とを備
え、 上記層間絶縁膜層は、少なくともシリコン原子に結合し
ている炭化水素を含む塗布液を用い、スピン・オン・グ
ラス（ＳＯＧ）法により形成したシリコン酸化膜を備
え、 該ＳＯＧ法により形成したシリコン酸化膜の一部である
接続孔の側壁に露出した部分は、シリコン原子に結合し
ている炭化水素を含まないものであることを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】 多層配線構造を有する半導体装置を製造
する方法において、 半導体基板上に第１の金属導電層を形成する工程と、 その上に層間絶縁膜をＣＶＤ法、及びＳＯＧ法を用いて
形成する工程と、 上記層間絶縁膜のうちの第１の金属導電層上にあるＳＯ
Ｇ法により形成されたシリコン酸化膜層を、酸素プラズ
マにさらし、その後、連続して窒素，ヘリウム，アルゴ
ンなどの不活性ガスプラズマにさらす工程と、 その上部に上記層間絶縁膜に設けられた接続孔を介して
上記第１の金属導電層と接続している第２の金属導電層
を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP567393A JPH06216264A (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP567393A JPH06216264A (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216264A true JPH06216264A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11617623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP567393A Pending JPH06216264A (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06216264A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100219562B1 (ko) * | 1996-10-28 | 1999-09-01 | 윤종용 | 반도체장치의 다층 배선 형성방법 |
| CN1097303C (zh) * | 1995-12-23 | 2002-12-25 | 现代电子产业株式会社 | 一种制造半导体器件的方法 |
| CN1320645C (zh) * | 2001-12-07 | 2007-06-06 | 三洋电机株式会社 | 半导体器件和其制造方法 |
-
1993
- 1993-01-18 JP JP567393A patent/JPH06216264A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1097303C (zh) * | 1995-12-23 | 2002-12-25 | 现代电子产业株式会社 | 一种制造半导体器件的方法 |
| KR100219562B1 (ko) * | 1996-10-28 | 1999-09-01 | 윤종용 | 반도체장치의 다층 배선 형성방법 |
| US6043165A (en) * | 1996-10-28 | 2000-03-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming electrically interconnected lines using ultraviolet radiation as an organic compound cleaning agent |
| CN1320645C (zh) * | 2001-12-07 | 2007-06-06 | 三洋电机株式会社 | 半导体器件和其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2956571B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US6987066B2 (en) | Dry etching method and semiconductor device manufacturing method | |
| WO2004012254A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05243402A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11176814A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6645852B1 (en) | Process for fabricating a semiconductor device having recess portion | |
| US20040161942A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| TWI784183B (zh) | 用於貫孔輪廓控制及相關應用的原子層沉積(ald)襯墊 | |
| JP2003258090A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07201986A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6235644B1 (en) | Method of improving etch back process | |
| JPH10326830A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7338897B2 (en) | Method of fabricating a semiconductor device having metal wiring | |
| JPH06216264A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3959790B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01100946A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05206282A (ja) | 半導体装置の多層配線構造体の製造方法 | |
| JPH08288255A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002184858A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2998719B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2674654B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100668733B1 (ko) | 반도체 소자의 비아 콘택 홀 형성 방법 | |
| JPH05183058A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09321141A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05190683A (ja) | 半導体素子の製造方法 |