JP2678049B2 - 半導体装置の洗浄方法 - Google Patents
半導体装置の洗浄方法Info
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- JP2678049B2 JP2678049B2 JP1042346A JP4234689A JP2678049B2 JP 2678049 B2 JP2678049 B2 JP 2678049B2 JP 1042346 A JP1042346 A JP 1042346A JP 4234689 A JP4234689 A JP 4234689A JP 2678049 B2 JP2678049 B2 JP 2678049B2
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- Japan
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- semiconductor device
- cleaning
- insulating film
- reaction product
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体製造工程であるドライエッチ後の洗浄
方法、特に多層配線工程の洗浄方法に関するものであ
る。
方法、特に多層配線工程の洗浄方法に関するものであ
る。
従来の技術 従来の方法として第４図に示してある。アルミ配線３
の上に層間絶縁膜１を形成し、ホト工程によりレジスト
パターン２を形成する。次に、ドライエッチング技術を
用いて層間絶縁膜１を加工し、残ったレジストは酸素プ
ラズマを用いたアッシャーで除去する。最後に発煙硝酸
で洗浄する。ここで、層間膜をドライエッチしていくと
エッチング時に形成される反応生成物５が側壁に堆積
し、マスク寸法の変化、次に堆積する膜のカバレッジ特
性に悪影響を与える。
の上に層間絶縁膜１を形成し、ホト工程によりレジスト
パターン２を形成する。次に、ドライエッチング技術を
用いて層間絶縁膜１を加工し、残ったレジストは酸素プ
ラズマを用いたアッシャーで除去する。最後に発煙硝酸
で洗浄する。ここで、層間膜をドライエッチしていくと
エッチング時に形成される反応生成物５が側壁に堆積
し、マスク寸法の変化、次に堆積する膜のカバレッジ特
性に悪影響を与える。
発明が解決しようとする課題 上記のような方法では、寸法が大きなときは良いが、
寸法が小さくなるにつれ、反応生成物５の影響を受けや
すい。アッシャで長時間処理することにより生成物５を
除去しようとすると下地へのダメージが問題となる。本
発明はかかる点に鑑み、反応生成物をダメージレスで除
去する半導体装置の洗浄方法を提供することを目的とす
る。
寸法が小さくなるにつれ、反応生成物５の影響を受けや
すい。アッシャで長時間処理することにより生成物５を
除去しようとすると下地へのダメージが問題となる。本
発明はかかる点に鑑み、反応生成物をダメージレスで除
去する半導体装置の洗浄方法を提供することを目的とす
る。
課題を解決するための手段 本発明は、発煙硝酸による洗浄工程と温水による洗浄
工程を含み、温水は70℃以上の水温でウエハを浸して洗
浄する半導体装置の洗浄方法である。
工程を含み、温水は70℃以上の水温でウエハを浸して洗
浄する半導体装置の洗浄方法である。
作用 本発明は前記した方法により、発煙硝酸により、ドラ
イエッチ後に残っているレジストを酸化、除去し、温水
洗浄により反応生成物を除去する。
イエッチ後に残っているレジストを酸化、除去し、温水
洗浄により反応生成物を除去する。
実施例 第１図は本発明の実施例における半導体装置の洗浄方
法の工程図である。まず、第２図の工程図に従って洗浄
前までの半導体装置を作製する。シリコン基板４にスパ
ッタ法でアルミ合金３を800nm堆積し、次に層間絶縁膜
１としてプラズマCVD法でシリコン酸化膜を800nm堆積す
る。ホトリソグラフィーによりレジストのパターンを形
成後、ドライエッチ技術を用いてシリコン酸化膜をパタ
ーンに従ってエッチングしていく。このとき、エッチン
グガスであるCHF3とシリコン酸化膜、下地であるアルミ
合金が反応し、シリコン酸化膜側壁に堆積物が形成され
る。この状態の半導体装置を第１図に従い、レジスト除
去、洗浄を行う。まず、酸素プラズマを用いたドライ技
術により基板表面のレジストを炭化させ除去する。酸素
プラズマで除去できない不純物、未反応のレジストを発
煙硝酸の酸化作用により分解除去する。この発煙硝酸で
の洗浄は、液温は室温で、液をポンプで循環させなが
ら、途中にフィルタを通すことで液中のダストを最小に
させるようにしている。
法の工程図である。まず、第２図の工程図に従って洗浄
前までの半導体装置を作製する。シリコン基板４にスパ
ッタ法でアルミ合金３を800nm堆積し、次に層間絶縁膜
１としてプラズマCVD法でシリコン酸化膜を800nm堆積す
る。ホトリソグラフィーによりレジストのパターンを形
成後、ドライエッチ技術を用いてシリコン酸化膜をパタ
ーンに従ってエッチングしていく。このとき、エッチン
グガスであるCHF3とシリコン酸化膜、下地であるアルミ
合金が反応し、シリコン酸化膜側壁に堆積物が形成され
る。この状態の半導体装置を第１図に従い、レジスト除
去、洗浄を行う。まず、酸素プラズマを用いたドライ技
術により基板表面のレジストを炭化させ除去する。酸素
プラズマで除去できない不純物、未反応のレジストを発
煙硝酸の酸化作用により分解除去する。この発煙硝酸で
の洗浄は、液温は室温で、液をポンプで循環させなが
ら、途中にフィルタを通すことで液中のダストを最小に
させるようにしている。
水洗はクイックダンプリンスタイプの槽を用い、純水
のシャワーが基板面に均一に当たるようにすることで一
部の反応生成物を除去することができた。この段階では
まだ反応生成物が残っているが次に70℃以上の加熱した
純水につけることにより、反応生成物を完全に除去する
ことができた。実験の結果70℃以下では反応生成物を完
全に除去することはできなかった。第３図に温水洗浄す
る前後のSEM写真を示す。写真は直径1.2μｍのホールを
ドライエッチングし73℃の温水に５分つけておいたもの
である。反応生成物のとれ方は水温と洗浄時間に依存し
ており、温度が高い程、短時間で反応生成物を除去でき
る傾向にある。以上のように、本実施例によれば、70℃
以上の温水を用いることにより、ダメージを与えること
なく反応生成物を除去できる。
のシャワーが基板面に均一に当たるようにすることで一
部の反応生成物を除去することができた。この段階では
まだ反応生成物が残っているが次に70℃以上の加熱した
純水につけることにより、反応生成物を完全に除去する
ことができた。実験の結果70℃以下では反応生成物を完
全に除去することはできなかった。第３図に温水洗浄す
る前後のSEM写真を示す。写真は直径1.2μｍのホールを
ドライエッチングし73℃の温水に５分つけておいたもの
である。反応生成物のとれ方は水温と洗浄時間に依存し
ており、温度が高い程、短時間で反応生成物を除去でき
る傾向にある。以上のように、本実施例によれば、70℃
以上の温水を用いることにより、ダメージを与えること
なく反応生成物を除去できる。
発明の効果 以上説明したように、本発明によれば、ドライエッチ
時に形成される反応生成物をイオン照射等のダメージを
与えることなく除去することができ、その実用的効果は
大きい。
時に形成される反応生成物をイオン照射等のダメージを
与えることなく除去することができ、その実用的効果は
大きい。
第１図は本発明における一実施例の半導体装置の洗浄方
法を示す工程断面図、第２図は同実施例を行なうまでの
半導体装置製造工程断面図、第３図は同実施例前後での
半導体装置の斜視図、第４図は従来の半導体装置製造工
程図である。 １……層間絶縁膜、５……反応生成物、２……レジスト
パターン。
法を示す工程断面図、第２図は同実施例を行なうまでの
半導体装置製造工程断面図、第３図は同実施例前後での
半導体装置の斜視図、第４図は従来の半導体装置製造工
程図である。 １……層間絶縁膜、５……反応生成物、２……レジスト
パターン。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上にアルミ配線層を堆積する工程と、
前記アルミ配線層上にシリコン酸化膜からなる層間絶縁
膜を堆積する工程と、前記層間絶縁膜上にレジストパタ
ーンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスク
として前記層間絶縁膜をドライエッチングにより除去す
る工程と、前記ドライエッチングの後の発煙硝酸による
第１の洗浄工程と、前記第１の洗浄工程の後に前記ドラ
イエッチングの際にエッチングガス、前記シリコン酸化
膜及び前記アルミ配線層の反応により前記層間絶縁膜の
側面に形成された反応生成物を70℃以上の温度の温水に
より除去する第２の洗浄工程とを有する半導体装置の洗
浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1042346A JP2678049B2 (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | 半導体装置の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1042346A JP2678049B2 (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | 半導体装置の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02222145A JPH02222145A (ja) | 1990-09-04 |
| JP2678049B2 true JP2678049B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=12633465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1042346A Expired - Fee Related JP2678049B2 (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | 半導体装置の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2678049B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05156302A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-06-22 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | 高純度銀粉末の製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60208881A (ja) * | 1984-04-03 | 1985-10-21 | Fujitsu Ltd | 洗浄方法 |
| JPS6290935A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 洗浄装置 |
| JPS63133535A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-06 | Sony Corp | 洗浄方法 |
-
1989
- 1989-02-22 JP JP1042346A patent/JP2678049B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02222145A (ja) | 1990-09-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |