JPS63133535A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
- Publication number
- JPS63133535A JPS63133535A JP28049286A JP28049286A JPS63133535A JP S63133535 A JPS63133535 A JP S63133535A JP 28049286 A JP28049286 A JP 28049286A JP 28049286 A JP28049286 A JP 28049286A JP S63133535 A JPS63133535 A JP S63133535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- fuming nitric
- nitric acid
- cleaning
- cleaned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 21
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical group O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 abstract description 6
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 abstract description 2
- 239000003925 fat Substances 0.000 abstract description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 abstract description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 abstract 1
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L dipotassium hydrogen phosphate Chemical compound [K+].[K+].OP([O-])([O-])=O ZPWVASYFFYYZEW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000396 dipotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019797 dipotassium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、水を加えると酸になる洗浄液を用いて被洗浄
体を洗浄する洗浄方法に関するものである。
体を洗浄する洗浄方法に関するものである。
本発明は、上記の様な洗浄方法において、洗浄の後に、
水素イオン濃度を上昇させることなく洗浄液を希釈させ
る液を用いて洗浄液を被洗浄体から除去することによっ
て、たとえ被洗浄体が酸に腐食され易い性質を有してい
ても、酸による腐食の発生を抑制しつつ被洗浄体を洗浄
することができる様にしたものである。
水素イオン濃度を上昇させることなく洗浄液を希釈させ
る液を用いて洗浄液を被洗浄体から除去することによっ
て、たとえ被洗浄体が酸に腐食され易い性質を有してい
ても、酸による腐食の発生を抑制しつつ被洗浄体を洗浄
することができる様にしたものである。
例えば半導体装置の製造工程では、工程間で半導体装置
に付着した塵埃や油脂等を除去するために、製造工程に
ある半導体装置を洗浄する。
に付着した塵埃や油脂等を除去するために、製造工程に
ある半導体装置を洗浄する。
ところで半導体装置には、酸に腐食され易し′ＩＡｌが
金属配線の材料として一般的に用いられている。
金属配線の材料として一般的に用いられている。
このために上述の洗浄においては、酸としての性質が弱
くしかも塵埃や油脂等を除去し得る濃硝酸である発煙硝
酸を主成分とする薬液中に浸漬することが一般的に行わ
れている。
くしかも塵埃や油脂等を除去し得る濃硝酸である発煙硝
酸を主成分とする薬液中に浸漬することが一般的に行わ
れている。
そして、洗浄後に半導体装置を純水でリンスすることに
よって半導体装置から薬液を除去し、更に、半導体装置
を乾燥させている。
よって半導体装置から薬液を除去し、更に、半導体装置
を乾燥させている。
しかし、半導体装置の段差部の様にＡＩ配線の厚さが非
常に薄い部分では、上述の様な洗浄に伴ってＡＩ配線に
断線が生じていることがある。
常に薄い部分では、上述の様な洗浄に伴ってＡＩ配線に
断線が生じていることがある。
これは、純水によるリンスによって発煙硝酸が希釈され
、この希釈によって強酸である希硝酸が瞬間的に生成さ
れ、この強酸によってＡＩ配線が腐食されたものと考え
られる。
、この希釈によって強酸である希硝酸が瞬間的に生成さ
れ、この強酸によってＡＩ配線が腐食されたものと考え
られる。
本発明による洗浄方法は、水を加えると酸になる洗浄液
を用いて被洗浄体を洗浄した後に、水素イオン濃度を上
昇させることなく前記洗浄液を希釈させる液を用いて前
記洗浄液を前記被洗浄体から除去することを特徴として
いる。
を用いて被洗浄体を洗浄した後に、水素イオン濃度を上
昇させることなく前記洗浄液を希釈させる液を用いて前
記洗浄液を前記被洗浄体から除去することを特徴として
いる。
本発明による洗浄方法では、水素イオン濃度を上昇させ
ることなく洗浄液を希釈させる液を用いて洗浄液を被洗
浄体から除去する様にしているので、この除去時に酸が
生成されることはなく、またその後に水を用いて上記の
液を被洗浄体から除去してもその際に酸が生成されるこ
とはない。
ることなく洗浄液を希釈させる液を用いて洗浄液を被洗
浄体から除去する様にしているので、この除去時に酸が
生成されることはなく、またその後に水を用いて上記の
液を被洗浄体から除去してもその際に酸が生成されるこ
とはない。
以下、ＡＩ配線が形成された半導体装置の洗浄に適用し
た本発明の一実施例を説明する。
た本発明の一実施例を説明する。
本実施例も、半導体装置に付着した塵埃や油脂等を除去
するために、発煙硝酸を主成分とする薬液を用いて半導
体装置を洗浄する点については、従来例と同様である。
するために、発煙硝酸を主成分とする薬液を用いて半導
体装置を洗浄する点については、従来例と同様である。
しかし本実施例では、上述の洗浄の後で且つ純水による
リンスの前に、水素イオン濃度を上昇させることなく発
煙硝酸を希釈させる液中に半導体装置を浸漬して、この
半導体装置から発煙硝酸を除去する。
リンスの前に、水素イオン濃度を上昇させることなく発
煙硝酸を希釈させる液中に半導体装置を浸漬して、この
半導体装置から発煙硝酸を除去する。
そしてこの発煙硝酸の除去後に、従来例と同様に半導体
装置を純粋でリンスすることによって、上述の液を半導
体装置から除去する。
装置を純粋でリンスすることによって、上述の液を半導
体装置から除去する。
上述の様に水素イオン濃度を上昇させることなく発煙硝
酸を希釈させる液としては、緩衝溶液、アンモニア水等
のアルカリ溶液、アルコール等がある。
酸を希釈させる液としては、緩衝溶液、アンモニア水等
のアルカリ溶液、アルコール等がある。
また緩衝溶液には、各種のものがあり、一般的にはリン
酸水素カリウムと水酸化ナトリウムとの溶液、塩化カリ
ウム液と塩酸との溶液等が使用されている。
酸水素カリウムと水酸化ナトリウムとの溶液、塩化カリ
ウム液と塩酸との溶液等が使用されている。
しかし半導体装置の製造プロセスでは、金属イオンが半
導体装置に付着するのを防止するために、リン酸や酢酸
等の酸と水酸化アンモニウム溶液等との混液を緩衝溶液
として用いることが好適である。そして所望のｐＩ（は
、それらの混合比を代えることによって選択することが
できる。
導体装置に付着するのを防止するために、リン酸や酢酸
等の酸と水酸化アンモニウム溶液等との混液を緩衝溶液
として用いることが好適である。そして所望のｐＩ（は
、それらの混合比を代えることによって選択することが
できる。
この様な本実施例では、緩衝溶液等で半導体装置から発
煙硝酸を除去する際に瞬間的にでも強酸が生成されるこ
とはない。また、発煙硝酸の除去後に、半導体装置を純
水でリンスしているので、このリンス時にも強酸が生成
されることはない。
煙硝酸を除去する際に瞬間的にでも強酸が生成されるこ
とはない。また、発煙硝酸の除去後に、半導体装置を純
水でリンスしているので、このリンス時にも強酸が生成
されることはない。
従って本実施例では、洗浄に伴ってＡＩ配線が腐食して
断線するということは少ない。
断線するということは少ない。
本発明による洗浄方法では、洗浄に伴って酸が生成され
ることがない。従って、たとえ被洗浄体が酸に腐食され
易い性質を有していても、酸による腐食の発生を抑制し
つつ被洗浄体を洗浄することができる。
ることがない。従って、たとえ被洗浄体が酸に腐食され
易い性質を有していても、酸による腐食の発生を抑制し
つつ被洗浄体を洗浄することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 水を加えると酸になる洗浄液を用いて被洗浄体を洗浄
する洗浄方法において、 前記洗浄の後に、水素イオン濃度を上昇させることなく
前記洗浄液を希釈させる液を用いて前記洗浄液を前記被
洗浄体から除去することを特徴とする洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28049286A JPS63133535A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28049286A JPS63133535A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133535A true JPS63133535A (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=17625834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28049286A Pending JPS63133535A (ja) | 1986-11-25 | 1986-11-25 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63133535A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02222145A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の洗浄方法 |
| JPH098043A (ja) * | 1996-08-06 | 1997-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US6136767A (en) * | 1997-03-03 | 2000-10-24 | Micron Technology, Inc. | Dilute composition cleaning method |
| US6313048B1 (en) | 1997-03-03 | 2001-11-06 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition and method for using same |
| US6486108B1 (en) | 2000-05-31 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| CN104475390A (zh) * | 2014-07-24 | 2015-04-01 | 如皋市易达电子有限责任公司 | 一种二极管芯片酸洗工艺及设备 |
-
1986
- 1986-11-25 JP JP28049286A patent/JPS63133535A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02222145A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の洗浄方法 |
| JPH098043A (ja) * | 1996-08-06 | 1997-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US6596647B2 (en) | 1997-03-03 | 2003-07-22 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition and method for using the same |
| US6313048B1 (en) | 1997-03-03 | 2001-11-06 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition and method for using same |
| US6384001B2 (en) | 1997-03-03 | 2002-05-07 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition |
| US6136767A (en) * | 1997-03-03 | 2000-10-24 | Micron Technology, Inc. | Dilute composition cleaning method |
| US6486108B1 (en) | 2000-05-31 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| US6831047B2 (en) | 2000-05-31 | 2004-12-14 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| US7067466B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| US7067465B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabricating |
| US7087561B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-08-08 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| US7135444B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-11-14 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| CN104475390A (zh) * | 2014-07-24 | 2015-04-01 | 如皋市易达电子有限责任公司 | 一种二极管芯片酸洗工艺及设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6143705A (en) | Cleaning agent | |
| KR100533194B1 (ko) | 세정액 | |
| JP2007165935A (ja) | スクラバ中の金属を除去する方法 | |
| JP4744228B2 (ja) | 半導体基板洗浄液及び半導体基板洗浄方法 | |
| KR20050065312A (ko) | 반도체웨이퍼의 세정방법 | |
| JPH08316187A (ja) | 洗浄方法 | |
| JP2016528146A (ja) | ガラス表面を処理する方法 | |
| JPS63133535A (ja) | 洗浄方法 | |
| US3625908A (en) | Composition for cleaning photographic equipment | |
| KR100320109B1 (ko) | 반도체 디바이스 제조 프로세스용 또는 액정 디바이스 제조 프로 세스용 세정제 | |
| JP3325739B2 (ja) | シリコンウエーハの清浄化方法 | |
| JP2006505132A (ja) | 半導体の表面処理およびそれに使用される混合物 | |
| US20050126429A1 (en) | Additives to stop copper attack by alkaline etching agents such as ammonia and monoethanol amine (MEA) | |
| JP2003027263A (ja) | 珪酸塩スケールの除去方法 | |
| JP2007214412A (ja) | 半導体基板洗浄方法 | |
| US5821212A (en) | Rinse aid and process for stainless steel | |
| JP2700778B2 (ja) | 酸含有液による半導体材料処理方法 | |
| EP0559379A1 (en) | Composition and method for stripping tin or tin-lead alloy from copper surfaces | |
| CN106190649A (zh) | 一种清洗液及其清洗pcb退锡槽的方法 | |
| JPS6148583A (ja) | スケ−ル除去剤 | |
| JP4288112B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理液 | |
| JP2007332396A (ja) | スケール除去方法 | |
| JP3454302B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPS6148584A (ja) | スケ−ル除去剤 | |
| KR101304622B1 (ko) | 세정제 조성물 |