KR100320109B1 - 반도체 디바이스 제조 프로세스용 또는 액정 디바이스 제조 프로 세스용 세정제 - Google Patents

반도체 디바이스 제조 프로세스용 또는 액정 디바이스 제조 프로 세스용 세정제 Download PDF

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Abstract

본 발명의 세정제는 오르토인산과 요소의 반응생성물인 폴리인산-요소 축합체 또는 인산-요소 폴리머를 유효성분으로 함유하고, 반도체 디바이스 제조 프로세스 및 액정 디바이스 제조 프로세스 중 적어도 한 쪽의 프로세스에서의 금속 및/또는 글라스 표면의 세정에 사용된다. 본 발명에 따르면, 환경면, 작업면 등에서 안전성이 높고, 또한 효율이 좋으면서도 금속부식 등의 문제가 없이 금속(반금속 포함) 및 글라스 표면의 에칭 잔류물이나 불순물 등의 세정을 행할 수 있다.

Description

반도체 디바이스 제조 프로세스용 또는 액정 디바이스 제조 프로세스용 세정제{DETERGENT FOR PROCESSES FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES OR PRODUCING LIQUID CRYSTAL DEVICES}
실리콘 및 GaAs 등의 화합물 재료의 반도체 디바이스의 제조 프로세스 또는액정 디바이스(LCD)의 제조 프로세스에서 웨이퍼 등의 세척하기 위해, 또한 상기 프로세스에서 드라이에칭(dry etching) 잔류물질(잔사(residue))을 제거하기 위해, 강산(염산, 황산, 질산 및 불산 등), 강알칼리(수산화나트륨, 암모니아, 히드라진 및 하이드록실아민 등), 불화암모늄, 알칸올아민, 유기용매 등이 사용된다.
상기 물질들은 모두 극물(劇物) 또는 위험물이며 작업면 및 환경면에서의 안전성에 많은 문제점을 내포하고 있다.
보다 구체적으로는, 상기한 프로세스의 웨이퍼 등에서의 금속(실리콘과 같은반금속(semimetal)을 포함하여), 글라스표면의 불순물 이온, 입자, 유기물질 및 산화막을 제거하기 위해, 제거대상에 따라, 그 대상에 따른 강산, 강알칼리 등의 화합물을 사용하고 세정을 반복한다고 하는 복잡한 프로세스(이른바 RCA 프로세스)가요구되어, 조작성 및 안전성 면에서 문제점을 내포하고 있다.
또한, 드라이에칭 잔류물을 제거하기 위해, 하이드록실아민, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH), 불화암모늄, 알칸올아민, 이들 화합물 중의 하나와 유기용매의 혼합물, 또는 유기용매 자체가 사용되는 반면에, 이들 화합물은 작업안전면또는 환경오염면에서 문제가 있다. 또한, 처리하고자 하는 목적물의 재질이 금속일 경우, 상기 화합물들이 금속에 잔류하여 금속을 부식시키는 문제도 있다.
본 발명은 반도체 디바이스 제조 프로세스 및 액정 디바이스 제조 프로세스에서 금속 또는 글라스 표면의 세정에 사용되는 반도체 디바이스 제조 프로세스용또는 액정 디바이스 제조 프로세스용 세정제(洗淨劑)에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 세정제(폴리인산-요소 축합체 농도가 40중량%인 것)에 의한 처리 후의 실리콘 웨이퍼를 나타내는 SEM 사진이다.
도 2는 처리되지 않은 실리콘 웨이퍼를 나타내는 SEM 사진이다.
도 3은 본 발명의 세정제(폴리인산-요소 축합체 농도가 0.5중량%인 것)에 의한 처리 후의 Si/Ti/TiN/Al/TiN의 적층 기판을 나타내는 SEM 사진이다.
도 4는 본 발명의 세정제(폴리인산-요소 축합체 농도가 40중량%인 것)에 의한 처리 후의 Si/Ti/TiN/Al/TiN의 적층 기판을 나타내는 SEM 사진이다.
도 5는 처리되지 않은 Si/Ti/TiN/Al/TiN의 적층 기판을 나타내는 SEM 사진이다.
본 발명의 목적은 환경면 및 작업면 등에서 안전성이 높고 효율이 좋으면서도 금속 부식의 문제를 일으키지 않고 반도체 디바이스 제조 프로세스 또는 액정 디바이스 제조 프로세스에서 금속(반금속을 포함하여) 또는 글라스 표면의 에칭 잔류물이나 불순물 등의 세정을 행할 수 있는 반도체 디바이스의 제조 프로세스용 또는 액정 디바이스 제조 프로세스용 세정제를 제공하는 것이다.
상기 목적은 다음과 같은 세정제 중의 어느 하나에 의해 달성된다.
(1) 오르토인산(orthophosphoric acid)과 요소(尿素)의 반응생성물인 폴리인산-요소 축합체(polyphophoric-acid-urea condensate) 또는 인산-요소 폴리머(ph osphoric-acid-urea polymer), 및 물을 함유하고, 반도체 디바이스 제조 프로세스 및 액정 디바이스 제조 프로세스 중 적어도 하나의 프로세스에서의 금속 및/또는 글라스 표면의 세정에 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조 프로세스용 또는 액정 디바이스 제조 프로세스용 세정제.
(2) 오르토인산과 요소의 반응시의 몰비가 오르토인산:요소 = 1:1∼1:5로 하여 반응시킨 폴리인산-요소 축합체 또는 인산-요소 폴리머를 유효성분으로 하는, 상기 (1)의 반도체 디바이스 제조 프로세스용 또는 액정 디바이스 제조 프로세스용세정제.
(3) 오르토인산 과 요소의 반응생성물인 폴리인산-요소 축합체 또는 인산-요소 폴리머를 0.01∼60 중량% 함유하는, 상기 (1) 또는 (2)의 반도체 디바이스 제조프로세스용 또는 액정 디바이스 제조 프로세스용 세정제.
(4) 과산화수소를 추가로 함유하는, 상기 (1) ∼ (3) 중 어느 하나의 반도체디바이스 제조 프로세스용 또는 액정 디바이스 제조 프로세스용 세정제.
(5) 드라이에칭 잔류물의 제거용인, 상기 (1) ∼ (4) 중 어느 하나의 반도체디바이스 제조 프로세스용 또는 액정 디바이스 제조 프로세스용 세정제.
(6) 드라이에칭 잔류물이 유기금속 및/또는 유기금속이 변화된 금속산화물을함유하는, 상기 (5)의 반도체 디바이스 제조 프로세스용 또는 액정 디바이스 제조프로세스용 세정제.
(7) 웨이퍼의 세정용인, 상기 (1) ∼ (4) 중 어느 하나의 반도체 디바이스 제조 프로세스용 또는 액정 디바이스 제조 프로세스용 세정제.
(8) 금속 이온 및/또는 할로겐 이온을 세정하기 위한, 상기 (7)의 반도체 디바이스 제조 프로세스용 또는 액정 디바이스 제조 프로세스용 세정제.
일본국 특개평8-132093호 공보에는 과산화수소, 인산암모늄 축합체 및 요소화합물을 유효성분으로 함유하는 세정제 조성물이 개시되어 있다. 상기 공보에는스케일 및 슬라임(slime)의 제거에 관하여는 기술되어 있으나, 본 발명과는 달리,이 세정제 조성물을 사용하여 반도체 디바이스 제조 프로세스 또는 액정 디바이스제조 프로세스에서의 금속 또는 글라스 표면의 에칭 잔류물 또는 불순물을 세정하는 것에 관하여는 전혀 기술되어 있지 않으며, 상기 공보를 기초로 본 발명의 효과를 예측하는 것은 전혀 불가능하다. 또한, 일본국 특공소59-5670호 공보에는 인산암모늄 축합체를 세정제 주성분으로 함유하고, 보조제로서 요소 또는 요소의 변성조성물을 함유하는 수용성 금속 세정제가 개시되어 있다. 그러나 본 발명과는 달리, 상기 수용성 금속 세정제를 사용하여 반도체 디바이스 제조 프로세스 또는 액정 디바이스 제조 프로세스에서의 금속 또는 글라스 표면의 에칭 잔류물 또는 불순물을 세정는 것에 관하여는 전혀 기술되어 있지 않으며, 상기 공보를 기초로 본 발명의 효과를 예측하는 것은 전혀 불가능하다.
이하에서 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명의 반도체 디바이스 제조 프로세스용 및 액정 디바이스 제조 프로세스용 세정제는, 오르토 인산과 요소의 반응 생성물인 폴리인산-요소 축합체 또는 인산-요소 폴리머를 약재의 주성분으로서 함유하고, 용매로서 물을 함유하는 것이다. 이와 같이 독성이 적은 화합물만을 사용한 세정제이므로, 본 발명의 세정제는환경면 및 작업안전면에서 바람직하다.
또한, 본 발명의 세정제는 반도체 디바이스 제조 프로세스 또는 액정 디바이스(LCD) 제조 프로세스에서의 실리콘웨이퍼 또는 글라스기판 등의 표면의 불순물 이온(예를 들면, Na, K, Ca, Al, Fe, Ni, 및 Cu와 같은 금속이온과 염소와 같은 할로겐 이온), 입자, 유기물질 및 산화막과 같이 디바이스 특성을 저하시키는 원인이되는 물질을 복잡한 공정을 거치지 않고 단기 상기 표면을 세정제와 접촉시키는 것만으로 이들 모두를 제거할 수 있다. 나아가서, 상기 제조 프로세스에서의 드라이에칭 도중에 생성하는 유기금속 및 레지스트를 제거하기 위한 산소 플라즈마 회분화처리(oxygen plasma ashing treatment) 등에 의해 상기 유기금속이 변화한 금속산화물 등을 함유하는, 폴리머로 불리우는 에칭 잔류물을 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 세정제는 처리대상인 금속 등에 잔류하여 금속의 부식 등을일으키는 문제도 없다.
즉, 본 발명의 반도체 디바이스 제조 프로세스용 및 액정 디바이스 제조 프로세스용 세정제는
1) 드라이에칭 잔류물을 제거하는 제거액,
2) 실리콘웨이퍼 등의 표면상에 있는 금속 및 할로겐이온과 같은 불순물의 제거를 목적으로 하는, 이른바 RCA 세정용으로 사용되는 약액(藥液)의 대체물질,
3) 웨이퍼 등의 스크러빙(scrubbing)세정용 세정액,
4) CMP(화학적-기계적 폴리싱) 프로세스 후에 웨이퍼 등의 세정액, 및
5) 액정 디바이스용 글라스 기판의 세정액
등의 용도에 유망하다.
특히, 본 발명의 세정제는 상기 1) 및 2)에서의 용도에 바람직하다. 상기 2)에서는, 종래의 RCA 세정에서의 목적별로 선택되는 약액으로서, 황산, 암모니아, 염산 또는 불산과 같은 극물이나 위험물을 함유하는 약액을 사용하여 세정과 물세척 공정을 더 이상 반복할 필요가 없게 되고, 본 발명의 세정제만의 세정으로 모든불순물 등의 제거가 가능하게 된다.
본 발명의 반도체 디바이스 제조 프로세스용 및 액정 디바이스 제조 프로세스용 세정제에 유효성분으로서 함유되는 오르토인산(정(正)인산)과 요소의 반응생성물인 폴리인산-요소 축합체 또는 인산-요소 폴리머는 오르토인산과 요소가 축합반응한 공지의 물질이다. 이 경우의 반응은 오르토인산과 요소의 몰 비가 오르토인산:요소 = 1:1∼1:5인 조건하에 행해지는 것이 바람직하다. 오르토인산과 요소의 반응생성물인 폴리인산-요소 축합체 또는 인산-요소 폴리머의 축합도(condensati on degree)는 특별히 제한되지 않으나, 상기 축합도가 통상 약 3내지 150, 바람직하게는 약 8 내지 50이다.
이 외에, 오르토인산과 요소의 반응생성물인 폴리인산-요소 축합체 또는 인산-요소 폴리머와 염을 형성한 물질, 오르토인산과 요소의 반응생성물인 폴리인산-요소 축합체 또는 인산-요소 폴리머를 중화시키는 알칼리와, 오르토인산과 요소의반응생성물인 폴리인산-요소 축합체 또는 인산-요소 폴리머의 결합체 등이 사용될수 있다. 이와 같은 물질로는 오르토인산과 요소의 반응생성물인 폴리인산-요소 축합체 또는 인산-요소 폴리머의 암모늄염, 하이드라진염, 하이드록실아민염, 알칸올아민염, 사이클로헥실아민염, 사이클릭 아민염, 칼륨염 및 나트륨염 등이 포함된다. 이와 같은 오르토인산과 요소의 반응생성물인 폴리인산-요소 축합체 또는 인산-요소 폴리머는 단독으로 또는 2종 이상을 병용해도 된다.
이와 같은 오르토인산과 요소의 반응생성물인 폴리인산-요소 축합체 또는 인산-요소 폴리머의 함유량은 일반적으로 0.01 내지 60중량%이지만, 용도 및 사용조건 등에 따라 변경될 수 있다.
본 발명의 세정제가 실리콘웨이퍼 또는 글라스 기판 등에 있어서 금속층을 가지지 않고 금속에 대한 영향이 적은 기판에 대하여, 특히 컨택트 홀이 있는 경우는, 상기 함량은 5 내지 60중량%, 특히 10 내지 60중량%일 수 있다. 이것보다 함유량이 많게 되면 세정효과의 향상이 그만큼 나타나지 않고, 코스트면에서 불리하게 된다. 또, 이것보다 함유량이 적게 되면 세정력이 저하된다.
그러나, 이와 같은 양으로는 폐액처리 등의 환경문제가 생긴다. 따라서 상기 함유량이 10중량% 미만인 것이 바람직하다. 또한 예를 들면, Si/Ti/TiN/Al/TiN 등의 금속층을 가지는 기판에 대해서는, 폴리인산-요소 축합체 또는 인산-요소 폴리머의 함유량이 많게 되면 Al 또는 그 밖의 Cu, Ni 등과 같은 융점이 낮은 금속이 부식되기 쉽다는 문제가 있다. 이 경우에, 폴리인산-요소 축합체 또는 인산-요소 폴리머의 함유량이 0.1중량% 이하일 경우에도, 충분한 세정효과를 얻을 수 있고 금속에 대한 부식도 적다. 상기 함유량은 0.01중량% 이상 10중량% 미만, 바람직하게는 0.01중량% 이상 5중량% 미만, 더욱 바람직하게는 0.05중량% 이상 4.5중량% 이하인 것이 바람직하다. 이와 같은 양으로는 특히 라인의 폭이 대략 서브 미크론, 예를 들면 0.1㎛ 이상 1㎛ 미만의 범위에 있을 때, 금속층의 '부식(eating)'이 효과적으로 방지된다.
본 발명의 세정제에 사용되는 물로서는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 수도물, 지하수, 및 이온교환수 또는 순수 등을 사용할 수 있고, 그 중에서도 이온교환수 및 순수가 바람직하다.
물의 양은 약제성분의 나머지부분으로 해도 된다.
본 발명의 세정제는 과산화수소를 함유할 수 있다. 과산화수소는 세정력을향상시켜줌으로써 처리온도의 저하 및 처리시간의 단축 등을 도모할 수 있다.
과산화수소로서는 과산화수소 자체, 수중에서 과산화수소를 방출할 수 있는공지의 화합물, 및 그것들의 2종 이상의 혼합물 등을 사용할 수 있다.
과산화수소의 함량에 특별히 제한은 없으나, 1 내지 30중량%가 바람직하고, 5 내지 25중량%가 더욱 바람직하다.
상기한 것에 추가하여, 본 발명의 세정제에는 요소 또는 요소유도체(비유렛(biuret) 및 트리유렛(triuret)), 각종 계면활성제(비이온성, 양이온성, 음이온성 및 양성(兩性)), 및 킬레이트제(에틸렌디아민 4초산: EDTA 등) 등을 함유할 수 있다.
반도체 및 액정 분야에서의 세정에는, 불순물, 특히 철, 나트륨 및 칼륨 등이 디바이스의 특성에 영향을 주기 때문에 본 발명의 세정제는 적용분야에 따라 불순물을 소정의 수준 이하로 감소시킨 품질로 하는 것도 가능하다. 예를 들면, 전기 투석(dialysis) 등에 의해 본 발명의 세정제로부터 불순물을 제거할 수 있다.
본 발명의 세정제를 사용한 세정은 세정액과 피처리체를 서로 접촉시킴으로써 행해진다. 이 경우의 접촉은 세정제를 피처리체의 처리부분에 분무하는 방법으로도 행해질 수 있으나, 바람직하게는 본 발명의 세정제를 채운 탱크에 피처리체를침적시킨다. 이와 같은 탱크내의 처리에 있어서 세정제를 교반이나 저어주는 것이바람직하다.
세정제의 접촉온도 및 시간은 세정대상물의 성질, 피처리체의 재질 등에 따라 상이하지만, 약 15℃ 내지 100℃의 온도에서 약 2분 내지 60분간 접촉시키는 것으로 충분하다.
탱크내 처리의 경우, 세정효과를 일정하게 유지하기 위해서, 회분식 처리의경우는 소정의 처리마다 정기적으로 탱크내의 액을 전량 교체할 수 있고, 연속식 처리의 경우는 오버플로(overflow)에 의해 소정의 액량을 소정 처리량마다 배출하고 새 세정액(보충액)을 보충하도록 해도 된다.
또한, 처리용 탱크의 용량은 약 20 내지 300리터이다.
본 발명의 세정제에 의해 세정된 피처리체를 물로 추가 세척하는 것이 바람직하나, 수세하지 않고 그대로 건조시켜 사용할 수도 있다.
[실시예]
본 발명을 이하의 실시예에 따라 구체적으로 설명한다.
실시예 1
직경이 6인치이고 두께가 630㎛인 실리콘산화막을 가지는 실리콘웨이퍼(산화막웨이퍼)의 산화막에 컨택트홀을 형성하기 위해 노볼락(novolak) 수지로 만들어진포지티브형 포토레지스트를 사용하여 패턴을 형성하고, 플라즈마 에칭처리를 행하였다. 에칭처리 가스로는 염소계 및 불소계 가스를 사용하였다. 에칭 후에 포토레지스트를 산소 플라즈마 회분화처리에 의해 제거하였다.
다음에, 웨이퍼에 대하여 표 1에 나타낸 농도의 폴리인산-요소 축합체를 가지는 수용액(물은 이온교환수를 사용하였다)을 세정제로 사용하고 20리터 용량의 탱크에 채워서 처리온도 및 시간을 표 1과 같이 하여 세정처리를 행하였다. 또한 탱크내에는 교반기를 설치하고 70∼75rpm의 교반하에 처리하였다.
이중에서 40중량% 수용액의 세정제를 사용하여 65℃ 20분의 조건하에 처리한후의 웨이퍼의 주사전자현미경(SEM) 사진을 도 1에 나타내고, 처리되지 않은 웨이퍼의 주사전자현미경 사진을 도 2에 나타낸다.
도 1 및 도 2로부터 본 발명의 세정제를 사용한 처리에 의해 홀 내의 에칭 잔류물이 완전히 제거되어 있음을 알 수 있다.
또한, 표 1에 나타낸 조건하에 처리된 후의 웨이퍼 표면을 주사전자현미경(SEM) 사진에 의해 평가하였다. 도 1의 것을 포함하여 상기 결과를 표 1에 나타낸다. 세정효과의 평가는 ○(에칭 잔류물의 제거가 완벽함, 즉 도 1과 동일한 수준임) 및 ×(에칭잔류물의 제거가 불완전함)로 표현하였다.
[표 1]
표 1로부터 본 발명의 세정제를 사용한 처리에 의해 양호한 세정효과가 얻어지는 것을 알 수 있다.
실시예 2
표 2에 나타낸 바와 같이 폴리인산-요소 축합체 및 과산화수소를 함유시킨 수용액인 세정제를 사용하여 표 2에 나타낸 처리온도 및 시간으로 실시예 1과 동일한 피처리체에 대하여 세정처리를 행하고, 실시예 1과 동일하게 평가하였다. 표 2에 그 결과를 나타낸다
[표 2]
표 2로부터, 과산화수소의 첨가에 의해 처리온도를 저하시켜도 세정효과가 충분히 얻어지는 것을 알 수 있다.
실시예 3
두께가 630㎛이고 6인치의 직경을 가지는 Si/Ti/TiN/Al/TiN 적층 기판 상에노볼락 수지 재질의 포지티브형 포토레지스트를 사용하여 패터닝하고, 플라즈마 에칭처리를 행하였다. 에칭처리 가스로서 염소계 및 불소계 가스를 사용하였다. 에칭 후에 산소 플라즈마 회분화처리에 의해 포토레지스트를 제거하였다.
다음에, 적층 기판을 실시예 1에 나타낸 조성을 가지는 제거제를 사용하여 표 3의 조건하에 제거 처리한 후 물로 세척하였다.
이 경우에, 제거제를 20리터 용량의 덮개를 구비한 탱크에 채워 처리하였다.수세용 순수도 앞에서와 동일한 용량의 탱크내에 채우고 25℃에서 5분간 수세처리하였다.
이중에서, 0.5 중량% 수용액인 세정액을 사용하여 65℃ 및 20분의 조건하에처리한 후의 적층 기판의 SEM 사진을 도 3에 나타내고, 40 중량% 수용액인 세정액을 사용하여 65℃ 및 20분의 조건하에 처리한 후의 적층 기판의 SEM 사진을 도 4에나타내고, 처리되지 않은 적층 기판의 SEM 사진을 도 5에 나타낸다.
도 3 내지 도 5로부터, 본 발명의 세정제를 사용한 처리에 의해, 폴리인산-요소 축합체 또는 인산-요소 폴리머의 함유량이 많아지면 금속 Al이 부식되지만, 상기 함유량이 적으면 부식이 거의 일어나지 않으며 또한 에칭 잔류물이 잘 제거된다는 것을 알 수 있다.
또한, 표 3의 조건하에 처리된 적층 기판에 관하여, 좁은 라인 및 스페이스/라인이 0.35㎛/0.35㎛로 하였을 때의 표면을 주사전자현미경(SEM) 사진에 의해 평가하였다. 그 결과를 표 3에 나타낸다. 금속 부식에 대한 평가를 ○(금속 부식이 전혀 관찰되지 않았음), △(약간의 금속 부식이 관찰되었음) 및 ×(금속 부식이 관찰되었음)로 표현하였다.
[표 3]
표 3으로부터 세정제의 조성 및 처리조건을 선택함으로써 금속의 부식이 거의 없고 양호한 세정효과를 얻을 수 있음을 알 수 있다.
실시예 4
직경이 6인치이고 두께가 630㎛인 미처리 실리콘 베어웨이퍼(bare wafer)를시료로 사용하고, 표 4에 나타낸 바와 같은 소정의 약액농도 및 소정의 온도로 유지한 세정장치(오버플로형 세정장치)를 사용하여 표 4에 나타낸 바와 같이 테스트하였다. 이 경우에, 웨이퍼 표면상의 금속 불순물(Na, Mg, Ca, Al, Fe, Ni, Cu)의양을 전반사형광X선분석장치(Total reflection fluorescent X-ray analyzer)를 사용하여 측정하였다.
또한, 세정 전의 금속 불순물의 양은 웨이퍼 1㎠ 당 1012내지 1013개-원자(pieces-atoms)(상기 각 원소)이었다.
표 4에 그 결과를 나타낸다.
[표 4]
표 4로부터 디바이스에 악영향을 미치는 금속 불순물을 세정에 의해 감소시킬 수 있음을 알 수 있다.
실시예 5
실시예 1에서 사용한 것과 동일한 미처리 산화막 웨이퍼를 시료로 사용하여,표 5에 나타낸 바와 같은 소정의 약액농도와 소정의 온도로 유지한 세정장치(오버플로형 세정장치)를 사용하여 표 5에 나타낸 바와 같이 시험하였다. 웨이퍼 상의 입자수(0.3㎛ 이상)를 표면주사형(surface scanning type) 입자 카운터로 측정하였다.
또한, 입자는 최대 길이가 0.3㎛ 이상인 것에 관하여 측정하고, 웨이퍼 6인치당 입자수(개-0.3㎛ 이상/6인치)로 나타냈다. 이와 같이 하여 최대 길이가 0.3내지 0.5㎛인 입자를 카운트하였다. 세정 전의 입자수는 208 개-0.3㎛ 이상/6인치였다. 이 때 오버플로 방식으로 순수에 의한 세정(5분간)을 행한 후 분석하였다.
[표 5]
표 5로부터 디바이스에 악영향을 미치는 입자수를 세정에 의해 감소시킬 수있음을 알 수 있다.
실시예 6
표 6에 나타낸 조건으로 하고 미처리의 LCD 글라스 기판(400mmx500mm)을 피처리체로 한 외에는 실시예 5와 동일한 방법으로 시험하였다.
단, 입자의 수는 최대 길이가 0.5㎛ 이상인 것에 관하여 측정하고, 400mmx500mm당 입자수(개-0.5㎛ 이상/400mmx500mm)로 나타앴다. 이에 따라, 최대 길이가 0.5 내지 1.0㎛인 입자가 카운트되는 것으로 된다. 세정 전의 입자수는 320 개-0.5㎛ 이상/400mmx500mm이었다. 표 6에 그 결과를 나타낸다.
[표 6]
표 6로부터, 디바이스에 악영향을 미치는 입자수를 세정에 의해 감소시킬 수있음을 알 수 있다.
본 발명에 의하면, 반도체 디바이스 제조 프로세스 또는 액정 디바이스 제조프로세스에서의 금속(반금속 포함) 또는 글라스 표면의 에칭 잔류물 및 불순물 등의 세정을 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 피처리체에 대하여 예를 들면 금속의 부식과 같은 악영향이 없다.

Claims (2)

  1. 오르토인산(orthophosphoric acid)과 요소의 반응생성물인 폴리인산-요소 축합체(polyphosphoric-acid-urea condensate) 또는 인산-요소 폴리머를 유효성분으로 함유하는
    반도체 디바이스 제조 프로세스 또는 액정 디바이스 제조 프로세스에서 금속(반금속 포함) 또는 글라스 표면의 에칭 잔류물이나 불순물 제거용 세정제.
  2. 제1항에 있어서,
    오르토인산과 요소의 반응시의 몰 비가 오르토인산:요소 = 1:1∼1:5로 반응하여 얻어진 폴리인산-요소 축합체 또는 인산-요소 폴리머를 유효성분으로 함유하는
    반도체 디바이스 제조 프로세스 또는 액정 디바이스 제조 프로세스에서 금속(반금속 포함) 또는 글라스 표면의 에칭 잔류물이나 분순물 제거용 세정제.
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