JP3160238B2 - 半導体デバイス製造プロセス用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤 - Google Patents

半導体デバイス製造プロセス用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤

Info

Publication number
JP3160238B2
JP3160238B2 JP33934297A JP33934297A JP3160238B2 JP 3160238 B2 JP3160238 B2 JP 3160238B2 JP 33934297 A JP33934297 A JP 33934297A JP 33934297 A JP33934297 A JP 33934297A JP 3160238 B2 JP3160238 B2 JP 3160238B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
manufacturing process
device manufacturing
urea
cleaning agent
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP33934297A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11106793A (ja
Inventor
隆司 矢田
豊 肥沼
和則 福村
嘉仁 福村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Otsuka Chemical Co Ltd
Original Assignee
Otsuka Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP33934297A priority Critical patent/JP3160238B2/ja
Application filed by Otsuka Chemical Co Ltd filed Critical Otsuka Chemical Co Ltd
Priority to PCT/JP1998/003458 priority patent/WO1999007010A1/ja
Priority to US09/269,735 priority patent/US6147042A/en
Priority to TW087112845A priority patent/TW382747B/zh
Priority to KR1019997002905A priority patent/KR100320109B1/ko
Priority to CN98801111A priority patent/CN1127121C/zh
Priority to EP98935342A priority patent/EP0962964A4/en
Publication of JPH11106793A publication Critical patent/JPH11106793A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3160238B2 publication Critical patent/JP3160238B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/37—Polymers
    • C11D3/3746—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C11D3/3784—(Co)polymerised monomers containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/10—Salts
    • C11D7/16—Phosphates including polyphosphates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3272—Urea, guanidine or derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造プロセスや液晶デバイス製造プロセスにおける金属、
ガラス表面の洗浄に用いる半導体デバイス製造プロセス
用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンおよびＧａＡｓ等の化合物の半
導体デバイス製造プロセスや液晶デバイス（ＬＣＤ）製
造プロセスにおけるウェハー等の洗浄用途、ならびに上
記プロセスにおけるドライエッチング残留物（残渣）の
除去においては、強酸（塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸等）
や強アルカリ（苛性ソーダ、アンモニア、ヒドラジン、
ヒドロキシルアミン等）、フッ化アンモニウム、アルカ
ノールアミン、有機溶剤などが用いられている。
【０００３】これらのものは、いずれも劇物、危険物で
あり、作業面、環境面での安全性に多くの問題をかかえ
ている。
【０００４】より具体的には、上記プロセスのウェハー
等における金属（シリコン等の半金属も含む）、ガラス
表面の不純物イオン、パーティクル、有機物、酸化膜の
除去には、除去対象に応じて、その対象に応じた強酸、
強アルカリ等の薬液を用い、洗浄を繰り返すという複雑
なプロセス（いわゆるＲＣＡプロセス）が必要とされて
おり、操作性、安全性の両面で問題がある。
【０００５】また、ドライエッチング残留物除去には、
ヒドロキシルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロ
オキサイド（ＴＭＡＨ）、フッ化アンモニウム、アルカ
ノールアミン、有機溶剤とこれら化合物との混合物、あ
るいは有機溶剤そのものが用いられているが、作業安全
面や環境汚染などの問題がある。また、被処理体の材質
が金属であるときなど、金属に残留して金属を腐食させ
る問題もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、環境
面、作業面等で安全性が高く、かつ効率よく、しかも金
属腐食などの問題もなく、半導体デバイス製造プロセス
や液晶デバイス製造プロセスにおける金属（半金属を含
む）やガラス表面のエッチング残留物や不純物等の洗浄
を行うことができる半導体デバイス製造プロセス用およ
び液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤を提供することで
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の事項
により達成される。 （１）オルトリン酸と尿素との反応生成物であるポリリ
ン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素ポリマー、および
水を含有し、半導体デバイス製造プロセスおよび液晶デ
バイス製造プロセスのうちの少なくとも一方のプロセス
における金属および／またはガラス表面の洗浄に用いら
れることを特徴とする半導体デバイス製造プロセス用お
よび液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤。 （２）オルトリン酸と尿素との反応時のモル比がオルト
リン酸：尿素＝１：１〜１：５で反応したポリリン酸−
尿素縮合体またはリン酸−尿素ポリマーを有効成分とす
る上記（１）の半導体デバイス製造プロセス用および液
晶デバイス製造プロセス用洗浄剤。 （３） オルトリン酸と尿素との反応生成物であるポリ
リン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素ポリマーを０．
０１〜６０重量％含有する上記（１）または（２）の半
導体デバイス製造プロセス用および液晶デバイス製造プ
ロセス用洗浄剤。 （４） さらに過酸化水素を含有する上記（１）〜
（３）のいずれかの半導体デバイス製造プロセス用およ
び液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤。 （５） ドライエッチング残留物の除去用である上記
（１）〜（４）のいずれかの半導体デバイス製造プロセ
ス用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤。 （６） ドライエッチング残留物が有機金属および／ま
たはこの有機金属が変化した金属酸化物を含有する上記
（５）の半導体デバイス製造プロセス用および液晶デバ
イス製造プロセス用洗浄剤。 （７） ウェハー洗浄用である上記（１）〜（４）のい
ずれかの半導体デバイス製造プロセス用および液晶デバ
イス製造プロセス用洗浄剤。 （８） 金属イオンおよび／またはハロゲンイオンを洗
浄する上記（７）の半導体デバイス製造プロセス用およ
び液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤。
【０００８】なお、特開平８−１３２０９３号公報に
は、過酸化水素、縮合リン酸アンモニウム、尿素化合物
を有効成分とする洗浄剤組成物が開示されている。ここ
では、スケールやスライムを除去することについては示
されているが、本発明と異なり、この洗浄剤組成物を用
いて、半導体デバイス製造プロセスや液晶デバイス製造
プロセスにおける金属やガラス表面のエッチング残留物
や不純物等を洗浄することについては全く示されておら
ず、この記載に基づき本発明の効果を予測することは全
く不可能である。また、特公昭５９−５６７０号公報に
は縮合リン酸アンモニウムを洗浄剤主成分とし、補助剤
として尿素またはその変態成分を含む水溶性金属洗浄剤
が開示されている。しかし、本発明と異なり、この水溶
性金属洗浄剤を使用して、半導体デバイス製造プロセス
や液晶デバイス製造プロセスにおける金属やガラス表面
のエッチング残留物や不純物等を洗浄することについて
は全く示されておらず、この記載に基づき本発明の効果
を予測することは全く不可能である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１０】本発明の半導体デバイス製造プロセス用お
よび液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤は、オルトリン
酸と尿素との反応生成物であるポリリン酸−尿素縮合体
またはリン酸−尿素ポリマーを薬剤の主成分として含有
し、溶剤として水を含有するものである。このように毒
性の少ない化合物のみを用いた洗浄剤であるので、環境
面、作業安全面で好ましい。
【００１１】また、本発明の洗浄剤は半導体デバイス製
造プロセス、液晶デバイス（ＬＣＤ）製造プロセスにお
けるシリコンウェハーやガラス基板等の表面の不純物イ
オン（例えばＮａ、Ｋ、Ｃａ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ
等の金属イオンや塩素等のハロゲンのイオン）、パーテ
ィクル、有機物、酸化膜など、デバイス特性を低下させ
る原因となる物質を、複雑な工程を経ることなく、単に
この洗浄剤と接触させるのみでこれらすべてを除去する
ことができる。さらに、上記製造プロセスにおいてドラ
イエッチングの際に生成する有機金属や、レジスト除去
のための酸素プラズマ灰化処理等によってこの有機金属
が変化した金属酸化物などを含有する、ポリマーと称さ
れるエッチング残留物を除去することができる。
【００１２】また、被処理体である金属等に残留して金
属の腐食等を生じさせる問題もない。
【００１３】すなわち、本発明の半導体デバイス製造プ
ロセス用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤は、 １）ドライエッチング残留物の除去液、 ２）シリコンウェハー等における、金属やハロゲンのイ
オン等の不純物などの除去を目的とした、いわゆるＲＣ
Ａ洗浄に用いる薬液の代替液、 ３）ウェハー等のスクラブ洗浄用洗浄液、 ４）ＣＭＰ（化学的機械的ポリッシング）プロセス後の
ウェハー等の洗浄液、 ５）液晶デバイス用ガラス基板の洗浄液、 などの用途が有望である。
【００１４】特に、１）、２）としての用途が好まし
く、２）においては、従来のＲＣＡ洗浄での目的別の各
薬液、しかも硫酸、アンモニア、塩酸、フッ酸などの劇
物、危険物を含む各薬液を用いて、洗浄、水洗の工程を
繰り返す必要がなくなり、本発明の洗浄剤のみの洗浄で
すべての不純物等の除去が可能になる。
【００１５】本発明の半導体デバイス製造プロセス用お
よび液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤に有効成分とし
て含有されるオルトリン酸（正リン酸）と尿素との反応
生成物であるポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿
素ポリマーは、オルトリン酸と尿素とが縮合反応した公
知のものである。この場合の反応はオルトリン酸と尿素
とのモル比がオルトリン酸：尿素＝１：１〜１：５とな
る条件下で行うことが好ましい。オルトリン酸と尿素と
の反応生成物であるポリリン酸−尿素縮合体またはリン
酸−尿素ポリマーの縮合度は特に制限はないが、通常３
〜１５０程度、好ましくは８〜５０程度のものがよい。
【００１６】このほか、オルトリン酸と尿素との反応生
成物であるポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素
ポリマーと塩を形成した物質、オルトリン酸と尿素との
反応生成物であるポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸
−尿素ポリマーを中和するアルカリ剤とオルトリン酸と
尿素との反応生成物であるポリリン酸−尿素縮合体また
はリン酸−尿素ポリマーとの結合体等が使用できる。こ
のようなものとしてはオルトリン酸と尿素との反応生成
物であるポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素ポ
リマーのアンモニウム塩、ヒドラジン塩、ヒドロキシル
アミン塩、アルカノールアミン塩、シクロヘキシルアミ
ン塩、環状アミン塩、カリウム塩、ナトリウム塩等が挙
げられる。このようなオルトリン酸と尿素との反応生成
物であるポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素ポ
リマーは単独で用いても２種以上を併用してもよい。
【００１７】このようなオルトリン酸と尿素との反応生
成物であるポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素
ポリマーの含有量は、通常０．０１〜６０重量％である
が、用途、使用条件等によって変化する。
【００１８】シリコンウェハーやガラス基板等であって
金属層を持たず、金属に対する影響の少ない基板に対し
て、特にコンタクトホールがある場合は、５〜６０重量
％、特に１０〜６０重量％であってよい。これより含有
量が多くなると、洗浄効果の向上がそれほどみられず、
コスト面で不利になる。また、これより含有量が少なく
なると、洗浄力が低下してくる。
【００１９】しかしながら、このような量では、廃液処
理等環境面の問題が生じる。このため１０重量％未満に
することが好ましい。また、例えばＳｉ／Ｔｉ／ＴｉＮ
／Ａｌ／ＴｉＮ等の金属層を有する基板に対しては、ポ
リリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素ポリマーの含
有量が多くなるとＡｌ、あるいはその他のＣｕ、Ｎｉ等
の低融点金属が腐食されやすい問題がある。この場合、
ポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素ポリマーの
含有量が０．１重量％以下でも充分な洗浄効果が得ら
れ、また金属に対する腐食も少ない。含有量は０．０１
重量％以上１０重量％未満、好ましくは０．０１重量％
以上５重量％未満、さらに好ましくは０．０５重量％以
上４．５重量％以下であることが好ましい。このような
量では、特にライン巾がサブミクロン程度、例えば０．
１μm 以上１μm 未満となったときの金属層のクワレが
有効に防止される。
【００２０】本発明の洗浄剤に用いられる水としては特
に制限されず、例えば、水道水、地下水、脱イオン水、
純水等を使用することができ、その中でも脱イオン水、
純水等が好ましい。
【００２１】水量は薬剤成分の残部とすればよい。
【００２２】本発明の洗浄剤には過酸化水素を含有させ
てもよい。これにより、洗浄力が向上し、処理温度の低
下、処理時間の短縮等を図ることができる。
【００２３】過酸化水素としては、過酸化水素そのも
の、水中で過酸化水素を放出し得る公知化合物、それら
２種以上の混合物等を使用できる。
【００２４】過酸化水素の含有量には特に制限はない
が、１〜３０重量％が好ましく、さらには５〜２５重量
％が好ましい。
【００２５】このほか、本発明の洗浄剤には、尿素ない
しその誘導体（ビウレットおよびトリウレット）、各種
界面活性剤（ノニオン性、カチオン性、アニオン性、両
性）、キレート剤（エチレンジアミン四酢酸：ＥＤＴＡ
等）等を含有させてもよい。
【００２６】また、半導体、液晶分野の洗浄には、不純
物、特に鉄、ナトリウム、カリウム等がデバイス特性に
影響を及ぼすことから、本発明の洗浄剤は、適用分野に
応じ、不純物を規定レベル以下まで低下させた品質とす
ることもできる。例えば電気透析等により本発明の洗浄
剤から不純物を除去することができる。
【００２７】本発明の洗浄剤による洗浄は、洗浄液と被
処理体とを接触させることによって行われる。この場合
の接触は、洗浄剤を被処理体の被処理部分にスプレーす
るなどの方法によってもよいが、好ましくは本発明の洗
浄剤を満たしたタンクに被処理体を浸漬する。このよう
なタンク内の処理では攪拌ないし揺動することが好まし
い。
【００２８】洗浄剤との接触温度、時間等は、洗浄対象
物の性質、被処理体の材質などによるが、１５℃〜１０
０℃程度の温度で２分〜６０分程度接触させればよい。
【００２９】タンク内処理の場合、洗浄効果を一定に保
持するため、バッチ処理の場合は一定処理毎にタンク内
液を全量入れ替えることもできるし、連続処理の場合
は、オーバーフローにより所定液量を所定処理量毎に排
出し、新液（補充液）を補充するようにしてもよい。
【００３０】なお、処理タンクのタンク容量は２０〜３
００リットル程度である。
【００３１】本発明の洗浄剤による洗浄ののちの被処理
体は、さらに水洗することが好ましいが、水洗すること
なくそのまま乾燥して用いることもできる。
【００３２】
【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
する。
【００３３】実施例１ ６インチ径、６３０μm 厚のシリコン酸化膜を有するシ
リコンウェハー（酸化膜ウェハー）の酸化膜にコンタク
トホールを形成するために、ノボラック樹脂材質のポジ
型フォトレジストを用いてパターン化し、プラズマエッ
チング処理を行った。エッチング処理ガスとしては塩素
系、フッ素系のガスを用いた。エッチングの後、フォト
レジストを酸素プラズマ灰化処理により除去した。
【００３４】この後のウェハーに対し、表１に示すよう
なポリリン酸−尿素縮合体の濃度の水溶液（水は脱イオ
ン水を用いた。）を洗浄剤として用い、２０リットル容
量のタンクに満たし処理温度および時間を表１のように
して、洗浄処理を行った。なお、タンク内には攪拌機を
設置し７０〜７５rpm の攪拌下で処理した。
【００３５】このなかで、４０wt% 水溶液の洗浄剤を用
い、６５℃２０分の条件下で処理した後のウェハーの走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を図１に、未処理のもの
を図２にそれぞれ示す。
【００３６】図１、図２より、本発明の洗浄剤を用いた
処理により、ホール内のエッチング残留物がよく除去さ
れていることがわかる。
【００３７】さらに、表１の条件で処理した後のものに
ついて表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真によって
評価した。結果を図１のものも含め表１に示す。洗浄効
果の評価は、○（エッチング残留物の除去が完全、すな
わち図１と同じレベル）、×（エッチング残留物の除去
が不完全）で示している。
【００３８】
【表１】
【００３９】表１より、本発明の洗浄剤を用いた処理に
より、良好な洗浄効果が得られることがわかる。
【００４０】実施例２ 表２に示すようにポリリン酸−尿素縮合体および過酸化
水素を含有させた水溶液である洗浄剤を用いて、表２に
示すような処理温度および時間で実施例１と同じ被処理
体に対し洗浄処理を行い、実施例１と同様に評価した。
結果を表２に示す。
【００４１】
【表２】
【００４２】表２より、過酸化水素添加によって処理温
度を低下させても洗浄効果が十分に得られることがわか
る。
【００４３】実施例３ ６インチ径、６３０μm 厚のＳｉ／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ
／ＴｉＮの積層基板に対し、ノボラック樹脂材質のポジ
型フォトレジストを用いてパターン化し、プラズマエッ
チング処理を行った。エッチング処理ガスとしては塩素
系、フッ素系のガスを用いた。エッチングの後、フォト
レジストを酸素プラズマ灰化処理により除去した。
【００４４】この後の積層基板に対し、実地例１の組成
の除去剤を用いて、表３の条件で除去処理し、その後水
洗処理を行った。
【００４５】この場合、除去剤を２０リットル容量のフ
タ付タンクに満たして処理した。水洗用の純水も同容量
のタンク内に満たして２５℃５分間水洗処理した。
【００４６】このなかで、０．５wt% 水溶液の洗浄剤を
用い、６５℃２０分の条件下で処理した後の積層基板の
ＳＥＭ写真を図３に、４０wt% 水溶液の洗浄剤を用い、
６５℃２０分の条件下で処理した後のものを図４に、未
処理のものを図５にそれぞれ示す。
【００４７】図３〜５より、本発明の洗浄剤を用いた処
理により、ポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素
ポリマーの含有量が多くなると金属Ａｌが腐食されてし
まうが、含有量が少なければ腐食がほとんどなく、しか
もエッチング残留物がよく除去されていることがわか
る。
【００４８】さらに、表３の条件で処理した後のものに
ついて、狭ラインや、スペース／ライン０．３５μm ／
０．３５μm としたときの表面を走査型電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）写真によって評価した。結果を表３に示す。金属
腐食の評価は、○（金属腐食が全く見られない）、△
（金属腐食がわずかに見られる）、×（金属腐食が見ら
れる）で示している。
【００４９】
【表３】
【００５０】表３より、洗浄剤の組成および処理条件を
選択することによって、金属の腐食がほとんどなく、良
好な洗浄効果が得られることがわかる。
【００５１】実施例４ 未処理の６インチ径、６３０μm 厚のシリコンベアウェ
ハーをサンプルとし、表４に示すような所定の薬液濃度
および所定の温度に保った洗浄装置（オーバーフロータ
イプの洗浄装置）を用いて表４に示すようにテストし
た。この際、ウェハー表面上にある金属不純物（Ｎａ、
Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ）量は全反射蛍光
Ｘ線分析装置を用いて測定を行った。
【００５２】なお、洗浄前の金属不純物の量はウェハー
１cm2 当たり１０12〜１０13個atom（上記各元素）であ
った。
【００５３】結果を表４に示す。
【００５４】
【表４】
【００５５】表４より、デバイスに悪影響を及ぼす金属
不純物量を洗浄によって減少させることができることが
わかる。
【００５６】実施例５ 未処理の実施例１と同じ酸化膜ウェハーをサンプルと
し、表５に示すような所定の薬液濃度と所定の温度に保
った洗浄装置（オーバーフロータイプの洗浄装置）を用
いて表５に示すようにテストを行った。ウェハー上のパ
ーティクル数（０．３μm 以上）は、サーフェイススキ
ャニング式パーティクルカウンターで測定した。
【００５７】なお、パーティクルは最大長さ０．３μm
以上のものについて測定し、ウェハー６インチ径当たり
の個数（個０．３μm 以上／６in）で示した。これによ
り最大長さ０．３〜０．５μm のパーティクルがカウン
トされることになる。洗浄前における個数は２０８個
０．３μm 以上／６inであった。このときオーバーフロ
ー式で純水による洗浄（５分間）を行ったあと分析に供
した。
【００５８】
【表５】
【００５９】表５より、デバイスに悪影響を及ぼすパー
ティクル数を洗浄によって減少させることができること
がわかる。
【００６０】実施例６ 表６に示すような条件とし、未処理のＬＣＤ用ガラス基
板（４００mm×５００mm）を被処理体とするほかは、実
施例５と同様な方法でテストした。
【００６１】ただし、パーティクル数は最大長さ０．５
μm 以上のものについて測定し、４００mm×５００mm当
たりの個数（個０．５μm 以上／４００mm×５００mm）
で示した。これにより、最大長さ０．５〜１．０μm の
パーティクルがカウントされることとなる。洗浄前にお
けるこの個数は３２０個０．５μm 以上／４００mm×５
００mmであった。結果を表６に示す。
【００６２】
【表６】
【００６３】表６より、デバイスに悪影響を及ぼすパー
ティクル数を洗浄によって減少させることができること
がわかる。
【００６４】
【発明の効果】本発明によれば、半導体デバイス製造プ
ロセスや液晶デバイス製造プロセスにおける金属（半金
属を含む）、ガラス表面のエッチング残留物や不純物等
の洗浄を効率よく行うことができる。また被処理体に対
する、例えば金属腐食等の悪影響がない。
【図面の簡単な説明】
【図１】基板上に形成された微細なパターンを表す図面
代用写真であり、本発明の洗浄剤（ポリリン酸−尿素縮
合体濃度 ４０wt%）による処理後のシリコンウェハーを
示すＳＥＭ写真である。
【図２】基板上に形成された微細なパターンを表す図面
代用写真であり、未処理のシリコンウェハーを示すＳＥ
Ｍ写真である。
【図３】基板上に形成された微細なパターンを表す図面
代用写真であり、本発明の洗浄剤（ポリリン酸−尿素縮
合体濃度 ０．５wt%）による処理後のＳｉ／Ｔｉ／Ｔｉ
Ｎ／Ａｌ／ＴｉＮの積層基板を示すＳＥＭ写真である。
【図４】基板上に形成された微細なパターンを表す図面
代用写真であり、本発明の洗浄剤（ポリリン酸−尿素縮
合体濃度 ４０wt%）による処理後のＳｉ／Ｔｉ／ＴｉＮ
／Ａｌ／ＴｉＮの積層基板を示すＳＥＭ写真である。
【図５】基板上に形成された微細なパターンを表す図面
代用写真であり、未処理のＳｉ／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ／
ＴｉＮの積層基板を示すＳＥＭ写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 肥沼 豊 千葉県東葛飾郡関宿町西高野353番地 フアインポリマーズ株式会社関宿工場内 (72)発明者 福村 和則 徳島県徳島市川内町加賀須野463 大塚 化学株式会社徳島工場内 (72)発明者 福村 嘉仁 徳島県徳島市川内町加賀須野463 大塚 化学株式会社徳島工場内 (56)参考文献 特開 昭56−58980（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−132093（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−146252（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 647 C11D 7/00 - 7/60 C23G 1/02 - 1/12 ＷＰＩ（ＤＩＡＬＯＧ)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 オルトリン酸と尿素との反応生成物であ
    るポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素ポリマー
    を有効成分とする半導体デバイス製造プロセス用および
    液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤。
  2. 【請求項２】 オルトリン酸と尿素との反応時のモル比
    がオルトリン酸：尿素＝１：１〜１：５で反応したポリ
    リン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素ポリマーを有効
    成分とする請求項１の半導体デバイス製造プロセス用お
    よび液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤。
JP33934297A 1997-08-04 1997-11-25 半導体デバイス製造プロセス用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤 Expired - Lifetime JP3160238B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33934297A JP3160238B2 (ja) 1997-08-04 1997-11-25 半導体デバイス製造プロセス用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤
US09/269,735 US6147042A (en) 1997-08-04 1998-08-04 Detergent for processes for producing semiconductor devices or producing liquid crystal devices
TW087112845A TW382747B (en) 1997-08-04 1998-08-04 Detergent for semiconductor device production process or for liquid crystal device production process
KR1019997002905A KR100320109B1 (ko) 1997-08-04 1998-08-04 반도체 디바이스 제조 프로세스용 또는 액정 디바이스 제조 프로 세스용 세정제
PCT/JP1998/003458 WO1999007010A1 (fr) 1997-08-04 1998-08-04 Detergent destine aux procedes permettant de produire des dispositifs a semi-conducteur ou a cristaux liquides
CN98801111A CN1127121C (zh) 1997-08-04 1998-08-04 用于半导体器件或液晶器件生产过程的清洁剂
EP98935342A EP0962964A4 (en) 1997-08-04 1998-08-04 CLEANING AGENT FOR METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ARRANGEMENTS OR FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL DEVICES

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9-221980 1997-08-04
JP22198097 1997-08-04
JP33934297A JP3160238B2 (ja) 1997-08-04 1997-11-25 半導体デバイス製造プロセス用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11106793A JPH11106793A (ja) 1999-04-20
JP3160238B2 true JP3160238B2 (ja) 2001-04-25

Family

ID=26524612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33934297A Expired - Lifetime JP3160238B2 (ja) 1997-08-04 1997-11-25 半導体デバイス製造プロセス用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6147042A (ja)
EP (1) EP0962964A4 (ja)
JP (1) JP3160238B2 (ja)
KR (1) KR100320109B1 (ja)
CN (1) CN1127121C (ja)
TW (1) TW382747B (ja)
WO (1) WO1999007010A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100555493B1 (ko) * 1999-12-22 2006-03-03 삼성전자주식회사 반도체기판 세정방법
WO2001090288A2 (en) * 2000-05-26 2001-11-29 Trojan Technologies Inc. Cleaning formulation for optical surfaces
JP2002011888A (ja) * 2000-06-30 2002-01-15 Canon Inc インクジェット記録ヘッド用基体の製造方法、インクジェット記録ヘッドの製造方法、インクジェット記録ヘッド、およびインクジェット記録装置
US7235188B2 (en) * 2002-10-22 2007-06-26 Ekc Technology, Inc. Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices
EP1618229A2 (en) * 2003-04-25 2006-01-25 Elisha Holding LLC Method for preparing and using silicate systems to treat electrically conductive surfaces and products obtained therefrom
JP5208409B2 (ja) * 2006-12-15 2013-06-12 花王株式会社 洗浄剤組成物
KR101763170B1 (ko) 2014-06-12 2017-08-03 주식회사 부광산업 식각 조성물
CA2892895A1 (en) 2015-05-28 2016-11-28 Fluid Energy Group Ltd. Novel organic acid compositions for use in the oil and gas industry
CA2892877A1 (en) 2015-05-28 2016-11-28 Fluid Energy Group Ltd. Using non-regulated synthetic acid compositions as alternatives to conventional acids in the oil and gas industry
KR102405559B1 (ko) * 2018-03-30 2022-06-07 후지필름 가부시키가이샤 처리액
KR102410674B1 (ko) 2021-03-04 2022-06-16 이동조 회전고기구이장치
KR102410672B1 (ko) 2021-03-04 2022-06-16 이동조 회전고기구이시스템
KR102666784B1 (ko) 2021-12-30 2024-05-17 이동조 회전식 고기구이장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2860106A (en) * 1952-10-01 1958-11-11 Drew & Co Inc E F Urea-phosphoric acid cleaning composition
GB957366A (en) * 1961-07-03 1964-05-06 Bendix Corp Sonic cleaner
US3990977A (en) * 1975-03-27 1976-11-09 Pearson Glenn A Fire proofing shampoo composition and method
JPS595670B2 (ja) * 1979-10-19 1984-02-06 大塚化学薬品株式会社 金属洗浄剤
ZA806489B (en) * 1979-10-26 1982-05-26 Unilever Ltd Fabric washing process and detergent composition for use therein
US4331437A (en) * 1980-07-11 1982-05-25 American Cyanamid Co. Process for imparting wrinkle resistance to cellulosic textile materials and materials obtained thereby
JP3608006B2 (ja) * 1994-11-09 2005-01-05 大塚化学ホールディングス株式会社 洗浄剤組成物

Also Published As

Publication number Publication date
EP0962964A1 (en) 1999-12-08
WO1999007010A1 (fr) 1999-02-11
CN1127121C (zh) 2003-11-05
US6147042A (en) 2000-11-14
KR100320109B1 (ko) 2002-01-12
EP0962964A4 (en) 2000-10-04
CN1236482A (zh) 1999-11-24
JPH11106793A (ja) 1999-04-20
KR20000068702A (ko) 2000-11-25
TW382747B (en) 2000-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6191086B1 (en) Cleaning composition and method for removing residues
TWI299885B (en) Post chemical-mechanical planarization (cmp) cleaning composition
JP3441715B2 (ja) 水性リンス組成物及びそれを用いた方法
EP1024965B9 (en) Process for removing residues from a semiconductor substrate
JP3328250B2 (ja) レジスト残渣除去剤
US8110534B2 (en) Cleaning solution for substrate for semiconductor device and process for producing substrate for semiconductor device
TWI222996B (en) Aqueous cleaning solution for removing contaminants from surface of integrated circuit substrate and cleaning method using the same
JP3160238B2 (ja) 半導体デバイス製造プロセス用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤
US20060148666A1 (en) Aqueous cleaner with low metal etch rate
JP2003129089A (ja) 洗浄用組成物
JP2003289060A (ja) 半導体デバイス用基板の洗浄液および洗浄方法
KR20000053521A (ko) 금속 부식 방지제 및 세척액
KR20120030480A (ko) 포토레지스트 잔사 제거용 액상 조성물과 상기 조성물을 사용한 반도체 회로 소자 제조공정
JP4498726B2 (ja) 洗浄剤
JP3165801B2 (ja) 洗浄液
JP2003173998A (ja) 半導体基板の洗浄方法
JP2003068696A (ja) 基板表面洗浄方法
JP2001308052A (ja) 半導体基板の洗浄方法
JP2003316028A (ja) レジスト残渣除去剤および洗浄剤
JP4397800B2 (ja) 半導体素子洗浄用組成物
JP4502481B2 (ja) 電子デバイス表面処理液
JPH0940997A (ja) 表面処理組成物及びそれを用いた基体の表面処理方法
JP2001168015A (ja) フォトレジストアッシング残さ洗浄剤

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080216

Year of fee payment: 7

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080216

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090216

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090216

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100216

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110216

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110216

Year of fee payment: 10

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110216

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130216

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140216

Year of fee payment: 13

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term