JP3160238B2 - 半導体デバイス製造プロセス用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤 - Google Patents
半導体デバイス製造プロセス用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤Info
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Description
造プロセスや液晶デバイス製造プロセスにおける金属、
ガラス表面の洗浄に用いる半導体デバイス製造プロセス
用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤に関する。
導体デバイス製造プロセスや液晶デバイス(LCD)製
造プロセスにおけるウェハー等の洗浄用途、ならびに上
記プロセスにおけるドライエッチング残留物(残渣)の
除去においては、強酸(塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸等)
や強アルカリ(苛性ソーダ、アンモニア、ヒドラジン、
ヒドロキシルアミン等)、フッ化アンモニウム、アルカ
ノールアミン、有機溶剤などが用いられている。
あり、作業面、環境面での安全性に多くの問題をかかえ
ている。
等における金属(シリコン等の半金属も含む)、ガラス
表面の不純物イオン、パーティクル、有機物、酸化膜の
除去には、除去対象に応じて、その対象に応じた強酸、
強アルカリ等の薬液を用い、洗浄を繰り返すという複雑
なプロセス(いわゆるRCAプロセス)が必要とされて
おり、操作性、安全性の両面で問題がある。
ヒドロキシルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロ
オキサイド(TMAH)、フッ化アンモニウム、アルカ
ノールアミン、有機溶剤とこれら化合物との混合物、あ
るいは有機溶剤そのものが用いられているが、作業安全
面や環境汚染などの問題がある。また、被処理体の材質
が金属であるときなど、金属に残留して金属を腐食させ
る問題もある。
面、作業面等で安全性が高く、かつ効率よく、しかも金
属腐食などの問題もなく、半導体デバイス製造プロセス
や液晶デバイス製造プロセスにおける金属(半金属を含
む)やガラス表面のエッチング残留物や不純物等の洗浄
を行うことができる半導体デバイス製造プロセス用およ
び液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤を提供することで
ある。
により達成される。 (1)オルトリン酸と尿素との反応生成物であるポリリ
ン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素ポリマー、および
水を含有し、半導体デバイス製造プロセスおよび液晶デ
バイス製造プロセスのうちの少なくとも一方のプロセス
における金属および/またはガラス表面の洗浄に用いら
れることを特徴とする半導体デバイス製造プロセス用お
よび液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤。 (2)オルトリン酸と尿素との反応時のモル比がオルト
リン酸:尿素=1:1〜1:5で反応したポリリン酸−
尿素縮合体またはリン酸−尿素ポリマーを有効成分とす
る上記(1)の半導体デバイス製造プロセス用および液
晶デバイス製造プロセス用洗浄剤。 (3) オルトリン酸と尿素との反応生成物であるポリ
リン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素ポリマーを0.
01〜60重量%含有する上記(1)または(2)の半
導体デバイス製造プロセス用および液晶デバイス製造プ
ロセス用洗浄剤。 (4) さらに過酸化水素を含有する上記(1)〜
(3)のいずれかの半導体デバイス製造プロセス用およ
び液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤。 (5) ドライエッチング残留物の除去用である上記
(1)〜(4)のいずれかの半導体デバイス製造プロセ
ス用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤。 (6) ドライエッチング残留物が有機金属および/ま
たはこの有機金属が変化した金属酸化物を含有する上記
(5)の半導体デバイス製造プロセス用および液晶デバ
イス製造プロセス用洗浄剤。 (7) ウェハー洗浄用である上記(1)〜(4)のい
ずれかの半導体デバイス製造プロセス用および液晶デバ
イス製造プロセス用洗浄剤。 (8) 金属イオンおよび/またはハロゲンイオンを洗
浄する上記(7)の半導体デバイス製造プロセス用およ
び液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤。
は、過酸化水素、縮合リン酸アンモニウム、尿素化合物
を有効成分とする洗浄剤組成物が開示されている。ここ
では、スケールやスライムを除去することについては示
されているが、本発明と異なり、この洗浄剤組成物を用
いて、半導体デバイス製造プロセスや液晶デバイス製造
プロセスにおける金属やガラス表面のエッチング残留物
や不純物等を洗浄することについては全く示されておら
ず、この記載に基づき本発明の効果を予測することは全
く不可能である。また、特公昭59−5670号公報に
は縮合リン酸アンモニウムを洗浄剤主成分とし、補助剤
として尿素またはその変態成分を含む水溶性金属洗浄剤
が開示されている。しかし、本発明と異なり、この水溶
性金属洗浄剤を使用して、半導体デバイス製造プロセス
や液晶デバイス製造プロセスにおける金属やガラス表面
のエッチング残留物や不純物等を洗浄することについて
は全く示されておらず、この記載に基づき本発明の効果
を予測することは全く不可能である。
よび液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤は、オルトリン
酸と尿素との反応生成物であるポリリン酸−尿素縮合体
またはリン酸−尿素ポリマーを薬剤の主成分として含有
し、溶剤として水を含有するものである。このように毒
性の少ない化合物のみを用いた洗浄剤であるので、環境
面、作業安全面で好ましい。
造プロセス、液晶デバイス(LCD)製造プロセスにお
けるシリコンウェハーやガラス基板等の表面の不純物イ
オン(例えばNa、K、Ca、Al、Fe、Ni、Cu
等の金属イオンや塩素等のハロゲンのイオン)、パーテ
ィクル、有機物、酸化膜など、デバイス特性を低下させ
る原因となる物質を、複雑な工程を経ることなく、単に
この洗浄剤と接触させるのみでこれらすべてを除去する
ことができる。さらに、上記製造プロセスにおいてドラ
イエッチングの際に生成する有機金属や、レジスト除去
のための酸素プラズマ灰化処理等によってこの有機金属
が変化した金属酸化物などを含有する、ポリマーと称さ
れるエッチング残留物を除去することができる。
属の腐食等を生じさせる問題もない。
ロセス用および液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤は、 1)ドライエッチング残留物の除去液、 2)シリコンウェハー等における、金属やハロゲンのイ
オン等の不純物などの除去を目的とした、いわゆるRC
A洗浄に用いる薬液の代替液、 3)ウェハー等のスクラブ洗浄用洗浄液、 4)CMP(化学的機械的ポリッシング)プロセス後の
ウェハー等の洗浄液、 5)液晶デバイス用ガラス基板の洗浄液、 などの用途が有望である。
く、2)においては、従来のRCA洗浄での目的別の各
薬液、しかも硫酸、アンモニア、塩酸、フッ酸などの劇
物、危険物を含む各薬液を用いて、洗浄、水洗の工程を
繰り返す必要がなくなり、本発明の洗浄剤のみの洗浄で
すべての不純物等の除去が可能になる。
よび液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤に有効成分とし
て含有されるオルトリン酸(正リン酸)と尿素との反応
生成物であるポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿
素ポリマーは、オルトリン酸と尿素とが縮合反応した公
知のものである。この場合の反応はオルトリン酸と尿素
とのモル比がオルトリン酸:尿素=1:1〜1:5とな
る条件下で行うことが好ましい。オルトリン酸と尿素と
の反応生成物であるポリリン酸−尿素縮合体またはリン
酸−尿素ポリマーの縮合度は特に制限はないが、通常3
〜150程度、好ましくは8〜50程度のものがよい。
成物であるポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素
ポリマーと塩を形成した物質、オルトリン酸と尿素との
反応生成物であるポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸
−尿素ポリマーを中和するアルカリ剤とオルトリン酸と
尿素との反応生成物であるポリリン酸−尿素縮合体また
はリン酸−尿素ポリマーとの結合体等が使用できる。こ
のようなものとしてはオルトリン酸と尿素との反応生成
物であるポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素ポ
リマーのアンモニウム塩、ヒドラジン塩、ヒドロキシル
アミン塩、アルカノールアミン塩、シクロヘキシルアミ
ン塩、環状アミン塩、カリウム塩、ナトリウム塩等が挙
げられる。このようなオルトリン酸と尿素との反応生成
物であるポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素ポ
リマーは単独で用いても2種以上を併用してもよい。
成物であるポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素
ポリマーの含有量は、通常0.01〜60重量%である
が、用途、使用条件等によって変化する。
金属層を持たず、金属に対する影響の少ない基板に対し
て、特にコンタクトホールがある場合は、5〜60重量
%、特に10〜60重量%であってよい。これより含有
量が多くなると、洗浄効果の向上がそれほどみられず、
コスト面で不利になる。また、これより含有量が少なく
なると、洗浄力が低下してくる。
理等環境面の問題が生じる。このため10重量%未満に
することが好ましい。また、例えばSi/Ti/TiN
/Al/TiN等の金属層を有する基板に対しては、ポ
リリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素ポリマーの含
有量が多くなるとAl、あるいはその他のCu、Ni等
の低融点金属が腐食されやすい問題がある。この場合、
ポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素ポリマーの
含有量が0.1重量%以下でも充分な洗浄効果が得ら
れ、また金属に対する腐食も少ない。含有量は0.01
重量%以上10重量%未満、好ましくは0.01重量%
以上5重量%未満、さらに好ましくは0.05重量%以
上4.5重量%以下であることが好ましい。このような
量では、特にライン巾がサブミクロン程度、例えば0.
1μm 以上1μm 未満となったときの金属層のクワレが
有効に防止される。
に制限されず、例えば、水道水、地下水、脱イオン水、
純水等を使用することができ、その中でも脱イオン水、
純水等が好ましい。
てもよい。これにより、洗浄力が向上し、処理温度の低
下、処理時間の短縮等を図ることができる。
の、水中で過酸化水素を放出し得る公知化合物、それら
2種以上の混合物等を使用できる。
が、1〜30重量%が好ましく、さらには5〜25重量
%が好ましい。
しその誘導体(ビウレットおよびトリウレット)、各種
界面活性剤(ノニオン性、カチオン性、アニオン性、両
性)、キレート剤(エチレンジアミン四酢酸:EDTA
等)等を含有させてもよい。
物、特に鉄、ナトリウム、カリウム等がデバイス特性に
影響を及ぼすことから、本発明の洗浄剤は、適用分野に
応じ、不純物を規定レベル以下まで低下させた品質とす
ることもできる。例えば電気透析等により本発明の洗浄
剤から不純物を除去することができる。
処理体とを接触させることによって行われる。この場合
の接触は、洗浄剤を被処理体の被処理部分にスプレーす
るなどの方法によってもよいが、好ましくは本発明の洗
浄剤を満たしたタンクに被処理体を浸漬する。このよう
なタンク内の処理では攪拌ないし揺動することが好まし
い。
物の性質、被処理体の材質などによるが、15℃〜10
0℃程度の温度で2分〜60分程度接触させればよい。
持するため、バッチ処理の場合は一定処理毎にタンク内
液を全量入れ替えることもできるし、連続処理の場合
は、オーバーフローにより所定液量を所定処理量毎に排
出し、新液(補充液)を補充するようにしてもよい。
00リットル程度である。
体は、さらに水洗することが好ましいが、水洗すること
なくそのまま乾燥して用いることもできる。
する。
リコンウェハー(酸化膜ウェハー)の酸化膜にコンタク
トホールを形成するために、ノボラック樹脂材質のポジ
型フォトレジストを用いてパターン化し、プラズマエッ
チング処理を行った。エッチング処理ガスとしては塩素
系、フッ素系のガスを用いた。エッチングの後、フォト
レジストを酸素プラズマ灰化処理により除去した。
なポリリン酸−尿素縮合体の濃度の水溶液(水は脱イオ
ン水を用いた。)を洗浄剤として用い、20リットル容
量のタンクに満たし処理温度および時間を表1のように
して、洗浄処理を行った。なお、タンク内には攪拌機を
設置し70〜75rpm の攪拌下で処理した。
い、65℃20分の条件下で処理した後のウェハーの走
査型電子顕微鏡(SEM)写真を図1に、未処理のもの
を図2にそれぞれ示す。
処理により、ホール内のエッチング残留物がよく除去さ
れていることがわかる。
ついて表面を走査型電子顕微鏡(SEM)写真によって
評価した。結果を図1のものも含め表1に示す。洗浄効
果の評価は、○(エッチング残留物の除去が完全、すな
わち図1と同じレベル)、×(エッチング残留物の除去
が不完全)で示している。
より、良好な洗浄効果が得られることがわかる。
水素を含有させた水溶液である洗浄剤を用いて、表2に
示すような処理温度および時間で実施例1と同じ被処理
体に対し洗浄処理を行い、実施例1と同様に評価した。
結果を表2に示す。
度を低下させても洗浄効果が十分に得られることがわか
る。
/TiNの積層基板に対し、ノボラック樹脂材質のポジ
型フォトレジストを用いてパターン化し、プラズマエッ
チング処理を行った。エッチング処理ガスとしては塩素
系、フッ素系のガスを用いた。エッチングの後、フォト
レジストを酸素プラズマ灰化処理により除去した。
の除去剤を用いて、表3の条件で除去処理し、その後水
洗処理を行った。
タ付タンクに満たして処理した。水洗用の純水も同容量
のタンク内に満たして25℃5分間水洗処理した。
用い、65℃20分の条件下で処理した後の積層基板の
SEM写真を図3に、40wt% 水溶液の洗浄剤を用い、
65℃20分の条件下で処理した後のものを図4に、未
処理のものを図5にそれぞれ示す。
理により、ポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素
ポリマーの含有量が多くなると金属Alが腐食されてし
まうが、含有量が少なければ腐食がほとんどなく、しか
もエッチング残留物がよく除去されていることがわか
る。
ついて、狭ラインや、スペース/ライン0.35μm /
0.35μm としたときの表面を走査型電子顕微鏡(S
EM)写真によって評価した。結果を表3に示す。金属
腐食の評価は、○(金属腐食が全く見られない)、△
(金属腐食がわずかに見られる)、×(金属腐食が見ら
れる)で示している。
選択することによって、金属の腐食がほとんどなく、良
好な洗浄効果が得られることがわかる。
ハーをサンプルとし、表4に示すような所定の薬液濃度
および所定の温度に保った洗浄装置(オーバーフロータ
イプの洗浄装置)を用いて表4に示すようにテストし
た。この際、ウェハー表面上にある金属不純物(Na、
Mg、Ca、Al、Fe、Ni、Cu)量は全反射蛍光
X線分析装置を用いて測定を行った。
1cm2 当たり1012〜1013個atom(上記各元素)であ
った。
不純物量を洗浄によって減少させることができることが
わかる。
し、表5に示すような所定の薬液濃度と所定の温度に保
った洗浄装置(オーバーフロータイプの洗浄装置)を用
いて表5に示すようにテストを行った。ウェハー上のパ
ーティクル数(0.3μm 以上)は、サーフェイススキ
ャニング式パーティクルカウンターで測定した。
以上のものについて測定し、ウェハー6インチ径当たり
の個数(個0.3μm 以上/6in)で示した。これによ
り最大長さ0.3〜0.5μm のパーティクルがカウン
トされることになる。洗浄前における個数は208個
0.3μm 以上/6inであった。このときオーバーフロ
ー式で純水による洗浄(5分間)を行ったあと分析に供
した。
ティクル数を洗浄によって減少させることができること
がわかる。
板(400mm×500mm)を被処理体とするほかは、実
施例5と同様な方法でテストした。
μm 以上のものについて測定し、400mm×500mm当
たりの個数(個0.5μm 以上/400mm×500mm)
で示した。これにより、最大長さ0.5〜1.0μm の
パーティクルがカウントされることとなる。洗浄前にお
けるこの個数は320個0.5μm 以上/400mm×5
00mmであった。結果を表6に示す。
ティクル数を洗浄によって減少させることができること
がわかる。
ロセスや液晶デバイス製造プロセスにおける金属(半金
属を含む)、ガラス表面のエッチング残留物や不純物等
の洗浄を効率よく行うことができる。また被処理体に対
する、例えば金属腐食等の悪影響がない。
代用写真であり、本発明の洗浄剤(ポリリン酸−尿素縮
合体濃度 40wt%)による処理後のシリコンウェハーを
示すSEM写真である。
代用写真であり、未処理のシリコンウェハーを示すSE
M写真である。
代用写真であり、本発明の洗浄剤(ポリリン酸−尿素縮
合体濃度 0.5wt%)による処理後のSi/Ti/Ti
N/Al/TiNの積層基板を示すSEM写真である。
代用写真であり、本発明の洗浄剤(ポリリン酸−尿素縮
合体濃度 40wt%)による処理後のSi/Ti/TiN
/Al/TiNの積層基板を示すSEM写真である。
代用写真であり、未処理のSi/Ti/TiN/Al/
TiNの積層基板を示すSEM写真である。
Claims (2)
- 【請求項1】 オルトリン酸と尿素との反応生成物であ
るポリリン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素ポリマー
を有効成分とする半導体デバイス製造プロセス用および
液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤。 - 【請求項2】 オルトリン酸と尿素との反応時のモル比
がオルトリン酸:尿素=1:1〜1:5で反応したポリ
リン酸−尿素縮合体またはリン酸−尿素ポリマーを有効
成分とする請求項1の半導体デバイス製造プロセス用お
よび液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤。
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JP3608006B2 (ja) * | 1994-11-09 | 2005-01-05 | 大塚化学ホールディングス株式会社 | 洗浄剤組成物 |
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