JP2007134671A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】スピンチャック10によって回転保持される半導体ウエハWの表面にレジスト塗布ノズル20からレジストを滴下してレジストを塗布し、ウエハに塗布されたレジストが乾燥する前に、ベベル洗浄ノズル30からウエハWの周縁部におけるベベル部4の近傍に洗浄液を供給してベベル部に付着するレジストを除去し、その後、ウエハ表面のレジスト膜を乾燥する。
【選択図】 図1
Description
図1は、上記レジスト塗布装置の第1実施形態を示す概略断面図(a)及び(a)のI部拡大図(b)である。
図6は、この発明に係る基板処理装置を適用したレジスト塗布装置の第2実施形態を示す概略断面図である。
図9は、レジスト塗布装置の第3実施形態を示す概略断面図(a)、(a)のII部拡大図(b)及び洗浄液の供給位置を示す概略底面図(c)である。
・レジスト:PAR(商品名)
・溶剤:シクロヘキサノン(C6H10O)
・ベベルリンス流量:100ml/min(2本合計)
・バックリンス流量:100ml/min(2本合計)
上記条件で実験を行ったところ、従来のレジスト除去処理では、表1に示すような結果が得られ、この発明に係るレジスト除去処理においては、表2に示すような結果が得られた。
・レジスト:PAR(商品名)
・溶剤:シクロヘキサノン(C6H10O)
・ベベルリンス流量:160ml/min(4本合計)
・ベベル洗浄ノズル30:50ml/min(1本)
・補助洗浄ノズル33:30ml/min(1本)
・バックリンス流量:100ml/min(2本合計)
2 側端上部面
3 側端下部面
4 ベベル部
10 スピンチャック(回転保持手段)
20 レジスト塗布ノズル(塗布液供給手段)
30 ベベル洗浄ノズル
31 保持基体
32 ノズル保持体
33 補助洗浄ノズル
40 裏面洗浄ノズル
70 温度調整器
80 アシストノズル
W 半導体ウエハ(被処理基板)
L 洗浄液
R レジスト(塗布液)
LM レーザーマーク
Claims (16)
- 被処理基板の表面に塗布膜を形成する処理を行う基板処理方法において、
塗布液を滴下した被処理基板を回転させて被処理基板表面に塗布膜を形成する塗布工程と、
上記被処理基板を回転させて被処理基板に塗布された塗布液が乾燥する前に、上記被処理基板の周縁部におけるベベル部の近傍に洗浄液を供給してベベル部の塗布液を除去する洗浄工程と、
上記洗浄工程の後に上記被処理基板の上記塗布膜を乾燥させる乾燥工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1記載の基板処理方法において、
上記塗布工程は、塗布液を被処理基板表面から振り切る工程を含み、上記洗浄工程は、上記塗布液を振り切る工程から5秒以内に開始する、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1又は2記載の基板処理方法において、
上記洗浄工程は、被処理基板の裏面側からベベル部に向けて洗浄液を供給して行う、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1記載の基板処理方法において、
上記乾燥工程の後に、上記被処理基板の裏面を洗浄するための洗浄液を供給する工程を更に有する、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理方法において、
上記洗浄工程は、上記ベベル部の側端上部面までのみ洗浄液を回り込ませる回転数に設定される、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1,2,3又は5に記載の基板処理方法において、
上記洗浄工程の被処理基板の回転数は、500rpm〜2000rpmの範囲で、かつ上記乾燥工程の被処理基板の回転数と同じ、又は以下である、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1,2,3,5又は6に記載の基板処理方法において、
上記洗浄工程の時間は、塗布液の種類,粘度及び、洗浄液の溶剤種類,粘度,温度によって設定される、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1,2,3,5,6又は7に記載の基板処理方法において、
上記被処理基板の端部に配設され、洗浄液を溜めるノズルを具備し、上記洗浄工程は、ベベル部にのみ洗浄液を接液させて洗浄を行う、ことを特徴とする基板処理方法。 - 被処理基板を保持して回転させる回転保持手段と、
上記被処理基板の表面に塗布液を滴下する塗布液供給手段と、
上記被処理基板の周縁部におけるベベル部の近傍に洗浄液を供給するベベル洗浄ノズルと、
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9記載の基板処理装置において、
上記被処理基板の上記ベベル部に連なる下面に洗浄液を供給する裏面洗浄ノズルを更に具備する、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9記載の基板処理装置において、
上記ベベル洗浄ノズルを、被処理基板の対向する2箇所の裏面側に配設してなる、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9又は11記載の基板処理装置において、
上記ベベル洗浄ノズルは、被処理基板におけるベベル部の内方近傍領域の直下位置からベベル部の内方近傍領域に洗浄液を供給する複数の補助洗浄ノズルを更に具備する、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項10記載の基板処理装置において、
上記裏面洗浄ノズルを、被処理基板の対向する2箇所の裏面側に配設してなる、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9又は11記載の基板処理装置において、
上記ベベル洗浄ノズルにおける洗浄液の噴射角度を、被処理基板に対して調整可能に形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9,11,12又は14に記載の基板処理装置において、
上記ベベル洗浄ノズルと洗浄液供給源とを接続する管路に、洗浄液の温度を調整する温度調整器を介設してなる、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9ないし15のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記被処理基板の端部側に配設され、被処理基板の周縁部に接液する洗浄液を溜めるノズルを更に具備する、ことを特徴とする基板処理装置。
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